1、中华人民共和国国家标准E体绝缘材料在工频、音频、高频（包括米波长在内）下相对介电常数和介质损耗因数的试验方法Methods for the determina重ionof the permittivity and dielectric dissipation factor of solid electrical insulating materials at power, audio and radio fre quensies including metre wavelengths GB 1409-88 代替GB1409-78 本标准等效采用国际标准IEC2500969）瓣量电气绝缘材料在工
2、旗、音颜、高频（包括米波长在内下相对介电常数布介质损耗因数的推荐方法，只是去掉其中液体试样及其试验部分。1 主题内容与适用菇噩本标准规定了噩体绝缘材料在工旗、音频、高频（包括米波长在内下梧对介电常数和介质摸耗国数部试验方法b本标准适用于15Hz 300 MHz频率范雷内费量噩体绝缘材科的相对介电常数、分质损起因数，并串此计算某些数值，如损耗指数。现i量所得的数筐与一些物理条件，例如频率、渥度、湿度有关，在特殊情况下也与场强有关。2 定义2. 1 相对介电常数绝缘材料的梧对介电常数鸟是电摄闰及其属嚣的空前全部充以绝缘材料时，其电容Cx与同样构莹的真空电容器的电容Co之比zr = Cx/C0 .(
3、 I) 在标准大气压下，不含二氧化碳的子燥空气鸪相对分电常数等于I.000 53.因此，用这种电极构型在空气中的电容c.来代替Co澳y量相对分电常数时，有足够的精确度。在一个给定的测量系统中，绝缘材料的介电常数是该系统中绝缘材料的相对介电常数乌与真空升电常数0的乘积。真空介电常数E:o = 8. 854 10 12 F /m = _!_ io-9 F /m . ( 2 ) 36 在本标准中用pF/cm来计算，真空介电常数为。0. 088 54 pF/c囚2. 2介盾摄耗角6绝缘材科的分贡损耗角8，是吉该绝缘材料作为介庚的电容器上所施加的电压与流过夜电容器的电流之前的相位差的余角。2.3介盾摄辑
4、因数蚀n6中华人民共租嚣杭摄电子工业部1988-08-31批准1989 07-01实施GB 1409-88 绝缘材料的介贯损耗因数是介庚损耗角的正切tarno 2.4损耗指数式绝缘材料的损耗指数式，等于该材料的介贯损耗因数tan8与梧xt分电常数鸟的乘积。2.5 相对复介电常数E;绝缘材料的相对复分电常数是由相对分电常数和提耗指数结合丽得出的z，ff,-j飞 式中：，是2.1条中所定义的相对介电啻数。. ( 3 ) . ( 4 ) 茬二,tarn.“. ( 5 ) tan8 ， r .“. ( 6 ) 有分质损耗的电容器，在任何给定的频率下既可用电容c.和电盟R.的串联回路来表示：Rs 寸it
5、an8 在C.R.-( 7 ) 也能用电容Cp和电盟Rp（或电导Gp）的并联囡路来表示R, ( G,) c. tan8 = 1/w CpRp ”( 8 ) 虽然一个有分质损耗的绝缘材料通常用并联西路来表示，程在单一旗率下有时也需要用电容Cs和电盟品的串联圄路来表示。串联元件与并联元件之间有下列关系：Cp = Cs/0十tan28)RP Itan28 一一一一一Rtan28 wC . R . = ！一 w CpRp 不管采屠串联表示法还是并联表示法，其介庚摄耗医数tana是梧等的。注：本标准中的计算和测量是根据正弦波形电流（w=2作出的。3 影响介电性能拍因素3. 1 频率. ( 9 ) ( 1
6、0 ) . ( 11 ) 只有少数材料，如聚苯乙烯、聚丙烯、聚西氟乙稀等，在很宽的旗率范雷内相对分屯常数有介质损耗医数是基本恒定的，因商一般的绝缘材料必须在它所使用的频率下割量介质摄耗国数租相对介电常数。相对介电常数和介庚摄耗自数的变化是由于分质极化和电导而引起前，极性分子的偶摄极化租替GB 1409-88 料不均匀性导致的界面极化是引起上述变化的主要原因。3. 2 温度损耗指数在某一频率下可以出现最大值，这个频率值与绝缘材料的温度有关。介质损耗因数和相对介电常数的温度系数可以是正的也可以是负的，这由测量温度下的损耗因数与其最大值的相对位置来决定。3.3温度极化的程度随水分的吸收量或绝缘材料表
7、面水膜的形成而增加，其结果使相对介电常数、介质损能因数和直流电导率增大。3.4 电场强度存在界面极化时，自由离子的数目随电场强度的增加而增加，其损耗指数最大值的大小和位置也随此而变。在较高的频率下，只要绝缘材料不出现局部放电，相对介电常数和介质损耗因数与电场强度无关。4 试样和电极4. 1 试样的几何形状测定材料的相对介电常数和介质损耗因数，最好采用片状试样，也可以采用管状试样。在测定z值时，最大的误差来自试样尺寸的误差，尤其是厚度的误差。对于1%的精度来说，1.5mm的厚度就足够了；对于更高的精度要求，则试样应更厚些。测定tan8时，导线的串联电阻与试样电容的乘积应尽可能小，同时，又要求试样
8、电容在总电容中的比值尽可能大。因而，折衷的方案是试样具有几十皮法的电容。测量回路与试样并联的电容应小于5pF。试样的大小应适合所采用的电极系统。4.2 电极系统4.2. 1 接触式电极用4.3条所列电极材料之一加到试样上。电极型式有三电极系统和两电极系统两种。使用两电极系统且使上下两个电极对准有困难时，则下电极应比上电极稍大些，金属电极应稍小或等于试样上的电极。板状和管状试样使用不同电极时的电容计算公式以及边缘电容近似计算经验公式列于表1，这些公式仅适用于规定的几种试样形状。高频下测量时，为了避免接线电阻、分布电容的影响，推荐使用测微计电极。4. 2. 2 不接触电极表面电导率很低的试样可以不
9、用电极材料而将它插入电极系统，在这种电极系统中，试样的一侧或两侧有一个充满空气或液体的间隙，该间隙可以是固定的，也可以是可调的。用平板电极和圆柱形电极装置进行测量时，其计算公式由表2和表3给出。表1真空电容的计算和边缘电容的修正法向极间电容川| 边缘电容的修正川1. 有保护环的圆盘状电极可乒t Co什0. 088 54号C,=O A= fd1 + g)Z 2. 没有保护环的圆盘电极GB 14 0 9 88 续表1法向极间电容pF,cm 边缘电容的修iEpF ,cm a) 电极直径z试样直径当ah时争o. 029 0. 0581咐Pdi 机上下电极相等，假比试样小0191 O. 058logh十
10、0.Olv Co e。a“1 P=11:d1 T /W771T 出0069 54亏J2 式中gl试样相对介电常数的近似值，并且dhc) 上下电极不等争。叫一0川队十0.045I j :1 Pdi 式中：1试样相对介电常数的近回斗牛ZJ似慎，并且h3. 有保护，坏的圆柱形电极W 可C e: 2 11:(!1斗g)二。一。ln(ddd1)(l1 + g) =O. 241 6一兮子，.；og(d,/d1) C,=O 4. 没有保护环的圆柱形电极它 j川若、3C e: 2 11:l1 一。一。ln(ddd1)=O. 241 6一L一log(ddd1) s = 0. 019到一O.058logh + 0
11、. 010 2P p 工工（di 才h) 式中：1试样相对介电常数的近似值试样电容GB 1409-88 表2试样电容的计算一接触式测微计电极说明符号定义1. 井联个标准电容器来替代试样明C广试样的并联等值电容试样直径直少比测微计酬的直ILlC一取去试样后，为恢复平衡，标Cr= LlC + Cor 径小2r I 准电容器的电容增量在计算相对介电常数时，必须采用ICr 一在距离为r时，测微计电极的试样的真实厚度h和面积A| | 校正电容2. 取去试样后减少测微计电极间的距离来替代试样电容Cs一取去试样后，恢复平衡，电极距离为3时测微计电极的校正电 甘试样直径至少比测微计电极的直径小2r测微计电极间
12、丽积为所插在计算相对介电常数时，必须采用人的试样的面积、距离分Cp = C，叫Cr+c仙试样的真实厚度h和面积A| , 别为r或h时的空气电容，可用表l的式(1）来计3. 并联4个标准电容器来替代试样电容，当试样与电极的直径相同l算时，只有斗微小的误差（因电极边缘电场睛变引起0.2%0. 5%的误差）, I r一试样与附加电极的厚度因而可以避免空气电容的瞅计算lh一试样厚度Cr= LlC t Cob 相对介电常数：Er工生试样直径等于测微计电极直径，施c 加于试样上的电极厚度为零GB 1409 88 表3相对介电常数和介质损辑朋数的计算一不接触电极相对介电常数介质损辑因数符号定义1. 测微计电
13、极（在空气中）6.C一试样插入时电容改变的值（电e:, 1 容增加时为十号）或，如果ho调到一个新值h。，而C=O电极空间装有试样时的电辑tan. = tanOc + Me:,6.tanO 口一一电极间仅有一种流体时的电辑，其值为e:1Coh e:，黠C。一所考虑的面积上的真空电容，h一（h0-h。）其值为EoA/ho2. 平板电极一流体排出法A一一试样一个面的面积，cmi（当试样与电极同样大小或当试样大4与于电极时即为电极圈职）鸟1十tanzO, tanO, = tancic十MAtanci er在试验温度下的流体相对介电Cr 十AC)(I+ tan2cic) Ci十AC)(l十tan2ci
14、c)常数（对空气而富e:1=1.00) C1+MCr (Cr + AC) (1 + tan30c).,+MCr一（Cr十C)(l十tan20c）eo真空介电常数，pF/cmAtanci拯一一一试样插入时，介质损艳因当试样的介质损辑因数小于0.1肘，可以用下列公式g数的增加值tanO，电极空间装有试样时的介E富市ff 质损耗因数1 啕咱“句C。M十AC幽h幽h幽o幽tanci, = tanOc十M丘AtanOtanO，一试样介质损辄阔数的计算ff 值3. 圆柱形电极一流体排出法（用于tanO篡小子0.1时）do内电极的外直径d1一一试样的内直径dz试样的外直径E注tanci. tancic十ta
15、nci .!:. d3一一外电极的内宽径e, = I /: log(ds/do) er h。一平行平板间的距离C1 log(ddd1) h一试样的平均厚度 log(d3/do）一1log(d2/d1) M阳守一l4. 两种流体楼平板电极（用于tanci篇小于0.1时）垃z在两种流体法的等式中，注脚1和2分别表示第一种和第二种流体e，出向1千AC1C2（句f/1) AC1C2 AC2C1 tanO.口tanOc1+ e,CL。uc一，Citan02 推荐使用下列两种型式的电极装置。4, 2. 2.1 空气填充测微计电极当试样插入和不插入电极时。电容都能调节到同一个值，不需作系统的电气校iE就能测
16、量相对介电常数（见阁1)。GB 14 09 88 图1用于固体绝缘材料测量的测微计电极一测徽计头；2用来连接可调电极B的金属软壁腔；3放试样的空间（试样电容器C1)14固定电极A;5一测微计头：6游标电容器C217一电极引出接头；8可调电极B4.2.2.2 流体排出法固定式电极在相对介电常数近似等于试样的相对介电常数、而介质损耗因数可以忽略的一种液体内进行测量。这种测量与试样厚度测量的精度关系不大。当相继采用两种流体时，试样厚度和电极系统的尺寸可以从计算公式中消去。试样为试验池电极直径相同的圆形，在测微计电极中，为了消除边缘效应，试样直径约比测微计电极直径小两倍试样厚度。4.2.3边缘效应为避
17、免边缘效应引起相对介电常数的测量误差，电极系统应加进一个保护电极，保护电极的宽度至少为试样厚度的两倍。保护电极和测量电极间的间隙应小于试样厚度。使用两电极系统时，应对边缘电容按表1列出的近似计算公式进行修正（这些公式是经验公式，只适用于几种规定的试样形状）。此外，边缘电容也可以用有保护环和无保护环测量的结果进行比较拔得。用这个边缘电容来修正另一频率和温度下的电容时，其精确度可以满足要求。4.3 电极材料电极材料是用于改善金属块电极与试样的接触而施加于试样表面的导电材料。4. 3. 1 金属宿电极金属筒可以为厚度在100.m以下的纯箱、铅箱及厚度在10/!ID以下的退火铝筒，也可以使用金筒。在较
18、高温度下不宜使用铝筒，因为铝锢在较高温度下易生成电绝缘的氧化膜而影响测量结果。用少量纯净的硅油或其他低耗粘合剂将金属宿贴到试样上。GB 1409-88 4. 3. 2 烧熔金属电极烧熔金属电极一般用银，但在高温和高湿下最好采用金。烧熔金属电极造用于能耐高温的材料，如玻璃、陶瓷、云母等、4, 3. 3 真空镀膜和金属喷镀电极真空镀膜电极是在真空下将银或铝或其他金属喷镀到试样表面形成的电极。金属喷镀电极是低熔点的金属喷镀到试样表面形成的电极z在制作电极时，真空和喷镀温度对材料性能应不产生永久性的损害。这些电极是多孔的，因此可以在加上电极后进行预处理和条件处理。喷镀金属电极特别适合于潮湿条件下的测试
19、。4,3,4 导电液体电极把试样夹在两块相互配合好的凹模之间，凹模中充满导电液体，该导电液体必须是纯净的。导电液体可为隶，但应谨慎使用柔，因为隶易蒸发出有剧毒的气体，尤其在高温下。4. 3. 5 导电漆高电导率的银攘，除在试样上经气干或低温烘干后即成电极，该电极具有与4.3. 3条相似的优点。漆中的溶剂对试样应没有持久的影响，在极高的频率下不能使用导电银漆。4.3.6 导电橡皮用体积电阻率小于30m、邵氏硬度为4060(A表）的橡皮作为电极材料，把试样放入两块橡皮电极之间，加上o.01 MPa左右的压力。导电橡皮只适合于工频及以下频率的测量。4,4 电极的选择4, 4, 1 板状试样电极的选择
20、必须考虑以下几点：a. 接触式电极z测量、计算简便。工频下的测量主要选用接触式电极，缺点是各种电极材料对测试结果都有影响；b. 不接触电极z可避免由于试样和电极接触不良带来的误差，因此测量精度较高。但是，空气填充不接触法测量时，试样厚度测量误差所引起的相对介电常数的误差比接触式电极的稍大；而采用两种流体排出法测量时，试样厚度测量误差对测试结果没有影响。相对介电常数在10以上的非多孔性材料最好采用沉积金属电极，且不用保护电极；介电常数在310之间的材料最好采用金属箱、乘或沉积金属作电极材料。若厚度的测量精度较高，则可以用空气填充测微计测量或用流体排出法测量。4,4.2 管状试样对于管状试样，电极
21、系统的选择取决于它的相对介电常数、管壁厚度、试样直径及测量精度要求。一般情况下，电极采用三电极系统，管内电极为高压电极，可用柔、沉积金属膜、金属箱和配合较好的金属芯轴。管外为测量电极和在它两端的保护电极，电极可用金属倍或沉积金属。高相对介电常数的管状试样，可使用两电极系统和与电极等宽度的试样。大直径的管状试样，可按板状试样考虑。5 测量方法的选择测量绝缘材料的相对介电常数和介质损耗因数的方法可分成两种：零点指示法和回路谐振法。5. 1 零点指示法适用于频率不超过50MHz的测量，通常采用西林电桥、变压器电桥和平行T形网络，可用替代法和直接法测量。5.2 回路谐振法用于IOkHz300MHz的测
22、量。这种方法总是用替代法，常用的方法有变电纳法和变Q值法等。几种典型的测试仪器原理见附录A。6试验步眼6. 1 试样GB 14 09 88 试样可按产品规范中的要求或合适的标准方法制备。厚度测量应精确到土（0.2%+o. 001 mm）内，测量点应均匀地分布在整个测量田上。6.2 试样处理试样处珊应按有关的产品规币进行。6.3 测撒电吨测量按本标准和所使用仪器的操作规范进行。在1MHz或更高的频率下测盘时，必须用短而粗的导娥连接，以消除咆感和接线电班主对测最结果的影响，也可以采用同轴接铺系统。6.4 精度要求通常所要要求的精度是：相时介电常数精度为土1%，介质损辑因数精度为土（5%十0.000
23、 5）。在较低频率下和较商婴求时所要求的精度为：电容测最精度为企（0.1 % +o. 02 pF），介质损赖回数的测最精度为士2%+0.ooo 05）。在较高频率下的精度要求为：电容测量精皮士（0.5% +o. 1 pF），介质损耗因数精度为土（2%+0. 000 2）。？结果7. 1 相对介电常数有保护电极的试样，其相对介电常数接戒02）计算：e, = Cx/C。. ( 12 ) 没有保护电极的试样，其相对介电常数按式(13）计算：E古CCx一C0)/Co. ( 13 ) 式巾，Cc、C。由农1中公式给巾。测微电极间或不接触电极间被测试样的相对介电常数可按表2、表3中相应的公式计算出束。7.
24、2 介质损耗因数tan6介质损辑因数tan按照所用的测量装置给定的公式算出成直接从仪带上读出。7.3撒据处理取各个相对介电常数的算术平均值作为相对介电常数的最终结果。取各个介质损耗因数的算术平均值作为介质损耗因数的最终结果。8试验报告试验报告应至少报告下列内容：a. 绝缘材料的说明和标志（名林、型号、生产厂等），试样形状及尺寸；b. 试样处理的方法制时间；c. 电极装置和测最仪榻；d. 试验时的环境温度、相对温度和试样温度ze. 外施电压和频率；f. 测碑的相对介电常数，各个值及最佟结果$g. 测得的介质损耗因数tan各个值及最终结果；h. 试验日期和试验员。有必要时，还带报告损辑指数、介质损
25、赖角等所要求报告的计算锚泉。A1 西林电桥GB 1409-88 附录A几种典型的仪踹（参考件）四林电桥是测量介电常数和介质损耗回数的最典瓢装置。它可以使用于频事低于50Hz直至100 kHz数最级的频事施阁之内。电容测量范围通常为5010000 pF。四林电桥可分为高频西林电桥和低频回林电桥。A1.1 低撇西林电桥一般为高压电桥，电路如回Al所示，该电桥平衡时：C第( Al) tanOx mC1R1 ( A2 ) A ? ： u M N , (C1、，：2/ ./ 圈Al西林电桥铺路图为了消除杂散电容、对地电容、残余电感的影响，以及高压端对测量端的影响，电桥必须有良好的屏蔽并带有瓦格纳接地，电
26、路如阁A2所示。操作时，把S反复打向a,b端，调节电桥平衡。这样，电桥M、N两点与屏蔽电位相等，因而消除了对她电容等的影响。GB 1409一88A u ，、“B 图A2具有瓦格纳（Wagnor）接地线路的西林电桥A1. 2 离摄西林电楞这种电桥一般在中等电压下工作，逼常，电桥中的标准电容是可变的。测试可以用替代法。为了提高费量精度，仍可以使用瓦格纳接地辅助赘臂。A2 变革嚣电费变压器电替的原理图克国A3，当电桥平衡肘，复电拉Zx租Z泌的比值等于电压矢量U1和U2的比值，而由于U1/U2是一个常数K,ZM是己知的，故Z. =KZM，从丽得到试样的电容c.和分质损耗国数tan8。气丁卢Zx 图A3
27、变压器电桥线路图变压器电替可理三端捷量商无需辅勤桥臂，可获得宽广的电容量程和较高的准确度，它可应用于几十赫莞几十兆麓的频率范围。A2.1 低频变压器电桥低频变压器电替一般为离压电替。变显器电替的误差会随负载而变化，尤其是矶和U2之间的相位差会直接影确tan8的测量值。囡商，雪扉一个无损电容CN代替Z翼进有标定，采用菌A4的装置，把S分到打向ab峙，可以保持高压边的负载不变商进行挥定。GB 1409-88 飞jv图A4具有恒载校正的变压器电路当用并联于电压U1上的无损电容来标定时，承受电压U2的阻抗ZM是如下组成的zU1与U2同相时，ZM为纯电容CM;U2超前于U1时，ZM由电容CM与电阻RM组
28、成；U2滞后于矶时，则采用如图A5所示的装置，引入一个辅助绕组提供一个与U1同相的矶。a. b. c. 飞T1.7u t: J l:r.-J:. 户，、！R, u,-c；主 : :,R, i.,.111 Ill OIp1111 u 111 A才111r一111.,. ii I 图A5变压器电桥注z当U2滞后于矶时用绕组认补偿。虚线：与CM并联形成一个高电阻（当lz超前于11时）。A2.2 高频电桥上面的讨论同样适用于高频电桥，由于它通常为低压电桥，因而可以采用替代法。双T网络在双T网络桥路中，从电源经两个T形网络流向检测器的两个电流是大小相等、方向相反的。图A6示出了双T网络的原理图。图A7是
29、测量绝缘材料最常用的双T网络电路图，这种线路在平衡时：A3 1 1 1 一一十一一一一一“（A3 ) CA CN CB w2CACNj, R,/ 1 + 旦l二L. . CBJ w2（、ACNRFGB 1409-88 c, R, 国A6平行T型网络原理嚣c. R L 图A7平行T望网络的实际线路图测试，时，先不接试样，调节Cv和CH使电路达到平衡，然后，将试样接主要jX、X端，此时，Cv和Ctt的变化值分裂为D.Cv和D.Ctt，则zCx = D.Cv .”( A5) G.主兰主ACtt . ( A6 ) wCACNRT C:iC (J 一一一一一一！.( A7 ) CB .1Cv 双T网络应
30、用的频率范圈可从50kHz至50MHz，这种线路也很容易雳蔽，但是其平衡随频率的变化太灵敏，在较高频率下接线和开关阻抗会引起较大误差。A4 灌振法（Q表法Q表法可在10kHz f!J 260 MHz颜率革嚣内使用，因A8为这种线路原理图。在接入试样和不接入试样情况下分别调节电路谐振，并测量电容两端的电压作为Q毡，求得试祥的c.值和tanlJ值。期zC. = C1 - C0 ( A8) C1十Co(1 一一一一I一一I.“( A9) c. Q2 Qi 式中：C2、Qz一一分别为有试样时的电容和Q值；C1、QI一一分别为无过样时的电容租Q值3Co捷量圄路的分布电容值。GB 1409-88 Q表法测
31、量时，连线的阻抗会引起较大的误差，尤其在高频下；而且，tarn过大，则上面两式便不成立。A5 变电纳法L R, R / c 图AB谐振的线路图G Cx 变电纳法一般用于较高频率下的测量，它与测微电极系统配合使用，可以消除测试过程中高频下接线电阻和测量电容的串联电感和串联电阻对测量值产生的影响。在这样的系统中，不管试祥在不在回路中，电路中的电感与电阻总是相对地保持恒定，试样的直径约比电极直径小两倍试样厚度，以消除由于试样插入而引起的边缘电容的变化。测试中，首先将试样放入测微电极中，调节测量回路参数，然后拿出试样，调节测微电极和标准电容器，使电路总电容保持不变。按表2计算Cp。tan8 = (Ll
32、C1 - LlC2)/2 Cp ( Alo ) 式中zLlC1一一回路中有试样时电压等于谐振电压和等于谐振电压2/2时可变电容C2的两个读数差值；LlC2一一无试样时上述相同情况下两电容读数差值。A6 屏蔽为了使桥臂不受外电场干扰占消除各桥臂和各部件间的杂散搞合，可采用屏蔽技术。变压器电桥和带瓦格纳接地的西林电桥都采用了这种技术。采用钱代法测量时，线路可以不用屏蔽。为了消除操作者身体对桥体的影响，可以将试祥、检测器和振荡器等屏蔽起来。在100kHz或更高频率时，连线应尽可能短而粗，以减少连线电阻对测量的影响。在线路中若使用开关将试样从测试回路断开，则开关在打开时的电容应尽可能小，或者可以对开关
33、实行屏蔽。A? 电桥的振荡器和检测器A7.1 振荡器振荡器产生测试电压，该电压的总谐波分量应小于1%。A?. 2 检测器下列各类检测器均可使用，并可以带一个放大器以增加灵敏度za. 电子伏特计或波分析器Fb. 阴极射线示波器；GB 1 c. 振动式检流计。在电桥和检测器中间可以加入4个变压器f用来阻配阻扰。为了消除i节制平衡的影响，可以在检测器的输入端j卜个刷刷器。表Al各种仪器的使用频率范围方法频率范围试样形式L 四林电桥O. l MHz 管或板2. 变压器电桥15 Hz50 MHz 时板3. 双T网络oO kHz30 MHz 时板4, Q株10 kHz260 MHz 时板o. 变电纳法10 kHz100 MHz 管或板。齿且1门HhRMhn川南冒风品忡川h明月山州川叫附川刷刷刷出帘川A白血阴阳m川战平44曲风剑脚HAA1阳荷枪帆由电几悦忡忡咖假忡恬护腻川”相拙附削胁门儿皿“何中地辄吁？于J胁栅制占阻M阴阳崎翩酬人宽川机阳明tmmmm剧时刷咖耐响曲棍怕也川刷kmwk腻W斟附牛4品
