西安电子科技大学半导体物理

1、强度为:E23j.e x4.ey3.ezej1.8y2.4z,请写出电场的传播方向极化方向,判断该电磁波是否为横电磁波4 假设有一电偶极子向空间辐射电磁波,已知在垂直它的方向上 100 km 处的磁场强度为 100Vm,求该电偶极子的辐射功。

2、的均匀平面电磁波在相对磁导率 r1 的理想介质中传播,求: 1电磁波的极化状态; 2理想介质的波阻抗 ; 3电磁波的相速度 Vp.3 磁场复矢量振幅 Hir 一 8ex6eyej3x4zmAm的均匀平面电磁波由空气斜入射到海平面z0 的平面。

3、确定 A,B 间的关系;2确定 k;3求 ra 及 rb 面上的, Js.3 假设真空中均匀平面电磁波的电场强度复矢量为试求:1电场电场强度的复振幅波矢量和波长; 2电场强度矢量和磁场强度矢量的瞬时表达式.4 平行极化平面电磁波自折射率为 。

4、二BB总题数:1,分数:15.00一段由理想导体构成的同轴线,内导体半径为 a,外导体半径为 b,长度为 L,同轴线两端用理想导体板短路.已知在 arb,0zL 区域内的电磁场为:分数:15.001.确定 AB 间的关系.分数:5.002。

5、2.已知无限大区域内,在 x0 区域内填充有磁导率为 的均匀电介质,x0 区域内为真空.分界面上有电流 I 沿 z 轴方向,计算空间中的磁感应强度和磁场强度.分数:10.003.已知平面电磁波电场强度为:E23je x 4e y 3e z 。

6、荷密度 .分数:5.003.电场能量密度 w e .分数:5.00电场强度 Er,texcos310 8 t2ze y 4sin310 8 t2zmVm的均匀平面电磁波在相对磁导率 r 1 的理想介质中传播,求:分数:15.001.电磁波的。

7、D110F3 如附图 24 所示电路,负载阻抗 ZL 为多大时吸收最大功率 A8 一 j4B 8j4C 3 一 j4D3j44 如附图 25 所示电路, ,则电压 为 .A60VB 1 20VC 240VD480V5 如附图 27 所示正弦。

8、示电路,负载阻抗 ZL为多大时吸收最大功率分数:4.00A.B.C.D.4.如图所示电路, ,则电压 为.分数:4.00A.B.C.D.5.如图所示正弦稳态电路,已知安培表测得 A11A,A 22A,则电压源发出的平均功率为.分数:4.00。

9、 D.ut3分数:4.00A.B.C.D.4.积分 分数:4.00A.B.C.D.5.因果信号 fk的像函数 分数:4.00A.B.C.D.6.信号 的单位拉氏变换等于. A B C D 分数:4.00A.B.C.D.二BB总题数:4,分数。

10、C.D.3.传递函数的概念适用于. A.线性系统 B.非线性系统 C.线性时不变连续系统 D.线性时变连续系统分数:2.00A.B.C.D.4.系统处于欠阻尼状态时的特征根为. A.实数根 B.共轭复根 C.共轭虚根 D.不相等的实数根分数。

11、 c 热源,这种循环称为卡诺循环.请画出该卡诺循环的温 熵图 TS图,并根 据此图计算卡诺热机的工作效率. 2 20分 1mol单原子分子理想气体,始态为 500K 5p ,经历以下过程: 1等温可逆膨胀至 1p ; 2向真空膨胀至 1p 。

12、 界面两侧介质的折射率 B. 入射光的偏振状态 C. 界面两侧介质的电磁特性 D. 界面两侧介质中的光速 3. 振动面不平行也不垂直于入射面的线偏振光经界面全反射后,反射光通常为 . A. 线偏振光 B. 圆偏振光 C. 椭圆偏振光 D。

13、 B 不为零,但保持不变 C 随F成正比地增大 D 开始随F增大,达到某一最大值后,就保持不变 2 AB两木块质量分别为mA和mB,且mB2mA,两者用一轻弹簧连接后静止于光滑水平桌面上,如图所示若用外力将两木块压近使弹簧被压缩,然后将外力。

14、 个S原子. 2若某晶面在三个基矢上的截距分别为 3,2,1,则该晶面的晶面指数为 ,晶向321 32 aaaRrrrr 的晶向指数为 . 3由N个Cs离子和N个Cl离子组成的CsCl晶体,其初基原胞内的原子数为 ,初基原胞内的自由度数为 。

15、 6 D 8 3. 在两参照系中观察到的两个事件,下面哪种说法是正确的 A 两事件之间的时间不同,但间隔相同 B 两事件之间的时间相同,但间隔不同 C 两事件之间的时间和间隔都相同 D 两事件之间的时间和间隔都不同 4. 由狭义相对论可以得。

16、nnnna za 的收敛半径为 A 1a B a C 1 D 2a 3. 设正项级数1nna 收敛,正项级数1nnb 发散,则 A nnnba1必收敛 B nnnba1必发散 C 12nna 必收敛 D 12nnb 必发散 共5页 第2页 。