SJ T 10038-1991 电子元器件详细规范 半导体集成电路CC4008型CMPS4位二进制超前进合加器.pdf

1、SJ中华人民共和国电子工业行业标准sJ/T 10038-91电子元器件详细规范半导体集成电路CC4008型CMOs4位二进制超前进位全加器1991-04-08发布1991-07-01实施中华人民共和国机械电子工业部发布中华人民共和国电子工业行业标准电子元器件详细规范半导体集成电路CC4008型CMOS 4位二进制超前进位全加器Detail specification for electronic componentSemiconductor integrated circuit-CC4008CMOS 4-bit binary full adder with look ahead carrySJ

2、/T 10038-91本规范规定了半导体集成电路CC4008型CMOS 4位二进制超前进位全加器质量评定的全部内容。本规范是参照GB 9424CCMOS数字集成电路4000系列电路空白详细规范制订的，并符合GB 4589. 1半导体器件分立器件和集成电路总规范及GB 12750半导体集成电路分规范(不包括混合电路)的要求.中华人民共和国机械电子工业部1991-04-08批准1991-07-01实施一1一SJ/T 10038-91中华人民共和国机械电子工业部评定器件质童的依据GB 4589. 1(半导体器件分立器件和集成电路总规范GB 12750半导体集成电路分规范(不包括混合电路)SJ/T 1

3、0038-91CC 4008型4位二进制超前进位全加器详细规范订货资料见本规范第7章.1机械说明外形依据:GB 7092半导体集成电路外形尺寸。外形图按GB 7092匡冠司引出端排列:一、7一 人，匡困、B,匡习B3:匡习COQ、.匡】F3匡刃F,Bp匡习F,。区国F,、.代.勺CL ,几uJ、引出端符号名称见本规范第11.1条标志按GB 4589. 1第2. 5条及本规范第6章。2简共说明CMOs型运算器半导体材料:硅封装:空封、非空封逻辑图、穷能表见本规范第n章.品种40-+85*C -55-+125C(E) (M)PN IQ jrrL N (D) CC4008ED CC4008MDI 4

4、M (j&AM(i) CC4008EJ CC4008MIWi4rim(p) CC4008EP9; PAA % Ik)g T (F) CC4008EF CC4008MF注惫静电敏感器件D型5.3及5.3.1i型5.4及5.4.1拨一40+85(E)一55+125(M)P型55及5，5.1F型5.11陶瓷直播(D)CC4008EDCC4Q08MD黑瓷直插(J)CC4008EJCC4008MJ塑料直插(P)CC4008EP心一一多层陶瓷扁平(F)CC4008EFCC4008MF3质t评定类别H，万A,IB,IC一2一sl/T 10038-914极限值(绝对.大顺定值)若无其他规定，适用于全工作温度范

5、围。基准电压为v二条款号参数符号数值单位最小最大4.1电探电压V.-0.518V4.2输入电压v,一o.5v-+o. 5v4.3输入电流7,10mA4.4工作环境温度范围MT.-一55125-4085E4.5储存温度范围T,一651504.6每个封装的功耗。尸o500.W注”Y型封装在60以上，nJ,F型封装在100以上时，P。按12.W/C线性降额.5推荐工作条件和电特性电特性的检验要求见本规范第8章。5.1推荐工作条件若无其他规定，适用于全工作温度范围.基准电压为Vss.条款号参数符号数值单位最小最大5.1.1电探电压V-315v52电特性基准电压为VW.各粉号特性和条件Va符号规范值单位

6、试验一55一4025C85C125CCV最小最大最小网最小网最小最大最小最大521电深电流Vll.=VSV,VIH0Voo5Inu555150150尸AA3A 3a人3b10101010300300202020600600155.2.2输出低电平电压Vn.=V.,V.=VooI to I IPA5VoL0. 0500510. 050.050. 05VA3,A3a,A36100. 050.0510.053.0三祠150. 05同0.05005.0一3一SI/T 10038-914一sl/T 10038-91续表条款号特性和条件V-Vif号规范值单位试验一55C一40C25C85 C125C最小最

7、大最小际最小最大最小I-最小网5.2.11传输延迟时间Vm=V_，A. B-Ff二IMH.，q=50肠，t,=20ns，CIu-Ft,=20ns。V.一含V-, A. B-CO,V一专(V。一VOL)C, = 50pFR,二2ooknCI.-Co,511.1一rL卜800n日A4103201523074053101015230一4005101801513020051010080155. 2. 12输出转换时间同5.2.11,V.、二90% (V.x-Vo)VR:二二10% (Vox-vol)5200目日A410，T:10015806标志器件上的标志示例:型号引出端识别标志9924MA I制造单

8、位商标质t评定类别检验批识别代码若受器件尺寸限制，允许将“检验批识别代码洲质量评定类别”标在器件背面。7订货资料产品型号;详细规范的国家编号;质量评定类别;其他。压阮以d.一5一3,1/T 10038-918试验条件和检验要求若无其他规定，本章引用条款均为GB 4589. 1的条款。抽样要求:根据采用的质量评定类别，按GB 1275。第9章的有关规定。A组检验的抽样要求分组AQLI类I类ILAQLILAQL人1I0.65l0.65人2I0.110.1A3I0. 15l0.15MaS41.0S41.0A3bS41.0S41.0A4S41.0S41.0B组、C组和D组检验的抽样要求分组LTPDl类

9、I类ABCB115151515CI20202020C2b(1) C2b(2)15151515B315151515B4 C410101010B5 C510101010C620202020C7IS151515B8 C8105710C915协715C1120202020B2120101015C2320101520C2420101520D8105710一6一SJ/T 10038-91A组逐批全部试验均为非破坏性的(3.6.6)检验或试验引用标准 条件若无其他规定,T.mb=25C检验要求规范值A1分组外部目检4.2.114.2.1.1标志清晰，表面无损伤和气孔A2分组25下的功能验证按本规范5.2.2

10、,5.2.3,和11.2按本规范5.225.2.3和11.2A3分组25下的静态特性GB 3834半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理按本规范5.2.1至5.2.9和10.1按本规范5.2.1至5.2.9A3a分组，最高工作温度下的静态特性GB 3834T.按本规范4.4条件:同A3分组同A3分组A3 6分组，最低工作温度下的静态特性GB 3834T.mb按本规范4.4条件同A3分组同A3分组AQ分组25下的动态特性GB 3834按本规范5.2.n，5.2.12和10.2按本规范5.2.u和5.2.12注:1)允许相关MR.B组逐批标有(D)的试验为破坏性的(3. 6.6)检验或试验引

11、用标准 条件若无其他规定T.b=25C检验要求规范值B1分组尺寸4.2.2及附录B按本规范第1章B3分组引线强度弯曲(D)拉力(D)GB 4590半导体集成电路机械和气候试验方法2.2GB 4590,2.1外加力的值按2.2表2外加力的值按2.1表1无损伤B4分组可焊性GB 4590,2.5按方法b(槽焊法)浸润良好一7一SJ/T 10038-91续表检验或试验引用标准 条件若无其他规定T.mb=25C检验要求规范值B5分组温度快速变化:a)空封器件温度快速变化随后进行:电测量密封:细检漏粗检漏b)非空封及环氧封空封器件温度快速变化随后进行外部目检稳态湿热电测量(同A2和A3分组)GB 459

12、0,3.1GB 4590,3.11或3.12GB 4590,3.13GB 4590,3.14.2.1.1GB 4590.3. 7TA=一650,T,=1500循环次数:10同A2和A3分组按规定按规定T二一650 ,TB二1500循环次数:10严格度A: (850,85%R. H)2411同A2和A3分组同A2和A3分组同A2和A3分组B8分组电耐久性(16811)最后测量(同A2,A3和A4分组)GB 12750,12.3温度按本规范44最大值，其他按本规范10.3同A2,A3和A4分组同A2,A3和A4分组B21分组离压熬汽(D)(非空封器件)最后测量(同A2和A3分组)GB 4590.4

13、.5严格度C,24h同A2和A3分组同A2和A3分组CRRL分组就B3,B4,B5,B8和B21提供计数检查结果C组周期标青(D)的试验为破坏性的( 3. 6.6)检验或试验弓I用标准 条件若无其它规定T.t=25C检脸要求规范值C1分组尺寸4.2.2及附录B按本规范第1章C2 6分组(1)最高和最低工作温度下的功能验证GB 3834同A2分组同A2分组一8一S,1/T 10038-91续表检验或试验引用标准 条件若无其它规定T.mb=25C检验要求规范值C2 b分组(2)最高和最低工作温度下的动态特性GB 3834按本规范5.2.11,5.2.12和10.2小于1. 5USLC4分组耐焊接热

14、(D)最后侧t(同A2和A3分组)GB 4590,2.6按方法1同A2和A3分组同A2和A3分组C5分组:，温度快速变化(D)(非空封及环氧封空封器件)随后进行:外部目检稳态湿热电测量(同A2和A3分组)GB 4590,3.14.2.1.1GB 4590,3.7T.=一65C ,T.=150C循环次数500严格度A(85C,85%R,H)2411同A2和人3分组同A2和A3分组C6分组二，稳态加速度(D)(空封器件)最后测t(同A2和A3分组)GB 4590,2. 10加速度:196000./s同A2和A3分组同A2和A3分组C7分组稳态湿热(D)a)空封器件2)L)非空封及环氧封空封器件最后

15、测量(同A2和A3分组)GB 4690,3.6GB 4590.3.7严格度D: 56d严格度A: (85C,85%RH)时间:1000h同A2和A3分组同人2和A3分组C8分组电耐久性(1000h)最后测t(同A2,A3和A4分组)GB 12750,12.3同B8分组同A2,A3和A4分组同A2,A3和A4分组C9分组高温贮存(D)最后测t(同A2,A3和A4分组)GB 4590,3.31000h严格度C:150C同A2,A3和A4分组同A2,A3和A4分组一9一s,1/T 10038-91续表检验或试验引用标准 条件若无其它规定T.b=25C检验要求规范值C11分组标志耐久性GB 4590,

16、4.3按方法1:溶液A型按GB 4590.4. 3. 2C23分组抗溶性(D)(非空封器件)GB 4590,4.4按GB 4590,4.4. 2按GB 4590,4.4. 2C24分组易姗性(D)(非空封器件)GB 4590,4.1按GB 4590,4. 1.2按GB 4590,4.1. 2CRRL分组就C4,CS,C6,C7,C8,C9,C11,C23和C24提供计数检查结果.注:1) USL表示A组规范值的最大值.2)连续三次通过后，周期可放宽为一年一次。9 D组D组检验应在鉴定批准之后立即开始进行，其后每年进行一次。检验或试验引用标准条件检脸要求规范值D8分组电耐久性(D)最后测量:(同

17、A2,A3和A4分组)GB 12750,12.3I类:2000hI类:3000h其它同B8分组同A2,A3和A4分组同A2、人3和A4分组附加资料静态特性的测量n曰日琦盆.月卫.符号测试方法GB 3834I-2.15所有输入端分别同时接V和VaV山2.8输入端按功能表接v二或v，V OH2.7输入端按功能表接v二或V.V，L非被测输入端分别同时接V.或V-V川 一非被测输入端分别同时接V.或V-I.,2.12一输入端按功能表接v二或Valox2.11输入端按功能表接Va或v.V,2.10I,x 一10.2动态特性的测量一10一s7/T 10038-91基本测试线路符号泪试方法GB 3834非被

18、侧输入端按功能表接V，或V-负载线路输出端CL包括探头及夹具的电容10.3电耐久性试验线路V.-15V吮 v.固叮|I尸10.4特性曲线制造厂应提供各种电特性曲线，如典型的输出电流，功耗曲线及典型的传输延迟时间随负载电容的变化曲线。11型号说明11.，逻辑符号和逻辑图sJ/T 10038-91二逻辑符号气.人气人气甄气乳b.逻辑图12s,1/T 10038-9111.2功能表输入输出ABCIoco,FLLLLLHLLLHLHLLHHHLHLLLHLHHLHHLLHHHLHHHHH13sJ/T 10038-91附录A筛选(补充件)，类器件:制造厂应规定必要的筛选项目和条件.，类器件:按下述筛选程

19、序进行.IA IB，C内部目检GB 4590.4.6密封UGB 4590,3. 11或3.12及3.13电测童(老化前)同A3分组剔除不合格品电侧量(老化后户同A3分组.易业除不合格品内部目检GB 4590,4. 6稳态加速度uGB 4590,2. 10电测量(老化前)同A3分组剔除不合格品电测最(老化后户同A3分组。剔除不合格品内部目检GB4590.4.6电测t(老化前)同A3分组剐除不合格品老化GB 4590,4.7T- max,168h电测t(老化后)同A3分组.剔除不合格品注:1)不适用于非空封器件.一14一sa/T 10038-91z不合格品超过5%.刻批拒收。附加说明:本标准由全国集成电路标准化分技术委员会提出。本标准由上海无线电十四厂负贵起草。本标准主要起草人:吴志龙、金宗仙。一