GB T 6648-1986 半导体集成电路静态读 写存储器空白详细规范(可供认证用).pdf

1、中华人民共和国国家标准空白Blank detail specification for semiconductor integrated circuit static readjwrite memories (可供认证用)UDC 621.3 .049.774 GB 6648 86 本规范规ki:了编制半导休集成电路静态读/写存储器(以下简称器件)详细规范的基本原则。本规范是: G B 4589. 1 84 (中导休集成电路总规范有关的系列争-内详细规范之。求的资料下列(1)-(9)项要求的内容与首j表r11各栏资料相对应，编制详细规范时应填写在相应的栏!11。详细规范的识别( 1 ) 发布丁向

2、H规范的!可家标准化机构;t称。(2) IECQ 评如1规范的编号和(或日期。( 3 ) 忌、规范号和1年代号。( 4) 下ml规范的同家编号、发布日期及肉末标准体系需要的资料。件的识别( 5 ) 器件类型。( 6 ) 典刑结构和应用资料。如果设计的器件是多用途的，应在详细规范rll说明，这些用途对器件所要求的特性和检验都应得到满足。如果器件属静电敏感型，应在详细规范中声明。( 7 ) 外形图和/或与外形有关的参号文件。( 8 ) 质量评应类另IJ。( 9 ) 能在各类器件之!闯进行比较的、最重要的性能参考数据。水规范巾，Ij 1括号所列内容仅供指导编制i平纠1I规范用，不必在评如i规范rtl

3、列出。本规范!11 : X: ;J应在山纠11规范r11填人的数的。(x) :表心需雯时Ji.给ili的数的。J:表示可边怀给出的特啊!或试验(至少执行其ri之.)0 J 国家标准局1986-07-31发布1987-08-01试行GB 6641一发布详细规范的国家标准化机构名称)(1) 1 (lECQ详细规范的编号、发布号和(或)日期评定顺件质量的依据:( 3 ) 详细规范的国家编号GB 4589.1-84 )J)戎,:1: di: I BB 5.2 输入高电平电压r 1 X 吉、x x 5.3 输入低电平电压r 11. x 1 X X 5.4 数据保持电压r I)J) ( I)H ) (x)

4、 j.J.饭型单位最小最大x x x x (x) (x) x X X X x X x x - . 双极型单位最小最大X x X X X x GB 66.8一6 电特性和定时要求检验要求见本规范第10章。名i已其他规定，适用于全工作环境温度范围。如果不能给出器件性能在整个工作环境温度范围的变化时，应给出25C和工作温度范围极值下的输人和输出电压及其相应的电流值，应给出输入和/或输出不同功能类型的电流和电压值。条款;6.1 6.2 6.3 6.4 6.5 6.6 6.7 6.8 6.9 6.10 6.11 6.12 6.13 6.14 6.15 6.16 6.17 编制详细规范时，任何增加的特性和

5、要求可在适当处给出。态特性NMOS CMOS 尤时钟要时钟要求元;时钟要时钟要求静态特性符号求注注求注注输入尚电、卡电j长VH x X X x x x x x l输入低电、l电压VL x x x x x x X x 宁|输入43电、卡电iJ1tIH + 输入低电、1;电流IL 输入电流1, x x x x l输出If;J电、卡电!长l: VOH x x x x 输出低电、|气电1-:注VOL x x x x + 输出Ifu电、l气闯值电!正VOHT 输出低电、|气闯值电!正VOLT 出刮电、|气电流注IOH x x x x 输出低电、卡电流注IOL x x x x + + iil If:j阳态

6、电流loz x x x x 输tii短路电流los 电伪、电流注Icc或E x x x 1 D) !.lJt 1 EE !.lX: IBB 维将电fffi电流I)(s) (x) (x) X x 或J cc ( s) |数抗咐持电t、电!五VOl】(R) (x) (x) (x) 戎VCC (DR ) 数据保挎电源电流II0EE (x) (x) (x) 1 CC 5 m 时间按严格度AC12主3-10s GB 4590 84申的第3.1条温度按本规范第4.6条GB 4590 84中的第3.5条循环次数按严格度(n次)密封空纣器件GB 4590 84中的第3.12条和第3.13条同A2革nA3JHl

7、lf支规定同A2和A3分组或s88分组电耐久性(168 h) G8 4590 84中的第4.7条平均功耗为详细规范允许的最大的，此时TAX)详细1规范允许的最大伯p在上面条件下，电dEl电J五沟i手细烦!吊允许的最大的。试验后测量:(同A2和A3 :HID 同A2平r!A3分组，在96h内测克:Ilf A 2和!A3:J-mCRRL分组在tB4、B5司lB8提供计数检查结果GB 6648 86 C组一一周期书li有(D)的试验为破坏性的(见GB4589.1 84第3.6.6款)价价成试验Cl分组I、jC 2b分组坛I:j1: 11温度平11挝低J:11: ilull主卡的功能怜验C3分组dl

8、t足以在:;与幽(D) 1) (D) (反对刷、r封装C4分组|时HN主fh(IJ)试验后测址:lliJA2平!l4137fk)C6分组t17Jii主!立(qjj器件试价后测ldz J liijA2平1:3HID C7分组t21态iili:f(J) ( H ;, _H l* 1+: ) LA;gfkIlhmitz (I,J A2和IA3)纠l) C8分组屯!时J久N(1000 h)试验L丁削lsi一:(II;J A2和1A3 j纠l) 引用文件GB 4589.1 84tjl的第5.2条，附求CGB 3443 82 , GB 3444 82 GB 4590 84111的第2.2条，第2.1条GB

9、 4590 84小的第2.6条GB 4590 84 1 1的第2.10条GB 4590 84巾的第3.7条GB 4590 8411的第4.7条条1斗，rj尤其他规泣，TA = 25C (见GB4589.1 84第4市)T，e按本规范第4.6条)，归dA25Hl!按规丰按规li二按方法A间A2与JA3分纠按规在同A2和A3分组技严格!支A, iJ A HII A 3 5纠lrS B 85HIl |口aA2和JA35织.t: 96 h 1人j测，、，JC 中(E验要求规范值IJ本规范第ltE IliJ A2 ;Hll )损伤:损伤间A2和A3分mA2和JA35Hti, iJ A 2和1.35Hll

10、|口iJAz.fIIA3 5tll GB 6648-86 续表条件检验或试验引用文件若无其他规定，TA=25C(见GR 4589. 1 -84第4章)C9分组高温贮存D)GB 4590-84中的第3.3条1000h.温度按规定试验后测量:(同A2和A3分组同A2和A3分组C 11分组标志耐久性GB 4590-84中的第4.3条按规定CRRL分组就(丁3、C4、C6 , C 7、C8 , C 9不IIC11提供计数检查结果11 D组-一鉴定批准当需要时，在详细规范中规定。检验或试验引用文件D8分组电耐久性GB 4590-84中的第4.7条，(日类:2000 ) GB 4589.1-84中的第3.6.1. 5 J!ij 田先:3000 h 12 附加资料(不11=检验用)仅当器件规范和使用需要时才提供，例如za. 与规范值有关的温度衰减曲线sb. 测量线路或补充方法的完整说明pC. 详细外形图pd. 其他。附加说明:本标准由中华人民共和国电子工业部提出。条件若无其他规定，TA = 25C hlGB 4589.1-84第4章)同B8分组检验要求规范值同A2和A3分组检验要求规范值本标准由全国集成电路标准化技术委员会基础分会负责起草，主要起草单位:北京半导体器件研究所。本标准主要起草人叶孙林。