GB T 14056.1-2008 表面污染测定 第1部分 β发射体(Eβmax>0.15MeV)和α发射体.pdf

1、ICS 17.240 F 74 国家标准不日11: -、中华人民GBjT 14056. 1-2008 代替GB!T14056 1993 第1表面污染测定部分:P发射体(EpmaxO.15 MeV) 和发射体Evaluation of surface contamination-Part 1 : Beta-emiUers(maximum beta energy greater than O. 15 MeV) and alpha emitters (l 7503. 1: 1988 , MOD) 2008-07-02发布2009-04-01实施!但翩中华人民共和国国家质量监督检验检菇总局中国国家标准

2、化管理委员会发布目U言Bf T 14056(表面污染测定E包括下列3个部分:一一第l部分:发射体(EO.15 MeV)和发射体;-一第2部分:报表面污费;C/T 14056. 1- 2008 -一第3部分:同质异能跃迁和电子俘在发射体、低能自发射体CE，_.O.15 MeV) 和发射体G/T 14056.1一2008GB/ T 1-1056的本部分规定了测定F发射体(最大R能量大于0.15MeV)和发射体表面污染的方法.本部分适用于以单位面积放射性情度表示的设备、设施、启立射性物质的容器以及密封酶的表面污染割定.本部分仅眼子特合下述条件的自发射体和a左射体ta) 粒子加1ft能电子的粒子产生率

3、为每100次衰变发射出接近100个数b) Q拉子的缸子产生率为每1001X衰变发射出接近100个幸辈子.2t射体详见附录Atj1表A.3本部分不适用于皮肤和工作胆的污染测定.2 规范性引用文件下列文件中的条款通过GB/T14056的本部分的引用而成为本部分的条款.凡是注日期的引用文件.其随后所有的惨改单(不包括勘误的内容或修订版均不适用于本部分，然而，鼓励根据本部分达成协鼠的各方研究是否可使用这些文件的最新版本.凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本部分.GBI丁5202辐射防护仪器区、自和a/(能最大子60keV)污染测量仪与监测仪(GB/T5202 -2008 .lEC 60325 :

4、 2002, IDT) GB/ T 12128 用于校准表面污染监测仪的参考丽日发射体和4.2主射体(GB/Tl212B 19$9 neq ISQ 8769 : 1986) G 18871 电离辐射防护与辐射源安全基本挥准3 术语和定义3.1 3. 2 下列术语和定义适用子GB/T1 t056的本部分，表面污染sIlrfaccIltaminalion 表面具有放射性物质的污辈s固定的表面污捷rixed surfaceonfami.oalion 在正常工作条件下以不可转移的方式附若在表面的污染缸注.正帘工作条件是假设在该条件下.可能造成去路表面污处的机械作用的最大强度限定为人体与表面正常的非事t

5、IJ.性的接触(有防护段和无防护服)人直簇作的设备部件与麦丽之间以类似强度的司在破坏性搜触.擦拭洼的作用强度应该与这些类型的机械作用相符合.G8/T 1405-6. 1-2008 3. 3 可去除的表面f污亏接removable sorfacc c刀二0佣o在正常常，工作条件下可去除的或可转移的表面污染.注g应该注意.由于水分、化学泣如i等的彭响.或者由于底性、j，扩散的结果，在没有任何人为的作用下固定污挺可能变成可去除的污袋或者相反.表面?专集由于孩芷和挥左可能减少.3. 4 单位面积放射性活度ac、;.1)per un.l areli 存在于表面的放射性在素的话度与该3. 9 源表面发射率

6、的是罔定的与可去除的表U测量监副或接仪直量的测染杭揣一污污面用牵来E-d 吗擦拭洼5m1I 用子的革湿时A的放射性活度.到擦拭材料上皮之比2去除因子远. ( 1 ) 式中:Q2 3.10 源妓翠efficiency of a soo.rc.e E 单位时间内从酶的表面或从挥自发射出太子给定能量的给定类型的粒子数(毒面发射率与单位时间内在源内(对一个薄源或它的饱和层厚皮对一个厚源)内产生或释放的相同类型的粒子数之比.3. 11 仪器放军inSlrumeol efficienc.y ei 在给定儿何条件下仪器的净计数率和源表面发射事之比a对于一个给定的仪器，仪器效率依带T酶的辅射能墨G/T 140

7、56.1-2008 4 测定表面污染的方法4. 1 总皿!表面污最可以通过直接和间接测量方法来测定.直接测量是采用表面污监测量仪和监测仪进行的，这类仪表测定的是可去除的与阿定的精染之和.间接测定通常是来用擦拭法进行的.用擦拭法只能制定可去除的表面污染.测量表面持染的目的:a) 确定肯接物的存在或扩散，井控制它自较高污染区向较低污染区或向非污染区的转事:b) 测定单位面积上的监射性情度，以证实是否醒过表面市染控制水平(导出限值) 满足上述目的两种测量方法的适用性和可靠性主要依赖于某些特定的情况，也就是:污染物的助理相化学形态:污2怪物在表面上的粘着性能罔定的或可去除的);以及对被测量表面是否可接

8、近或是否存在干扰辐射场等.w表面有非放射性被体或回态的沉淀物或有干扰辐射勒存在时.直接测量可能是特别困难的或不可能的e特别是由于场所或相对位置的局限.使直接测量不容易接近污染表面，或者是干扰辐射辑严重地影响污染监割仪的工作时.间接方法一般更为合适.但是.间接方法不能回盘固定再染，又由于去除因子通常有较大的不确定性.故间接方法一般更多地用于可去除污班的剖鱼。由于直接方法和间接方法对测E表面污均存在网有的缺陷.所以在很多情况下，两种方法部采用，以保证翻出结果敢好地满足酒量的目的.因为仪器效率随能盘而变化.所以在测定具有各种能B的R污集时应该特别小心(也见第5章对于显示表面放射性活度的仪器尤其应注意

9、.4. 2 表面污挚的直接测量4.2. 1 对测量仪器的要求测量仪器的特性和|性能应符合于G/T5202的要求.仪器应能割草G18871中规定的表面污接控制水平以下的放射性活度，污染测量的结果将与该限值比较.注:用于表面污染宜援浏盘的仪想通常具有20cm-2c:m量的灵敏窗，正常本底条件下，叮测表窗污染水平.坷注射体悟于0.04Bq . cm-t .对自注射体低于O.j Bq . cm-.探测器的远用性，不但由仪器敛率决定.而且还由灵敏窗的大小而定.对于大面亨、污染的测隘.应采用有呈交大灵敏筒的探测器.4. 2.2 探酒程序4. 2.2. 1 在探测器灵敏街和待检查表面避免接触的情况下，将探测

10、器在表面上方慢慢地移动，并监听声顿的变化.音响指示是瞬间的并与所采用的响应时间无关.对于数字显示或表头显示的仪表，应密叨现察其数字及表头指针的变化.旦#在回到窍染区，应把探测器放在这个区域上方.在足鲁多长的时间内保持位置不变，以更进一步确弘.4.2. 2.2 探副器和敢测表面之间的距离应在可行的情况下尽可能的小，为此可呆用定位提.4. 2. 3 测量程序4. 2.3. 1 测量时，应遵守所用测量仪器的有关操作规程和要求:a) 进行测量前应测定被捕场所的本底计数或.应经常桂查仪器本鹿叶敷率;) 应用合适的检验摞技瞌仪器是否正常.技验额度:经常用的仪器每日投验-z?;:.其他的仪器每次使用前校验.

11、仪器对栓验酶的读数变化超过土20%时应重新技准;1) 测蓝期间的几何条件应与仪黯枝准时所采用的儿何条件尽可能保持一致，为此可采用可移动的定位提;为了准确地视!盘，探甜器在三倍响应时间(95%的指示值内应保持固定:3 GBjT 14056. 1-2008 。应采用和待测放射性核素相应的仪器效率值(见第5章儿4.2. 3. 2 被撞查表面上的同定的和可去除的污染，即尊位面祀的R或放射性活皮A.以贝可每平方厘米(Bq cm-r)表示.八，与测量的计数率的关系见式(2):式中:/1 -测得的总计数率;E.一一污染源的鼓率(见A在快少E.更确切的已对于E-.O.4 4.2.3. 4 对于王lf.f前皮。

12、在完全平d4. 2.3. 6 在表A染监测仪探测.在2倍.注:具有tt 5).只需要选取飞的4.3 表面污荣的间接副定4. 3. 1 对测量仪器的要求A -n- nB 一 E, XWX， 4. 3. 1. 1 攘拭样品的测量通常是采用具有表丽污班回量仪或监割仪时，仪器的特性和l性能应符合GB/T5202的要求.( 2 ) 体的总放射性即可得到单一以进行上述提绘出指示缸，对于这和污接源的结陶分别选4. 3. 1.2 仪器应能翻虽低于GB18871中规定的表面放射性物质污蜂控制水平以下的污染水平.以便污染测量的结果与诙限值进行比较.注:目前通用的仪器对污it锣测量-3lIJ小子。. / V 或E田

13、二O.王八o因忽略反散射对表面发射主祀的增加，仪器效率.的计算将导致对得挚的保守估计即低于真实值市售的以活度栋栋的参考爵.通常装在低反散射材料例如铝的衬底上.对于同定在铝上的薄R酶，其饱和反散射大约是30%.对子罔定在塑料上和其他低原子序材料符合本部分的所有自能量上的F源大约小于20%.在太多数情况Fo.洒的反散射小于5%. 4. 2 污染嚣. 4. 2.1 实际上或R污染额的效率难以估计，由于真实源结构的差异，持接模效率鸟的变化可达一个数量级.由于反散射使计数率增加.根据E，的定义和表人1中.的公式可知，忽略反fl射将导致对单位面担恬度的保守得到更大的活度值估计.由此提供了一个附加的安全系数

14、.所以在这里只三百考虑郎的自吸收。A. 4. 2. 2 发射体的精黠醺效率E，推荐值是接下述类型污黯导出的:一用大约2.5mg/cm1的非放射性材料覆盖的自发射体薄层z一一均匀的擦拭桂查滤纸制成的原自源约10mg/ cm2) . 直接酣量可能碰到第一种类型.而间接测量可能主要出现第二种类型.A.4. 2. 3 在两种情况下.由于洒自收收引醒的源效率损失.肘子最大F能量大于或等于0.1MeV的Ri射体是可以忽略的(污染舔效率E，=0.5).在相同条件下，对于最大R能量大于O.15 MeY而小于0.4 McY的自发射体的部敢率平均值大约是0.25.着用大于人4.2. 2所述厚度的假收材料覆盖F发射

15、体.贝IJ采用此值可能导致低估。但是应该注意到，这种放射性物质对内、外照射的危害也j词时暗二.人4.2.4在友射体的情况下，估计一个保守又尚合理的眼效率值更为困难.因为实际污蜂拥的源效率E.，可以很接近子零.对于饱和层源，理论值E川等于O.药，但大部分囚友射体，但和层厚度只有大约10 G8/ T 14 056. 1- 2008 5 mg/cmt.等于0.25，适用子两种可能的e污挚的重要类型z在直接测量情况下，桂发射体均匀污染达到姐和厚度，以及在收集攘拭采样的过程中产辈的均匀化的.但是，当白发射体存在于比饱和厚度更谅的深度中、或当发射体的障层被再度大于饱和层厚度的50%的非放射性物质嚣盖时.选

16、取eh*等于0.25，将会低估单位面职的活皮.这证明了攘拭法的重要.A. 4. 2. 5 蘸效率E.的推荐值归纳于表A.2中e13= p P S a 2.24 mtn 330 a 1.1. 3 d 25.4 d 87 . 4 d CI J . 01 X )Oa 860 2864 213 1 710 2.19 167 710 说明度;千奇注C 152 100 29. 6 ) eq. 1 2.12 100 65 100 694 100 -C 7 100 49 100 251 99 11 Cj T 14056. )-2008 表A.3(续骸1贯半衰期E阳、IkeVE,/ keV p,l% PtE J

17、!J/% 备注Ll K 12. h 3 521 1 130 100 C 。K22. 6 h 1 817 307 99 .3 &(11 ) 3. 93 h 1476 633 94.4 吗ca163 d 257 77 lOO 一C t Sc 83. g d 357 11 2 100 C Ca 4.54 d 1 988 3117 99.9 lJ y 10. 1 h Z 890 I 173 100 O. 2 制泊2. 03X 10 a 171 146 100 O. 2 lNb 23 . 4 b 749 2-1 9 100 0. 5 fl Zn 16.9 h 1 91.4 696 100 Nb 72.

18、1 rnin 1 25 466 :; 100 0.2 Tc 4. 2X l O a 394 ll8 100 O. .i Tc 2. 13X lOs a 294. 85 100 一12 GB/T 14056.1-2008 表A.3(续核1民半衰朋E, . J keV E,/keV P,I.% p咀xm/Yo备注1圈Ru368 d 39 10 100 一国Rh30 s 35,10 1111 100 UAg 250 d 530 67: 98. .j 1. 5 C Ag 7.46 d 1028 350 100 O. 1 C IU臼13.7 a 586 185 100 III Cd 44 . 6 d 1

19、 621 606 100 C ljCh 3. 36 h 1 916 20-1 = 99.2 1. 3 ) eq. IHn 43. 8 mm 1 110 245 100 15. 6 lC Sb 2.7 d 1 98 1 575 97. 5 。.6IDSn 129 d 1 397 52日100 一11 Sb 60. 2 d 2302 378 ;: 100 。.C IUSb 12.4 d 1 790 289 ;: 100 2. I 12. .j h 1 176 279 99.5 1. 9 Ul l 8. 04 d 807 1&2 99.9 6. 1 C 1 2. 3 h 2 1币IYa备注1ft 1

20、. 19.2 h Z 251 808 100 1. 1 lMtw 2.1 d 96 l 31 1, 100 . 2 C TI 3. 78 a 170 244 97.4 C Pb 3. 25 h 640.15MeV ) 和发射体GB T 14056. 1- 2008 国和中国标准出版社出版发行北京复兴门外三里河北街16号政编码:10004革网址WW电话，68523966851754 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地革开华书店笼1印张1.25 字妓28千字2008年10月第一次印刷开*880X1230 1/ l6 2008年10月第一版定价18.00元如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话:(010)68533533i号:155066 1 33654 14056. 1-2008 4F-j 打印H蜡1:2009年5GB/ l