GB T 14112-2015 半导体集成电路 塑料双列封装冲制型引线框架规范.pdf

1、. ，:山川击，但.f:主汪汪王 . 二J:.-山川川.f，jj:1:画画画画画画画E;，:，_F.;自_.1. . ?_ 、画画!，:，!1，.，7.叮.圃唱唱.;l兰兰兰兰-士. ICS 31.200 L 56 中华人民共和国国家标准GB/T 14112-2015 代替GB/T14112- 1993 半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范. Semiconductor integrated circuits一Specification for stamped leadframes of plastic DIP 2016-01-01实施2015-05-15发布发布中华人民共和国国家质量

2、监督检验检菠总局中国国家标准化管理委员会!? /如一GB/T 14112-2015 目次Ell-11233444444477778MM 案方样验喇试旺械T量机U测和率械温格机高合差架架不公.框框许置度线线允位强HHHHHH仔引引批.和. 晦. 验的件时瞅州眠州验验帧酣眺轨和和和文架架架架架试试的准致运装存附附附宫时嘟嘟嘟提出品剧性立时时明咄咄围范语术验货革A骂骂:言范规术技UUUUU钊U检UUU订标UM斗机和和前1234567附附附I GB/T 14112-2015 前本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。本标准代替GB/T14112二1993(半导体集成电路塑封双列封装冲制型号l

3、线框架规范。本标准与GB/T14112-1993相比主要变化如下z关于规范性引用文件E增加引导语;抽样标准由GB/T2828.1-2012代替IEC410;增加引用文件GB/T2423.60-2008、臼20129;一一增加术语和定义，并增加了标称长度、精压区共面性、芯片粘接区下陷的定义;-_标准4.2引线框架形状和位置公差中，增加了芯片粘接区平面皮、引线框架内部位置公差的有关要求;二一修改了标准中对侧弯的要求(见4.2.1):原标准仅规定了侧弯小于0.05mm/150 mm，本标准在整个标称长度上进行规定:-二一修改了标准中对卷曲的要求(见4.2.2):原标准中仅规定了卷曲变形小于0.5mm

4、/150 mm , 本标准根据材料的厚度进行规定z二修改了标准中对条带扭曲的要求见4.2.4):原标准中仅规定了框架扭曲小于0.5mm，本标准将框架扭曲修改为条带扭曲，并根据材料的厚度进行规定p二一修改了标准中对引线扭曲的要求(见4.2.5):原标准中规定了引线扭曲的角度及其内引线端点的最大扭曲值，本标准删除了内引线端点最大扭曲值的规定z平修改了标准中对精压深度的要求(见4.2.6):在原标准的基础上，增加了最大精压探度与最小引线间距的相关要求z-修改了标准中对绝缘间隙的要求见4.2.7):原标准中规定的绝缘间隙为0.15mm，本标准修改为0.1mm; -一一修改了标准中对精压区共面性的要求(

5、见4.2.8):原标准中规定了引线框架条宽大于50.8 mm，精压区共面性为士0.25mm，本标准修改为土0.2mm; 一-修改了标准中对芯片粘接区斜度的要求见4.2.9):原标准中分别规定了受压和不受压情况下的斜度，本标准统一规定为在长或宽每2.54mm尺寸最大倾斜0.05mm; 二一对标准的4.3引线框架外观中相应条款进行了调整，原标准对引线框架外观要求按功能区、其他区域分别表示F本标准按毛刺，凹坑、压痕和划痕分别描述，并对原标准中j;tj痕的要求适当加严，即在任何区域内划痕均不得超过1个F二修改了标准中对局部镀银的要求(见4.4.1.2):原标准中规定镀银层厚度不小于3.5m(平均值)，

6、本标准修改为不小于3m;一一修改了标准中对镀层外观的要求(见4.4.2):在原标准的基础上，增加了对镀层外观的相关要求F增加了铜剥离试验的有关要求(见4.6); 增加了银剥离试验的有关要求见4.7); -一一修改了标准中对检验要求的要求z修改了原标准中A1a、A1b、A2分组的检测水平及AQL，并对A1a、A1b，B2a、B2b分组进行合并F原标准中B组采用LTPD抽样方案，本标准将B1、B2、B3修改为AQL抽样方案，并增加C3、C4检验的抽样要求z一修改了标准中对贮存的有关要求z原标准镀银引线框架保存期为三个月，本标准规定为6个月(见7.2)。回皿GB/T 14112-2015 请注意本文

7、件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。本标准由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。本标准起草单位z厦门永红科技有限公司。本标准主要起草人:林桂贤、王锋涛、洪王云。本标准所代替标准的历次版本发布情况为z一一-GB/T14112 1993. N G/T 14112-2015 半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范1 范围本标准规定了半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检验规则。本标准适用于双列CDIP)冲制型引线框架。单列冲制型引线框架亦可参照使用。2 规范性引用文

8、件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T 2423.60-. 2008 电工电子产品环境试验第2部分z试验方法试验U:引出端及整体安装件强度GB/T 2828.1-2012 计数抽样检验程序第1部分z按接收质量限CAQL)检索的逐批检验抽样计划GB/T 7092 半导体集成电路外形尺寸GB/T 14113 半导体集成电路封装术语SJ 20129 金属镀覆层厚度测量方法3 术语和定义3.1 3.2 3.3 GB/T 14113中界定的以及下列术语和定义适用于本文件。标称长

9、度nominal length 引线框架图纸上规定的条长。精压区共面性a total area of precision pressnre 引线框架内引线端部精压区域相对于基准高度的高度差。芯片粘接区下陷chip bonding area subsidence 引线框架芯片粘接区受压下陷的程度，即为芯片粘接区与未受压前的高度差，俗称打凹或打弯深度。4 技术要求4.1 引线框架尺寸引线框架的尺寸应符合GB/T7092的有关规定，并符合引线框架设计图纸的要求。1 GB/T 14112-2015 4.2 引线框架形状和位置公差4.2.1 侧弯侧弯在整个标称长度上不超过0.05mm. 4.2.2卷曲卷

10、曲在整个标称长度上不超过材料厚度的2倍。4.2.3 横弯横弯小于标称条宽的0.5%。4.2.4 条带扭曲条带扭曲在整个标称长度上不超过材料厚度的2倍。4.2.5 引线扭曲引线扭曲不超过3030。4.2.6 精压深度图纸上表明的尺寸为精压前尺寸，在保证精压宽度不小于引线宽度90%的条件下，精压深度不大于材料厚度的30%。最小精压深度受最小键合区要求的限制，最大精压深度受最小引线间距要求的限制，参考值为0.015mm0.06 mm 4.2.7 跑缘间隙相邻两精压区端点间的间隔及精压区端点与芯片粘接区间的间隔大于0.1mm. 4.2.8 精压区共面性材料厚度为0.25mm时，精压区共面性应符合表1的

11、规定。表1精压区共面性引线框架条宽精压区共面性50.8 士0.24.2.9 芯片粘接区斜度在长或宽每2.54mm尺寸最大倾斜0.05mm.测试从角到角进行。4.2.10 芯片粘接区下陷芯片粘接区下陷以下陷的标称值计算，公差为士0.05mmo 4.2.11 芯片桔接区平面度单位为毫米芯片粘接区平面度测试从中心到拐角进行，拐角测量点规定为离每边0.127mm处，平整度不大于2 ,. GB/T 14112-2015 0.005 mmo 4.2.12 引线框架内部位置公差所有引线框架的特征中心相对于边框上定位孔中心线实际位置公差应在士0.05mm之内。4.3 引线框架外观4.3.1 宅剌垂直毛刺最大为

12、0.025mm，水平毛剌最大为0.05mm。4.3.2 回抗、压痛和划搞在功能区和外引线，凹坑和压痕深度不应超过0.008mm，最大表面尺寸为0.013mm。在非功能区内，凹坑和压痕深度不应超过0.025mm，最大表面尺寸不应超过0.051mm;tJ痕最大尺寸宽探;0.075 mmXO.030 mm，数量不超过1个。4.3.3 表面缺陷无镀层部位应呈金属材料本色，无锈蚀、发花等缺陆。4.4 引线框架镀层4.4.1 镀层厚度4.4. 1. 1 局部键金局部镀金引线框架，其镀金屋厚度不小于0.7m(平均值)，任意点不小于0.6mo4.4.1.2 局部镀摄局部镀银引线框架，其镀银层厚度不小于3m(平

13、均值)，任意点不小于2.5m。4.4.1.3 全部镀银全部镀银引线框架，其镀银层厚度在功能区部分不小于3m(平均值)，任意点不小于2.5m，其他区域不小于1m。4.4.2 镀层外观镀层表面应致密、平滑、色泽均匀呈镀层本色，不允许有起皮、起泡、站、污、斑点、水迹、异物、发花等缺陷。应无明显污点、脱落或镀层漏镀，无贯穿整个镀层的划痕。全部镀银的轨条部分允许有不明显的发花。4.4.3 镀层耐热性镀层经高温试验后应无明显变色，不允许有起皮、起泡、剥落、发花、斑点等缺陷。4.4.4 键合强度引线框架精压区应易于键合，键合强度大于40mN。3 L GB/T 14112-2015 4.5 引线框架外引线强度

14、引线框架的外引线经弯曲试验后不应出现断裂。4.6 铜剥离试验胶带上的铜覆盖面积超过引线框面积之10%即判为不合格。4.7 银剥离试验胶带上不允许银层粘附。5 栓验规则5.1 检验批的构成一个检验批可由一个生产批构成，或由符合下述条件的几个生产批构成zd 这些生产批是采用基本相同的材料、工艺、设备等制造出来的;b) 每个生产批的检验结果表明，材料和工序的质量均能保证所生产的引线框架达到预先规定的质量要求zc) 若干个生产批构成一个检验批的时间通常不超过一周，除另有规定外，最长不得超过一个月。5.2 鉴定批准程序5.2.1 鉴定检验由A组、B组、C组检验组组成。5.2.2 鉴定后的引线框架应按5.

15、3的规定进行质量一致性检验。5.2.3 对于已鉴定的引线框架，当发生以下任一情况时，应重新进行鉴定za) 修改了引线框架设计图纸zb) 生产制造技术改变包括生产场地的改变); c) 停止生产半年以伫(如果该生产线生产另一种已鉴定的引线框架，且主要工艺未作改变，则可以认为生产是连续的)。重新鉴定时，必须进行A组、B组和C组检验。在检验没有结果之前，这些引线框架不得交付使用。5.3 质量一致性检验5.3.1 组成质量一致性检验由A组、B组、C组检验组组成。5.3.2 A组栓验A组检验应逐批进行，其检验中的分组见表2。表2A组检验分组检验或试验试验方法章条号Al 引线框架外观毛刺检验按附录A中A.1

16、3，其他用满足测量精度的最具或工具进行测量A2 镀层外观目检4 检验要求章条号4.3.1-4.3.3 4.4.2 5.3.3 B组检验B组检验应逐批进行，其检验中的分组见表30表3B组检验分组检验或试验试验方法章条号B1 引线框架尺寸用满足测量精度的量具或工具进行测量B2 引线框架形状和位置公差附录A中A.1-A.12B3 镀层厚度其试验方法引用SJ20129 B4 镀层耐热性附录B中B.15.3.4 C组栓验C组检验为周期检验，应每三个月进行次，其检验中的分组见表40表4C组检验分组检验或试验试验方法章条号C1 键合强度附录B中B.2外引线强度GB/T 2423.60 2008 C2 试验U

17、a1C3 铜剥离试验附录B中B.3C4 银剥离试验附录B中B.45.3.5 检验要求5.3.5.1 抽样方案GB/T 14112-2015 检验要求章条号4.1 4.2.1-4.2.12 4.4.1 4.4.3 检验要求章条号4.4 .4 4.5 4.6 4.7 A组和BlB3组检验采用AQL抽样方案见表50B4和C组检验采用LTPD抽样方案见表6。抽样以条为计数单位。表5A组和町、B2、B3组检验的抽样要求正常检验一次抽样分组IL(检验水平)AQL Al E 2.5 A2 E 2.5 B1 I 1.5 B2 S3 2.5 B3 s3 1.5 一一一5 L G/T 14112-2015 表6B

18、4和C组检验的抽样要求分组LTPD B4 30 Cl 30 C2 30 C3 30 C4 30 采用AQL抽样方案时，应根据GB/T2828.1-2012正常检验一次抽样;采用LTPD抽样方案时，应根据本标准附录C确定抽样方案。AQLC和检查水平)及LTPD值是对整个分组而言，而不是对其中某一单项试验而言。逐批检验的样品应从该检验批中抽取。周期检验的样品应从通过了A组和B组检验的一个或几个检验批中抽取。5.3.5.2 批拒收判据不符合A组和B组检验要求的批为不合格批。如果引线框架在质量一致性检验中不能符合某一分组中的一项试验要求，将使该批引线框架被拒收，质量一致性检验即可停止。如果一检验批在质

19、量一致性检验中不符合A组或B组要求，而且未被重新提交，则该批即判为拒收批。5.3.5.3 重新提交的批通过采用尺寸校正，镀层清洗后重镀的方法，可以对初次提交的不符合A组或B组检验要求的批，经返工后重新提交。重新提交的批应只包括原批中的那些引线框架。每个检验组CA组或B组)只能重新提交一次。重新提交的批应与其他批分开，并清楚标明为重新提交的批。重新提交的批对韧次提交的全部不合格试验分组，应采用加严检验，随机地重新抽样。B组检验不合格而重新提交时，应包括A组检验。5.3.5.4 试验设备故障或操作人员失误时的程序如果确认引线框架失效是由于试验设备故障或操作人员失误引起的，应将失效记人试验记录。质量

20、管理部门应决定是否可从同一检验批中抽取别的引线框架代替样品中被损坏的引线框架，替代的引线框架应进行规定的全部试验。5.3.5.5 周期检验不合格的程序如果周期检验不合格，且不是由于设备故障或操作人员失误所引起，则应执行下述规定zu 立即停止引线框架的放行zb) 调查不合格的原因，并根据调查结果对以后的生产批实施解决质量问题的措施F。从以后各检验批中逐批抽取样品进行周期检验中不合格分组的全部试验。试验合格的批可以放行。只有连续三个检验批通过这些分组的检验后，才能恢复正常的周期检验。5.3.6 放行批证明记录应编写放行批证明记录，并对记录的准确性负责。放行批证明记录的内容应包括=GB/T 1411

21、2-2015 a) 制造单位名称、商标和地址zb) 引线框架的型号和规格Fc) 放行批证明记录周期的起止日期zd) 所傲的试验项目及试验结果。6 订货资料若无其他规定，订购引线框架至少需要以下资料zu 型号、规格;b) 设计图纸的编号;c) 数量。7 标志、包装、运输、贮存7.1 标志、包装包装中应有检验合格证，标明制造单位名称、产品型号和规格、数量、批号及检验批代码。内包装庇采用化学中性的防潮包装，并保证产品不受损坏和站污。外包装应保证产品在贮存、运输过程中不受损伤，不变形。其上注明怕雨易碎字样。7.2 运输、贮存产品在运输过程中应防止雨淋、受潮。产品应贮存在环境温度为10C35 C，相对湿

22、度小于60%，周围元腐蚀性气体的库房内。自生产日期起算，镀金引线框架保存期为6个月，镀银引线榷架保存期为6个月。7 GB/T 14112-2015 A.1 侧弯A.1.1 目的附录A规范性附录)引钱框架机械测量测量引线框架侧面的直线度。A.l.2 测量方法用满足测量精度的量具或工具进行测量，其测量部位见图A.l最大值部位。条长基准面图A.l引镜框架侧弯A.2 卷曲A.2.1 目的测量引线框架长度方向的平面度。A.2.2 测量方法8 用满足测量精度的量具或工具进行测量，其测量部位见图A.2。基准面U气三二Vif LdII广E 圄A.7引钱框架绝缘间醺A.8 精压区共面性A.8.1 目的测量引线框

23、架精压区是杏处于同一平面。A.8.2 测量方法测量步骤如下za) 将夹具在仪器分辨率范围内与镜片垂直，并与X、Y移动轴平行。b) 把引线框架按引线平面朝上放置，并固定在夹具的底座轨条上后确定Z平面。c) 把显微镜聚焦在如图A.8引线连筋l处的中点，焦点高度为零。再将焦点移至另一引线连筋2处的相应点上，并重新聚焦。两个焦点高度的平均值为基准高度。d) 将焦点移至精压区3处，并在距端点0.254mm处重新聚焦，记录相对于基准高度的高度差，减去已知的精压深度，即得出实际的精压区共面性数值。e) 用同样方法依次对每个精压区进行测量，准确记录每个读数的正(+)或负(一值，最大值减去最小值为内引线脚精压区

24、共面性。11 G/T 14112-2015 -工J_一-L一一-K F一一口J) VI22?ZZ/1 引线连筋测耸一二基准面圄A.8引镜框架精压区共面性A.9 芯片粘接区斜度A.9.1 目的测量引线框架芯片粘接区的倾斜程度。A.9.2 测量方法测量步骤如下za) 将夹具在仪器分辨率范围内与镜片垂直，并与X、Y移动轴平行。b) 把引线框架按引线平面朝上放置，并固定在夹具的底座轨条上后确定Z平面。c) 测试点应在距芯片粘接区切割边缘0.127mm处。把显微镜聚焦在如图A.9的目标1处，其焦点高度为零。d) 转动测微计的轴使其移至目标2处，重新调节显微镜焦距，测出焦点高度即为芯片粘接区的斜度。e)

25、用同样方法分别测量目标3和目标4，得出芯片粘接区的最大斜度。芯片粘接区LE 91线连筋圄A.9引线框架芯片帖接区斜度12 GB/T 14112-2015 芯片槌接区下陆A.10 目的A.10.1 测量引线框架芯片粘接区受压下陷的程度。测量方法测量步骤如下za) 将夹具在仪器分辨率范围内与镜片垂直，并与X、Y移动轴平行。b) 把引线框架按引线平面朝上放置，并固定在夹具的底座轨条上后确定Z平面。c) 把显微镜聚焦在如图A.10的目标1处(1.27mm的中点)，焦点高度为零。再将焦点移至2处(1.27 mm的中点)，并重新聚焦。两个焦点的高度差即为芯片粘接区下陷值。用同样的方法测量目标3和目标4处的

26、芯片粘接区下陷值。A.10.2 A部放大门门门门门门口命U川中医d) 筋陆liT接连片芯口口口口口。引线#匡架芯片黯接区下陆圄A.10号!线连1ili芯片粘接区平面度A.11 目的A.11.1 测量引线框架芯片帖接区的平面程度。测量步骤如下za) 将夹具在仪器分辨率范围内与镜片垂直，并与X、Y移动轴平行。b) 把引线框架按引线平面朝上放置，并固定在夹具的底座轨条上后确定Z平面。c) 把显微镜聚焦在如图A.11芯片粘接区的中心点，其焦点高度为零。再将焦点移至目标1处(距芯片粘接区切割边缘0.127mm)，测出焦点高度即为芯片粘接区该点的高度。用同样的方法分别测量目标2、目标3和目标4，分别得出芯

27、片粘接区在该点的高度。1、2、3、4点中的最大值即为该区域的芯片粘接区平面度。测量方法A.l1.2 d) e) 13 G/T 14112-2015 J 厂圄A.11引线框架芯片桔接区平面度A.12 引线框架内部位置公差A.12.1 目的测量引线框架内部位置公差。A.12.2 副量方法测量步骤如下za) 将夹具在仪器分辨率范围内与镜片垂直，并与X、Y移动轴平行。b) 把引线框架按引线平面朝上放置，并固定在夹具的底座轨条上后确定Z平面。c) 把显微镜聚焦在如图A.12边框上定位孔的中心点，其坐标尺寸为霉。d) 分别移动显微镜至如图A.12引线框架的特征中心1、2、3，分别读出其X或Y坐标特征值，该

28、值与图标尺寸的实际误差即为该部位的引线框架内部位置公差。已n 圄A.12引线框架内部位置公差14 GB/T 14112-2015 A.13 毛剌A.13.1 目的测量引线框架边缘垂直和水平方向上多余的母体材料的高度和长度。A.13.2 副量方法A.13.2.1 垂直毛剌测量步骤如下za) 把显微镜聚焦在如图A.13的A)点，焦点高度为零;b) 将显微镜移至毛刺尖部B点，并重新聚焦，焦点的高度差即为垂直毛剌值。A.13.2.2 水平毛剌测量步骤如下za) 调节显微镜的零中心线，使其对准如图A.13的C点，记录读数;b) 水平移动显微镜的载物台，对准毛刺失D点，该横向移动量即为水平毛剌值。D C

29、水平毛刺H 葛川附恻唰国A.13引线桩架毛剌15 GB/T 14112-2015 附录B(规范性附录引镜框架高温和机械试验B.1 镀层高温试验B.1.1 目的评定引线框架镀层经受高温的能力。B.1.2 试验方法试验步骤如下za) 将镀层表面质量合格的受试引线框架放入450.C士10.C的烘箱内保持2min; b) 取出引线桂架，在正常大气条件下恢复到室温后进行目测检验。B.2 键合强度试验B.2.1 目的确定引线框架镀层能否符合本标准规定的键合强度的要求。B.2.2 试验方法试验步骤如下za) 从每条受试引线框架中任选2个单元框架，每个单元框架任取2个精压区;b) 用金丝球焊机将25m金丝与精

30、压区键压后，在与框架平行方向用测力计测试。B.3 铜剥离试验B.3.1 目的检验镀铜层的结合力。B.3.2 试验方法试验步骤如下za) 将受试引线框架放置在氯气保护条件下、热传导方式为金属间直接接触的240c士10c烘箱内保持10min;从烘箱内取出在正常大气条件下恢复至室温zb) 用粘着力(10士1)N/25mm的测试胶带粘在引线框架的非镀银面，过1min后以450快速将胶带从框架上撕开，肢带是否能把引线框的铜材带下。B.4 银剥离试验力A口结的层的蜘E验检6a斗tiB B.4.2 试验方法试验步骤如下zGB/T 14112-2015 a) 将受试引线框架放置在热传导方式为金属间直接接触的4

31、50.C土10c烘箱内保持2min.从烘箱内取出在正常大气条件下冷却3min; b) 用粘着力(10士l)N/25mm的测试胶带粘在引线框镀银区，过1min后以45。快速将胶带从框架上撕开，观察银层是否粘附在胶带上。17 GB/T 14112-2015 附录C(资料性附录批允许不合格率(LTPD)抽样方案C.1 概述C. 1. 1 J总贝IJ本附录巾规定的程序适用于所有的质量一致性检验要求。C. 1.2 样晶的抽取应从检验批或子批中随机抽取样品。在连续生产的情况下，只要符合检验批的构成要求，制造单位可在生产期间接确定的周期方式抽取样品。C.1.3 不合格一个样品在一个分组的一项或几项试验中不合

32、格，则应判为一个不合格品。C.2 抽样方法C.2.1 样品量每个分组的样品量根据规定的LTPD值由本附录的表C.1中查得。制造单位可以选取多于规定的样品量，但允许不合格品数不得超过表C.1中与所规定的样品量相应的合格判定数。C.2.2 合格判定程序第一次抽样时，选定一个合格判定数，根据判定的LTPD值确定相应的样品量并进行试验。如果样品中出现的不合格数不超过预先选定的合格判定数，则判为该检验合格，如果出现的不合格数超过预选的合格判定数，可确定一个追加样品量，使总的样品量符合C.2.1的规定。表C.1使用于给定检验批给定分组的第一次抽样，也使用于包括追加样品量在内的总样品量的确定。C.3 追加样

33、品制造单位可在原有样品的基础上追加一定的样品量，但每一检验分组只能追加一次，且追加的样品应经受该分组所包括的全部试验。总的样品量(最初的加上追加的样品量)应根据表C.1中选定的新的合格判定数确定。C.4 多重笋j据如果一组样品有一个以上的合格判据，则这一组样品中的全部样品应受约于这一分组的全部判据。在表C.1中，合格判定数应对于规定的LTPD列中小于或等于实际样品量的最大样品量。C.5 百分之百栓验允许制造单位对非破坏性的各检验分组进行百分之百检验。如果检验批的不合格率超过规定的18 . G/T 14112-2015 LTPD值，则该分组检验不合格。经百分之百检验的批重新提交时，必须按加严检验

34、的LTPD值进行百分之百检验。C.6 加严检验加严检验应按表C.l中比规定的严一级的LTPD值进行。19 。目时af品-M1lMO-m表C.lLTPD抽样方案能保证不合格晶率等于所规定的LTPD的批量不会被接收的最小的破试验样晶量(置信度为90%)(一次抽样., o LTPD或A50 30 20 15 10 7 5 3 2 1.5 l 0.7 0.5 0.3 0.2 0.15 0.1 合格判定数(c)最小样品址寿命试验所要求的器件小时数，应乘以1000) (r=c十1)5 8 11 15 22 32 45 76 116 153 231 328 461 767 1 152 1 534 2 303

35、 。0.03) (0.64) (0.46) (0.34) (0.23) (0.16) (0.11) (0.07) (0.04) (0.03) (0.02) (0.02) (0.01) (0.007) (0.005) (0.003) (0.002) 8 13 18 25 38 55 77 129 195 258 390 555 778 1 296 1 946 2592 3 891 1 (4.4) (2.7) (2.0) (1.4) (0.94) (0.65) (0.46) (0.28) (0.18) (0.14) (0.09) (0.06) (0.045) (0.027) (0.018) (0.

36、013) (0.009) 11 18 25 34 52 75 105 176 266 354 533 759 1 065 1 773 2662 3547 5 323 2 (7.4) (4.5) (3.4) (2.24) 0.6) 0.1) (0.78) (0.47) (0.31) (0.23) (0.15) (0.1 1) (0.080) (0.045) (0.031) (0.022) (0.015) 13 22 32 43 65 94 132 221 333 444 668 953 1 337 2226 3 341 4452 6681 3 00.5) (6.2) (4.4) (3.2) (2

37、.1) (1.5) 0.0) (0.62) (0.41) (0.31) (0.20) (0.14) (0.10) (0.062) (0.041) (0.031) (0.018) 16 27 38 52 78 113 158 265 398 531 798 1 140 1 599 2663 3997 5327 7994 4 02.3) (7.3) (5.3) (3.9) (2.6) (1.8) 0.3) (0.75) (0.50) (0.37) (0.25) ( 0.17) (0.12) (0.074) (0.049) (0.037) (0.025) -19 31 45 60 91 131 18

38、4 308 462 617 927 1 323 1 855 3090 4 638 6 181 9275 5 (13.8) (8.4) (6.0) (4.4) (2.9) (2.0) (1.4) (0.85) (0.57) (0.42) (0.28) (0.20) (0.14) (0.085) (0.056) (0.042) (0.028) I 21 35 51 68 104 149 209 349 528 700 1 054 1 503 2 107 I 3 509 5 267 7 019 6 (0.155) 1优093)(15.6) (9.4) (6.6) (4.9) (3.2) (2.2)

39、0.6) (0.94) (0.62) (0.47) (0.31) (0.22) (0.062) (0.047) (0.031) 24 39 57 77 116 166 234 390 589 783 1 178 1 680 2 355 i 3 922 5 886 7845 11 771 7 06.6) 00.2) (7.2) (5.3) (3.5) (2.4) (1.7) (1.0) (0.67) (0.51) (0.34) (0.24) (0.17) (0.101) (0.067) (0.051) (0.034) 26 43 63 85 128 184 258 431 648 864 1 3

40、00 1 854 2599 4 329 6 493 8660 12 995 8 08.1) 00.9) (7.7) (5.6) (3.7) (2.6) 0.8) 0.1) (0.72) (0.54) (0.36) (0.25) (0.18) (0.108) (0.072) (0.054) (0.036) 28 47 69 93 140 201 282 471 709 945 1 421 2027 2842 4 733 7 103 9468 14206 9 09.4) 0 1.5 ) (8.1) (6.0) (3.9) (2.7) (1.9) 0.2) (0.77) (0.58) (0.38)

41、(0.27) (0.19) (0.114) (0.077) (0.057) (0.038) 31 51 75 100 152 218 306 511 770 1 025 1 541 2 199 3082 5 133 7704 10 268 15 407 10 09.9) 02.1) (8.4) (6.3) (4.1) (2.9) (2.0) (1.2) (0.80) (0.60) (0.40) (0.28) (0.20) (0.120) (0.080) (0.060) (0.040) 一一一L一一一一一 。目可-主-M|MO-m表C.1(续LTPD或A50 30 20 15 10 7 5 3

42、2 1.5 1 0.7 0.5 0.3 0.2 0.15 0.1 合格判定数(c)缺J、样品i止(寿命试验所耍求的器件小时数，应乘以1000) (r=c+1) 33 54 83 111 166 238 332 555 832 1 100 1 664 2 378 3 323 5 546 8319 11 092 16 638 11 (21.0) (12.8) (8.3) (6.2) (4.2) (2.9) (2.1) (1.2) (0.83) (0.62) (0.42) (0.29) (0.21) (0.12) (0.083) (0.062) (0.042) 36 59 89 119 178 25

43、4 356 594 890 1 187 1 781 2 544 3 562 5 936 8904 11 872 17808 12 (21.4) (13.0) (8.6) (6.5) (4.3) (3.0) (2.2) 0.3) (0.86) (0.65) (0.43) (0.3) (0.22) (0.13) (0.086) (0.065) (0.043) 38 63 95 126 190 271 379 632 948 1 264 1 896 2 709 3 793 6 321 9 482 12 643 18 964 13 (22.3) (13.4) (8.9) (6.7) (4.5) 川月2

44、)(1.3) (0.89) (0.67) (0.44) (0.31 ) (0.22) (0.134) (0.089) (0.067) (0.045) 40 67 101 134 201 288 672 1 007 1 343 2 015 2878 4029 6 716 10 073 13 431 20 146 14 (23.1 ) (1 3.8) (9.2) (6.9) (4.6) (3.2) (2.3) (1.4) (0.92) (0.69) (0.46) (0.32) (0.23) (0.138) (0.092) (0.069) (0.046) 二43 71 107 142 213 305

45、 426 711 1 066 1 422 2 133 3 046 4 265 7 108 10662 14 216 21 324 15 (23.3) (1 4. 1) (9.4) (7.1) (4.7) (3.3) (2.36) (1.4 1) (0.94) (0.71) (0.47) (0.33) (0.235) (0.141) (0.094) (0.070) (0.047) 45 74 112 150 225 321 450 750 1 124 1 490 2249 3 212 4 497 7496 11 244 14 992 22487 16 (24.1) (14.6) (9.7) (7

46、.2) (4.8) (3.37) (2.41) (1.44) (0.96) (0.72) (0.48) (0.337) (0.241) (0.144) (0.096) (0.072) (0.048) 47 79 118 158 236 338 473 788 1 182 1 576 2364 3 377 4 728 7880 11 819 15 759 23 639 17 (24.7) (14.7) (9.86) (7.36) (4.93) (3,44) (2.46) (1. 48) (0.98) (0.74) (0.49) (0.344) (0.246) (0.148) (0.098) (0

47、.074) (0.049) 50 83 124 165 248 354 496 826 1 239 1 652 2478 3 540 4956 8260 12 390 16 520 24780 18 (24.9) (1 5.0) (10.0) (7.54) (5.02) (3.51) (2.51) 0.51 ) (1.0) (0.75) (0.50) (0.351) (0.251) (0.151) (0.100) (0.075) (0.050) 52 86 130 173 259 370 518 864 1 296 1 728 2 591 3 702 5 183 8638 12957 17 2

48、76 25 914 19 (25.5) (1 5.4) (10.2) (7.76) (5.12) (3.58) (2.56) (1. 53) 0.02) (0.77) (0.52) (0.358) (0.256) (0.153) (0.102) (0.077) (0.051) 54 90 135 180 271 386 541 902 1 353 1 803 2705 3 864 5410 9017 13 526 18034 27051 20 (26.1) (15.6) 00.4) (7.82) (5.19) (3.65) (2.6) (1.56) (1.04) (0.78) (0.52) (0.364) (0.260) (0.156) (0.14) (0.078) (0.052) 65 109 163 217 326 466 652 1 086 1 629 2 173 3 259 4 656 6 518 10863 16 295 21 726 32589 25 (27.0) (1 6. 1) (10.8) (8.08) (5.38) (3.76) (2.69) (1.61) (1.08) (0.807) (0.538) (0.376) (0.269) (0