SJ Z 9152.1-1987 频率控制和选择用石英晶体元件 第一部分：标准值和试验条件.pdf

1、中华人民共和国电子工业推荐性部标准值和试验条件含IEC122-1第-次修改1983)Quartz crystal uniu for frequency control and selection Part 1: Standard values and test conditions 第1意栋1 范围本日准适用于天然水晶或人造水晶制成的irl体元件。SJ/Z 9152.1 87 IEC 12.2 1(1976) 本标准应与下列标准一起使用:SJ/z 9001-87 (IEC 68)号标准基本环境试验规程J SJ/z 9156 87 (IEC 283)号标准滤波晶体元件寄生谐振频率和i等效电阻的m

2、方法; SJ/z 157 87 (JEC 302)号际准工作频率达30MHz的压电振子的标准定义和量方法以及SJjz9154 87 (IEC 444)号标准用零相位技术在形网络中测量有英品体元件谐振频率和等效串联电阻的基本方法。本jj1准给出了各种频卒控制和选择用石英Jfl体元件的一般资斜并规定了通用的试验方法。而这些试验对每种类型品体元件的适用性以及每种试验的具体要求将在与该类晶体元件有关的产品活火规范中给出。2 目的建立评运石英晶体元1t:机城、电气和气候性能的统一条件，叙述试验方法并给出术语、定义和标准值。3 术语租定义3.1 一般性术语3.1.1 晶体切型Crystal cut 晶片相

3、对于晶体结晶轴的取向。一一一一一一-*对比有完全加工好自JTi片(element)使用着许多术i苔，例如:毛坯(hlank)、扒(Plate)、簿片(Wafer)及棒(bar)等。中华人民共和国电子工业部1988 0106批准S:r/Z9152.187 一一一3.1.2 晶片*Crystal element 切成一定几何形状、尺寸并相对于晶体结晶轴有一定取向的压电体。3.1.3 电极Electrode 与晶片表面接近或接触的导电板或导电薄膜，通过它给晶片施加电场。3.1.4 晶体振子Crystal vibrator 一个装有电极i可晶片。3.1.5 品体元件Crystal unit 在晶体盒里

4、装进了晶体振子。3.1.6 复式晶体元件Multiple crystal unit 内有两个或两个以上晶体振予的元件。注:在这种情况下，对测量而言FEZ每个振子分开来考虑。3.1.7 支架Mounting s!stem 支撑晶体振于的部件。3.1.8 镀膜晶体元件Platedcrystal unit 其内部晶体振子的电极是由诧积在晶片适当表面上的导rtH事膜所构成的晶体元件。3.1.9 振动模式Mode of vi bration 体由于受到外加应力作用使各质点所产生的运动模型、振动频率以及存在的边界条件。最通常用概与J悍孔午1: 的弯曲flexural的伸缩extensionalC)面切变f

5、aceshear 的厚度tJJ变thicknessshear 3. 1. 10 基频晶体元件Fundame ntal cfystal uni t 振子设计工作在给定振动模式的最低阶次上的晶体元件。3.1.11 泛音晶体元件Overtone crystal unit 振子设计工作在比给在振动模式最低阶次要高的阶次上的晶体元件。3.1.12 泛音:X耕Overtone order 将给定振动模式的逐次泛音从基频作为1开始分配以一系列递增音次数。对于切变和伸缩模式，其泛音次数是接近泛音频率与基频频3.1.13 晶体盒Crystal enclosure 保护晶体振子和支架的外壳。3.1.14 晶体元件

6、插Ef.:Crystal unit socket 插入晶体元件，用以固定并提供电连接的元件。3.2 电性能3.2.1 晶体元件的等效电路Crystal unit equivalent circuit 数，这些数就是泛比的一个整数。是一个在谐振频率附近具有与晶体元件相同阻扰的电路。它通常是用一个电感、电容和电阻作串联臂，再与晶体元件两端间的电容并联来表示。串联支路参数电感、电容和电阻通2 SJ/Z 9-1&2.1 81 常分别以L1、01和R1表示。并电容以00表示见图1)。注:只有把晶体元件的电阻和电抗作为频率的函数来考虑，并参照Sl/z9157-87 (IEC 302号标准所介绍的阻扰才能完

7、整定义谐振区附近的主要频率。3.2.2 谐振频率frResonance frequcncy 在规寇条件下，晶体元件电气阻抗为电阻性的两个频率中较低的一个3.2.3 反谐振频率f.Anti-resonance frequency 在规定条件下，晶体元件电气阻扰为电阻性的两个频率中较高的。3.2.4 负载谐振频率hLoad resonance frequency 在规定条件下，晶体元件与一负载电容相串联或并联，其组合阻扰为电阻性的两个中的一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的那个频率，而在并联负载电时，负载谐振频率则是其中较高的那个频率(见图2)。对于某一给寇的负载电容值(OL

8、)，实际上这两频率是相等的，为?=2反L101(OO+OL01+00+0L 注:在3.2.2，3.2.3和3.2.4条所定义的频率是作为校通常使用的术语而被列入的。多，其详细的说明可参考SJ/z9157-87 (IEC 302)号标准。当要求较高准确度或由频率的测量结果求间接数据(如晶体元件的动态参数值)时，应盔;SJ/Z 9157-87和SI/Z 9154-87 (IEC 382和444)号标准。C1 c g , . ,. 符号R t 等效电图1晶体元件等效电路见3.2.1条3 SJ/7. 9152.1 87 + 。nu 。VM相耐f a 、+1 4 、 l 、d4层CL 。-+ -P 1

9、.与, a F -I J ，吁。、，。4层4 。L f 面 CL . - 注:在图b一.负载电容值是相等的。圈2谛斗在频率、反谐振频率和负载谐振频卒见3.2.2、3.2.3和3.24条4 SJjZ9152.1 87 一一冉一一一一一3.3 工作特性3.3.1 标称频水Nominal frequencv 晶体元件规范所指定的频率。3.3.2 工作频芋fwWorking frequency 晶体元件和与其配合的电除一起工作的频率。3.3.3 频率允许偏差Frequency tolerance 3.3.3.1 总频差Overall tolerance 由于扣定的我多种原因引起的，工作频率相对于据称频

10、率的最大允许偏离。3.3.3.2 调整!如13号i.Adjustment tolerance 在规定条件下，某准温度时工作频率相对标称频率的允许偏离。3.3.3.3 老化顿唁Ageing t01erance 在规定条件下，由于时间所引起的允许偏离。3.3.3.4 温度范围内的频秃Tolerane over temperature range 在整个温度范围内，相对于某准泪度时工作频率的允许偏离。3.3.3.5 激励电平变化所引起的频差T01erance due to leve1 of drive variation 由于激励电平变化所引起的允许偏高。3.3.4 工作温度越围Operating

11、temperature range 是一在晶体盒上测得的温皮范围，在;主温度范围内晶体元作在规定之内。3.3.5 可工作温度范围Operable temperature range 是一在晶体合上耐得的温度范罔句在这温度市围内晶体元件必须工作，但不定工作在之内。3.3.6基准温度Reference temperature 对进行晶体丑件可盯测琶的温度。对于受温控的晶体元件，基准点，对于无温控的晶体ji;作，基准温度通常为25士20C。3.3.7 谐振电阻RrResonance resistane 晶体元件在谐振频率f，时的电阻值。3.3.8 负载谐振电阻RLLoad resonance res

12、istance 晶体元件与指定外部电容相串联，在负载谐振频率h时的电阳值。注:RI和Rl之间的关系如下:RL=Rl (1+去)2 3.3.9 激励电平Level of drive 是一种用耗散功率表示的施加于晶体元件的激励状态注:在特殊情况下，可以用晶体电流或电应采规定激励电平。3.3.10 寄些响应Unwanted responce 晶体振子的一种与有关工作频率不同的谐振状态。3.3.11 负载电容。LLoad capacitance 与晶体元件一起决定负载谐振频率h的有效外界电容。温范围的中3.3.12 老化民明参数变他)Ageing (10吨-termpararneter variati

13、on) 5 SJjZ 9152.1 87 托一参数如谐振频J京和时间之间的关系。;主:这些是在在生变化是由于品体元作的长甥变化所引边的，通常是用谋一时间间隔的相对变化来表示。3.3.13 动态电容01Motional capacitance 01 等效电路中动态串联臂里的电容。8.8.14 功态电感L1 Motional indctance L 1 气:;坟电路中动态串联臂里的电感。3.3.15 负载情报频韦偏置Load resonance frequeney offset .f l.=/L-f, 负载谐振频卒itjEHI由下式近似地H卦E在应用中，为标明某负载电容实际值单位:pF) ，对己f

14、命运负就电容值的负率铺置.h可写为.f30或.f20 3.3.16 相对负我谐振频率偏置Fractional load resonance frequency offset D fLEfT L=一一-7;十一相讨负;畏i皆l是频率偏置可由下式近似地计算zD一01-L-2(0+Of.) 相对负载i皆振频率偏差也可写为D30以表示负载电容为30pF峙的相对负载谐振频率偏哇。3.3.17 频率牵号!范围Frequency pulling range .hl, L2=IhI- /L zI 频卒牵引范围可rfl下式近似地I升2Af-!fFILU L2 =1 2(00王-L1灭DUfb频率牵寻!范围也可写

15、为f20，30，以去示负载包容为20pF和130pF之间的树本牵引范围。3.3.18 相付颇丰E牵引起围Fractional pulling range = IDL 1 -D 2 相对频率半引范围可由下式近似地计算D l c i L l L 2 = I-o +-0 L 1)(0 0 + 0 L2) 相对顿来牵引也可写为D2 0 30 I; c是示负载电容为20PE和30pF之间的相对频率牵引范围。6 SJ jZ 9152 , 1 87 3, 3, 19 频率牵引灵敏度Pulling sensitivity s dDL-c l -一一一一dOL- 2(00 +0L) 2 率牵引灵敏度也可写为S3

16、 0以表示负载电容为30pF时的4 工作范围标准工作温度范围有z窄温范围J50士50C55士5C60土5C65士5c70士5C+8 C 70-5 75士5C80土5C85士5C宽温范围:+ 15 + 450C 。.+ 450C 0+50C 0. + 60 C -10. + 600C 50士1C55士1C60士1C65士IC70士1C75士1C80士1C85士1C- 30., + 60 c - 30. . + 80 C -40 +70 C - 50. + 80 c 呵55.+ 90 C - 15 + 450C一55+105 C - 20 . + 70C - 60.-. + 90 c - 25.

17、+ 55C - 60. + 105C 注:在补充和修改上述温度范国时，建议首先考虑IEC68号标准所列的温度。5 的5, 1 对于工作在基频模式的晶体元件，其负载电容的标20pF 30pF 50pF 100pF 为s牵引灵。注:负载电容的允差应是:它所产生的频率变化大于基准温度时频率允许偏差的10%，同时又不大子负载也容标称值的1%。有些国家仍使用32pF;但不应把该值看作是标准值，而且不赞成采用它。5, 2 泛音晶体元件是经常工作在串联谐振的。在使用负载电容的地方，其负载电容值应从7 SJ/Z 9152.1 87 下列标准值中选怦S8pF , 12pF, 15pF, 20pF , 30pF

18、注:负载电容的允差应是:差的18%，同时又不大于负我也容标称值的1%。e 标准激励电平有22mW, 1mW, 0.5mW, 0.2mW, 0.1mW, 0.05mW, 0.02mW, O.OlmW, O.OOlmW. O.OOOlmW。7 8 品活页规范中另有规定，全都是土20%。注z在为了替换用而要求更高值的地方，可暂用10mW、5mW和4mW。但要明白这些是非优选值。的标准值有210-7bar cm3/SJ 10-Sbar cm3/sJ 10-9bar cm3/SJ 10-lObar cms/s。8.1 每个晶体元件上都应牢固而清晰地标有下列内容z的标称频率，以kHz或MHz为单位按用户要

19、求)J b)货源标志制造商名称，可用代号或商标)J 。为完全确定该晶体元件所需的其它内容。注:建议基频晶体元件以KHZ为单位标志，泛音品体元件用MHZ为单位标志。体盒，可以改用其它标志方式。2 试件 本电性能测量方法是在公认条件下判断晶体元件的电性能。而将若干样品经受SJ/z 9001 87 (IEC 68号)标准中的机械和气候试验以及后文所列的密封和贮存试验，能够用来评定晶体元件在一定使用期中及使用期后保持这些性能的能力。在这些试验后，样品应能满足电性能要求，如有规寇，则在这些试验垦的一项或多项试中同样应该满足电性能要求。附录A中给出了鉴定试验览表，它给出了各种试验项目及顺序。它可以用来作为

20、制订一具体场合鉴定试验一览表的核对单。这时必须考以下几点z一一电性能要求，8 10 SJjZ 9152.1 87 一一必须做的试验和它们的顺序试验一览表)J 酷度，一一为确定样品是否成功地通过试验而在试验后要进行iJ测量内容，品的数量、分组情况以及允许耐不合格品数。经受过鉴定试验的晶体元件，不能再在设备中使用或放回供应库库存。件另有规定，所有应在SJjZ9001 87 (IEC 68)号标准规定的标准大气条件下进行(温度15r-350C;相对湿度45%-$75%，气压860，.1060mba吟。在测量前，应将晶体元件在该试验温度下存放足够的时间使晶体元件达到这一。如果在标准温度之外的温度下进行

21、测量，在必要时，则应将测量结果修正到规定温度。测量时的环境温度应在试验报告中列出。.量过程中，不妥将晶体元件置11量结果无效的那些条件下。11 自栓11 1 外部目;检11.1.1 检验尺寸，应符合规寇值。11.1.2标12 电性注:在本章中所提到的谐振频率都应认为是fr或fL的统称，由详细规范2.1 谐振频率和谐振电阻的12.1.1 按12.1.2条所测得的晶体谐振频率和谐振电阻应在规定的范围之内。12.1.2 晶体谐振频率和谐振电阻应该在规定条件下采用12.1.3条所述的标准方法来测定，其信号波形基本上是正弦波。另外，谐振频率和谐振电阻也可以用另外任一适当的方法测量，只要其结果踉用标准方法

22、所得到的结果相比较，与所要求的精确度致即可。12.1.3 标准测量方法在SJjZ9157 87 (IEC 302)号和SJjZ9154 87(IEC 444)号标准中给出。12.2 晶体。值在考虑中。12.3 谐振频率和谐振电阻眼激励电平的关系12.3.1 试验A从最低激励电平开始，在规寇的激励电平下反复按12.1条测量。谐振频率和谐振电阻的变化应在规定范围之内。12.3.2 试验B荡器的增益要调到z当用一阻值等于规定的谐振电阻最大值的电阻器插入反馈回路时，振荡器刚好起振。用晶体代替这电阻器，振荡器必须振荡，而且在增大增益直到达9 、SljZ 9152.1 87 励电平都连。注=本试验所用的振

23、荡器应该是:为用一阻值等于被连同负载电容)时，能产生与在晶体或iZ体连同负载电容情况下或负载谐振电阻的电阻器取代晶体(着适用，荡频率和幅度。12.4谐率和电阻跟温度的关系12.4.1 之前应在基以正确的负容，调整好激励电平。以后必再调整问刷队剧。12. 4.2 在规定条件和热平衡状态下，从工作温度范围的一极端温度开始，按12.1条即l内测量谐振频率和谐振电阻。测量的温度间隔应足够小，以利发现振电阻的任何不连续变化。另外种是在温度变化的条件下测量晶体元件，其升温速率应使两个测量结果之间立适当的相互关系。在整个规定的温度范围内，谐振频率和谐振电阻应该满足要求。当频率和谐振电阻的不连续变化是重要的场

24、合，对其变化的要求则应由用户和制造者协商。12.4.3 为了检测晶体盒内的挥发性物质，晶体盒的温度应在一分钟之内从-30C上升到+200C。在本试验期间，谐振频率和谐振电阻的测量应能提供连续的读数。应无不连续的变化。注:倘若最低温度是一30C或者更低，12.4.2和12.4.3条的试验可以合并。12.5 寄生响应12.5.1 频率控晶体元件12.5.1.1 采用12.1条的测荡晶体法，在规定率茫围内搜索、测响应的谐振频率和谐电阻。12.5.1.2 在规定频率范围内，所有寄生响应的谐振电阻都应大于规定的极12.5.2 频率选择用晶体元件滤波晶体12.5.2.1 用SJjZ9156 87 (IEC

25、 283)号标准所给出的测量方法在规响应的谐振频率和谐振电阻。12.5.2.2 在规定频率范围内，所有寄生响应的谐振电阻都应大于规定的极12.6 频率控制用晶体元件的并电在12.6.1 在低于谐振频率而又远离元件任何寄生响应的频率下测量并电容。12.6.2 除非另有规定，金属晶体盆应接注:在特殊情况下，晶体元件看作是一个三端网络(见12.7)。12.7 频率选择用品体元件的并电容和分布电容。围内搜。12.7.1 在低于谐振频卒而又远离元件任何寄生响应的频率下，用三端电桥测量并电容和分布电容。12.8 动态电容按SJjZ9157 87 (t五C302)号标准。12.9 动态电感按SJjZ9157

26、 87 (IEC 302)号标准12.10 绝缘电阻绝缘电阻用100土15V直流电压测量，测量时间1min土58，如时间可以更10 SJ j l 9H;2 1 81 短，电压加在E的接端间Fb)互相连接的接端与外壳金属部份(若有的话)之间。电阻不应小于规定值。注:倘若能确定其相互关系，也可采用其它电压。12.11 真空晶体元件玻壳型的真空度试验利用由泰斯拉线圈得到不超过15kV的峰值电压来槛验真空试验电极的位置应该尽量远离晶体振子及其接端。为了便于进行试验。壳内应无打火迹象，呈现一淡蓝色的均匀放电。为了避兔损伤品体元件，放电辅况，应在半暗环撞-t12.12 频率可调性12.12.1 用12.1

27、条的方法测定两个规寇负载电容下12.12.2 若这项试验列在产品活页规范中，则一一两负载电一一两谐振频率之差的最大和或最13 机械和气13.1 碰撞率之差。下内容z13. 1. 1 晶体元件应按规定严酷度晶体盒是被夹牢的。经受SJjZ9001 87 (IEC 68)号标准的Eb试恤，13.1.2 然后目检晶体元件，应无可见损伤。13.1.8而后测量谐振频率和谐振电阻。其测电阻的变化应不超过规定极限。与12.1.2条测得18.1.4 若这项试验被列在产品活页规范中，应规定如下内容z一一试验严酷度等级s一一力所施加的轴向F一一若在试验期间进行测旦，率和电阻变化极13.2 冲击比较，率和。13.2.

28、1 晶体元件按规寇的严酷度等级经受SJjZ9001 87 (lEC 68)号标准中的Ea试验，晶体盒是被夹牢的。13.2.2 然后对晶体元件进行目检，应无可见损伤。18.2.3 而后测量谐振频率和谐振电阻。相对于12.1.2条的测量值，其变化不应超过规定极限。13.2.4 若在产品活页规范中包试验则规定下列内容z的严酷度等级，一一力所施加的轴向，一一若在试验期间进行测量，谐振频率和谐振电阻变化极限值。13.3振动13.3.1 晶体元件应按规寇严酷度等级经受SJjZ9001 87 (IEC 68)号标准的F。11 SJjZ ,9152.1 37 13.3.2 除非另有规定，应将晶体元件牢固地夹在

29、振动台上。若是线状接端，则在离晶体盒底座约10mm(0.41时的地方夹住使引线保持在原来的位置。13.3.3 振动后目检晶体元件，应无可见损伤。13.3.4 然后测量谐振频率和谐振电阻。其测量值与12.1.2条的测量值相比较，谐振电阻的变化应不超过规定极限。1308.-5 若在产品活页规范中包括这项试验则应规定下列内容z一一试验步骤的详喇叭厅一一试验的严酷度等级F一一振动轴向;一一若在试验期间进行测量，谐扛频率和谐振电阻的变化极限。13.4 稳态加速度13.4.1 晶体元件应按规道严酷皮等级经受SJjZ9001 87 (IEC 68)号标准中的Ga试验。晶体盒是被夹牢的。13.4.2 然后测量

30、谐振频率和谐振电阻。与以前的测量值相比较，谐振频率和谐振电阻的变化应不超过规定的极陆国。saj.S 若在产品活页规范中包括这项试验，应规定下列内合S一一试验严酷度等级，一一加速度的轴及方向s一一若试验期间进行测量，、谐振频率和谐振电阻的变化极限。13.5 接端的抗张强度13.5.1 晶体元件应按规定严酷度等级经受SJjZ9001 87 (IEC 68)号标准中的Ua试11.5.2 试验后，晶体元件应无可见损伤。13.5.3 若在产品活页规范中包括这项试验，则应槐应下列内容z一一力。13.6 线状接端的耐弯曲性13.6.1 晶体元件应按规起严酷度等级经受SJjZ9001 87 (IEC 68)号

31、标准中的Ub试, 13.6.2 试验后，晶体元件应无可见损伤。13.6.3 若在产品活页规酒中钮括这项试验则应规寇下列内容，一一力，一一弯曲次数，一一相对于晶体盒底的弯曲位置。13.7 括脚式接端的弯曲试验仅适用于有切槽插脚18.7.1 用任何适当的方法固寇或夹紧晶体元件本体或底座，使用与具体晶体盒相应的弯曲工具，同切槽部位之外的插脚部份相嵌合。为了保证弯曲主要发生在切槽部位，可以将一块具有两个插脚孔的金属板放在插脚的上部.12 SJjZ 9152.1 87 此金属板的厚度应这样厚，使其包括插脚切槽段的一部份.用弯曲工具将插脚沿一方向弯曲15土20，之后沿相反方向弯曲20土20，再弯曲15土2

32、0，返回到起始位置而告终。弯曲速率应大约为每个方向每次弯曲3秒钟。13.7.2 试验后，晶体元件应无可见损伤。13.8 密封，试验A13.8.1 晶体元件应经受SJ/Z9001.30 87 (IEC 68)号标准中230土10), 13.11 热冲击只适甩于玻璃壳型。13.11.1 晶体元件应经受SJ/Z9001.4 87 (IEC 68)号标准中的N13.11.2 试验后，晶体元件应无可见损伤。13.12 干热13.12.1 测量谐振频率和谐振电阻。，方法1( 焊槽法，在，方法b.13.12.2 晶体元件应经受SJ/Z9001.3 87( IEC 68)号标准中的Ba试验，100 c。13.

33、12.3 然后测量谐振频率和谐振电阻。与原测量值相比较，谐振频率和谐振电阻的变化应不超过规定极阳阻。13.12.4 若产品活页规迫中包括这项试验，则应规定下列内容z13 SJjZ 9152. 一一谐振频率和谐振电阻变化的极限值.13.13 湿热，第一周期13.13.1 晶体元件应经受SJjZ9001.6 87 (IEC 68)号标准中D13.13.2 本试验后，元件应立即进行干冷试租。13.14 干冷的一个周期。13.14.1 晶体元件应经受SJjZ9001.3 87 (IEC 68)号标准中的Aa试验，在-65c。13.14.2 然后测量谐振频率和谐振电阻，与原测量值相比较，谐振频率和谐振电

34、阻的变化应不超过规寇极限值。13.14.3 若在产品活页规范中包括这项试验则应规定z一一谐振频率和谐振电阻变化的极限阻。13.15 湿热，其余周期13.15.1 晶体元件应经受SJjZ9001.6 87 (IEC 68)号标准中的D试验的其余五个周期。13.15.2 然后测量谐振频率、谐振电阻和绝缘电阻。与原测量值相比较，谐振频率和谐振电阻的变化应不超过规寇极限，而且谐振频率相对于标称频率的偏离也不超过规定极限。绝缘电阻应不低于规定，菌。13.15.3 若在产品活页规范中包括这项试验则应规定下列内臂一一谐振频率和谐振电阻变化的极限值，一一绝缘电阻的峭/J国。13.16 湿热，长期13.16.1

35、 晶体元件应经受SJjZ9001.5 87 (IEC 68)号标准的C试验，56天。13.16.2 然后测量谐振频率、谐振电阻和绝缘电阻。与原测量值相比较，电阻应不超过规定极限，同时谐振频率相对于标称频率的偏离应不超过规寇极绝缘电阻应不低于规定值。13.16.3 若在产品活页规施中包括这项试验则应规定下列内容s一一谐振频率和谐振电阻变化极限值，一一绝缘电阻的.喘吁血。13.17 老化13.17.1 晶体元件在规寇的老化温度下经受一规定时间。率和谐。13 , 17.2 当晶体元件在试验温度下达到热平衡，就要测出记录谐振频率和谐振电阻。13.17.3 在13.17.1条所要求的期间按规定时间间隔，

36、以及该期间末尾，测量谐振频率和谐振电阻相对于13.17.2条测量值的变化。训量时，晶体元件仍处于试验温度。此温度相对于13.17.2条所记革的温度的最大偏须与哭得到的测量结果的精度相一致。13.17.4 若产品活页规范中包括这项试验，则应规寇下列内臂一一试验的持续时间，老化温度，测量温度，一一测量的时间间隔，一一谐振频率和谐振电阻变化的极限值。13.18 热冲击，空气14 ,SJ/Z 11盹.1盯18.18.1 晶体元件应经受SJjZ9001.4 87(IEC 68)号标的Na试验，在-.40. + 100 c 围内进行1，0个环循。13.18.2 谐振频率和谐振电阻。13.18.3 若在产品

37、活页规范中包括这项试列内臂15 SJ/Z 9U2.1一87_oo-A Al Al.l 型号Type 一种型号包括由一个制造商制造的同一设计的所有晶体元件。注:所谓晶体元件的设计包括下列诸部份:一一电气特性;一环境性一一结构;一一外形。Al.2 鉴定试验Type test 晶体元件的定型试验是，定型试验的目前是要确表该型号晶体元件特性的若干样品所进行的一系列完整造商有无生产符合技术规范的晶体元件的能力。Al.3 鉴定批准Type apptoval A2 鉴寇批准是由有关权威用户本身或其指定人做出的关于某制造商有能力生产相当数范要求的该型号产品的e决定。A2.1 试验样品许不合格品数应由供需双方协

38、商牛注:某些试验结果与某型号产品特性无关，声日湿热试验结果通常犬。对于这种情况，就不需对每号的样品都进行这项试验A2.2 全部样品应按下进行试验|条目检I 11 密封，试验AI 13.8 谐振频率和谐振电阻跟激励电平的关系若适用的话)I 12.3 谐振电阻I 12.1 谐振频率和谐振电阻跟温度的关系I 12.4 寄生响应| 绝缘电阻I 12.10 其它晶体元件参数若适用的话并电容i 并电容和分布电容I 12.7 动态电容I 12.8 密封，试验BI 12.9 一16 SJ/Z 9152.1 87 一A2.3 然后将晶体元件等分为主组，每组的所有晶体元件应经受下表规定顺序的试条款、，二、Jnu一

39、DN一酬JE、/二一性性一一坏坏一一破壁HL一斗寸寸第一组其中一半z碰撞若适用的话冲击若适用的话振动若适用的话加速度(若适用的话另一半z接端的机械试验若适用前j!i)(原文如此编者注焊接若适用的话然后全组z热冲击只适用于玻壳类干热湿热，第一周期干冷湿热，其余周热冲忐，空气若适用的话谐振频率和谐振电阻眼温度的失系第二组i股热，长期谐振频率和谐振电阻跟温度的关系第三组老化13.1 13.2 13.3 13.4 DDDD 13_5 13.10 D D 13.11 13.12 DDDDDDD NNNNNNN 13.13 13.14 13.15 13.18 1?4 13.16 12.4 D 率和谐振电的关系13.17 12.4 ND 17