GB T 6814-1986 半导体集成非线性电路系列和品种 模拟开关的品种.pdf

1、 中华人民共和国国家标准口口口口口口Families and variety of semiconductor integrated nonlinear circuits Variety of analog switch UDC 62 1. 3.049 .774 GB 6814 86 本标准规定了半导体集成非线性电路模拟开关(以下简称器件)的品种及其基本性能。生产(研制)或选用器件时，其品种应符合本标准的圳人已。若无特殊说明，本标准陆及的逻辑均为正逻辑。、代号1.1 本标准采用的图形符号的含义如本附录A所示。1. 2 本标准列出的器件类型、系列品种代号为器件型号的第0、一、二部分。2 晶种器件

2、名称类型、系列品种代号C8 5040 单刀挚掷模拟f关C8 5140 C8 200 C8 300/C8 304 C8 381 双路单刀单掷模拟开关C8 5041 C8 5141 C8 5048 C8 201 C8 202 四路单刀单掷模拟JF关C8 5052 C8 5053 国家1986 -08 -27发布1987-08-01实GB 6814-86 线主主器件名称类型、系列品种代号CB 301 CB 305 CB 387 单刀双掷模拟开关CB 5042 (二B5142 CB 5050 CB 390 CB 5043 4延时t1- J J议;也fI):拟n:走CB 5143 (、B:i051 (、

3、B5044 X )J们拥)，货拟11关CB 5144 (、B302 C Il 30币C Il :84 i:X.跻权)J们搁;愤扎:1JI-f:_ CB 5045 CB 5145 CB 5049 双刀双掷模拟开关CB !046 双路双刀双掷模拟开关CB 303/CB 307 4刀单掷CB 5047 双4选l模拟开关CB 529 8选l模拟开关CB 528 双8选l模拟开关CB 7507 16选I模拟开关CB 7506 2. 1 单刀单掷模拟)f关CB 5040 2. 1. 1 功能框图和功能在s 1 N 输人IN H 2. 1. 2 主要性能8. 单片-CMOSrz; b. 奋抗可控硅臼锁能力s

4、GB 6814 86 VO VOO K t 控制啦元 L_.J GND Vss 图lc 铺出端电、|三与TTL、CMOS电、1.兼容zd.电J/电)1:!: 15 V。2. 1. 3 外才|线排列和名称Dnl - 16ns :日:RtsN 1 :l GND N,: 5 12 VO Ncn 6 1 1 VOD Nc口710 Nc Nc 8 9门N因2D )1 f:. 飞全通K 待亏仨3D GND IN Nc S Vo Voo Vss 2. 1.4 主要电参数三我二，数:?I 称符口亏模拟ffiL3范用VA 电源电流IOD + 乌合通电阳Ron 乌合通延迟时间10ft 截止延迟时间loff 2.2

5、 啦JJ单掷模拟f关CB 5140 2.2. 1 功能框图和功能表s lN 输入IN L H GB 6814 86 名称极出端地模拟信号入端空端源、极输出端极电源正电源负电源规i8 值单z: 最最大20 V A 75 Q 500 ns 250 ns Vo Voo K D t 控制敏元L_J GN D V 55 因3)! 关飞去通K GB 6814 86 2.2.2主能a. 单片CMOS王艺sb. 布抗可控硅自锁能力;C. 辅出端电平与TTL、CMOS电平兼容sd. 电源电压z士15V。2.2.3 外引线排列和名称符号D GND IN N S VD VDD V s s 2.2.4 t要电参数主主

6、声主 数:?1 利(n 模拟11f弓范和lVA I包i即;电流hJD 导通电阻Ron i:手通延iS时IlJ4主止延迟H们11J Iff 军王Nc月2:1:13UG C日:nvNcLJ7 图4最20 Nc 9UNc :?1 规柏:被输出端地模拟1rf号输入端7:1端勋、极输11it1M 如j极t包i)、IHI! J;j 负电源?8 !i 1(1 1( 岛生大v A 75 Q 150 I1 S 125 I1S GB 6814-86 2.3 双路单刀单掷模拟开关C13 200 2.3.1 功能框图和功能表VDD 5 , IN, INz 5 , 0 , 0 , G 7-J O Vss |刽5输入1开

7、关导通K 11 2.3.2 主要性能a. 单片飞105工艺zb. 输入端有静电保护能力sC. 输出端电平与T三门，、C10S电平兼容:d. 电源电压:士1;)V。2.3.3 外引线排列和名称VDD D |刽6GB 6814-86 符号名称) l D2 漏极输出端GN D 地IN l IN2 模拟信号输入端Nc 空端S l S 2 源极输出端Vlll, 正电源Vss 负电源2.3, 4 主要电参数规范参数名称符号ui 模拟信号范围V A l5 导通电阻Rn 导通延迟时间In 截止延迟时间I ff 2.4 双路单刀单掷模拟开关CB 300 CB 3(H 2.4.1 功能框图和功能表v 00 D,

8、5，-一一+寸宇.JL.:矿T唱-52IN，一一一.JL-一一IN2 GN D Vss |刽7输入l川I1 值hd 大lfi 140 :170 开关导通I飞单位飞Q 11、ns GB 6814 86 2. 4.2 主要性能a. 单片CMOS_艺;b. 输出端奋过载保护能力;c. CB3揄出端电、|与TTL电平兼容sCB304输出端电、v-与CMOS电乎兼容gd . 电源电压:!: 15V。2.4.3 外引线排列和名称Nc nl -14nVoo 01口213口O2Ncn3 12nNc s In4 flnS2 NcDs 10口Nc1 N1n6 9DIN2 GNOU7 8口Vssn 口z3 -0 1

9、 O2 GJ O 11 , 1J2 N( S l S 2 V llll V 55 2.4.4 主要电参数二垂扭主, 数名称符号最口号范围VA 电1*、电流100 导通电阻R on CB 300 导通延迟时间ton CB 304 CB 300 截止延迟时间t 0 f f CB 304 Voo - E O2 户Jj10 9 80S 2 2 I N 1 3 6 YINz h 4 5 。VssNc n GNO 因8名码:被输出端地拟f.i号人端空端源极输出端IE电源、负电源规范值最大15 36 0.1 50 300 + 250 250 150 单位V nA Q ns ns GB 6814 88 2.5

10、 双路单刀单掷模拟开关CB 381 2.5.1 功能框图和功能表Voo S , 52 K D , J K4 GB 6814 86 符号名称Dl -D. 出端GND 地IN1-IN. 信号人端Nc 空端$ 1 -$. 出端Voo Vss 负电2.1.4 主要电参数范数名称符号最大信号范围VA 15 导通电阻ROD 175 导时间tOD 480 止延迟时间loff 370 一一一一-2.10 四路单刀单掷模拟开关CB 2但2. 10.1 功能框图和功能表I N, D, 5 , 5 , D, I N, 控制银元 K, K. 撞加IJI(!元VDD 单元控制悦元G ND Vss 图19人IN L H

11、I N2 Dz 52 5 , D, I N3 开关.导Kl K2. K3. K. 单位V Q ns ns GB 6814 88 2.10.2 主要性能B. 单片CMOS工艺，b. 有抗可控硅自锁能力，c 内含信号比较器zd. 揄出端电平与TTL、CMOS兼容，e. 电源电压:t 15V。2.10.3 外引线排列和名称lN,n 1 2 S ,n 3 v SS 4 7 I N.n 8 符号01 - 04 GNO IN l-IN 4 Nc S l-S 4 Voo Vs s 2.10.4 主要电参数参数:? 称符号模拟信号范围VA 号李通电阻Roo 导通延迟时间t 00 止延迟时间t 0 ff 16D

12、IN2 150D2 14 S2 13 v 00 12 Nc 11 S3 10UD, 9nl N3 图20f , 出端地模拟信空端源极输出端正电源负电i1、规范俏最最15 称入端单位大V 175 Q 480 ns 370 ns GB 6814 88 2.11 阿跻悦JJ啦掷模拟斤.CB 5052 2.11.1 功能框图和功能表输入IN H L 2.11 .2 主要件能a . C M 0 S 2:.: I lN, 0 , S 5. I N b. 有抗可护;1硅自锁能jj;Voo JC 险制单元K. 控制唱元撞ilJ元GNO 55 图21c . 输出端电卡导TTL、Mos电、|毛兼容Ed. 电坤、电

13、Jk: 主ISV。2.11 .3 外引线排列和11.称-16PlN2 I N, 1 0 , 2 15002 5，叫314h5 z 4 13 Voo GNO 5 12 Vo 5.rl6 11 5 , D.U7 IOUD3 I N.D8 I N, 图221 N2 D2 52 5 , 0 , I N, 开关导K Kz. K3 K4 GB 6814 86 样号俨101 -0 GNO IN ( - IN 4 信Nc 坦白S(-S4 Vo 漏极电Voo 正电Vss 负电2.1 1.4 主要电参数规范重?-电, 名称符号模拟信号艳围V 15 电源、电流D 导电阻Ron 延迟时间10ft 宁止蜒迟时间toff

14、 2.12 四路单刀单掷模拟开关CB 5053 2.12.1 功能框图和功能表人IN L H I N, D, S , 5. D. I 飞tVo Voo 如串IJ咱兀f宅融j吁.n: K, K , K l 控制l悦兀ll控制l悦JtHGND VSS 图23出端出端值最I N, D2 5 , 82 I31 . 3 入精大80 5 250 开关#, 寻通K l K2 K3 K4 单位V A Q ns ns GB 6814 86 2.12.2 主要性能a. CMOS 艺pb. 高抗可控硅自锁能力zc . 输出端电平与TTL、CMOS电、V.兼容zd . 电捕、电压:士15V。2.12.3 外引线排列和

15、名称lN,nl D,n2 15UD 5 ,rl3 1405, Vssrl4 13UVoO 5 12 Vo 52 6 11口53D2rh 10 D, IN2d8 9 1 N, 图242.13 单刀双掷模拟汗关CB 30liCB 305 2.13.1 功能框图和功能表Voo D, -E K E , K, r一-气5 , 9 1 1 lN H 控制单元G N D Vss 因25人1 L H 2.13.2 仨要性能a. 单川-CMOSC2:; b. 输入端布静电保护能力gc. C B 301输出端电、严与TTL电、|主兼容;CB 305输出端电、v与CMOS电平兼容:d.电t电1+-:!: 15V。2

16、.13.3 外引线排夕IJ有I称D2 52 Jf 关t才2通Ko K GB 6814 86 Ncn 1 14门VooVoo 01口213002 Ncq3 12口Nct 2 -8052 51口411口52INq3 6 pNc Ncns loDNc h4 5 Nc 1 Nn6 9nNc GNO GNof才78bvss 图26符号l 称0. O2 出端GND 地IN 模拟信号输入端Nc 空hS S 2 出端VDD Vss 负2.13.4 主要电参数规范值参数名称符亏仨01单位最最大拟信号范围VA 18 36 V 电源电流D nA 导通电阻Ron 50 Q CB 301 300 导通延迟时间t on

17、ns CB 305 250 CB 301 250 止延j时间t 0 ff ns CB 305 150 GB 6814 86 2.14 单刀双掷模拟开关CB 387 2.14.1 功能框图和功能表0 , 5 , 入IN L H 2.14.2 主要性能a. 单片CMOS王艺，b. 输入端有过载保护能力sVoo , K, K, 1-飞t-，I 赞制单元L_JGNO Vss 图27C. 输出端电、.与TTL、CMOS电平兼容sd. 由IiR电压:!: lSV。2.14.3 夕闷|线排列和名林Ncnl -咱NcN 0 ,03 12口O25，口411口乌I NUS IOU Nc Vnnn6 9UVss N

18、cD7 nGNO 图28O2 52 5421 IN q3 - . Voo 开关导通Kz KI 0 , 9 自。Nc679v . Nc 符号D. , D2 别DIN Nc S l S 2 VDD Vss 2.14.4 主要电参名称辑号模拟信号跑围VA 电源电流D 导通电阻Ron 寻通延迟时间ton 截l二延迟时间toff i 2.15 单刀双掷模拟开关CB 5042 2. 15.1 功能框图和功能表5 , s , IN l 输入IN L H GB 8814 86 名称出端地模拟信人端空极出正电负电源跑单位最最大18 36 V nA 50 Q 300 ns 250 ns V 0 Voo K , (

19、), ，。D, K 撞制啦元G N 0 V ss 29 JF 关导通K2 K) GB 6814 86 2.15.2 主要性能a. 单片CMOS工艺zb. 有抗可控硅自锁能力zc . 输出端电平与TTL、CMOS电平兼容，d. 电源电压z士15V。2. 15.3 外引线排列和名称O ,nl 16 5 , I N 5 , 0，忖314bvss 。，.Jt、i0 , 52忖413口GNO-SNc 12口VoI N3 Nc口5Ncn6 llnVoo 飞a . YVss 5 N门710门Nc。GNO Voo Vo 风门89flNc 图30符号名称D D2 出端GND 地IN 模拟1r3人端N, 空端s

20、S 1 源饭输出端VD 极电源V)D IE电V s s 负电源2.15.4 t要电参数规范值参数? 构:符可口f在位最最大模拟ff i号范围VA 20 V 电源电流I) A 飞去通电阻R 00 75 Q 导通延迟时IJtoo 500 ns 止延.i!S时间t () ff 250 ns GB 6814 86 2.16 单刀双掷模拟开关CB 5142 2. 16.1 功能框图和功能表5 , Sz lN 人INL H 2.16.2 主要性能8. 单片CMOS王艺zb. 有抗可控硅自锁能力，Vo 纯制单元GND 图31c . 辅出端电平与TTL、CMOS电、v-兼容Ed. 电视电川二+ 15V。z.

21、16.3 外引线排列l和名称国32Voo K, K z; L_J Vss D, 丹:关导通K2 KI GB 6814 88 符号名称0 ,. O2 出端GNO 地IN 模拟信人端Nl 空端s S 2 摞出端Vo 损电Voo Vss 负电%.1 .4 主要电范参名称愕号单位最最大模拟rr号范围VA 20 V 电源电流IDD A 号子通电阻RHI 75 Q 导通延迟时间t on 250 ns 截止延迟时间t 0 f! 150 ns 2.17 单刀双2.17.1 功能框图开关CB 5050 表v飞 . DD K, D, 5 , S2 ，、，42 K一P. I 目制单元GND V 55 图33入IN

22、开关导通L K2 H K , GB 6814 86 2.17.2 主要性能a.氓lJCMOS r芝;1b. 街.抗可炖硅自锁能力sc 蝇出端电中与TTL、crv10S电、4兼容sd. 由菁、电!王:士lSV。2. 17 .3 外引线排刑事1名称因34n r?J g -I D O2 GND IN Nc S i S 2 Vo Voo V ss -2.17.4 主斐电-城i且童，电数伊1韵符左巳士 3 盖在模拟信号范网VA 20 电份;也流Jl r、哼j踵l包阳100 ,. 一导通延迟时间I () 11 截止延迟时间I fl F ￥J 一一曲t.&输出端地模拟的号输入端守端一源极输出端制极f也颇JE

23、电源负电3 f自， fJf 最大V A 35 Q 5 ns 250 ns 2.18 双路单刀双掷CB 300 2.18.1 功能框图和功能表53 D. 。，GB 6814 86 V DD 。1控 制海- JC L_ 位 制E q自K. JC b t 。GJtD V ss 图355 , 1 N, 1 N2 52 人INI 开关导通L I K3 K4 H I K l K2 2.18.2 主要性能a. 单片CMOS王艺，b. 输入端有过载保护能力，c . 辅出端电乎与TTL、CMOS电平兼容Fd. 电源、电压z土15V0 2.18.3 外引线排列和名称D,n1 16口5，lSU 1 N, D, s

24、14 Vss S曳4 13 GNO 5. 5 12 Nc O. 6 11 VDD Nc n7 10nIN2 0208 9052 因而GB 8814 86 符号名01 -04 GNO IN1, INz Nc SI-S4 V DD V ss 2.18.4 主要电参数规参数名称符号最模拟信号范围VA 18 电源电流/DD 导通电阻R on 号通延迟时间lon 止延迟时间t 0 ff 2.19 双路单刀双掷模拟开关CB 5043 2.19.1 功能框图和功能表V 0 Voo K, 5 , 。，、， S3 K 。I.0 I N t宅串IJ收元L_J I N 2 J空制吁1元r-气 , K2 S , 5

25、, ;K, GN D V 因37输入INL H 称出地拟信入端空端极出端正电负范单位大36 V 0.1 A 50 Q 300 ns 250 ns 0 , I,Oz 0 , f关导K 3 K.1 K l Kz GB 5814 86 2.19.2 主要快能a.敬!干Cvl0Sr艺4b. 有jJt可控佳臼锁能力;c . 输出端电、l正与TTL、CMOS电、!F兼容Ed. 电dg电压:t lSV。2.19 .3 外引线排列和名称IltLJi U;US , Ncr1 2 I N. 3 14 V 55 4 13 GND 5 , 5 12 Vo D , 6 lln VOO ?叫啕, lonlN, D,OS

26、90s, :zf38 符z1 J -:1, 。1- D4 漏极输iij揣(趴lD地1:、l 1;2 模拟!占号输入瑞?叫吃?.端S 1 - S4 源极出端. 耐极电、nD 正电源ss 负电Ji2.19.4 主要电参数规范1直参数$, 称rr 5J 1 岛主最模拟4月号泣如iVA 20 -一-一电i)i电i汽ll D 14通，tmRon -ib 号通延迟时(HJlon 5m 截止延jLi时间t 0 ff 25U 一-晶-一-一-一-一利:一t串jjr. 大L A Q ns ns . GB 6814 86 2.20 双路单刀双掷模拟汗关CB 5143 2.20.1 功能框图和功能表VD VDP 5

27、 , K, 。- K3 53 。 I N, 翩翩曲元LJ I N2 徨兀r- t kz S. ., 5. 。G N D V ss 图39入IN L H 2.20.2 主要性能a. 单片CMOSI艺gb. 萄抗可控硅自锁能力，c .辅出端电平与TTL、CMOS电乎兼容Ed. 电、电压:t 15V。!.20.3 外引线排列和名称D，口116口5，Nc口215口IN, 03口314口VssS3n4 13nGND s .qs 12口VoDU6 llDVoo Ncn7 JOnIN, D.D8 9f可S，40 D, D, D2 D. 开关导通K3 K4 K ,. K2 GB 6814 86 件, , ?

28、桥:E 3 DI - D , hi何止输出端GND 地IN1 IN2 楼拟ff;号输入端c 笔端S 1 -S 4 源极输出端Vo 漏极电源V口口IE电V骂骂货电2.20.4 主要电参数规范f自参敬名称n 号电江最最大中资拟fJiEJ范|和lV 20 V i包抑、电流100 A lr手通电Il.Ron 75 Q t:非通延迟时间t 0 n 300 ns 截止延迟时间t 0 (f 150 ns 2.21 2.21. 1 双路单刀双掷模拟开关功能框罔和真值表CB 5051 VD Voo 5, K, 0, 03 I N, 撞制单元L_- i K3 53 I N2 费制单元r- t ，民2O2 S 2

29、S, ;K. O. GNO Vss 因41ff 关U寸通K3 K4 H K 1. K2 GB 8814一2.21.2 主能a. 单片CMOS工艺，b. 有抗可控硅自锁能力，c. 出电平与TTL、CMOS电平在叠d. 电压t土15V。2.21.1 外引线和名称01 18 SI Nc 2 15 INI 03 2 1 Vss S, 4 13 GNO S. 5 12 Vc D. 6 11 VDD Nc 7 10 1 N1 DI Sz 图42符号名称O( - 04 出端GNO 地IN(. IN2 信号输入端Nc 空S (-s 4 Vn Vnn 正Vss 负电2.21.4 主要电规范值参数名称符号怡f忱L

30、 最最大 拟信号范围VA 18 36 V 电电流Inn l A 导通电阻Ron 35 Q 导通延迟时间, lon 500 ns 止延迟时间t off 250 ns GB 6814 86 2.22 双刀单掷模拟开关CB 5044 2.22.1 功能梧图和功能表VD VDD 5 , 0 , S 2 O2 IN 撞副单元J GNO VSS 图43输入IN 汗关导a通L H K 1 , K2 2.22.2 主要盹能8. 单片CMOS1:艺:b. 有抗可控硅自锁能力$C. 输出端电、|毛与TTL、CMOS电乎兼容$d. 电源电rf:士lSV。2.22.3 外引线排列和名称D，口I16 0 5 , Nc

31、0 2 15 n lN Sl D. J 3 14口Vss5.口413 n GND D, 1 10 9 8 Nc 2 12 b VD Nc口5IN 83 7 Nc口611 P VDD 46 V Vss h s Nc口710口NcVDD GND VD Nc 0 8 9 n Nc 因44符r仁J 01, O2 GNO IN Nc S l S 2 Vn VDD Vss 2.22.4 主要电参数参数名称符模拟信号范围VA 电电流IDD 飞生电阳Roo 导延迟时间t 00 11:延迟时间t 0 f f 2.23 双刀单掷模拟开关CB 5144 2.23.1 功能框图和功能表5 , 52 IN 输入IN L

32、 H G86814 86 名称漏极出端地信号人端空端极出端电正电源、负电源规范值-仨3习I单位最最大20 V A 75 Q 500 ns 250 ns VD VDD K, 0 , O2 控制单元L_J GNO Yss 闻45Jf 关导通KI. Kz GB 6814 86 2.23.2 主要性能8. 单片CMOSI艺，b. 有抗可控硅自锁能力，c. 辅出端电平与TTL、CMOS电半衰草卒d. 电源电压z士lSV。2.23.3 外引线排列和名称0, 1 16 S , Nc 2 15 lN S. s 0.口s14 Vss I EOB E E ,0. S, 4 13 n GNO -. 0 _ 1 10

33、 9 8比2 Nc 5 12 VD 1 N 0 3 7 Nc n 6 11 n VDD 4 5 6 Vss Nc同710 t:l Nc 、。1 J VDD GNO VD Nc n 8 9 0 图46符号名称D(O D2 出GND 地IN 人端Nc 宅端S,. S2 极出端Vo 电源、Voo 正电Vss 负电2.23.4 主要电规范数名称符号单位最最大模拟信号范围VA 20 V 电电流100 A 电阻ROl1 75 Q 延迟时间t 011 250 ns 止延迟时间t off 150 ns GB681486 2.24 双路双刀单掷模拟开关CB 302/ CB 306 2.24.1 功能框图和功能表

34、VDD 使制单元42 5DD 3311 5DDS z 1 N I 撞倒单元Nt GND v 55 图47入IN ff 关导通L H Kl K2 K3 K4 2.24.2 主要性能a. 单片CMOS工艺zb. 输人端有静电保护能力，c. CB 302输出端电平与TTL电乎兼容，CB 306输出端电乎与CMOS电乎兼容，d. 电源电压:士15V。2.24.3 外引线排列和名称Nc 14 VDD 1 5 , 2 13 S. D, s 12 D. D, 4 11 Dz 5 , 5 10 5 , I N, 8 I N, GND 7 V 55 图48GB 6814 86 符号丰E称D , - 04 漏出端

35、GNO 地IN INz 模拟信号输入端N, 笔端S , - S 4 极输出端VDD -:电Vss 负电撞在2.24.4 仁要电参数范f自参数名称符号f(t位最最大模拟fJiLJ也!刘V 18 36 飞=屯ilJ7，电流100 n也忡通屯IlR. ;:;0 n CB 302 300 导通延迟时间I (J n ns C B 306 2 :10 C B 302 2:10 截止延迟时间I . f f ns CB 306 150 GB 6814 86 2.25 双路双刀单掷模拟厅关CB 384 2.25.1 功能框图和功能表VDII 5 , n叫鸟问I N, -42 qdnunu I Nz 5z GND

36、 Vss 阁49输人IN Jf 关导通L H K K2 K3 K , 2.25.2 主要性能a. 单片CMOS1:艺Fb. 输入端有过载保护能); C. 捕出端电、!三与TTL、CMOS电、v兼容$d. 电源电叫:士15V。2.25.3 外引线排列和名称D, 5 , 16 Nc 2 15 IN, D3 3 14 V ss 5304 13 n GND S , 5 12 Nc D, 6 II VDO Nc n 7 10 n I Nz D, n 8 9n 5z 闯50符号01 - 0 , GNO IN1, IN2 Nc S - S 4 Voo Vss 2.25.4 主要电参数名称模拟信号范围电源、电

37、沛导通电It导通延迟时间截!I.延迟时间2.26 双路双刀单掷模拟开关2.26.1 功能框图和功能表输入IN L H S , S3 I N, I Nz Sz S , 符VA Ion Ron t on t 0 ff GB8814 8 名称出端地人端笔端源极输出端正电负号最18 CB 5045 Vo Voo 撞制单元侄割单元GND 罔51 _.J -, K , : Kz Vss 范0 , 。Oz 0 , JF 最大36 50 300 250 1己导.K. K2 K3 K, 单位V nA Q ns ns 通GB .114一.2.21.2 主要性a. 单片CMOSI艺sb. 有抗可控硅自锁力，C. 出

38、电平与TTL、CMOS电平 d. 电电压z士15V。2.28.1 外引线排列和名称D, Ql 16口S，Nc 2 15 I N, Da s 14 Vss 5J 4 11 GND S. s 12 VD D. u VDD Nc 7 10 J N, D, S, 困52符号名称0 , - 04 出端GNO 地IN ,. I N2 号输入端Nc S , - S. VD 电VDD 正电飞fss负2.M.4 主要电规范参数名称符号单位最大模拟信号范围VA 20 V + 电源电流IDD A 电阻Ron 75 Q 寻通延迟时间t on 500 ns Jl:延迟时间10 rr 250 ns GB 6814 86

39、2.27 双路双刀单掷模拟开关CB 5145 2.27.1 功能框图和功能表VD VDD 人INL H 2.27.2 主要性能a. 单片CMOS芝，b. 有抗可艳硅自锁能力zS , Sl 1 N 1 l 1 N2 52 S. 控制单元控制单元GNO C. 输出端电左手与TTL、CMOS电、卡兼容$d. 电源电压I:t15V。2.27.3 外引线排列和名称0 , 1 Nc z 0, 3 S , n 4 S. 5 D. 6 Nc 7 D2 8 K, o ,:_ u 1， LJ -, ,K, Vss 53 1毡5 , 15 1 N I 14 Vss 13 n GNO 12 VD 11 Voo 10

40、1 N, 9 52 图540 , O. O2 O. 开关导通Kto K2 K3 K4 GB 8814 88 符号名称。1-0漏极输出端GNO 地IN ,. lN2 f主号输入端Nc 笔端S 1-S. Vo 极电Voo iE电源Vss 负电2.27.4 主要电规参数名称符号模拟信号范罔VA 电电流100 导通电阪Ron 导通延迟时间t on 11:延迟时间loff 2.28 班路双刀单掷模拟开关CB 5049 2.28.1 功能框图和功能表5 , 53 I I! I I N2 Sz S , 人IN L 展20 Vo Voo 章11银元I.-J 单yt.-、: K2 GND V$S 阁55出端范筒

41、最D, 。，Vz D, Jf 大75 300 1 fiO -一一-一一 H KI K， K. K , 1(1- ir. V A Q ns ns GB681486 2.28.2 主要性能8. 单片CMOSL艺pb. 有抗可控硅自锁能1;c. 输出端电平与TTL、CMOS电乎兼容zd. 电辉、电压:t 15V。2.28.3 夕阔|线排列和名称符号DI - Df GND IN IN2 Nc S 1 - S , Vn Vnn V只R2.28.4 主要电参数参数名称中英拟口号也!刘f也lJli电流飞去通fg，m导通延迟时间截Ii延迟时间符0 , 1 Nc 2 03 3 53 4 5, 5 O. 6 Nc

42、 n 7 O2 n 8 号VA Inn Ron t () n t 0 f f 16 5 , 15 1 N, 14 Vss 13 GNO 12 VD 11 VDD 10 n N2 9 n Nc 图56名漏极地称出端模拟信号输入端笔端ifffi、出端电游、iE电源负电源规范直最最20 收7. 大V A 35 Q 500 ns 2S0 ns GB 6814 86 2.29 双刀双掷模拟开关CB 5046 2.29.1 功能框图和功能表Vo Voo -254 cdp、P、uraIN - I 控制单元GND vss 图570 , D2 D. O. 输入IN Jf 关通飞t争L K 1 , K4 H K2

43、, K3 2.29.2主8. 单片CMOSL艺Fb. 有抗可控硅自锁能力$c. 输出端电乎与TTL、CMOS电乎兼容pd. 电源电压:土15V。2.29.3 外引线排列和名称O2 1 16 53 Nc 2 15 IN 0 , 3 14 v ss 5 , 4 13 n GNO 5 , 5 12 Vo D 6 11 Voo Nc 7 10 Nc 0 , 自9 53 因58GB 6814 86 f宇3 S 1, 称1) I Dj #司做输iHi端(; N 0 地1 N 模拟ftI弓输入端N, 笔端S , - S j 仰、极出端j飞飞、制极电抑、飞:口!14电源、5负电一一一一一一-二-2.29.4

44、仨要电参数规范值专3敬1，称符YF12 -绝4垃最最大榄拟1;i-号范阳VA 20 V 也游;电流If1 D A 导通电阳R (J n 75 Q 非i函延lS时间t忖n500 ns 在ili延迟时间t ,f f 250 ns 矗-晶晶-矗一-一-斗矗-一2.30 双路双刀双掷模拟:;1+关CB 303JCB 307 2.30.1 功能棺剧和功能表V l D S, S, D, D, D, D. S , S2 a 1 N, l如哥哥j吁兀li控由单元l-lI N2 G N D V sS 因59r俨?+/ 关导通K3. K4 H K ,. K2 GB 6814 86 2.30.2 仨要性能a. 怡片

45、CMOST 2:; b. 输人端有静电保护能J;c. CB 303输出端电平与TTL电予兼容:CB 307输出11i屯平与CMOS电平兼容:d. 电源电!也士15V。2.30.3 夕问但是排列和名称符口号D, -D1 GND N n 1 53 U 2 l)，忖30 , D 4 S , D 5 1 N, n 6 GNO U 7 14 n Voo :H;4 1;H; 8 n Vss 因60名漏被输i|iFAi 地称IN ,. IN2 模拟信号输入端N( 护I之tptntw主S , - S1 源极输出端v 00 E电源V只S负电仰、2.30.4 主要电参数规汽2才f自参数名称符巨z-J 最挝模拟fJ

46、iEJ范罔 气18 电梯;1江流100 导通电阳Rn C 8303 zy通延迟时间C 8307 CB 303 I 1延迟时间fff C 8307 时1.,r. 大36 V nA 50 Q 300 ns 2:1 0 2S0 ns 150 GB 8114一.82.81 4刀单掷模拟开关CB 5047 2.81.1 功能框图和功能表VD VDD 5 , qDD s 5. f!翩挚元 ,d IN GNO vss 61 输入IN ff 关导通L H Kl Kz, K3 K4 2.81.2主8. 单片CMOS王艺，b. 有抗可控硅自锁能力zc. 输出端电_ifL与TTL、CMOS电孚兼容，d. 电源、电压

47、:t 15 V。2.81.3 外引线排列和名称Oz 1 18 5z Nc 2 15 IN 0 , , 14 Vss S , 4 13 GND VD S. s 12 O. 6 11 VDD Nc n 7 10 D Nc 0 , U 8 S, 62 符号01 - 04 GNO IN Nc S 1 - S 4 VD VDD Vss 2.31 .4 主要电参数参数名称符模拟信号范用电源电流导通电阻导通延迟时间ll:延迟时间2.32 双4选1模拟开关CB 529 2.32.1 功能框图和功能表VA IDD Ron t 0 n t 0 ff G8681486 名称极输出端地模拟信号输入端笔端极输出端漏极电源正电源负电源范亏口单位最最大20 V A 75 Q 500 ns 250 ns GB 6814 86 VDD GND Vss 译码器WR 锁存R A, Ao 图63输入关气lAo EN WR R 开导通X X I H 保持X X X X L 锁存清除I X L H L H L H K, L H H L H