SJ T 10262-1991 电子元器件详细规范 半导体集成电路CD7640GP调频 调幅中频放大器详细规范.pdf

1、 ，、SJ/T 10262 91 1 范训吉Detail specification for electronic component Semiconductor integrated circuit-CD7640GP F如1/AM IF amplifier 1991-11一12发布1992-0101实施中华人民共和国机械电子工业部发布中华人民共和国电子行业标准电子元器件详细规范半导体集成电路CD7640GP调频/调幅中频放大器SJ/T 10262 91 Detail specification for electronic component Semiconductor integrated

2、 circuit - CD 7640 GP FM/AM IF amplifier 本规范规定了半导体集成电路音响山路CD7640GP调频/调幅中频放大器鉴定和l质量评定的全部内容。本规范符合GB4589.1 (半导体器件分立器件和集成电路总规范及GB12750 (、|气导体集成电路分规范(不包括泪合电路)的要求。中华人民共和电子工业部1991-11-12批准施一实lnu nu nt nud nuu SJ/T 10262 91 同家技术监督局评定器件质量的依据:GB 4589.1 (半导体器件分ff器件和集成f路总!HLO)及GB12750(半导体集成电路分规也(不包括混合f I.J, lB在)

3、 GB 1 机械说明CB 7640GP型调频/调|陆中频放大器订货资料:见本规范第71言2 简要说明外形依据:GB 7092 本规范第10.1条条)_5.2条A4分组250C下的动态特SJ/T 10427.2 按车:见也第5.3奇i5.7条必技本规范第5.3性本规范第10.1条条?于5.7条，、SJ/T 10262 91 B组一逐批标有CD)的试验为破坏性的(见第3.6.6条)条件检验县li;试验引用标准若无其它圳定，凡mb=250C检验要求规范值(见第4章)81分组尺寸第4.2.2条及附录Bt安本主1Il范第1章84分组口I早性G84590 按方法b(憎焊法)战2.5.6半导体集成f路机械和

4、气侬试验方法第2.5条; 85分组温度快速变化G84590第3.1条温度纭严格度A，循环次数:10次随后停留时间:5 min 外部tli怡第4.2.1.1条同AI分组稳、态t，i!热(0)G84590第3.5条严格度A，24 h II:!.测试同A3和A4分组|贡JA3和A4分组88分组fl:!.耐久性G84590第4.7条168 h，温度技严格度A试验线路按本规范第10.2条l毡测试同A3和A4分组小于1.3USLl) 恢复2h, 24 h内测完大于0.8LSL1) CRRL分组就84、85和88分组提供计数检查结果。L 注:1) ULS和LSL分别表示A组规范值的最大值和最小值。一6SJ/

5、T 10262 91 C组一周期标有(D)的试验为破坏性的(见第3.6.6条)条牛价验旦旦试验号|用标准若无其它划定，Tamb=25 oc 检验交:求划也值(见第4草)CI分组N.寸第4.2.2及附录B技本规也第121.C3分组叫线强度GB 4590 F=5N 按2.1.5拉力(0)第2.1条技试验a之方法2，无断裂113 I甘1(0) 第2.2条F=2.5 N 1-C4分组耐IG接热(0)GB 4590第2.6条t去方法I(260 oc槽焊)II:.i测试同A3和A4分组同A3和A4组C5分组温度快速变化GB 4590第3.1条温度按严格度A循环次数:500次随后停留时间:5 min 外形口

6、检第4.2.1.1条同AH组稳态t(0) GB 4590 , 3.7 严格度A，24 h q测试同A3和A4分组同A3和A4组C7分组稳态混热(0)GB 4590第3.7条按严格度A，不加II:.i随后Il!.测试同A3和A4分组同B8分组C8分组Il!.耐久性GB 4590第4.7条1000 h，其余忖B8分组Jl!.测试同A3和A4分组|司B8分组C9分组i均温贮存(0)GB 4590第3.3条1000 h，温度技严格度CI江测试同A3和A4分组同B8分组CII分组标，耐久性GB 4590第4.3条技方法l按4.3.2CRRL分组就口，C4 , C5 , C7 , C8 , C9和CII挝

7、供计数检查结果。9 D组D8分组在鉴定批准后立即进行，其后每年进行一次。7 SJ/T 10262 91 检验旦旦试验号|用标准条件检验要求灿!也值085组I耐久忡(0)G84590第4.7条2000 h, W臼|叫88分组I测试|司A3和A4分组同88分组附加资料山特性的测量测试方法10 10. 1 10. 1. 1 参数测试方法SJfT 10427.2第2.J条JCCO VJ(UM SJfT 10427.2第2.2条VOD SJfT 10427.2第2.4条Av SJfT 10427.2第2.5条SfN SJfT 10427.2第2.3条THO SJfT 10427.2第2.6条AMR SJ

8、fT 10427.2第2.7条VM SJfT 10427.2第2.11条VLAMP SJfT 10427.2第2.10条测试原理图10. 1. 2 VCC 100 民立mU卢()。VOD 民主-0.。民主NN。.。6 。卜叶，沪、0. 。-? 民aNN。-C叶9 10 11 13 12 C07640GP 14 ,16 2200 CF FM 问6 5 4 3 2 。Rd11 回000 VLAMP 暨匾。趴问一hHaNN + .T3 r q .皿3 o 民mMO卢民乱卜寸。-C。o 町、AM 0.033F V1 。m8 SJ/T 10262 91 注:S闭合时为调j烦，S断开时为调幅CF为陶瓷滤波

9、器，其中中心频率:10=10.7 MHz，频肩:产280:1:50kHz，捅入损耗:B三6 dB 线附数据:线|剖用途f 并接电容电感T 调频检波10.7 MHz 47 pF T2 调中画中频465 kHz 180 pF T3 调中画检波465 kHz 180 pF T4 中波振荡796 kHz (288H) 10. 1. 3 设计保证参数和参考参数若尤其它规定，凡mb=25oc, Vcc=5 V FM:户10.7MHz, 产士22.5kHz , IM=IOOO Hz: AM:产1MHz, M=30%，均=1000Hz。条款可特性和条件符号10. 1.3 .1 古噪比FM，只=10mV SIN

10、 -AM , V,=I mV 全i皆波FM , V.=IO mV 10. 1.3.2 THD 失真度AM , V,=I mV 调幅抑制比10. 1.3 .3 AMR V.=IO mV (FM) 指示器驱动10. 1.3.4 t也lt-:VM V,=IOO mV 灯驱动电fkAM 10. 1.3 .5 VLAMP lLAMP=1 mA 10. 1.3 .6 停振rt!.l王y 10. 1.3 .7 11Ii电阻R。户1kHz 10.2 山耐久性试验线路线径匣数Q值(mm) 12 23 46 150 0.12 14 110 0.07 90 62 8 110 0.07 152 120 0.08 13

11、 75 规范值单位测试图最小典型最大65 dB 图l47 0.05% 图l1.0% 38 dB 图l1.6 1.75 1.9 V 图l40 V 国11.5 V 国l3.0 kn 图l9 SJ/T 10262 91 10.2 山耐久性试验线路rr l AV H Vcc=8 V 工56kO 16 15 14 13 12 11 10 9 CD7640GP 7500 1 2 3 4 5 678 工玉。IuF 10.3 特性曲线在产品说明白中给出F列特性曲线:a. 主要电特性随温度变化曲线;b. 其它有关特性曲线。1 1 型号说明11. 1 功能框国、，则川vtIL、1I4-(-M-口3P-1 1JF1

12、 、，)6 M-A A1 X M 川。BPS1F(AM) (1 2) Vcc QUAD OUTAF ) A l ra飞、，l l J1 (9) -1-，一._.-.一一._._. ._._.-.一一-一一-一BPSM1X(AM) (3) I (4) (5) I (8) OUT1F(AM) GND (6) (7) OSCAM REG AGC OUTrUN 10 SJ/T 10262 91 11 . 2 引山端功能符号iJ 111:端功能符Iz -J J 1 iJ 1 :l:端功能符, 1 符一tJ1 -J 调l幅尚频输入INRF(AMl 9 音频输ifi2 调l幅混频旁路BPSM1X(AMl 10 电源3 调l幅本振OSCAM 1 1 鉴频4 稳!长源REG 12 调幅中频旁路5 调中国中频输iliOUT1F(AM 13 调l幅中频输入6 臼动增益控制AGC 14 调频旁路7 母谐指示输出OUTTUN 15 调频中频输入8 地GND 16 调I画混频输ili. 附加说明:本标准由全国半导体器件标准化技术委员会集成电路分技术委员会提山。本标准由无锡微电子联合公司负责起草。本标准主要起草人:孙仁兴尤逸莹费仲兴。符I ,J E -OUTAF Vcc QUAD BPS1F(AM) I IN1F(AM BPSFM IN1F(FM OUTM1X(AM 11