SJ 20014-1992 半导体分立器件GP、GT和GCT级3CG110型PNP硅小功率晶体管.详细规范.pdf

1、FL 5961 11、，、E E目.1田、 -SJ 20014 92 Semiconductor discrete device Detail specification for silicon low. power transistor for types 3CG 110、3DG130、3DG182 GP、GTand types GCT classes 1992-02-01发布1992-05-01实中国电子工业总公司批准中华人民共和国电子行业军用标准1 范围1. 1 主题内容半导体分立器件GP、GT和GCT级3CG110型PNP硅小功率晶体详细规范Semicondudor discrete

2、device Detail specification for PNP silicon low-power transistor for type 3CG 110 GP、GTand GCT classes SJ 20014 92 本规范规定了3CGllOB、3CG110C型PNP硅小功率晶体管(以下简称器件的详细要求.每种器件均按GJB3385(半导体分立器件总规范的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级。中国电子工业总公司1992-02-01发布1992-05-01 SJ 20014 92 1. 2 外形尺寸外形尺寸应符合GB7581(半导体分立器件外形尺寸中的A3-01B型及如

3、下规定，见图1 : 中450 j 中D-中D、tb2 4 图1外形尺寸1. 3 最大额定值Ptot1VCIlO 型号TA=25C (mW) (V) 3CGl10B 300 40 3CG1l0C 300 50 X 吨VCEO (V) 30 45 注:1) TA2SC时，按1.7lmW /C的速率线性-2一。A + .pb1 .pb2 .pD .pD1 1 K L Ll VE (V) 5 5 引出1.发射极2.基极3.集电极性:位zmmA3-01B 寸Imin nom I max 十4.32 O. 407 5. 31 4.53 0.92 0.51 12.5 Ic (V) 50 50 2.54 1.

4、 04 5.33 1. 01 0.508 5.84 4.95 1. 16 1. 21 25.0 1. 27 Ti和T叫CC) 65,._,200 65,. -200 SJ 20014 92 1. 4 主要电特性(TA=250C) 参符号(单位)hFE1 hFE2 hFE3 fT (MHz) Cobo (pF) V nE(.t) (V) V CE(.t) (V) 2 引用文件GB 4587 84 GB 7581 87 GJB 33 85 GJB 128-86 3 要求3. 1 详细要求数型号测试条件VCE= 10V 3CGIIO Ic一0.5mAVCE= 一件10V 3CG110 lc-10mA

5、 VCE= 5V 3CGllO lc=50mA (脉冲法)VCE= 10V 3CG110 lc=10mA f=30MHz Vcn=-5V 3CG110 ln=O f=lMHz lc=30mA 3CG110 In=3mA Ic =30mA 3CG110 In=3mA 双极型晶体管测试方法半导体分立器件外形尺寸半导体分立器件总规范半导体分立器件试验方法各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计结构和外形尺寸极小值20 40 20 十100 器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3. 2. 1 引出端材料和涂层限大值180 6 1. 0 O. 5 一3一SJ 20014 9

6、2 引出端材料应为柯伐.引线涂层应为明确规定(见6)03. 3 标志器件的标志应按GJB33的规定.，对涂择时，在合同或订单中应4 证4. 1 抽样和检验样和检验应按GJB33和本规范的4.2 鉴定检验定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级筛选应按GJB33表2和本规范的规定b下列测试应按本规范表1进行，超过规定极限值的器件不J:. 7 , J3II; 。验一一级试一-T 一C或一G一和试一TG (GJB 33表2)试一，.四咽a国锢织一回可一l圃中一功 吁，一n6Ic回1和hFE2见4.3.1 9. 试按本规范表1的A2分组zt:JCOO1=初始值的100%或5nA，取

7、较大者zt:.hFEZ=初始值的士15%4.3. 1 功率者化条件功率老化条件如下FTA-25C士3C，VCB 20V, 注s不允4.4 质量一致性检验Ptot 300mW GJB 33的规定进行.4.4. 1 A组检验A组4.4.2 B组GJB 33和本规范表1的规定进行。可B组检验应按GJB33和本表4的步审1.，.1-104.4.3 C组检C组栓验应按GJB33和本规施表3的表4的步抓1J04.5 检验方法检验方法应按本规范相应的表和下列冲测试2的规定进行。最后测试和(A)要求应按本规范进行.变化量(A)要求.，I 4.5. 1 一4一SJ 20014 92 脉冲测试应按GJB128的3

8、.3. 2. 1条的规定。表1A组检验GB 4587 方法条冉于,4 限I 小值位检验或试验符号A1分外部目检JB 128 2071 5 A2分组I I I 5 电极基极击穿电压12.9.2.11发射极-基极开路IV侧CBOIc-10A 3CG110B -40 I一V 3CG110C 50 I V 电发射极击穿电压本规范发射极，基极开路V(BR)CEO A Ic=10mA 3CGllOB 脉冲法(见4.5. 1) I 30 I V 3CGllOC 45 I V 发射极-基极击穿电压2. 9. 2. 2 电极基极开V(BR)EBO 5.0 I V IE-10A 电2. 1 |发射极-基极开I 1

9、 COC)l I 50 I nA 3CG110B V-40V 3CG110C VCB 50V 集发射极截止电2. 1. 4 发射极开IcEO 100 nA 3CGllOB VCE一30V VCE= 45V 2.2 电极-基极开h凶50 I nA VBE 4V 正向电流比2.8 VCE 10V hFE1 20 E Ic 0.5mA 正向电流比2.8 VCE 10V hFE2 40 I 180 I Ic一10mA一5一SJ 20014 92 续表1A组检GB 4587 检验或试验方法|条件正向电流比2.8 VCE= 5V hFE3 20 Ic 50mA 冲法见4.5. 1) 基极，发射极饱和压2.

10、4 I VBE(蝇。|1. 0 I V Ic-30mA IB 3mA 脉冲法见4.5. 1) 接电极惆发射极饱租2. 3 I V CE(.t) I 0.5 I V 压阵Ic 30mA IB=3mA 冲法见4.5.1)E E A3分组5 商提工作TA-150C 茹电极基极截止电流2. 1 友射极，基极开路1 CII02 20 A 3CGllOB VCB一30V 3CGII0C V 40V 在温工作:TA一55C 正向电流传输比2.8 VCE= 10V hFE4 20 Ic 10mA SJ 20014 92 -一条检验或试验LTPD 件方法B1分组可焊性标志耐久性15 2026 1022 言B2分

11、组冲击温度循环)I 1051 密封I 1071 a.细检b.粗检测试:10 见表4，步骤1和3B3 态工作寿命5 1027 TA 25C士3Cp剧-300mWV=-20V 见表4，步骤2、4和5.试zB4 内部目栓设计验证度每批一个器件，0失效2075 试验条件A20(C 0) 2037 B5 不适用B6分组高温寿命非工作状态后测试t7 TA-200C 1032 见表4，步骤2、4和5.一7一检验或试验C1分组外形尺寸C2分组热冲击(玻璃应力引出密封a.细检漏b.粗检综合温度/温度期试验外观及机械检验试zC3分组冲击振动恒定加速度: C4分组盐气适用时C5 不适用C6分组态工作4毗试:一8一S

12、J 20014 92 3 C组检验方法2066 1056 2036 1071 1021 2071 2016 2056 2006 1041 1026 一一GJB 128 条件见图l试验条件E见表4，步骤1和3见表4.步骤1和3, TA 25C土3.CPtot 300mW VCB一20V见表4.步骤2、4和5一LTPD 15 10 10 15 =10 一SJ 20014 92 一一一位-一一主3.-:J 值锻位小催8辑和C组的鼓足去表4GB 4587 件条方法雄$盘或试验一口Jrh鄂、J、F川J响ArdJnA 50 lcocJj 发射极基极开黯VcB=-40V 2. 1 电极，基极截止电llOB

13、nA 100 Ic盼1VCB 50V 发射极-基极开路VCB捏一30V2. 1 电110C 电极-基极1l0B VCB= 40V 180 40 hFE2 2.8 传输比110C 向电l 2 3 VCE=一10VIc=10mA 110B mV 士25%100 初始.hFEZ1 !MFCE VCE= lOV Ic=10mA Ic-30mA 2.8 2. 3 比电极-发射极饱和压降1l0C 向电流传4 俨阳也8lB=3mA -9一中规定。，超过A组极限值的器件不应接收。合间或订货单应规定要求的除层(见3.2. 1)。如使用单位需要时，典型特性曲线可在合同或订货包装要求应按GJB33的规定。说放，1)

14、对于齿主l量5 6 A1 目的SJ 20014 92 附录A电极-发射极击穿电压测试方法(补充件A2 试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿路试电路见图A1v A 图Al集电极-发射极击穿电压测试A3步于规定的 电压限流电阻Rl应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表施加规定的偏置条件，增加电压直至达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BR)o的限值，则晶体管为合格。附加说明:本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所和济南半导体所负责本规范主要起草人:王长福、贾慧蓉、钟泰富。计划项目代号:B 910210 -10一。