SJ 20015-1992 半导体分立器件GP、GT和GCT级3DG130型NPN硅高频小功率晶体管.详细规范.pdf

1、1 菇围中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件GP、GT和GCT级3DG130型NPN硅高频小功率晶体详细规范Semiconductor discrete device Detail specification for NPN silicon high-frequency low-power transistor for type 3DG130 GP、GTand GCT c1asses 1. 1 主题内容SJ 20015 92 本规范规定了3DG130型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件的详细要求。该种器件按GJB3385(半导体分立器件总规范的规定，提供产品保证的三个等级(GP、G

2、T和GCT锁)。中国电子工业总公司1992-02-01发布1992-05-01 SJ 20015 92 甲、一一耐，自1. 2 外形尺寸外形尺寸应符合GB7581(半导体分立器件外形尺寸时马的A3-02B型及如下规定，见因1 I ;D 35 ;D. 1. 3 大额定PMI, Ptot2l Vcoo 型号TA 25(; Tc=25.C (W) (W) (V) 3DG130A 40 3DG130B O. 7 2.) 60 3DG130C 40 3DG130D 60 注:1) TA25C时.按4.0mWrC线性地2) Tc25C时，按15mWrC线性地一2一符口unVCEO VEBO (V) (V3

3、0 45 5 30 45 m 引出端极性E1.发射极2.基极3.集电极Imm A3-02B nom 口laxIc T.tg和T1(rnA) CC) 500 65 r 4l +20 SJ 20015 92 1. 4 主要电特性(TA=25C) 参数型号符号(位试条件hFE1 VcE-10V 3DG130 Ic一0.5mAhFE2 VcE-10V 3DG130 Ic-3mA hFE3 VCE=10V 3DG130 Ic -50mA hFE VcE=10V 3DG130 Ic -300mA 斗、fT(MHz) VcE=10V 3DG-130A Ic =50mA 3DG130B j-100MHz 3D

4、G 130C 3DG130D Cobo (pF) VCB 10V IE=O 所有型号f 1MHz V CE(.at) CV) Ic 100mA 所有型号IB=10mA VBE.。(V) Ic一100mA所有型号IB=10mA GP (dB) VcE=10V 3DG130A Ic -50mA 3DG130B j=30MHz 3DG130C 3DG130D 注:1)脉冲法(见4.5.1)。2 引用文件GB 4587 84 GB 7581 87 GJB 33 85 GJB 128 86 双极型晶体管测试方法半导体分立器件外形尺寸半导体分立器件总规范半导体分立器件试验方法极限值大20 30 40 25

5、0 20 150 150 300 300 10 O. 3 1. 1 14 14 16 16 3一SJ 20015 92 3 要求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3. 2. 1 引出端材料和涂引出端材料应为柯伐.引出端表面涂层应为镀金、镀锡或漫锡。对引出端材料和涂层要求选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定(见6)。3.3标志器件的标志应按GJB33的规定。4 定4. 1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对G

6、T和GCT级应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行，超过规定极限值的器件不应接收。筛选见GJB33表2)测试GT和GCT级试一测一数一化一试参一老一测间一率一后中一功一最-.,. 句一n6-nuICB()l和hFEj-见4.3. 1 按本规范表l的A2分组;.lcB01 =初始值的100%或5nA，取其较大者z.hFE3=士15%4.3. 1 功率老化条件功率老化条件如下;TA=25士3CVcB=20V(3DG130A、c)VcB=30V(3DG130B、D)P tot _;_ 700m W 注2不允许器件上加4.4 质量一致性检验一致性检验应按GJB33的规定进行。4.

7、4.1 A组。一4一SJ 20015 92 A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量要求应按本规范表4的步哪，1(1. .。4.4.3 c组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。后测试和变化量()要求应按本规范表4的步抓)1lJ 0 4.5 检验和试验方法检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5. 1 脉冲测试脉冲测试应按GJB128的3.3. 2. 1的规定。表1A组检验GB 4587 极限值检验或试验LTPDI符号单位方法|条件A1分组IGJB 128 5 外观和机械检验I 2071

8、A2分组115 集电极基极击穿电压2.9.2.1发射极星极开路V(酌CBO/C= 10fLA 3DG130A、C3DG130B、D电极-发射极击穿电本规范发射极m基极开路|I V (BR)CBO 压附录Afc-5rnA 3DG130A、C脉冲法(见4.5. 1) 3DG130B、D发射极-基极击穿电压2. 9. 2. 2 电极-基极开路|I V (BR)EBO /E=10A 集电极，基极截止电流2. 1 发射极-基极开路|I / CBOl 3DG130A、CVcB=30V 3DG130B、DVcB-50V 发射极-基极止电流2. 2 电极-基极开路|/E凶VEB=4V 正向电流传输比2.8 V

9、cE=10V hFE1 fc=0.5rnA 正向电流传比2. 8 VcE=10V hFE2 /c=3rnA 40 I一V 60 V 30 V 45 V 5 V 0.05 IA I O. 05 IA 20 30 5一SJ 20015 92 续表1A组检验检验或试验一一一一一一了一一-叩一一-一-一-一一034587i 一一一一一一一-jLTPDI符方法|条件一一+一一一一一一一一一一一VcE=lOV I 极值号!最小值|最大值位正向电流传输比2.8 hFE3 40 250 正向电流传输比Ic =50mA 2.8 VcE-IOV hFE4 20 Ic =300mA 脉冲法(见4.5.1)2. 3

10、Ilc=lOOmA V CE(sat) I 0.3 V In-lOmA I Ic=100mA V BE(sat) I V 2.4 1. 1 In= 10mA 降和压饱和极饱射极发射胁我电极集压基6一检验或试验B1分组可焊性标志的耐久性B2分组方法2026 1022 热冲击(温度循环)I 1051 密封I 1071 a. b.租检漏试:的分组稳态工作寿命试:B4分组开帽内部目检(设计验证合强度B5分组不适用B6分组高温寿命(不工作最后测试:1027 2075 2037 1032 SJ 20015 92 表2B组检验GJB 128 条件见表4，步骤1、3和4不允VcB=20V ,Ptot -700

11、mW TA=25士30C加散热器见表4，步骤2和5.目检标准按鉴定时的设计TA-200C 见表4，步骤2和5。LTPD 15 10 5 。每批一个器件，0失效20(C=0) 7 一7一SJ 20015 92 、表3C组检验方法C1分组外形尺寸I 2066 C2分组热冲击(玻璃应力引出端强度密封a.细检漏b.粗检综合温度/湿度周期试验外观及机械检验试zC3分组冲击变频振动恒定加速度最后测试z组)一组分时一分AU口H1-FJVC适C用气一适盐一不C6分组稳态工作寿命最后测试:一8一1056 2036 1071 1021 2071 2016 2056 2006 1041 1026 GJB 128 L

12、TPD 条件15 见图110 试验条件A条件E见表4.步骤1、3和410 见表4.步骤1、3和415 10 TA=25士3.C，VcB-20V Ptot=700mW 不允许器件加散热器见表4.步骤2和5SJ 20015 92 表4B组和C组的最后测试极小值值单位步t检验或试验GB 4587 符号方法条$1 ,45 1 电极-基极止电流2. 1 发射极-基极开路Ic盼10.05 |A DG130A、CVcB=30V 130B、DVcB=50V 2 电极-基极止电流2. 1 发射极-基极开路fCBol O. 1 |A 130A、CVcB=30V DG130B、DVcB=50V J 3 电极-发射饱

13、和压降2.3 Ic=100mA V CE(.at) I 0.3 V IB= lOmA 4 I正向电流传比2.8 VcE=lOV hFE3 40 250 Ic =50mA 5匠向电流比2.8 VcE=10V t1hFE3!) 初始值的Ic -50mA 士25%注:1)对于本试验，超过A组极限值的器件不应接收。5 交货准备包装要求应按GJB33的规定。6 说明事项合同或订货单应规定要求的引出端材料和涂层见3.Z. 1)。9一SJ 20015 92 附录A电极-发射极击穿电压测试方法(补充件)A1 目的本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2 测试电路测试电路见图AlS R. 电压也-ue + lc 图Al集电极发射极击穿电压测试电路A3步电阻器Rl为限流电阻，应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。在发射极-基极开路的条件下，增加电压直至达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BR)CEO的最低极限值，则晶体管为合格。附加说明:本规范由中国电子工业总公司科技段最局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所和石家庄无线电二厂共同负责本规程主要起草人:王长福、谢倾兰、王承琳。计划项曰:B 91023。g 一10一