SJ T 11394-2009 半导体发光二极管测试方法.pdf

1、ICS 31.260 L45 备案号:SJ 中华人民共和国电子行业标准SJ/ T 11394-2009 代替S1/T2355. 12355. 7-1983 半导体发光二极管测试方法Measure methods of semiconductor I ight emtt i ng diodes 2009-11-17发布2010-01-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布-飞、. l SJ/ T 11394-29 _.-、h1，)、.、-, .-、一、_-川-飞J . . 飞，.飞l二一-一，、吨, - .-. . ，、ljl飞、-. . . . 、. . - v -h SJ/ T 11394

2、-29 半导体发光二极管测试方法. . . . 、二-二.、. ，.户、，.一. : . J 本标准规定了半导体发光之极管以下简称辑件的辐射度学、光度学、色皮学、电学、热学参数以及电磁兼容性的测试方法.二，-本标准适用于可见光、臼光半导体发光二描哇一辈孙发射二极管、红外发射工极管、半导体发光组二件和芯片的测试可参考执行。，1N坛子-.二二 十!件p其随后的修改方研究是否. 范围3. 1 辐射能Qe 以辐射形式发射、传播或接收的能量，单位为J(焦耳。、01.60741- 5: :-_-.、规范性引用文件歇条内5的的的9wm中误件时lss件勘文1前hmm文括些i1UAA列包这斤斤斤斤斤斤斤斤町Eh

3、u臼下不用佣侃侃.J刷刷(使归单可mmGB/T 4365、GB/T5698、术语、定义和符号2 3 radiant energy 3. ,2 光量Quant i t y of 11 ght 光量lumnousnergy Q 光源辐射能中能够为人眼视觉系统所感受到的那部分能量大小的量度，即光通量和光照时间的乘帜，单位为1m.s (流明秒) 3. 3 平均LED强度. . 、u-一u +-ea n川e +、n I hu FE -sL jo -WL S a ,taE AE V a . SJ/T 11394-2009 3. 4 在规定的LED和光探测器构成的立体角Q内的照射光通量与立体角。的比值。1

4、=含(1)式中:I一-;IELED平均强度，不同条件用不同符号表示(见注ho一-LED和光探测器构成的立体角:执一一立体角。内的光通量，注:CIE 127推荐标准条件A和B分别来测量远场和近场条件下的平均LED强度，可以分别用符号ll.ElA和I刷来表示:-用符号lUllh和IID4v分别表示标准条件A测量的平均LED幅射强度和平均LED发光强度.光谱功率能量)分布spectral power distribution P() 在光辐射技长范围内，各个波长的辐射功率分布情况。3. 5 器件热学特性3: 5. 1 热阻thermalRes i stance 凡It(A.8)沿热流通道上的温度差与

5、通道土能散的础事之比为热阻，可用下式表示:式中tRtl(.A均一一热阻:E一一热流通道上最高温度点温度:元一一热流通道上最低温度点温度tPIB-通道上耗散的功率。R.L ,. = 1 TA - Ts I =1 _ 0 1(句削叫-，几j 对于半导体器件而言.A儿乎总是芯片的结面，B可以是几个热流通道参考点中的任何个。本标准涉及的热阻均为稳态热阻。在器件中，热阻可以表示为:R.u. v , =1 TJ -Tx I 削X)=同I伪式中zF一器件的结温t月一一器件参考点温度。参考点的不同，形成儿种常用的热阻名称。3.5. 1. 1 结-管费热阻thermal resistance frn junct

6、ion-to- case RIl(Jo。器件结到管壳之间形成的热阻。官表示了一个给定的器件芯片/管壳/试验板/环境温度组合的最，好热性能。R，吨J叫可以用不式计算:R AZ T(linal) - Tc(iO;Ual) 也-C)=-L-n.;.i.il;.(4) AH AH 2 SJ/T 11 394-2009 这里且是加在芯片只结和管壳上的功率，Tc(n凰和1(1.叫分别表示热平衡最后和初始时刻的管壳顶面温度。如果元在测量:过程中不变，上式第二项可以省略.3 6; 1. 2 结-环境热阻thermal fesis:tance fr棚juncton-to-amblentR叫J州器件结到环境形成的

7、热阻。它提供在最少热流失的特殊环境里结到环境的热阻值。Rd(Jo鸣的计算公式与R叫I吟的类同，只不过要把瓦换成丑，丑表示容器内一个限定位置的温度.R，叩均数值对在仅仅自然对流冷却环境估算结温有用。3.6 静电加电敏感性术语3.6.1 ，静电般电电压敏感值ESO 使器件失效的静电放电3. 6. 2 静电般电耐受电使器件不失效3. 6. 3 静电放电模拟现实设备。3.6.4 人满足人拟人体指尖3. 6. 5 机器模满足机器模式网络的ESD事件，线的电流波形来实行34 一般要求4. 1 试验条件4. 1. 1 标准大气条件温度;15 C35 C; 相对温度:20%80%: 气压:86 kP8106

8、kPa. 4.1.2 仲裁试验的标准大气条件温度:25C土1C: 相对湿度48%. 5-2% ; 气压:86 kPa106 kPao 4. t.3其它环境条件除非另有规定，其官环境条件应按下列规定Ea) 测量环境应无影响测试准确度的机械振动、电磁和光照等干扰:界电压的联电阻组成放电范一个通过短跑b) 除非另有规定，器件全部光电参数均应在热平衡下进行(要有足够测试预热时间); 3 -.、i-l i- 0- -.;_.-=- -.-.-,& 、.、气-.了-饨，飞- _. .气-.二、. -. c) 测量系统应接地良好.4. 2 测量条件(允许偏差). , I 除非另有规定，测量条件应符合下列规定

9、:的偏置条件，应在规定值的土1%以内:b) 输入脉冲频率和占空比的允许偏差应在士2%以内.二4. 3 测量设备. 测量设备的不确定度应符合相关规范的技术要求并检定合格.在检定周期内，按有关操作规程进行测量.v千5测试方法5. 1号测试方法分类 a) 10类电特性测量方法一一方法1001:正向电压;二-一甲方法i002:反向电压:一-方法1003:反向电流:一一方法1004:总电容.-b) 2000类光特性测量方法二一方法却01:平均LED强度:-干一方法2002:半强度角和角偏差: _- -.-方法2003:光通量和光通量效率:;_.一一方法2004:辐射功率和辐射效率;-一方法2005:峰值

10、发射波妖，光谱带宽和光谱功率分布.) . 3000英光电特性测量方法一-方法3001:开关时间。d) 40英颜色特性测量方法一一方法4001:分光光度测量色品坐标1一一方法4002:光电积分法测量色品坐标:注z要求测量精度高、t速度允许馒的场合来用方法4001:而要求快速测量则可采用方法4002.一-方法4003:主波长和颜色剌激纯度:一一方法4004:白光器件的色温或相关色温;一一为法4005:也在二方法4006:白光器件的显色指数e) 5000类热学特性测量方法-:.-.-方法5001:结温:?方法5002:K系数的测量;方法5003:热阻测量:一一万法5004:离京光效率器件的热阻测试。

11、6000类静电放电敏感性测试和分类今-方法6001:人体模式的静电放电敏感性测试和分类1一一方法6002:机器模式的静电放电敏感性测试和分类5. 2 l(则提电特性测试方法5. 2. 1 方法11:正向电压 飞三七5. 2. 1. 1 目的. . . ., . , . -、-P 牛、. SJ/ T 11394-29 一- !. -、今.- , .、一一. A、.，.植.-、-1. f ) 4 - ，句测量器件在规定正向工作电流下，两电极间产生的电压降-5. 2. 1. 2 测量原理测量原理见圈1。ti:;-F G . , . . , 创/T11394-2009 . 7 组 画-e 户. . -

12、E气一、, -E、a . 合, 生但因t一一被测稽件:守一一恒流源:A一一电流表:V一一电压炭。一一正向偏5.2. 2 方法125. 2. 2. 1 目的测量通过器件5.2. 2.2 测量原理测量原理见图2.5.2. 1. 3 测量正向电压a) b) 5. 2. 1. 4 . , d号，.-.-.-, J . . 一 _. . ，一E -, . . . . .电 , . 5 、 、，一-被割草曾件zO-稳压源zA一电流袭zv-_电压衰。-5, 2. i . j .测量步骤反向电压的测量按下列步骤进行:a) 按图2原理连接测量系统，并使仪器预热;b) 调节稳压电源，使电流表读数为规定值，这时在草

13、流电压表上的读数即为被视IJ器件的反向电压.5. .2.2. 4_、规定条件i 一一环境或管壳温度;二一皮肉电流.5. 2:3 方法10z反向电流5.2, 3.1 目的测量在被测器件施加规定的反向电压时产生的反向电流.5.2，3.，2-测量原理测量原理见圄3D. , . - -二.-一， 令. . -. -、，6 飞. - ,. .电-叭，-, 二、.川、P一. t J .吨SJ/ T 11394-2009 5. 2. 3. . .、-. 、.!.争， J . ;.:阜-电1、. . -_ f . .， . -p 岛一一被测LED稽G一一隔离电容A-一电流我:V一-1t!.IIi表tL一一电.

14、7 , , , . . . . 、. . SJ/ T 11394-2009 t F -+ -.-、. . . . , d丁11户:Jj:1、G 、.被测器辑件:一电流源:.p萨一-包括面积为A的光阑队的先度探测量i;0.0.-一消除杂般先光柱，0. Dl不应阻制探测立体角z仕一-被测棒件与光JJD.之阔的距离.注1:.调整被测器件使它的机械轴通过探测量最孔挂的中心. . . . 注2:-光度探测缕的光i曾灵敏应在披副器件及射的光耀滋长范围内应该校准到CIE(国际照明委员会标准光皮观测者光谱曲线;测试辐射多数时应采用无光谱选择性的光探测量i.测试系统应该按距离d和光隔Dl月1标准器校正.二-测量

15、距离d应按CIE127推荐的标准条件A和B设置.在这两种条件下，所用的探测器要求有一个面职为l圃(相应直在为11.3mm)的圆入射孔&.|-CIE*荐-1 标准条件ALED顶端JJj探测量量的距离d316 l1l1I 立体角平面角(全角)0.001 sr 2 | 标准条件BI 1mm I 0.01 sr I 6.5. 注3:对于脉冲测量，电ii曲目应该提供所要求的幅度、宽度和重坦率的电流脉冲.探测错上升时间相对于脉冲宽度应该足够小，系统应该是一个峰值测量仪锯.回5平均LEO强度测量原理图5.3.1.3测量步骤.被测器件按照选定的形式定位，给被测器件加上规定的电流，按规定时间预热后，用光度测量系

16、统测量平均LED强度。-5.3.1.4规定条件-环境温度和合适的大气条件:今一-正1句电流;-脉冲宽度和占空比(适用时); 一预热时间.5.3.2方法2002:半强度角和角偏差 . , 5. 3. 2. 1 目的. . 测量器件在规定的工作条件下的平均LED强度的空间分布和学强度角lk角偏差L5. 3. 2. 2 测量原理测量原理见图608 . , . .-_- , ;. 萨一一被测量#件:。一一电流源;P护一咆括面Do，-消价一-被测LED楼b) . . G . 1,. . . . . -. SJ/T 11 394-2009 . _ . ，.号-牛气 l _-.-.一-. I 、F. . ，

17、飞. . ,-, . -凰.、一F . 、，t蹄子脉冲皮皮刻度精度), 、工. . :A. . 气-9 -; 1, . . -SJ/ T 11394-2009 测量被测器件在规定条件下的光通量和光通量效率.5. 3. 3. 2 测量原理测量原理见图1. 器测探淮掠漫身M手积分球被测器件. . . . . 今. -今一.注1:被测器带发射的光辐射经积分球壁的多X反射，导致在球壁产生一个均匀的与沈通盘成比例的照度，个位，飞也于球壁的探测器翻量这个照度.一个漫射1Jf挡住光线，不使探测器直接接收到被测器件的光辐射。注2:被测器件、漫射解、开孔的面帜和球面积比较应该相对较小，球内壁和漫射屏农面应有均匀

18、的高反射比的漫反射镀层最小0.8).球和探测榕组合应该枝准，应该考虑到峰值发射波长和光通量由于功率消耗产生的变化.tt3，也可以用变角光度计测量.5;3.3_测量步骤二破测器件放在积分球入口处，不要使光线阜接到达探测器。给被测器件施加规定的正向电流fF，光度探测系统测量出光通量.将光通量数值除以正向电流品和正向电压坏的乘积值即为发光效率。. .5. 3. 3.-4 规定条件?一环境或管壳温度:?正向电流。二5.3.4方法2004:辐射通量和辐射效率- 5. 3. 4. f 目的测量被测器-件在规定条件F的辐射遮5. 3: 4 2 测量原理_ 测量原理见图7.注二令主量和探测器组合应该用辆射标准

19、进行技推，测J、耗产兰生k的变化.5 被测量器件放在毫和扭P只、分球入口处，不要使光线直接到达探测器.给被测器件施加规定的正向电流品，辐射探测系统测量出辐射通量。将辐射通量数值除以正向电流占和正向电压阵的乘积值即为辐射效率-5. 3. 4. 4 规定条件一一环境或管壳温度:一-正向电流.5.3. 5 方法2005:峰值发射擅长、光谱带宽和光谱功率分布5. 3. 5.1 目的二在规定的工作条件下，测量破测器件的相对光谱分布J确定被测器件峰值发射波长，光谱带宽和光谱功率分布。川光通量和光通量效率测量原理图图7、d . . . 、(功率和辐射效率.由于功率消单位为瓦将.应该考虑到峰他发射波长和辐射通

20、. 10 5. 3.5. 2 测量原理，测量原理见图8.1,. - . . .，一、.一一一- , - . J, _ _ 1 ,_ -. . 1;二;F注1:5. 3. 5. 3 测量在需要的光谱件的相对光谱辐射即峰值波长(p) 培光谱辐射带宽A(见光谱功率分布P(A)。10011 愤FS 苟且事. . , 50篇。r F , - , 、 - r.:- . ,. - . .0一、今r:., 卢J飞. , . -.一0)D201 I . I I卜二!M _0一-RM I I 1, i 1被*SJ/T 11394-2009 . . . . . - . ，获得被测器(100%)对应的滋长码和.两者之

21、差就-的光i普功率披值.llU为户阿. .叼.11 _ , , -, 、，句电., 5. 3. 5. 4 规定条件一一环境或管壳温度!:. _.,. 一正向电流直流或脉冲) 5.4 3o类光电特性测量方法5.4.1 方法31:开关时间5. 4. 1. 1目的四、丁飞测量被测器件的开通时间QO(开通延迟时间t创制+上升时间t，) _和关断时!可tff(关断延迟时间二l 0. 2 0 , 1 0 . 0 0 .0 0.1 0 .2 0.3 0. 4 0.5 0 . 6 5. 5. 4. 4 规定条件一一环境或管壳温度:一一正向电流。5. 5.5 方法45:色差5. 5-. 5. 1 目的U 图11

22、相关色温(CC计算在规定工作条件下，测量被测辑件之间的色差。5. 5.5.2 测量原理测量原理同5.5.1. 2或5.5.2.2. 5. 5.5. 3 测量步骤SJ/T门394-2009分别按5.5.1或5.5.2方法制最得到被测器件的在CIE1931色皮系统也品坐标(XpYI)和亮度氏，转换成CIE1964均匀颜色主间，再按色差公式得到色差值见GB/T7921 -1997) : ECIE := (U*I -U2) + (VI-v2f + (w飞-w忖二. . . (1 5. 5. 5. 4 规定条件一一环境或管壳温度:一一正向电流。5. 5. 6 方法4006:自光器件的显色指鼓5. 5.

23、6.1 目的在规定正向工作电流下，测量被测白光器件的一般显色指数和特殊显色指数。5. 5. 6. 2 测量原理测量原理同5.3. 5和5.5.1或5.5.2。5. 5. 6. 3 测量及计算步骤白光器件的一般显色指数和特殊显色指数的制量和计算按下列步骤进行ia.) 按5.3. 5和5.5. 1或5.5.2方法测试得到被测器件的先讲功率分布p()、色品坐标孔，儿，无论是测娥和计算都应给出四位小数:b) 计算得到被测器件的均匀色空间的色品坐标Uk，叫:15 SJ/ T 11394-2009 c) 按5.5.4方法4004测量被测器件的相关色温汇1d) 根据相关色温丑，选择最接近被测器件相关色温的参

24、照体，被测器件的相关色温低于5000K 时，以普朗克辐射体作为参照光源。被测器件相关色温高于5000 K时，以组合昼光作为参照光源(见GB/T5702-2003) ; e) 计算参照光源的光谱功率分布和色品坐标p的计算由被测器件为待测光源所照明的试验色样i的CIE193飞三剌激值XkJ丸，Zk.i和均匀色度空间的色品坐标UkiVk: g) 将被测器件的色品坐标Ukv)t调整为参比照明体的色品坐标吨，飞，即U=矶，V =吨。这时各标准颜色样品的色品坐标UldJvkj也要作相应的调整，成为U.ik.i;h) 计算色适应调整后被测LED器件的u;i) 根据上述e)、h)所得的数据，啃哽直撞现捕电明啸

25、疆和参照光源(标准照明体)照明下标准试验，色样1的. (1 5) k) . (17) 5. 6 5o提即T一-被测器件:1一电流源:1.-一电流源:Vp-一电压测量系统.16 圈12结温测量原理圄. . SJ/T 11394-29 5. 6. 1,-1 目前测量一定耗散功率时器件曲结温.5. 6.1. 2 测量;原理测量原理见，图12._ 器件结混涮量的电试验法是来用对被i精件施加不同电流、测量结电压增量和结温升的关系从而确定结温的方法。-5.6. 1. ,3 测量步骤-、-、1, 结温的测量按下列步骤进行:a) 阁12所示，开关置于位置1，在被测器件上施加电流h.测量得到正向电压、VH;b)

26、 开关快速置于位置2，用加热电前U快速替代1.要求电流品在持续时间内稳定，测量UF.向电压F民.c) 开关快速置于位置1.即用电流A快速替代品，测量得到结电压Vp( 由此可得:LVF :; IVpj - Vp j I LTJ = K xVp T1 =写i+L兀这里写i是测量开始前器件结温的初始温度，测量过程时序如固13所示，IF IH . O 、4叭V V: F V 。岳飞二E= tu n 4 一圈13.器件结温测量的电流电压波形. -. . _. -. - , 一、. ( 18) . (19) . (20) 在低正向电流时.PN筋的温升和正向电压增量1战线性相关，相关系数称为K系数，单位为C

27、/mV., 选择取决于被测器件的大小和1型夺，通常采用PN结伏安特性曲线的转折点的电流.5. 6. 1. 4 规定条件?一一环境或管壳温度:一一测量电流马和加热电流iao . ;.-.:. . _:,; 5.6.2方法52:K系慰测董气5. 6_.2:-1 目前17 . . , . , 户，SJ/ T 11394-2009 测量得到被测器件的K系数值，它是准确测量和校准结温和热阻的基础。5. 6.2.2 测量原理测量原理见阁14.18 厂寸71内每个器. -飞、飞i5. 6. 2. 4 规定条件。一一环境或管壳温度:e Y 一一测量电流k和加热电流lJJo5.6嘈3方法5Q03:热阻测量5.

28、6.3. 1 目的句- - , -、-、-T J 固15VF-TJ曲钱热阻测量的目的是得到最好的管壳热榄条件，5. 6. 3; 2测量原理测量原理同5.6.1.2和5.6.2.25. 6. 3. 3 测量步骤同5.6.1. 3和5.6.2.3.SJ/ T t 1394-29 曲，在所获得的数据中，按照所施加的功事岛和选择合适的加热时间tM就可以按下速公式计算撞测:器件的热阻:AT. I KXv可iRhlf_Y =. =.:L. = I二一二.:.LI.-. ., .:叫.，-.,. i. (去2)- mV HF FL l IIf ;14f j tH值和环境条件确定了热阻符号凡。呻中下标X的意义

29、，例如i被测器件臂壳带节良好的热沉，tH 缸取ls，则X可用C瞥代，即为R由(J-C)测量凡(J.C)时，要使最大热流通过管壳顶面，其他任何一个面流过最小热班，这可以把一个句无穷大热沉和管壳顶面热接触来实现。无穷大热沉表/J它是一个在割量过程中没有温度变化的等热表工面a在大多数情况，这是不现实的，实用上可以用内部嵌有热电偶的大块无氧铜来替代.把铜块的温升词入测量结果.在器件芯片/智壳/试跪板/环境温度组合产生热平衡后，监视结(1J)和管壳兀)表面温度，直到达到一种稳态条件得到A巧，测量R叩叫时p使用十个晤闭的立方体容棒，容事司为何38xO.38xO.3倒8)mJ. 注:黯件热学测量的电试检法咆

30、最重要的问题主一是如何实现快理租准确测量第二个正向电压陆.在瞌制曾告f牛撤除所加电流的瞬时，错温立即下降.但是电压制量和读最需要一定时间.因此所获得的测量敷据有说是.现?需要作出被测器件的怜4t!J幽线从而对测量数掘进行修.iE.5.6.3.4规定条件二一环境或臂壳温度与一一测量电流品和洒热电流lil19 . . 、. . SJ/ T 11394-2009 5.6.4 方法54:高发光效率黯件的热阻测试5.6.4.1 目的测量高发光效率器件的热阻。5.6. 4. 2 测量原理测量原理同5.6.1.2和5.6.2.2以及5.3.4.5 6. 4. 3 测量步骤同.5.6.1. 3和5.6.2.3

31、以及5.3.4.飞，一., , 、,. -在所获得的数据中，按照所施加的功率PH和选择合适的加热时闹tH以及按5.3.告测量得到的辐射功率矶，按下述公式计算被测辑件的热阻t1 . ., tl 双极脉冲发生器(10:0and 1.5K) , 图16体放电辙式的静电敏感性测试原理图电流传感器C输出示波器. (23) R2 5on 5; 7. 1. 3 要求事项20 a) 双极性脉冲发生器应该设计为避免重复充电和严生双脉冲.不能靠交换AjB端点来获得双极性性能:. . . SJ/T 11394-29 b) .开关SW1须在脉冲通过后关闭10ms-l 00 IUS，以确保被试插距不在充电状牵，它也应该

32、先于下个脉冲到来前至少开启10ms。电阻Rl和开关席联以确保器件有一个慢放电，这样就避免了一个带电器件模式放电的可能性;d 图16中评价电阻负载1为:一种截面为0.83mm1 - 0. 21 mm%镀锡铜短路线.跨距远合试验插座。负载2为:500 Q，王1%，1 000 V，低电感精膜电阻:d) 示披器要求z最小灵敏度100mA/cm电流传感器)I带宽350四位，明最小写入也率1cm/ns: e) 电梳传感器要求:一一最小带宽350陆如一一峰值脉冲电流12A; 一-上升时间小于1r曰:-一能采用1.5 mm直径的实导体:一一能提供1mv/ m.A.5 mv/旧的输出电压。f) 测试插座上再叠插

33、一个插座第二个捅座叠插在上测试插座上的情况，仅在第二个捅座的被形满足本标准的要求才允许;g) 使用短路线，分别获得各敏感度等级的电流放形，修正这些被形使满足图17的要求:h) 电流脉冲应满足下列特性:一一脉冲上升时间t为:5 ns-25 ns: 一一最大允许振骨被峰对峰值L必须小于的15吨，脉冲起始后要求100ns内没有明显掘怜说:-一如图19所示，是通过5000负载电阻的崎值电流，对于10OV拥充电电压宫应在375mA-550 mA之间.时于4000 V预充电电压，它应在1.5 A.2.2 u它不应小宁相同A敏度等级.的早先测量得到的lp1值的63%.注1:500 Q负载电阳的峰值电施和上升

34、时伺会改变，取决子试型企描鹿和周围连接的容性负载.沌2:500 Q负就电阻标准要求的目的在于限制插座咆容.但哨子-个给定的器件.即使掘自电容受到限制i:仍然Ips 9000 10、会影响ESD耐受电.、. . . 达h.Ih-/ 咽t-.阻畸幅幅咽F - 电-=z民=口=世之三1/ j . ( . 、. . . . . 唱，-画.d h., . I I . . , 1 _.S . . . . ， . . ，-.-) !. ,:. - .,. V毛d噜t、.-飞!:. -. I . . L . 时 一. . 一， . - -. 一，tr 飞、每格5ns 回11通过嬉路线的电波脉冲一寸 - . E

35、 -. !-.l: 、咱.忏-蜻嘀-1E1 咽, . . 、, -.飞. 21 SJ!T 11394-2009 0.2 1.0 1.2 . , -l 0.8 FO44 hwau 抽取NmVM琼哥. 、1:00 5.7.2.4测试步骤机器模式静电放先进行测试并记录二8:) 在试验器插座上CA，B，端)巧也宽哥缉、，温脑1n.IA-400V电压，电流探针置于B端处:记录正和负的波形，修b) 使用500Q电阻，加电&土400V.记录并修正法形使其满足图22的要求:c) 按表7确定静电肢电测试起始电压;d) 加三个正的和负的脉冲到每个被测试样本，脉冲之间的间隔至少要1S; e) 在室温下测试样本的所有静惑和动态参数。如果要求多个温度，首先从最低温度开始;f) 如果所有三个样本部通过规定数据的参数测试，则再用表7中更高一档电压试题，记录通过的最高电压挡，并按分类表将被测器件分类:g) 如果有个或多个样本失效，重新用三个新的样本，以降低-档MM芭SDS分类表中电压进行试验。如果继续有失效，再降低一档，直到最低档，如果还有失效，则停止试验。-J . . d .、26 SJ/T 11392.009 表7MM ESDS分类表试检等级等效充电电压士V)100 2 200 _.0 3 400 5.7.2.5 规定条件一一环境或管壳温度。27