GB T 15878-1995 小外形封装引线框架规范.pdf

1、中华人民共和国国家标小外形封装引线范Specification of leadframes for small outline package 1 主题内容与适用范围1- 1 主题内容GB/T 1 5878 1 995 本规范规定了半导体集成电路小外形封装(SOP)引线框架(以下简称寻|线框架)的技术要求及检验规则。1- 2 适用范围本规范适用于半导体集成电路塑料小外形封装冲制型引线框架。2 I GB 7092 93 半导体集成电路外形尺寸GB/T 14112 93 半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范GB/T 14113 93 半导体集成电路封装术语SJ/Z 9007 87 计数检查

2、抽样方案和程序3 术语、符号、代号本规范所用术语、符号和代号应按GB/T14113的规定。4 技术4. 1 设计引线框架的外形尺寸应符合GB7092的有关规定，并符合引线框架设计的要求。4. 1- 1 精压区最小扁平引线键合区，宽度为标称引线宽度的80%，长度为0.381mm。4. 1- 2 精压深度4.1.2.1 对于0.2mm厚的材料，精压深度最小为0.013mm，最大为0.051mm。4.1.2.2 对于0.25mm厚的材料，精压深度最小为0.013mm，最大为0.051mm。4. 1- 2.3 最大精压深度也可能受最小引线间距要求的限制，最小精压深度也可能受最小键合区要求的限制。4.

3、1. 3 金属阔的间隔引线框架各内引线之间，内引线与芯片粘接区之间的距离不小于0.152mmo4.2 引线框架形状和位置公差4.2. 1 引线扭曲引线框架内引线扭曲不得超过3030，即每0.254mm引线宽度范围最大偏离不超过0.015mmo4. 2. 2 芯片粘接区斜度和平整度术监督局1995-12-22批准1996-08-01 GB/T 15878 1995 4. 2. 2. 1 斜度在未打凹条件下，每2.54mm最大倾斜0.025mm，在打凹条件下，每2.54mm最大斜0.051mm。4. 2. 2. 2 平整度测试在从中心到四个拐角的中心进行，中点被规定为离每边0.127mm处，平整度

4、0.005mm。4.2.3 芯片粘接区打凹从芯片粘接区中心到支撑条上的点测量时，应在标称尺寸的士0.05mm范围内。对材料厚度为0.25mm框架，标称打凹深度为0.3mm，对材料厚度为0.2mm框架，标称打凹深度为0.2mm。4.2.4 引线共面性和芯片粘接区共面性4. 2. 4. 1 引线共面性引线框架内引线精压区端头共面性在士O.lmm范围内。4. 2. 4. 2 芯片粘接区平面度在中心测量时，芯片粘接区与基准平面偏离应在+O. 076mm/ -0. 127mm范围内。4.2.5卷曲引线框架条带长度方向上卷曲变形小于0.5mm。4.2.6 横弯横弯不得超过士0.127mm。4.2.7 侧弯

5、在150mm的长度方向上，应不超过0.05mm。4.2.8 框架扭曲在每条框架上扭曲不超过0.51mm。4.3 引线框架外观4.3.1 毛剌引线框架连筋以内垂直毛刺不超过0.02mm，连筋以外的垂直毛刺和任何位置的水平毛刺不得超过0.05mm。4. 3. 2 凹坑和压痕4. 3. 2. 1 在功能区和外引线上，不应存在压痕。该区域内凹坑深度不得超过0.008mm，最大表面尺寸不得超过o.013mm. 4. 3. 2. 2 在其他区域，凹坑和其他缺陷不得影响引线框架强度，深度不得超过0.05mm，最大表面尺寸不得超过0.13mm。4.3.3 表面缺陷层部位应呈金属材料本色，无锈蚀、发花等缺陷。4

6、.4 引线框架镀层4.4.1 镀层厚度4. 4. ,. 1 引线框架局部镀金层厚度不小于1m。4. 4. 1. 2 引线框架局部镀银层厚度不小于3.8m。4.4.2 镀层外观镀层表面应致密、平滑、色泽均匀呈镀层本色，不允许有起皮、起泡、沾污、斑点、缺陷。应无明显污点、脱落或镀层漏镀。无贯穿整个镀层的划隅。4.4.3 镀层耐热性层经高温试验后应无明显变色，不允许起皮、起泡、剥落、发花、斑点等缺陷。4.4.4 镀层键合强度引线框架的镀层应易于粘片及健合，键合强度大于40mN。4.5 引线框架外引线强度引线框架的外引线经弯曲试验后不应出。、发花等GB/T 15878 1995 5 检验规则5. 1

7、检验批的构成一个检验批可由一个生产批或符合下述条件的几个生产批构成。a. 这些生产批是采用相同的材料、工艺、设备等制造出来的;b. 每个生产批的检验结果证明材料和工序的质量均能保证所生产的引线框架达到预先规定的水平;c. 若干生产批构成一个检验批的时间通常不超过一周，除非另有规定，最长不得超过一个月。5.2 检验项目及要求引线框架的检验项目及要求见表1，标有(D)的试验为破坏性试验，表l中所引用的试验方法系指GB/T 14112附录中规定的方法。AQL抽样方案按SJ/Z9007的规定，抽样数以条为计量单位。表1检和试方法检要求IL AQL 外1见用满足测范4.3及4.4.2E 2. 5 尺寸度

8、的量具测量按本规范4.1 I 1.5 形位公差附录A按本规范4.2 S3 2.5 镀层厚度X荧光测厚仪或按本规范4.4. 1 S3 1. 5 其他等效仪器镀层耐热性(0)附录B中B1按本规范4.4.3S2 2.5 合强度(0)附录B中B2按本规范4.4.4S2 1.5 外寻|(0) 附录B中B3按本4.5 S2 1.5 6订若无其他规定，订购引线框架时至少需要以下资料za. 产品型号、规格pb. 数量pc. 产品图纸及图号;d. 材料名称及规格pe. 任何其他细节(造用时)。7 标志、包装、运输、贮存7. 1 标志引线框架包装盒上应有如下标志za. 厂名或商标pb. 产品名称、型号、规格;c.

9、 产品号;d. 数量Fe. 生产日期pf. 枪骑批识别代码和检验员代号。7.2 包装为避免正常运输过程中的损坏和泄漏，产品，在专门设计和制造的内，应防止产GB/T 15878 1995 品被污染和受潮。引线框架内包装应采用中性材料包装并密封，以保证产品不受沾污和腐蚀，防止物理损伤。7.3 运输产品的包装应能适应任何交通工具的运输，井在运输过程中应防止雨淋，受潮和破损。7.4 贮存7.4. 1 引线框架产品应贮存在环境温度为10350C，相对湿度不大于80%，周围无腐蚀气体的库房中。7.4.2 自出厂之日起，有镀层的引线框架保存期为三个月，无镀层引线框架保存期为六个月。附加说明:本标准由中华人民共和国电子工业部提出。本标准由全国集成电路标准化分技术委员会归口。本标准由厦门永红电子公司、电子工业部标准化研究所负责起草。本标准主要起草人:上官鹏、陈裕昆。