SJ 20069-1992 半导体分立器件.2CK76型硅开关二极管详细规范.pdf

1、中FL 5961 、Semiconductor discrete device Detail specification for silicon 一SJ 20069 92 switching diode for type 2CK76 ,2cK105 and 2CK4148 1992-11斗9发布1993-05-01实施 中国电子工业总公司批准1. 1 主题内容中华共和国电子行业军用标准半导体分立器件2CK76型硅开关二极管详细规范Semiconductor discrete device Detail specification for silicon switching diode for

2、type 2CK76 本规范规定了2CK76型硅开关二极管以下件的详细要求，SJ 20069 92 件按GJB33 半导体分立器件总规范正的规定，提供产品保证的三个1.2 外形尺寸(GP、GT和GCT级).外形尺寸应符合GB758H半导体分立器件外形尺寸中的D2-02A型，见图1.中国电子工业总公司1992-11-19发布1993-05-01宴-1一SJ 20069 92 H L 。IL1 i Ll 在 圃mm 代D2-02A 号尺符号寸最公称最大#Jz 0.45 0.56 ;D 1. 50 2.20 G 3.50 5.40 H 54.30 + L 25.4 Ll , 2.5 Lz 10 图1

3、外形尺寸1. 3 定值10 V(BRl VRWM lFSM T op T啕低气压型号TA=25C tp=ls (mA) (V) (V) CmA) CC) (C) (Pa) 2CK76 200 75 50 500 一55150一55-1751000 / 注，1)当TA25C时，按1.6mA/C线性地 -2一SJ 20069 92 1.4 主要电特性(TA-25.C)VF 1R1 1R2 t 型号1F=200mA V lI =VRW VR=VRWM 1F=lx=2臼nATA=150-C RL=1000 (v) A)(A) (ns) 2CK76 1 O. 1 100 4 2 I用文件GB 4023

4、86半导体分立器件第2部分整班二极GB 6571 86 小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法GB 7581 -87 半导体分立器件外形尺寸GJB 33 85 半导体分立器件总规范GJB 128 86 半导体分立器件试验方法3 要求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的规定.3.2 设计、结构和外形尺寸件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范图1的规定.3.2. 1 引出端材料和涂层Cj f嚣1MHzV.=ov (pF) 4 引出端材料应为铜包铁丝，引出端表面应为锡层.对引出端涂层另有要求时，应在合同或订货单中规定(见6.1条。3.3 标志志应按GJB33的规定。4

5、4. 1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33和本规范的4.2 鉴定检验定检验应按GJB33的规定.4.3 筛选(仅适用于GT和GCT 筛选应符合GJB33的表2和本规范的规定。下列测试应按本规范中表1的规定进行。超过本规范表1极限值的器件应剔除。一3一8J 20069 92 选(见GJB33表2)试或试验3.热冲击g -55C、循环10次外，其余同试验条件F6.高温反偏I VR=VU(M 7.中间电参数测试I VF和IRI8.电老化|电老化见4.3. 1条9.最后测试I AlRI=初始值的100%或土4OnA，4.3.1 电老化试验电老化的条件规定如下2TA 2SC 10 200mA VR-V

6、RWM 正弦半波-4一VF=士100mVSJ 20069 92 表1A组检GB 6571 值LTPD 符号单位方法条件最最大A1分组GJB 128中5 外及机栓2071 A2分组5 正向电压2.1.2 IF=20mA VF 1 V 反向电流2. 1. 1 VR=VRWM IRl O. 1 A 反向恢复时2. 1. 4. 2 TA=25C t 4 ns IF=IR=20mA RL=100n 电容2. 1. 3 VR=OV Cj 4 pF f=lMHz A3 5 作TA=150C 、反向电流2. 1. 1 VR=VRWM IRz 100 A -表2B组检验GJB 128 LTPD 方法条件Bl分组

7、可焊性I 2026 标志的耐久性I 1022 B2分组热冲击15 接停留时间10士ls10 1051 为一55C、循环10次外，其余同试验条件F密封1071 命gw寿试一作粗测一工队后一lF态最一职牛H，10mPa.cm3/s 试验条件C见表4步骤1和2a. 5 1027 TA=25C f=50Hz正弦半波Io=200mA VR=VRWM 最后测试gB6分组寿命非工作状态最加惆lA.: 见表41和25 1032 TA=175C 见表4步骤1和2一5一检验或试验C1分组外形尺寸C2分组方法2066 热冲击(玻璃应力1056 2036 引出端拉力引线弯曲密封a. b.租A 口外观及机械最后试2C3

8、分组冲击变加速度最后试2C6 稳态工作寿命最后测试z1071 期I1021 2071 2016 2056 2006 1026 SJ 20069 92 表3C组检验GJB 128 条件见图1试验条件A 牛A，W= 1800g ,t= 58 试验条件F同B2分组B2 见表4步-一非工作状态非工作状态非工作状态1见表4步TA=25C 1和2的1和2f=50Hz正弦Io=200mA VR=VRWM 1和2表4B组和C组电测试步检验或方法1 正向电压2. 1. 2 2 反向电流2. 1. 1 5 交货准备5. 1 包装要求.包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB汩的规定。5.3 运输要求-6一GB 6571 符号条件1,= 200mA VF VR=VRWM IR LTPD 15 10 10 =10 极限值单位最小值最大值1 V 0.1 A SJ 20069 92 运输要求应按GJB33的规定。6 说明事项6. 1 对引出端涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定。6.2 如需要典型特性曲线，可在合同或订货单中规定。g 本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所、无锡无线电元件四厂和济南半导体四厂负责起平。本规范主要起草人t于志贤、翁寿松、李文盛。计划项目代号:BOI007。-7一