1、中华人民共和国国家标准300900m硅片间隙氧含量红外吸收割量方法300-900m SllIcon sllces-Measuring of interstitial oxygen content Infrared absorption method 1 主画内容与适用范围GB/T 14143-93 本标准规定了用红外吸收法测定厚度为300-900m的硅片间隙氧含量的方法。本标准适用于室温电阻率大于0.1n. cm的硅片间隙氧含量的测量。测量范围为3X10 at. cm-3至间隙氧在硅中的最大固溶度。2 引用标准GB 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法。3 方法原理本方法借助于硅单晶
2、中氧含量与硅-氧键在1107 cm -1 (9. 033m)处吸收系数间的关系，用红外光谱仪测定1107 cm-1处吸收系数来确定300-900m硅片中间隙氧含量。4 测量仪器4. 1 付皇叶变换红外光谱仪或双光束红外分光光度计，仪器在1107 cm-1处的分辨率小于5cm斗。4.2样品架。具有调整功能，通光孔径为如-jl10mmo 4.3 厚度测量仪，精度小于2mo5 试样要求5. 1 试样5. 1. 1 试样测试部位厚度偏差应小于0.5，%。5. 1. 2 试样在1300-1 000 cm-1范围的透射特性应符合附录A的规定。5. 1. 3对于仲裁测量，试样在1300-1 000 cm范围
3、基线透过率不低于30，%。5.2 参比样品5.2. 1 参比样品氧含量应小于5XI015at.cm-3，可以从高真空多次区熔制得的硅单晶中选取。5.2.2 参比样品与试样应具有相同的透射特性，厚度差小于0.5，%。6 测量步骤6. 1 选取通光孔径为世6-jl10mm的样品架。62 对双光束红外分光光度计，测量程序参照GB1557中的5.2条，如有必要可适当减慢测量速度。回京技术监督局1993-02-06批准1993-10-01实施302 G/T 14143-93 6.3 对付里叶变换红外光谱仪扫描次数不少于64次。6.4 用差别法获得1300-1000cm-I范围的光谱，得1107cm-1处
4、硅氧键吸收带，并保证其半宽度为32-35 cm-I，半宽度确定方法见GB1557的5.2.4条规定.6.5 重复测量三次，取其平均值E7 测量结果计算7.1 吸收系数的计算.a = a/(1 +F) u . . ( 1 ) da = a十一lnl一一一一一一:-:T-I d .l 1 - Re-.d I 式中ga和一一修正前后吸收系数，cm-1，b一晶格吸收系数，cm-1t d 试样厚度，cm;R 反射率，%。.( B3 ) 取R=O.2995，俨0.8cm-1，由计算机计算获得(a川，令F=午，得F-a修正曲线(见图B1)。附加说明s、p-、v 16 13 13 12 b马1110 0.2 0.7 1.2 1.7 2.2 2.7 3.2 3.7 4.2 4.7 5.2 a (cm勺图B1F-a修正曲线本标准由中国有色金属工业总公司提出。本标准由机械电子工业部第四十六研究所负责起草。本标准主要起草人何秀坤、李光平、王琴、谢重木。 305
