GB T 21039.1-2007 半导体器件 分立器件 第4-1部分 微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范.pdf

1、ICS 3108030L 41 圆雪中华人民共T-n国国家标准GBT 2 10391-2007IEC 60747-4-I：2000半导体器件分立器件第4-1部分：微波二极管和晶体管微波场效应晶体管空白详细规范Semiconductor devicesDiscrete devicesPart 4-1：Microwave diodes and transistors-Microwave field effecttransistors-Blank detail specification2007-0629发布(IEC 60747-41：2000，IDT)2007-1101实施宰瞀粥紫瓣警矬瞥翼发布中

2、国国家标准化管理委员会促19刖 吾GBT 210391-2007IEC 6074741：2000本部分是半导体器件分立器件系列国家标准之一。下面列出本系列已有的和正在制定的国家标准：GBT 458912006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范；GBT 12560 1999半导体器件 分立器件分规范；GBT 17573-1998半导体器件分立器件和集成电路第1部分：总则；GBT 4023-1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管；GBT 6571 1995半导体器件分立器件第3部分：信号(包括开关)和调整二极管；GBT 20516 2006半导体器件分立器件第4部分：

3、微波器件；GBT 210391 2007半导体器件分立器件第4-1部分：微波二极管和晶体管微波场效应晶体管空白详细规范；GBT 152911994半导体器件第6部分：晶闸管；GBT 45871994半导体器件分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管；GBT 4586-1994半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管；半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极型晶体管。本部分等同采用IEC 60747 4 1：2000半导体器件分立器件第4-1部分：微波二极管和晶体管微波场效应晶体管空白详细规范(英文版)。为了便于使用，本部分作了如下编辑性修改：a)用小数点“”代替作为小数点的逗号“，”；b)删除国

4、际标准的前言；c) 第7章订货资料“37规定的质量评定类别”和“36规定的筛选顺序”原文中章条号编辑性错误，应为“38规定的质量评定类别”和“37规定的筛选顺序”；d)第8章试验条件和检验要求“，引用或重新规定GBT12560 1 999中38的数值。”原文中章条号编辑性错误，应为“，引用或重新规定GBT 12560 1 999中37的数值。”；e) C3分组检验要求极限中“无损坏”，原文编辑性错误，应为“无损坏”；f)经比较本部分C8分组的引用标准IEC60747 8 1附录I在内容上与本部分附录A一致，因此本部分中C8分组的引用标准改为本部分附录A。本部分中引用的国家标准对应等同采用的IE

5、C标准是：国家标准编号 IEC标准编号GBT 4589 l 2006 IEC 6074710(1991)GBT 20516 2006 IEC 60747 4(2001)GBT 125601999 IEC 60747一11(1985)本部分中引用的国家标准及试验方法号相对应等同采用的IEC标准中的试验方法是国家标准编号及方法号 IEC标准试验方法号GBT 4586 1994 4 2 T 071GBT 4586 1994 4 5 T074GBT 4586 1994 4 3 T 072GBT 4587 1995 4 1 136 T一044GBT 210391-2007IEC 607474-1：200

6、0本部分附录A是规范性附录。本部分由中华人民共和国信息产业部提出。本部分由全国半导体分立器件标准化分技术委员会归口。本部分由中国电子技术标准化研究所。本部分起草人：罗发明、刘春勋。GBT 210391-2007IEC 6074741：2000半导体器件分立器件第41部分：微波二极管和晶体管微波场效应晶体管空白详细规范引言IEC电子元器件质量评定体系遵循IEC章程并在IEC授权下工作。该体系的目的是确定质量评定程序，以这种方式使一个参加国按有关规范要求放行的电子元器件无需进一步试验而为其他所有参加国同样接受。本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一，并应与下列国家标准一起使用。GBT

7、458912006半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范(IEC 60747 10：1991IDT)GBT 12560 1999半导体器件分立器件分规范(idt IEC 6074711：1996)要求的资料本页及下页方括号内的数字与下列各项要求的资料相对应，这些资料应填人相应栏中。详细规范的识别1授权发布详细规范的国家标准化机构名称。2详细规范的IECQ编号。3总规范和分规范的编号及版本号。E4详细规范的国家编号、发布日期及国家标准体系要求的任何资料。器件的识别5器件的类型。6典型结构和应用资料。如果一种器件有几种应用，则应在详细规范中说明。这些应用的特性、极限值和检验要求均应予以满

8、足。如果器件是静电敏感型或含有危险材料，如氧化铍，应在详细规范中给出注意事项。7外形图和(或)引用有关的外形标准。8质量评定类别。9 能在器件型号之问比较的最重要特性的参考数据。在本规范中，方括号里给出的文字是用于指导详细规范的编写者，不应纳入详细规范中。在本规范中，“”表示应在详细规范中规定特性或额定值的值。负责发布规范的国家代表机构(NAI)或团体的名称(地 1ECQ详细规范编号、版本号和(或)El期 2址)。 1 QC750115评定电子元器件质量的依据： 3总规范：GBT 45891 2006 半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范详细规范的国家编号 E4分规范：GBT 12

9、560一1999半导体器件分立器件分如果国家编号与IECQ编号相同，则本栏可不填写。规范微波场效应晶体管空白详细规范 5有关器件的型号。订货资料：见本规范第7章。GBT 210391-2007IEC 60747-4-1：2000续表1机械说明 2简要说明外形标准： 7微波场效应晶体管 6IEC 601912半导体材料：EGaAs。外形图 封装：空腔或非空腔。可以转到本规范第lo章或给出更详细的资料。应用：见本规范第5章。引出端识别 注意：遵守操作静电敏感器件预防措施的事项要求时。给出管脚排列分布图，包括图形符号。标志：字母和图形或色码。 3质量评定类别要求时，详细规范应规定标志在器件上的内容。

10、1按GBT 45891 2006的26规定。 8见GBT 45891 2006的25和(或)本规范第6章。如采用特殊方法，需标明极性。 参考数据 9按本规范鉴定合格的器件，其制造厂的有关资料见现行合格产品目录(QPL)。4极限值(绝对最大额定值体系)除另有规定外，这些极限值适用于整个工作温度范围。只重复带有标题的条号。任何附加的值在适当的地方给出，但没有条号。曲线最好在本规范的第10章给出。A类：功率器件B类：低噪声器件A类 B类条号 极限值 符 号最小值 最大值 最小值 最大值4 1 工作环境温度或管壳温度 L。-丁-。 4 2 贮存温度 43 漏一源电压(规定条件下的) yDSxVVnsR

11、 44 栅一源反向电压 VosR 4 5 栅一漏电压(源极开路) VGD。 46 谝极电流 47 沟道温度 Tcn正 4 8 总耗散功率8 8在规定工作环境温度或参考点温度范围内的最大值。应对任何通风或安装的特殊要求进行说明。5电特性检验要求见本规范第8章。只重复使用带有标题的条号。任何附加的特性在适当的地方给出，但没有条号。当在同一详细规范中规定几种器件时，有关的值应以连续的方式给出，以避免相同值的重复。曲线最好在本规范的第10章给出。GBT 210391-2007IEC 60747-4-1：2000电特性和条件跺另有规定外， A类 B类 试验条号 符号L。一25C或丁0。一25C(见总规范

12、第4章)最小值 最大值 最小值 最大值 分组51 栅一源短路时的漏极电流(规定V。s) IDss A2b52 栅一源截止电压(规定Vos和jns) gof A2b53 栅一源击穿电压(规定f；，或 V(BR)CS X A2b漏一源短路时的栅极截止电流(规定Vcs) L，聃 A2b54 沟道到壳的热阻(规定T0。和Ic) Rth() C2d5 5 1 dB压缩点输出功率(规定，、VDs和jo，)，或 Pdm A4输出功率(规定，、y。s、7Ds和P。) P。 A456 l dB压缩点功率增益8(规定，、VDs和IDS) GD(1 A457 功率附加效率(规定f、VDS、les和P，。) “ A4

13、5 8 噪声系数(规定，、Vk和IDs) F A4S9 相关增益(规定，、yos和IDs) Ga。 A45 10 最高振荡频率(规定，、VDs和IDs) ，m。 C2a5 1l 最大有效增益(规定，、VDS和IDs) G。() C2a512 适用时，S参数的幅值和角度(规定，、V璐和k) S11 C2aSn。g Sl 2 S】2。g S21 S2。 $22m。p S22g 8如采用规定输入功率时的输出功率，可以省略i dB压缩点功率增益。6标志除了第1章中第7栏和(或)总规范中25所给出的外，其他任何特殊标志应在这里规定。7订货资料除另有规定外，订购一种器件至少需要以下资料：准确型号(如要求，

14、给出标称电压值)；当有关时，带版本号和(或)日期的详细规范；GBT 12560 1 999的38规定的质量评定类别和GBT 125601999的37规定的筛选顺序(如要求时)；其他特殊要求。8试验条件和检验要求在下表中给出的试验条件和检验要求，其中用到的数值和确切的试验条件应按给定型号的要求以及相关标准中有关试验的要求规定。仅对第5章表中规定用途的电特性进行测试。3GBT 210391-2007IEC 60747-41：2000编写详细规范时，应选定可替换的试验或试验方法。当在同一详细规范中包括几种规格的器件时，有关条件和(或)数值应以连续的方式给出，以尽可能避免相同条件和(或)数值的重复。在

15、以下各表中，除另有规定外，引用的章条号对应于总规范的章条号，其试验方法引自GBT 12560一1999的第4章。抽样要求，按照适用的质量评定类别，引用或重新规定GBT 12560-1999的38的数值。对于A组，在详细规范中选择AQL或LTPD方案。A组逐批全部试验都是非破坏性的(366)条件除另有规定外， 检验要求极限值检验或试验 符号 引用标准 Lmb或丁c。一25 A类 B类(见总规范第4章) 最小 最大 最小 最大A1分组 GBT 45891 2006外部目检 4 2 1 1A2a分组 短路：耽洲(3玑州h。)不能工作器件 或I。，(10b)开路：vG(O1f)A2b分组 见第5章栅源

16、短路时的漏极电流 ，Dss GBT 4586 1994 43栅源截止电压 VGff GBT 4586 1994 4 5栅一源击穿电压，或 V(BR)Gs GBT 20516 2006 漏一源短路时的栅极截止电流 IG鹞 GBT 458619944 2 A4分组 GBT 20516 2006 见第5章l dB压缩点输出功率，或 P。|l 输出功率 P 1 dB压缩点功率增益 G川 功率附加效率 璃“ 噪声系数 F 相关增益 G。 B组逐批(对1类的要求见总规范26。)UL8S1Il纂篙_嚣忡A组 。一规范的E限值J 一标有(D)的试验是破坏性的(366)GBT 210391-2007IEC 60

17、747-4-1：2000条件除另有规定外， 检验要求极限值检验或试验 符号 引用标准 Tamb或t一一25 A类 B类(见总规范第4章) 最小 最大 最小 最大B1分组 GBT 4589 12006见本规范第l章尺寸 422附录BB3分组 F一(见1EC 60749：1995引出端强度 IEC 60749：1995 无损坏212引线弯曲(D)(适用时) 2，1_2)B4分组 IEC 60749：1995首选焊槽法 浸润良好可焊性 2 21B5分组快速温度变化a)空腔封装快速温度变化 IEC 60749：1995 10次循环3 1 1继之以：电测试栅源击穿电压 V(BR)cs 按A2 LSL L

18、SL或漏一源短路时的栅极截止电流 JG 按A2 USL USL栅源截止电压 V(，州f 按A8 LSL USL LSL USL密封 IEC 60749：1995细检漏 352或3 5 3 按规定粗检漏 354 按规定b) 非空腔和环氧树脂密封空腔封装快速温度变化 IEC 60749 1995 10次循环311继之以：外部目检 GBT 4589 1 20064211稳态湿热 IEC 60749：1 995 严酷度：3，24 h3 4C电测试 见a) 按a)规定B8分组电耐久性(168 h) 本标准附录A 高温反偏或工作寿命继之以：电测试栅一源击穿电压 V(s 按A2 o 8LSL 0 8LSLG

19、BT 210391-2007IEC 60747-4-1：2000B组(续)条件除另有规定外， 检验要求极限值检验或试验 符号 引用标准 t。b或丁。一25 A类 B类(见总规范第4章) 最大 最小 最大最小漏一源短路时的栅极截止电流 jG晒 按A2 10USL 10USL栅源截止电压 Vo 按A2 0 8L，SL 12UsL O8LSL 1_2USL栅一源短路时的漏极电流 IDSs 按A2 O 9LSL 1 1USL 0 9LsL 11UsLCRRL分组 B3、B4、B5和B8分组属性资料(对I类的要求见总规范26。)C组周期试验MUSbL-篡翟墨旧A组 规范的上限值J” 一标有(D)的试验是

20、破坏性的(366)条件除另有规定外， 检验要求极限值检验或试验 符号 引用标准 Tmb或t一一25 A类 B类(见总规范第4章) 最小 最大 最小 最大C1分组 GBT 45891 2006见本规范第1章尺寸 42 2附录BC2a分组 见第5章最高振荡频率 ，n。 GBT 20516 2006 最大有效增益 G1 GBT 4587 1995S参数的幅值和角度(适用时) S1l amp 4 1 136 Stl dm Sl z。p S1 2。z S。 S2l。E S22 Szz。E C2b分组漏一源短路时的栅极截止电流 ，(， GBT 4586 1994 T-规定的高温 42 vcs一(6585)

21、WosRC2d分组沟道到管壳的热阻 Rth(。) 按规定 C3分组引出端强度(适用时)拉力和(或) IEC 60749：19952 11转矩(D) 2 1 4 无损坏C组(续)GBT 210391-2007IEC 60747-41：2000条件除另有规定外， 检验要求极眼值检验或试验 符号 引用标准 t。b或I二。一25 A类 B类(见总规范第4章) 最小 最大 最小 最大C4分组 周期一6个月耐焊接热(D) IEC 60749：1995222继之以电测试：栅一源击穿电压，或 V(BR)cs 按A2 LSL LSL漏一源短路时的栅极截止电流 fG辅 按A2 USL USL栅一源截止电压 Vt鲥

22、 按A2 LSL USL LSL USLC5分组快速温度变化。a) 空腔封装快速温度变化 IEC 60749：1995 10次循环311继之以：电测试栅一源击穿电压 V(BR)Gs 按A2 LSL LSL或漏一源短路时的栅极截止电流 fG鼯 按A2 USL USL栅一源截止电压 Vo“ 按A2 LSL USL ISL USL密封 IEC 607491995细检漏 3，5，2或353 按规定粗检漏 354 按规定b)非空腔和环氯树脂密封空腔封装快速温度变化 IEC 60749：1995311 500次循环继之以：外部目检 GBT 4589120064211稳态湿热 IEC 60749：1995

23、严酷度：3，24 h24C电测试 见a) 按a)规定C6分组恒定加速度(空腔封装) IEC 60749：199525电测试 见C4分组 按C4规定C7分组稳态湿热空腔封装 1EC 60749：1995 严酷度：对于2类34A 和3类，56天；对于I类，21天7GBT 210391-2007IEC 60747-4-1：2000c组(续)条件除另有规定外， 检验要求极限值检验或试验 符号 引用标准 L。b或T0，一25 A类 B类(见总规范第4章) 最小 最大 最小 最大非空腔和环氧树 严酷度1，偏置：按脂密封空腔封装 IEC 60749：1995 详细规范规定；周3 4B 期：对于2类和3电测试

24、(两种类型) 类，l 000 h；对于I见C4分组 类，500 h按C4规定C8分组电耐久性(1 000 h) 本标准附录A 高温反偏或工作寿命继之以：电测试栅一源击穿电压 按A2 O815L O 8LSL或 V(s漏源短路时的栅极截止电流 IG站 按A2 10USL 10USL栅源截止电压 按A2 o 81皿 12UsL O8LSL 1 2USL栅一源短路时的漏极电流 V(M 按A2 o 9LsL 11USL 09LSL 1 1USIfDssC9分组高温存贮(D) IEC 60749：1995 T。，至少1 000 h32电测试 见C8分组 按C8规定CRRI。分组 c3、c6和c9分组属性

25、资料。在C8分组之前或之后的测量资料。8当连续三次试验通过，周期试验可以延长到一年一次。9 D组鉴定批准试验当要求时，这些试验应在详细规范中规定，仅用于鉴定批准。10 附加资料(不作检验用)只有规范和器件应用需要时给出，例如：与极限值有关的温度降额曲线；测量电路或补充方法的完整说明；详细的外形图；适用时，有关搬运注意事项的说明或静电放电敏感器件的标记。GBT 210391-2007IEC 60747-4-1：2000附录A(规范性附录)场效应晶体管的电耐久性试验方法A1 工作寿命的试验应在L。或T。一T。时进行，T。在降额曲线上的拐点温度rn和与20耗散点对应的温度之间选择(但是，尽可能接近T

26、b，点)，同时有：jDVmP。(规定T。，)j。I。(在电特性中规定的最小值)(A类和B类)电路条件的选择应符合下列要求：V。一可调获得要求的J。(具有相近JDss值的器件可编组进行)R。一10 ko或按规定。最好能按如下调整：RsVDsJDV。一按规定(推荐08Vos)VDD一2VDs图A1为了避免超过v。，可以与器件并联一个箝位电路。A2对耗尽型或增强型场效应晶体管，高温反偏应在如下条件进行耗尽型：VDS一0VGs一(o7o8)VGm。(推荐08倍)T-T。mb。或T。R限流电阻+增强型：V“s=0VDs一(o7O8)vDss。(推荐08倍)图A2GBT 2103912007IEC 60747-4-1：2000lOTL。一或T二R限流电阻围A3+