QJ Z 159.1-1985 整机及部件密封灌注工艺细则.pdf

1、Q.J 中华人民共和国航天工业部部标准QJ/Z159.1-85 整机及部件密封渥注工艺缰黯1985-10一们发布198510-01实施中华人民共和医航天工业部批准中华人民共和匮戴天工业部部标准整机及部件密封灌注工艺绍JiltlQJ/Z159.1-B5 1 适用范圈，本标准为采用QD23 1嵌段室温藐化硅橡胶对航天电子产品的整机或部件送行密封灌注操作的指导性文件，通过对需要密封的部位进行灌注采达到密封产品的层的，QD 2 3 1廷橡是主室温画化后为无急透碗弹这体，它具有较高幸亏抗张强度，耐高、低温，最益冲击2是便子维修等特点，主持斜，设备，主真2.1 桥斜，8. QD 2 3 1 (分子量5-7

2、万北京化工二厂礼理化剂见费苦录A)C. 表面处理剂见附录B)d. SF-7405有机硅漆见附录C)飞主牵动材辈斗s无水乙军事或丙割，硅拙，GD 4 1 4单纽份硅稼盖章或压敏股带或主是腊梅线等法漏材抖。2.2 设备，工翼轧捻真空箱撬格根据配耗量选择飞天平(;接据配料量确定辈辈度). 饶柯;(容量应太子配料量的两倍d. 玻璃棒和搅拌器e. 1离营f. t辈子、校乳橡毅、5在毫笔3 技术要求3.1 密封灌注襄面处理要求密封灌注必须在产品稠试、检验合格后进行，j1f有表jlij喷涂要求的产品应先进行喷涂工序后再进行密封灌注。对需进行密封灌注董事位除允许喷涂SF-740有机硅漆外，不允许喷涂其官类型的

3、漆。3.2 清运处理要求对被密封灌注部位的清洁处理局无水乙型享或丙酶董事拭或清洗视被灌注表团状况而定)，被密封部位均要求洁活干净保证j三污物，由垢，灰尘，多余物等。3.3 灌注部f!tB9表葛处理所有被滚注部位均要求进行表爵处理一一涂表面处理裂。视表画状况可选择下列j之-.3.3.1 产品包括需密封部位己暖、涂SF-7405有机硅漆，贼可不再进行表面处理。组应及剖进行灌注操作。3.3.2 对被撞注部位喷涂SF-740 5漆f喷裁工艺按附录C)，若采用涂或lilU吉它方法对要求涂的均匀、致密。航天工业费1985一10-01发布1985-10-01实施 1 在J/Z159.1-85 3.3.3 若

4、涂表哥哥处理Ji器11300C)E主流管一套上F水橡皮管(-套天平电炉革哥压器A.2 制备过程A.2.1 配方。重量比正硅酸乙酶50 三了基二月栓黯锡50 哇J/Z159.1-85附录A弱化费苦制备工艺A.2.2 按配比量称正硅酸乙酶二了基二月撞酸镑，置于三日瓶中，注意不超过三口窥容量的二分之一并混合均匀。A.2.3 将三p窥置于插在锅中A.2.4 电炉汹热主主浴银用海E至2罪控制至12. OOC健三口窥中fijJi在保持在11 0 oC - 1 2. 0 oC范围内，连续回旋八小网。A.2.5 耳&fijJll草液被子紫锅插上，放入湿度箱中湿度s9 5 .- 9 8，%，温度.3 5 - 4

5、 0 oC )经8小时后取出俭验有无锅操现象，无铜绿对即可使用，否要尊继续回流直至舍楼为止. . QJ /Z159.1-85 路囊S囊窟处理洒自露备工艺6.1 说窃涂表主运;Q、王军剂将自由主是为了使硅橡跤与灌注封部位的基体至好的综合，此项辈辈作应在灌注封前遂行注，此种表主主处理;!JJ与801-8聚氨酶清漆表草草粘合不可靠。6.2 配方(重量比正硅盖章乙黯分析纯)50 无水乙醇分析纯)49 础酸E分析纯)1 8.3 制备过程将磅重童般人乙醇中，I复合辈革捧至完全榕簿，再加入正硅酸乙酶，然后搅拌均匀。B.4 保警将审j备好的溶剂量子双层莹瓶中并将双层盖盖严，放在室内遗风、子燥、PJl凉处密封保

6、存。在使用前应摇晃均匀，瓶口处无白色结晶肘，方可启封建泪。 5 QJ/Z159.1-85 附录CSIi - 7 4号8窘辄硅漆喷涂工艺C.l说螺SF - 7 40 5有机硅漆是一种具有三防性能的涂覆材料，在灌注封硅橡胶之前可用它对整棍、部件、enllJll电路扳组装件及其它需要灌注封部位进行喷涂，以达到衰草草处理豹目的。芬保证建橡呈交与基体的粘合强度。C.2材辑、设备、J:AC. 2. 1辑稿，SF - 7 40 5有机硅漆哈尔滨It王研究获困I!:.JlJ(哈尔滨化工研究济甲苯正丁薄黯酸了酶无水乙醇香焦7k保护不喷涂部位窥材抖，电话纸或牛皮纸或压敏胶毅等。C.2.2混备、工具空气压缩统喷检具

7、有幸自风装置的主作会洪籍夭平瓷杯或瓷杯、量杯、玻写电棍持捧涂-4粘度计e秒表毛属或毛笔【涂疆USF-7405有机硅攘肘黑吸尘器C.3工艺远程C.3.1准备工锥C.3.1.1喷涂工序应在产品调试、检验合格后，灌注封硅橡胶之前遂行。C.3.1.2黯吸尘器去徐灌注f封部位前灰尘和多余物eC.3.1.3被喷涂麦丽应清洗手净，做5毫无泌污、灰尘、汗溃。清t:P才可采用无水乙醇手工清洗草草汽穗清洗C.3.1.4对不喷涂部位幸亏保护，根据设计文件酌要求沼电话纸、牛皮纸或压敏胶警将不咳涂部ljj主线护起来.C.3.2予拱将待哥哥涂的产品放入禁箱中，当董事撞温度65%射，以45-50.C的温度予然六小对.对不稳

8、放入然箱却整抗或部件，可不进行予袋，但应在环境温度60%的情况下，至少保持2.4 小时后方可进行领捺操作. 6 QJ/Z159.1-85 C.3.3 i12方重量比)SF - 7 4 0 5有机硅荡100 固化剂5 稀释剂配比s甲苯50%，正7醉25%，醋酸了自信25纭，按罢王比配方并搅拌均匀。将加入画F立刻的SF-7 4 0 5有祝硅主套用稽葬于!革雷锋，其中占度为14 -1 6秒(2在-25 oc绘-4粘度r儿没拌均匀后替莹30分铃。C.4 毒室涂产品子洪后应立UJ;进行喷涂操作。喷涂时喷捻应均匀地将昌在i囔在所需喽涂的部位。其厚度为1 5-主。血，要求法A革与匀绞密。若采用主主麟方法黔应

9、用毛刷戎毛笔均匀草草涂至15 -20m厚度。C.3.5族干C.3.S.1在温室F自然于直是10分钟后放入45 - 5 OOC总供箱中，连续烘12小对。若产品允许在800C然于窍，拱6-8小时即可。C.3.S.2若产品不能放入烘篇对，应在环境温度小子在0%的情况下，室温子燥24小街以上cC .3.6雯求主主有三JlJ.i性能均友蜀应喷涂两边，ap重复3.4届3.5条也内容。对全部泪硅缘战i灌注封主的表函，可只咬涂主量。C.3.7产品经过烘子后，应除去保护材料，去除对严禁甩手触摸滚层。去除后应立!iil选行下送温圣母或局部封装硅橡是主工序。C.4 质量保铲措施4.1严稳按照本王艺豹要求正确地实施喷

10、涂操作。4.2检验标准4.2.1主要旗应均匀、数密、无法瘦、麻点、针孔、堆双层等缺陷-4.2.2雪慧涂部位应符合设计文待与工艺文件的要求。C.5安全与注意事项C.5.1严禁甩手触主主漆膜。C.5.2工作间应通风良好并具有抽风设备。工作场地严禁炮火，并应备有捎防器材。环墟温度、温度条件接电子产品装配阎均要求。C.5.3主是作者主作对应戴o罩，并开启远成设备。C.5.4主要得过程中既使用均各持器血应清洁、干燥。使用后应用香练水王之剁清洗干净。C.5.S i京材料应在出广保管崩内使用。对运期的原材将使用毒草需始检主要性能指标，抽栓合格后方准许使痕。C.5.6 原材料保管:lfi.宦子室内通风、干臻、阴凉处，远离量也源，火源。并遵黯出厂说碗书妥善保管。C.5.7若f开后没有用究，需将双层釜盖严，密封保存。附加说弱，本标准自航天部二00厂负责起草。本标准起草人善玉芳。 7