SJ 50033 10-1994 半导体分立器件.3DK207型功率开关晶体管详细规范.pdf

1、中华人民共和国电子行业军用标准1 范围1. 1 半导体分立器件3DK207型功率开关晶体管详细规范内容SJ 50033/10 94 本规范规定了3DK207AI型NPN硅功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33(半导体分立器件总规范的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。1. 2 外形尺寸外形尺寸应按GB758125C，按666mW/C的速率线性1.4 主要电特性(TA25 C) 。极限hFE1 1) VCE(陆的VBE归晶的ton t, Ic =3. 75A Ic =3. 75A VcE=5.0V IB =0. 38A IB1 =0. 38A IB2 =一0.38A

2、c=3.75A CV) (s) 型号口laxI丑ax3DK207AI 红1525橙2540黄40550.8 1. 4 O. 6 2.2 绿55808012C VEBO Ic IB TJ Tstg (V) (A) CA) ( C) CC) 6 7.5 2.0 175 一55175tr fT Cob RrhJ-) VCE =10V VCB = 10V Ic =0. 5A f=0.1MHz VCE =25V f=3.0MHz h =0 Ic = 1. 3A CMHz) CpF) CC/W) mm 盯laxmax O. 4 8 600 . 1. 5 注:1) hFEJ 40各档，其误差不超过士20%;

3、hFE1 40各档，其误差不超过士10%。2 引用文件GB 4587 GB 7581 GJB 33 GJB 128 3 要求3. 1 详细要求双极型晶体管测试方法半导体分立器件外形尺寸半导体分立器件总规范半导体分立器件试验方法各项要求应按GJB33和本规范的规定。3. 2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。一2一、SJ 50033/10 94 3.2. 1 引出线材料和涂层引出线材料应为可伐，引出线表面应为锡层或操层。对引出线涂层有选择要求时.在合同或订货单中应予规定。3. 3 标志件的标志应按GJB33的规定。4 4. 1 抽样和检验抽样和检验应按G

4、JB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)器件的筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表l的规定进行，超过本规范表1规定极限值的器件应予剔除。筛选测试(见GJB33的表2)GT和GC丁级7、中间电参数测试Ic回1和hFE18、功率老化见4.3. 1 9、最后试按本规范表i的A2分组2;:,.1 Cl() 1 初的100%或150A.取较大者。4.3. 1 功率老化条件功率老化条件如下:TI=162.5士12.5C VCE =25V Pot二三50W4.4 质量一致性检验;:hFE1 初始值的士20%质量一致性检验应

5、按GJB33的规定进行。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表l的规定进行。4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33句本规?在表2的规定进行。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB沁相本规范表3的规定进行。4.5 检验方法检验方法应按本规范相应的哀和不列规定。4. 5. 1 脉冲测试脉冲测试应按CB128的3.3.2、1的规定。一3一SJ 50033/10 94 4. 5. 2 热阻热阻测试应按GB4587的2.10和下列规定。a. 加功率时的Ic= 1. 3A; b. VCE 25V; c. 基准温度测试点应为管亮;d. 基准点温度范围为25C运Tc运75C，实际温度应记录;

6、e. 安装应带散热装置;f. Rth(i-c)的限值应为1.50C /W 0 4.5.3 c组寿命试验C组寿命试验应按GJB33和本规范的规定进行。4. 5.4 恒定加速度恒定加速度试验应按GJB33和本规范的规定进行。表1A组检验GB 4587 检验或试验LTPD I符号方法条件A1分组外观及机械检GJB 128 2071 5 A2分组集电极一发射极击穿电压3DK207A 3DK207B 3DK207C 3DK207D 3DK207E 3DK207F 3DK207G 3DK207H 5 本规范|发射极基极开路附录A1 lc =5mA V(BRlCEO 4一极限值mm 盯lax单位30 50

7、80 110 150 200 250 300 VVVVVVVV SJ 50033/10-94 续表1GB 4587 极限检验LTPD I符号单位方法条件盯1mmax 基极发射极2.4 Ic = 3. 75A V BE(satJ 1. 4 I V 饱和电压lB=0.38A 正向电流传输比2. 8 Vn: =5. OV hFE1 15 25 1(、=3. 75A 25 40 40 55 55 80 80 l?O A3分组10 高温工作TA =125士5C集电极一基极2. 1 发射极基极开路1 CIl()2 3. 0 I mA 电流VCB =0. 7Vc削低温工作TA=-55C 正向电流传输比2.8

8、 VCE =5. OV 人=3. 7SA hFEO 7 脉冲法(见4.5. 1) A4分组5 出电容2. 11. 3 I VCB = 10V 600 pF h =0 j=O.lMHz 导通时间A.4 Ic =3. 75A s A.4 lB1二0.38AA.4 lB2 =一0.38A贮存时间A. 4 Ic =3.75A s 181 =0.38A lB2二0.38A时间A. 4 Ic =3.75A s lB1 =0. 38A lB2 =0. 38A A5分组10 安全工作区Tc =25 C (直流)t = 1s，单次试验1VCE = 13. 3V Ic =7. 5A 试验2VCE =30V Ic

9、=3. 3A 试验3VCE =50V 3DK207B-I Ic =1.0A 试验4VCE =80V 3DK206C Ic =340mA 一5SJ 50033/10 94 续表1GB 4587 极限值检验或试验LTPD 符号单位方法条件口1tn口lax3DK207D VCE= 1l0V Ic =154mA 3DK207E Vn: =150V lc =74mA 3DK207F VCE =200V Ic =37mA 3DK207G Vn: =250V Ic士22mA3DK207H VCE =300V Ic =14mA 3DK207I VCL =350V Ic = 10mA 最后测试见表4步骤1和3表

10、2B组检验GJB 128 检或试验LTPD 方法条件81分组15 可2026 标志耐久性1022 82分组低温-55C10 热冲击(温环)1051 其余条件见f牛F密封1071 试验条件Ha、细试验条件Fb、粗检最后测试见:衷4步骤l和383分组T, =162.5土12.5C 5 稳态工作寿命1027 VCE =25V P ,m 50W 最后测试见表4步2和4B4分组开帽内部目检2075 每批1个器件，(设计核实)0失效强度2037 试验条件A20(c=0) B6分组7 高温寿命(不工作)1032 TA =1750C 最后测试见表4步2和46一SJ 50033/10 94 表3C组检验GJB

11、128 极限检验或试验LTPD 符号单位方法条件盯unmax C1分组15 外形尺寸2066 见图1C2分组10 热冲击1056 试验条件B(玻应力)引出端强度2036 试验条件A密封1071 a、细检试验条件Hb、粗检漏试验条件F综合温度/湿度周期试验1021 最后测试见表4步l和3C3分组10 冲击2016 按总规范变频动2056 按总规范亘定加速度2006 按总规m: 最后测试C4分组15 盐气(侵蚀)(适用时)1041 C6分组 = 10 稳态工作寿命1026 Tj=162.5士12.5C Tc =100 C VCE士25VP ,o, = 50W 最后测试见表4步骤2和4C8分组15

12、热阻GR 4587 VcE=25V 2.10 Ic= 1. 3A Rthl C) 1. 5 C/W 表4A组、B组和C组最后测试GB 4587 极限值检验符号单f立方法条件町un盯laXl 集电极基极截止电流2. 1 发基极开路Ic田1O. 3 mA VCB=VCBO 2 集电极基极电流2. 1 发射极基极开路Ic酣1O. 6 mA VCB=VCBO 一7一SJ 50033/10 94 续表4GB 4587 步骤检验符号方法条件3 正向电流传比2.8 VCE =5. OV hFE1 Ic =3.75A 4 正向电流传输比2.8 VCE=5.0V t:. hFE1 1 ) Ic =3. 75A

13、注:1)本测试超过A组极限值的器件不应接收。5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求要求应按GJB33的规定。6 说明事项6. 1 合同或订货单可规定要求的引出线材料和涂层(见3.2. 1)。6.2 如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。6.3 直流安全工作区(见图2)。一8一极限值单位mm 口lax15 25 25 40 40 55 55 80 80 120 初始值的土25%SJ 50033/10 94 100 20 Tc =2st ,$ 10 7.5 3DK201B u h啕时属Sd导耐霄咄

14、咄3.0 1. 0 1 3DK2071 0.01 1 10 30 50 80 100 :!OO ,400 10QOi 集电租一友身愤唔压V，(V). 图23DK207直流安全工作区一-9 A1 目的SJ 50033/10 94 附录A极一发射极击穿电压测试方法(补充件)本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的A2 S R, 十 电压源VCE 叮。A 注:在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电压表读数作因电流表压降的校正。图Al集电极一发射极击穿电压测试电路A3 测试步 限流电阻Rl应足够大，以避免过渡的电流流过晶体管和电流表。限。施加规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(出口。的最低极限，晶体管为合格。本测试方法企图表现晶体管的负阻击穿特性，在这种情况下，必须使晶体管的集成电极电流及结温保持在安全值以内。A4 条件a. 环境温度TA;b. 测试温度Ic。附加说明:本规范由中国电子标准化研究所归口。本规范由衡阳市晶体管厂负责起草。本规范主要起草人:夏贤学、欧阳映和计划项目代号:H901001、H90100Z一一1 0一一