SJ 50033 135-1997 半导体分立器件.2CZ10型硅开关整流二极管详细规范.pdf

1、BJ 中华人民共和国电子行业军用标准FL 5961 SJ 50033/ 13597 半导体分立器件2CZ10型硅开关整流二极管详细规范Semiconductor discrete devices Detail specification for type 2CZ 10 silicon switching rectifier diode 1997唰06-17发布1997-10-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准1 范围1. 1 主题内容半导体分立器件2CZ10型硅开关整流工极管详细规范Semiconductor discrete devices Detail sp

2、ecification for type 2CZ10 silicon switching rectifier diode 时50033/135-97 本规戒规定了2CZ10BJ型磁开关整流二极管（以下简称糯件）的详细要求。1.2 适用班回本规范适用于器件的研制、生产和果购。1.3 分类本规植根据辅件质最保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级按GJB33（华导体分立器件总规施）1.3的规定，提供的产品保证等级为普草、特军和超特旦在三级，分别用学母GP,GT和GCT表示。2 引用文件GB 4023-86半导体分立器件第2部分赞流二极管GB 6571-86 小功事情号二极智、稳压及基准电压二极

3、管测试方法GB 7581-87 申导体分立器件外形尺寸GB 3385 年导体分立器件总规范GB 128 86 半导体分立器件试验方法3 要求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规施的规定。3.2设计和结构精件的设计和结构应按GJB33和本规范阁1的规定。3.2. 1 引出端涂鹿中华人民共和国电子工业部1997-06斗7准布1997斗。帽01实施时50033/135叩97引出端褒即应镀惕，在不影响器件性能的情况下，对引出端涂层另有要求时，应在合同或订货单中规定（见6.2）。3.2.2器件结构在芯片的两固和引线之间采用高翻治金键合结构。3.2.3 外形尺寸外形尺寸脱符合GB7581的D2一

4、10A础及如下规定。见回lo一个俨EI L丁一才一li mm D2叩lOA口unmax b2 0.72 0.87 D 3.5 G 5。L 25 Li 1. 5 句，IM 12.5 由：L1为寻绒弯酣成直角腊器件安装的最小轴向长度。回1外形因3.3 最大额定值和主要电特性3. 3. 1 最大额定值一2” 50033/ 135-97 1) IFSM VRSM YRwM Io Io口lA型号TA=40 v v TA=60 tp=lOms A A 2CZ10防150 100 2CZ10C 300 200 2CZ10D 450 300 1.0 30 2CZ10E 600 400 2CZ10F 750 5

5、00 2CZ10G 900 600 2CZ10日1050 700 一2CZ10J 1200 800 性；l)TA60时，按8.7mA/的速率线性地降额3.3.2 主要电特性（丁A=25）极VFMI IRI 限IFM=0.3A VR骂骂VRWM 值v A 到号最大值最大值2CZ10 1. 6 5.0 B J 3.4 电测试要求电测试应符合GB4023和GB6571及本规甜的规定。3.5 标志TOP T sta 低气压 Pa 55 150叫55175100 4000 IR2 VR= VRWM t( rr) TA= 125 s A 最小值最大值100 1. 0 器件标志应符合GJB33的规定。型号际

6、志可不限于一行内。制造厂可省略下列报志：a) 产品保证等级；b) 制造厂厂名、代号就商怀；c) 检验批识别代码；d) 型号命名中的2C部分。3.5. 1 极性标志：锵件的负极端来用鲜明的色带标记，以示出器件的极性。4 质嫌保证规定4. 1 抽样和检验抽样和检验成按GJB33的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。3一创50033/135叩974.3 筛选（仅对GT和GCT级）。筛施应按GJB33我2和本规艳的规定。其测试应按本规范表1的规定进行。超过本规施表1极限值的器件应予剔除。筛埠测试或试验（见GJB33的我2)3.热冲击（温度循环）试验条件：趴1，循环：20l:t 植皮：5

7、54.假定加速度（不适用）5.懵封（不适用）7.中间电参数测试VFMI和RI功率者炼条件如下：TA=25 Io= 1.0A 8.功率者炼VR:;: VRWM f= 50协正磁半被按本规？自我1的A2分组9.最后测试MRI初始值的100%或3.A，取校大者I .:lVFMI I O. lV 4.4 质量一致性检验质盘致性检验应符合GJB33的规定。4.4. 1 A组检，验A组检验应按GJB33和本规报表1的规定进行。4.4.2 日组检验日组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化最（.1）要求应按本规报表4相应步骤的规定进行。4.4.3 C姐检验C组检验股按GJB33和本规施表3

8、的规定进行。最后测试和变化最（.1）要求应按本规施表4相应步骤的规定进行。4.5 检验和试验方法检验和试验方法应按本规范相应的我和下列规定：4.5. 1 稳态工作好命在二极管的反向施加规定的正弦半波峰值电IEVRWM，接着在正向施加规定的正弦半波平均强流电榄Io，整流电流的正向导通角应不大于180，不小于150。4.5.2 脉冲测试脉冲测试成按GJB128的3.3.2.1规定。一4SJ 50033/ 135叫97我1A组检验GB 4023 极限值检验或试磁LTPD 符号单位方楼条仲最小值最大值Al分组GJB 128 外观.机械检磁2071 s A2分组s VFMl 一1.6 v iE向电压IV

9、-1.2.3 FM四3.0Atp嚣!Oms占空因敷2%反向电流IV1.4.1 v.: VRWM RI 一s JAA3分组s 高温工作TA码125正向电压IV1.2.3 IFM=3.0A VFM2 一1.6 v tP= !Oms 占?i!因数2%反向电流IV1.4.1 VR= VRWM IR2 一100 A 低植工作TA白山55正向电流IV-1.2.3 JFM=3.0A tp= lOms VFMJ 一1. 9 v A4分组反向恢复时间GB 6571, 1” 一J.S2.1.4.2.2 IF出SOmA,V R = lOV, Rt 750 脉冲前陆小于0.1 t,. A6分组10 ？良捕电流IV3.

10、1 TA=40 JFSM= 30A tp = lOms Io= 1. OA 周被数与情涌数均为l 最后测试：见亵4步骤1和3表2B组检验GB 128 检验就试验L丁PD方法条件Bl分组15 可煤性2026 标志耐久性1022 阳分组10 热冲击1056 试验条件日（玻璃股力）最后测试：见表4步骤1和3一5一旧50033/135甲97旗表2GB 128 检磁就试蹄LTPD 方法条件m分组5 稳态工作寿命1027 TA=25，VR= VRWM Io= 1.0A,/=50陆正弦半披最后测试：见我4步骤2和4阳分组7 高晦寿命1032 TA嚣175（非工作状恋）最厨测试：见费4步骤2和4费3C组检验G

11、B 128 极限值单位幢幢就试揄LTPD 符号方法条件最小馆最大俑Cl分组15 外形尺寸2066 见酣i口分组10 热冲f告1056 试验条件B（玻璃股力）引出端强度2036 拉力试验条件AW= 1500g, t = 15土3s锦命温度榄皮1021 周期试揄外观及机构检验2071 最盾测试：见表4步鞭1和3臼分组10 低气压1001 试验条件D（仅对注200V以上的器件）t =60s 试瞌期间测试反向电流GB 4023, RR YRWM IV1.4. l Rl 一5 A al分组;. = 10 稳态工作寿命1026 TA=25 VR= YRwM Io= LOA f= SOHz iE弦学披最后测

12、试：见费4步骤2和46一鼠J50033/135-97 表4A组、日组和C组最后测试GB 4023 步骤幢揄符号方挫条仲iE向电压lY.1.2.3 IFM: 3.0A VFMI tp= 10ms 2 正向电压ITM=3A i:1V阳1的变化占空因数2%3 反向电榄IV1.4.1 VR: VRWM IR1 4 反向电流IY.一1.4.1 VR= VRWM i:1f Rt I) 变化注：1)本测试越过A组耀眼值的器件不应接受。5 交货准备5.1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB汩的规定。5.3 遥输要求运输要求应接GJB33的规定。喝说明事项6. 1 预定用途符合本规洒的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2 订货资料合同或订货单位规定下列的内容：也本规甜的名称和编号b. 等级（见1.3.1)c. 数量d. 需要时，其它要求。6.3 对引出端材料和撒展有特殊要求时，应在合间或订货单中规定。6.4 如需要时，典型特性翩销等吁在合同或订货单中规定。极限值单位最小值最大值一1.6 v 士；0.11v 一s .A 初始值的100%或3队，.A 取较大者7一时50033/135“97附加说明：本规施由中国电子技术标准化研究所归口。本规部由中国电子技术部准化研究所起草。本规范主要起幕人：蔡仁明、王保帧。计划项目代号：B51045o 8