SJ 50033 140-1999 半导体光电子器件 3DA502型硅微波脉冲功率晶体管详细规范.pdf

1、B.J 中华人民共和国电子行业军用标准FL 5961 SJ 50033/14099 半导体分立器件3DA502型硅微波脉冲功率晶体管详细规范Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DA502 silicon microwave pulse power transistor 1999.02.02批准1999-07.01实施中华人民共和国信息产业部批准1 范围中华人民共和国电子行业军用标准卒导体分立器件3DA502型硅微波脉冲功率晶体管详细规范Semiconductor discrete devic甜Detail

2、specification for type 3DA502 silicon microwave pulse power transistor 1. 1 主题内容SJ 50033/140-99 本规市规定了3DA502自硅微披脉冲功感晶体管(以下简称器件)的详细要求。1. 2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和来购。1. 3 分类本规施根据器件质量保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级按GJB33A-97半导体分立器件总规范)1.3的规定，提供的质量保证等级为普军级、特军级和越特牢银三级。分别用字母JP，JT和JCT表示。2 51用文件GB 4587-94 双极型晶体管测试方法GJB

3、33A-97 啡导体分立器件总规范GJB 128A-97 半导体分立器件试验方法3 要求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33A和本规班的规定。3.2 设计和结构器件的设计和结掏应按GJB33A和本规范的规定。3.2.1 引出端材料和镀涂牍发射极和集电极引出端材料为可伐含金带，基极引出端为鸽锢，引出端表面镀金。3.2.2 器件结构中华人民共和国信息产业部1999-02-02发布1999-07-01实施SJ 50033/140一99本器件是采用磁外延平团结构的NPN翻晶体臂，并具有阻抗匹配网络。3.2.3 外形尺寸外形尺寸见图1充一一发射极B基极C集电极因1外形罔3.3 最大额定值和主要电特性

4、3.3.1 最大额定值:生(PMI V到3Tc=25t w V 3DA502A-C 51 65 Vm) V 4 注:1) T25t时按0.29W/K钱性降额。代号A bx 灿.:J by C e G L F D R Q q U1 Ic 过撒励VSWR2) 输出端A dB 8 3:1 一一2) 3:相位抗央配在540M胁和610MI-如两点拉驻波(Po120W)。3.3.2 主要电特性(TA=25t) 一2一尺mm 3.58 3.58 0.09 10.3 9.75 2.0 1. 37 一一2.9 16.2 22.7 引 200 盯1m寸nom 院lax一6.0 一3.78 一3.78 0.15

5、13 一10.25 一4.0 1. 67 3.2 1. 6 一一3.2 16.8 一23.3 丁stg 由65-200时50033/14099hFE1 1) V侃酣100 极V mA 限值VCE嚣5Vlc出2AVCB=37V Ic=2A IB: 300 IE捕。mA 型号黯小最大最大最大3DA502A 3DA502B 10 佣0.6 l 3DA502C 挫:1) :t流法测试。2)允许带内战动1.5dBo3.4 测试要求电测试应符合GJB33A及本规般的规定。3.5 .标志器件上应有如下标志;a) ff件型号;b)质最保证等级;c) ;承制方标志:d)极性标志。4 质量保证规定4. t 抽样和

6、检验抽样和检验按GJB33A和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验按GJB33A和本规范的规定。4.3 筛选(仅对JT和JCT级)Gp 顶降dB (dB) Vcc = 37V, !o;540-610MHz Pi出20W(A，B, ;Pi口18W(C)tw= 500间，D=15% 最小最大最小最大6.0 7.0 7.0 8.0 50 0.5 8.0 9.0 一R由(j- c) VSWR K/W 输入端Ic=2A Vcr=17飞tw1ms 最大最大3.4 2:1 筛选应按GJB33A表2和本规施的规定进行。其测试应按本规?在我1的规定进行，超过本规班牙是1极限值的器件应剔除。筛选要求筛边试撞方法

7、条件见GJB33A表2GJB 128A方法JT和CT级2 商也寿命1032 任选3 蝇皮循环1051 试验条件孔20次4 假定加速度2006 9800mN. Yt方向10 商也反偏1039 T A = 150C, V cr 37V, t :-;: 48h 11 中间测试hFF.t.1coot 一3一SJ 50033/140-99 筛选要求筛选试验方法条件见GJB33A表2GJB 128A方法JT和JCT级12 功率老炼1039 Tj 187.5士12.5tV胃口VP tut;:20W.160h 13 最后测试Mc&:为初始值的100%或0.5mA取较大者，lllhFEI运初始值20%4.4 质

8、盘一致性检验质量一致性检验应按GJB33A和本规范的规定进行。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33A和本规施表1的规定进行。4.4.2 日组检验日组检磁Ji按GJB33A和本规施表2的规定进行。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33A和本规榄表3的规定进行。4.5 检验和试脆方楼检验和试验方法应按本规施相应表中规定的方法进行。4.5.1 1豆流参数测试或脉冲测试应分别按GB4587或GJB128A相应方法测试。表1A细检验GB 4587 除非另有规寇，符号极限值检验或试验TA=25t 单位抽样方案1)1i 怯条件最小最大Al 分组GJB 128A LTPD=5 外观及机械检验2071

9、 A2分组116(C=0) 集电极一基极IV. 1. 10.2 发射极开路V(BR) 00 65 一V 击穿电压lc口10mA发射极基极IV. 1. 10.2 集电极开路V(BR)跑到34 一V 击穿电压lB= 10mA 集电极一基极lV. 1. 2.1 发射极开路IIl()I 一1 mA 截止电流V=37V 正向电流传输比IV.2.7 VE=5V, Ic口2AhFEl 10 90 集电极发射极lV. 1. 4.1 Ic=2A VE(皿一0.6 V 饱和电压IB=0.3A 发射极基极IV. 1. 2.2 集电极开路IE盼一3 mA 截止电流VE =2.5V -4一SJ 50033/140-99

10、 缤亵1GB 4587 除非另有规定，符号极限值检验就试验TA=25t 单位抽样方案。方法条仲最小最大A3分组116( C: 0) 商掘工作集电极一基槛IV. 1. 2.1 TA= 150t I阳一10 mA 截止电流VcB=37V 低掘工作正向电流传输比IV.2.丁T=由55(:hFEO 5 一V=5V.Ic=2A 直流法A4 分组116(C辑。)功率增援附最AVcc=37V 3DA502A 10= 540-610MHz 6.0 7.0 Pj=20W(A，日)GlJ dB 3DA502B Pj= 18W(C) 7.0 8.0 tw拙5003DA502C D嚣15%8.0 9.0 挫:1)当样

11、本母敢不能满足抽样要求时，可来用GJB3385规定的抽样方案;小批量质量一致性检瞌时的A组检监可100%进行。2)允许带内披动1.5础。表2日组检验抽样方案鉴定被验和小批量的GJB 128A 大批量的极限值检验或试验质量一致性质最一致性检验检验方法条件LTPD n/c 最小最大B1分组15 4/0 可焊性2026 耐槽荆1022 日2分组10 6/0 热冲击(温度确环)1051 试验条件F.25次密封试验1071 a.如检漏试验条件H1P=4个大气压一5阳50033/14099镇表2抽样方攘晦定幢盼和小批量的GJB 128A 民批撒的极限值检磁就试瞌回撒一致性质最一致性检黯恤黯方法条件LTPD

12、 n/c 最小最大t=4h 10 6/0 50mPa cm3 / s b.粗检漏试磁条件C最后测试我4步骤1，3，4四分组稳态工作寿命1027 340h Tj嚣187.5士12.5t，5 12/0 V: 10V, P 1DI20W 最后测试我4步骤2.5巴4分组开帽内部目检2075 目检标准搬鉴定时的设计每批1个(设计验证)器件零央效键合强度2037 可用电参数不合格的器LTPD= 10 件.3巨少三个器件C=l 日5分组GB 4587 V: 17V. Ic出2A15 6/0 一3.4 热阻(EB正向法)IV.ll 2StTc70t K/W twlms B6分组TA=2t ,340h 7 12

13、/0 高温寿命(不工作)1032 最后测试表4步黯2，5一一一一一一一一褒3C组检验抽样方案GJB 128A 鉴定检验和大小批量的质最检验和试验批酷的质量一一致性检验致性检黯n/c LTPD 方怯条件Cl分组2066 见阁1规定尺寸15 6/0 外形尺寸分组10 6/0 热冲击(玻璃应力)1056 试验条件A一6一时50033/140-99续表3抽样方案GJB 128A 鉴定揄验和大小批麓的质量检瞌和试瞌批量的质量一致性检磁一致性检揄n/c LTPD 方法条件引出端强度2036 试瞌条件A，F= 5N, t 108 10 6/0 受试寻|钱数:2密封t1071 a.细检漏试验条件Hl，P=4个

14、大气压，t坦4h，SOmPacm3/8 b.粗检捕试瞌条件C耐摄1021 外观及机械检验2071 最后测试褒4步骤1，3，4C3分组10 6/0 冲击2016 9800m/ ,2,0. 5ms 扣频掘动2056 值2在加速度26 9800mN Yl方向最眉测试我4步醺1，3，4c6分组1000h，同B3分组12/0 稳态工作寿命 = 10 1026 最后测试表4步黯2，5注:来指明的分组不适用。表4B组和C组的最后测试GB4587 极限值步3廉条件符号单位检瞌方法最小最大1 集电极一越幌lV. 1. 2.1 发射极开路Ic盼一1 mA 截止电流VCB出37V2 集电极基极IV. 1. 2.1

15、发射极开路Icw: 一2 mA 截l.l:电流VCB= 37V 3 集电极一发射极lV. 1. 4.1 Ic=2A 0.6 V 饱和电压IB=0.3A V臼蝇。4 lE向电流传输比IV.2.7 V=5V Ic踹2Ah陀t10 90 5 1E向电流传输比IV.2.7 VCE=5V Ic=2A Ih陀1)1初始值的土30%注:1)对于本试验，崩过A组检舱极限值的器件不服接收。一7一即50033/140-995 3c货准备5.1 包装要求包装要求应按GJB33A的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33A的规定。5.3 远输要求运输要求应按GJB33A的规定。6 说明事项6.1 预定用途符合本规

16、洒的器件供新设备设计使用和供现有设备的盾勤保障用。6.2 订货资料合同和订货单应规定下列内容;a.本规范的名称和编号;b.等级(见1.3.1);C.数最;d.需摆时，对顶降，过激励、抗失配检脆等其它要求。一8制50033/14099附录A微波功事晶体管输出功率Po及功司在增益Gp测试方法(补充件)Al 目的测黛晶体管在规定条件下的射频输出功率及功率增益。A2概因闺中:G为射频功率情号糖1I为隔离锦;Nt为输入匹配网络;N2为输出匹配网络:CM为被测晶体管电路;B为直流偏置电路;?为射频功率计。A3 电路说明和要求图Al在400MHz以下测试时，输入及输出匹配电路一般采用集总参数电路。在400M

17、Hz至5GHz测试时应采用分布参数电路(如三短线同轴调配器)。功率信号源一般是连续的正弦倍号，其频率准确度和稳定度应够商，二次、二次i皆被分量应足够小。若为脉冲或其它倍号应该特别应明。隔离器的反向隔离度应足够大，以减小测试过程中影响信号源输出的稳定性。射频功事计的指示反应要迅速，惰性不能大，但功率指示值不应与波形有显著的关系，一般需选用最热式功率计。测试系统的插入损能应足够小，对Po及Gp的影响可以忽略不计。A4 测试步骤按电原理图Al把A、日两端直接相联，调节信号源输出大小使功率计上的指示达到规定的输入功率Pi值。再接入匹配电路及被测晶体管，加上直流偏置工作点，调节匹配电路使输出功事增大。在光寄生振荡及严意波形崎变情况下，反复调节输入、输出匹配电路以达到最佳工作状时50033/140-99态。读出输出功事Po值并按Gp=问2叫算Gp值。A5 规定条件环境温度(TA)或管亮榄皮(Tc); 测试频率(j);输入功率(Pf); 集电极一发射极电压(VCE)(共发)或集电极蒜极电压(VCB)。附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规班由中国电子技术栋准化研究所、电子工业部第十三研究所、第十四研究所、第五十五研究所和航天工业总公司第九研究院负资起草。本规施1:要起草人:蔡仁明、顾振球、商坚钢、钟志新、禹继芳。计划项目代号:B71023o一10一