1、S.J 中华人民共和国电子行业军用标准FL 5961 SJ 50033/141-1999 半导体分立器件2EK150型耐化嫁高速开关二极管详细规范Semiconductor discrete devices Detail specification for type 2EK150 GaAs high speed switching diode 1999什卜10发布1999什201实施中华人民共和国信息产业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件2EK150型碑化鲸高速开关工极管详细规范SJ50033/141 1999 1 范围1. 1 主题内容Semiconductor discre
2、te devices Detail specification for type 2EK150 GaAs high speed switching diode 本规范规定了2EK150型肺化锦高速开关工极管(以下简称器件)的详细要求。1. 2 适用跑回本规跑道用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级按GJB33A半导体分立器件总规m1.3.l的规定,提供的器件质量保证等级为普车、特军和超特军三级,分别用字母JP、JT和JCT表示。2 引用文件GB厅65711995半导体器件分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管GJB 33
3、A-97 半导体分立器件总规?在GJB 128A-97 半导体分立器件试验方法3 要求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33A和l本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、钻构和外形尺寸应按GJB33A和本规范的规定。3. 2. 1 引线材料和镀涂引线材料沟可伐,引线镀涂为镀金。3. 2.2 外先材料外先材料为金属陶瓷封被材料。中华人民共和国倍思产业部1999什卜10发布1999-12-01实施SJ 50033/141 1999 3. 2. 3 器件结构引申化惊GaAs外延材料,肖特基势企扁平做带空脱封载。3.2.4 外形尺寸器件的外形尺寸应按本规范的规定(见图I)。D 正级L
4、口1m尺寸符号数债尺寸符号数值最小标称最大最小标称最大B 0.6 一0.9 H 1.3 1.8 c 0.1 0.14 L 10.00 2.8 3.2 L1 1.2 1.5 图13. 3 最大额定值和主要电特性3. 3. 1 最大额定值/fl) VR /FSM Top 几tgmA v mA 。c。c35 25 50 一55125-55150 注:I)几25C时,技0.35mA/C线性降额。句,“SJ 50033/141-1999 3. 3.2 主要电特性(几吃5C)VF /R C阳tIrr v A pF ns /p=IO mA VR=25 v 几0户lMHz 护!Om人,R=lOkQ VRM =
5、6 v 最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值耻大值l,。一1.0 0.5 0.4 3.4 电测试要求也测试应按GB!T6571及本规范的规定进行。3.5 标志根据器件的特点,只耍求极性标志,按图l识别。器件包装盒上的标志应按GJB33A 的规定。4 质量保证规定4. 1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33A和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33A和本规范表2、表3、表4平I哦5的规定。4.3 筛选(仅对J丁级和JC丁级)筛选的步骤和条件应按GJB33A表2和本规?在表l的规定。其测试应按本规范农2的规定进行,超过表2极限值的器件应予剔除。表l筛选筛选试验方法条件I.内部目
6、检(封帽前)2073 2.商报寿命1032 非工作寿命汇tg=150C,户48h (稳定烘;惜)3.瓶度循环1051 25 C时不要求停顿,试验条件日,但由温为150c. (空气一空气)循环20次,t(在南、低温下的时问)!Omin。1良涌4066 试验条件B./FsM=SO mA, n=4 4.恒定加速度2006 YI方向,加速度为196000 m./s2,不要求保持lmin. 7.密封1071 a,组II检漏a.试验条件HI:b.粗检漏b.试验条件C。11. PDA的中间也测试和(6)变化盘VF、R12.功率,t炼1038 TA=25 C, /F=35 mA, t=96 h 13.终点测试
7、PDA的中间测试也参数的(6)变16 VF I 10% IVD 化监16 /RI 0.5 A;& 100% !VD取较大荷句、,】SJ 50033/141 1999 4. 4 质结致性检验质鼓一致性检验应按GJB33A和本规范的规定。4. 4. 1 A细检验A细检验应按GJB33A和l本规范表2的规定进行。4.4. 2 B细检验B细检验应按GJB33A和本规范表3的规定进行。4.4. 3 C组检验C细检验应按GJB33A和本规范表4的规定进行。4.5 检验和1试验方浩检验和试验方法应按本规范相应表的规定。表2A组检验检验成试验OBIT 6571;第W章第1节抽样方案符号极限值单位方法条件瑕小最
8、大1分组(PPM3)LTPD=5 外观无缺损引线无明显目检和机械检验GJB 128A 锈蚀。2071 2分组(PPM-2)116 正向电压2 乌lOmA(C=O) VF 1.0 v 反向rl!i成VR=25 v /R 一1.0 A 3分组(PPM2)116 商撤工作TA=I25 C (C=O) /R IO A 反向电流VR拮20V低描工作TA:d:.55。cVF 1.0 A 正向电压2 lOmA 4分组(PPM-2)116 总r1?,容3 VR=O, (C=O) clot 一0.5 pf 产1MHz 反向恢复时间4. 2 儿lOmAt 0.4 ns VRM=6 v R=IO kQ 5分组(不适
9、用)6分组(不适用)一4-SJ 50033/141 1999 表3日细检验GJB 128A 鉴定检验小批量的和质盘一质最一致检验成试验致性检验性检验方法号条件抽样方案n/c l分组LTPD=l5 4 (C=O) 口J焊性2026 可用同批中电参数不合格的样品抽样方提适用于要检验的引钱数,至少应试验3只器件。2分组LTPD=lO 6 (C=O) 温度循环1051 在25C时不要求停顿,试验条件日,但(空气一常气)高涵为150吧,循环25次,t(在高、低温下的时间).;:?;I 0 min. 地涌4066 试验条件日,FsM=50mA, n叫密封1071 a.细价漏a.试验条件HI;b.啊!枪漏b
10、.试验条件C。终点测试我6步骤1、33分组LTPD=5 12 (C=O) 稳态工作寿命1027 马35mA,户340h,几25C 终点测试表6步骤2、44分细(不适用)5分组(不适用)6分组LTPD=7 12 (C出0)高温寿命1032 只tg=l50C t=340 h (不工作)终点测试表6步骤2、47分组I)LTPD=IO 6 (C=O) 惦定力n速度2006 YI方向,经少1min,加速度为196 000 m/s2. PIND (校子碰撞噪声2052 试验条件A.检测)终点测试表6步骤l、3注:I)该组试验仅适用于JT和JCT级器件J 检验戒试验方法号1分组物理尺寸2066 2分组热冲击
11、1056 (液体一撒体)引线强度2036 (弯曲应力)密封1071 a.细检漏b粗检漏耐湿1021 外观检查2071 终点测试3分组冲击2016 拍频振动2056 恒定加速度I)2006 终点测试4分组(不适用)5分组(不适用)6分组稳工作寿命1026 终点测试SJ 50033/141 1999 表4c组检验GJB 128A 条件按本规姐回1试验条件A试验条件F,加作用力为0.833N的重物,时间为15s。a.试验条件Hl:b.试验条件C。省略预处理条件。外观无快损,引线无明显锈蚀。表6步骤1、3不工作,按14700 m/s2, 0.5 ms在Xl,YL Zl方向上各冲击5次。Yl方向,至少l
12、min,加速度为196 000 m/s2。表6步骤i、3IF=35 mA t=l 000 h 表6步骤2、4性:1)当日组完成了此项试验时,在此不要求再进行。由6叩鉴定检验小批盘的和质量质最致致性检验性检验抽样方案n/c LTPD=15 6 (C吨)LTPD叶。6 (C=O) LTPD=lO 6 (C=O) A口1012 (C=O) SJ 50033/141一1999表5E组检验(全部质锺等级)(仅供鉴定)GJB 128A 检验成试验LTPD 方法条件1分组to 温度循环1051 在25C时不要求停顿试验条件日,但高温为150C, (空气一帘气)循环50次,t(在南、低温下的时间);: 10
13、min. 终点测试表6步蝶1、32分组(不适用)3分组(不适用)4分组(不适用)5分组(不适用)表6B组、C组和E组的终点测试步骤测试GB/T 6571:第4章第1节符号极限值单位方法条件最小最大应向电Ji2 伊IOmAV誓一1.0 v 2 正向电压2 伊lOmAV誓一1.2 v 3 反向电流VR=25 v /R 一1.0 A 4 反向电流VR=25 v /R 2.0 A 5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33A的规定。5. 2 贮存要求贮存要求应按GJB33A的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33A的规定。6 说明事项6. 1 预定用途用于各种军用设备的开关电路中。6. 2 订货文件内容合同或订单中应规定下列内容:a. 本规范的名称和编号:b. 器件型号:c. 产品保证等级(见1.3.l); d. 数量:e. 如果引线不是镀金,应规定镀层:f. 如果引线长度不同于罔1,应规定引线长度:g. 如果使用单位需要时,典型特性曲线等可;在合同现订货单中规定;1甲SJ 50033/141 1999 h. 需要时,其他要求。附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由民春市半导体广负责起草。本规范主要起草人:陈兰朱若来。计划项目代号:B71008o响8呻
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