SJ 50033 16-1994 半导体分立器件.3DK307型功率开关晶体管详细规范.pdf

1、中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件3DK307型功率开关晶体管详细规范SJ 50033t16一-941范1. 1 内容本规范规定了3DK307AG型NPN硅功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33(半导体分立器件总规范的规定，提供产品保证的二个等级(GP、GT和1GCT级)。1.2 外形尺寸外形尺寸应按GB7581(半导体分立器件外形尺寸的B2-01C型及如F规定(见困1):t号B2一1C符号T口llnno盯1max A 8.63 12. 19 1b, 1. 52 1b, O. 966 1. 092 1. 52 1r J. 81 4.21 q :2). 90 30.40 R

2、J 13.58 一一1飞1. 82 Ei 11).89 flO. 13 27. 17 一5(MI R, 2-世P与R, q U, 吃韩、斗图1中华人民共和国电子工业部1994-09-30准布1994-12-01实SJ 50033/16 94 1. 3 最大额定值Ptot 1l VCB正型号Tc =25 C (W) (V) 3DK307A 700 3DK307B 800 3DK307C 900 3DK307D 100 1000 3DK307E 1100 3DK307F 1300 3DK307G 1500 注:1) Tc 25 C.按666mW/C的速率线1. 4 主要电特性(TA 25 C) 极

3、限值hFE II V CE.电tIIlV BE(!at) VCEO (V) 400 450 500 550 600 700 800 。ton t , Ic =2.5A Ic =2. 5A VcE=10V 1B =0. 5A 1B =0. 5A 1B = -0. 75A Ic =2.5A (V) (s) 型号nlRX max 棕7153DK307AG 红1525橙25401. 5 1. 5 1. 0 2. 2 黄40-55绿5580注:1)hFEI运40各档，其误差不超过士20% ; hFE1 40 2 引用文件3 GB 4587 GB 7581 GJB 33 GJB 128 3. 1 详细要求

4、双极型晶体管测试方法半导体分立器件外形尺寸半导体分立器件总规m半导体分立器件试验Hi去各项要求应按GJB33和本规范的规定。3. 2 设计、结构和外形同寸VEIlO I飞1B T , T$tg (V) (A) (A) ( ( ) (C) 6 50 2. 0 175 一55175tl fT Cob R巾q-()VCF = 10V F民民=10V1，飞T0.54气/-O.lMHz VCE =25V f=3.0MH另1E =0 Ic =1. 3A (MHz) (pF) ( C/W) mm max max 1. 0 6 470 1. 5 ，其误差不超过士10叭。器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33

5、和本规范的规定。3.2.1 11出线材料和涂层SJ 50033/16 94 引出线材料应为可伐，引出线表面应为锡层或镰层。对引出线涂层有选择要求时，在合同或订货单中应予规定。3.3 标志器件的标志应按GJB33的规定。4 定4. 1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)件的筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1规定极限值的器件应予刑网、。测试(见GJB33的表2)GT和GCT7、中间参数测试Icl()l和hFE18、功率老化见4.3. 1 9、最后测试按

6、本规程表1的A2分组zIII CIlOl :;初的100%或200A.取较大者。llhFF.l初始值的士20%4. J. 1 功率老化条件功率老f七条件如下:Tj 162.5士12.5C VCE =25V P，O，二月ow4.4 质量一致性检验质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5 检验方法检验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5. 1 脉冲测试脉冲测试应按GJB128的3.3. 2. 1

7、的规定。 一3一SJ 50033/16 94 4.5.2 热阻热阻测试应按GB4587的2.10和下列规定。a. 加功率时的lc=, 1. 3A; b. VCE =25V; c. 基准瘟度测试点应为管壳;d. 基准点温度范围为25C二Tc75 C .实际温度应记录;e. 安装应带散热装置pf. R由(j-c)的4.5.3 c组寿命C组寿命试验应按GJB33和本规范的规定进行。4.5.4 恒定加速度恒定如速度试验应按GJB33和本规范的规定进行。表1A组检验极限值应为1.5 C/W。GB 4587 极限值或试验LTPD I符号单位方法条件mm 口laxA1分组外观及机械检验GJB 128 207

8、1 5 A2分组集电极一发射极击穿电压3DK307A 3DK307B 3DK307C 3DK307D 3DK307E 3DK307F 3DK307G 发射极一5 发射极一基极开路附录AI元1叫V，恤，口。.).00 VVVVVVVV -1 50 500 2.9.2.2 I集电极干基极开防$VBRE加550 600 700 800 6 击穿电压h =5mA 一基极2. 1 发射极基极开路;I IIc阻川0.4 mA 电流VCH = VC Il() 集一发射极2. 1. 4 发射极开路pIIcEO 1.0 mA 截止电流1 I VCE = VCEO 发射极一基极2.2 集电极一基极开路;I Ih肌

9、0.4 mA 电流VER = 6V 集电极-发射极2.3 Ic = 2.5A I V CE，蚓)I 1.2 V 饱和电压IH =0. 5A 4一SJ 533/16 94 续表1GB 4587 极限值检验或试验.,. LTPD 符号单位方条件 町lIn口lax十基极一发射极2.4 Ic = 2.5A VBEr 1. 5 V 饱和电压IB =0. 5A 正向比2.8 VCE =10V hFEI 7 15 Ic =2. 5A 15 25 25 40 40 55 55 80 10 高工作TA =125土5C集电极基极2. 1 发射极开Icooz 4.0 mA 电流VC =0. 7V 低温工作TA =一

10、55C正向电流比2. 8 VCE =10V Ic =2. 5A hPEO 3 脉冲法(见4.5. 1) A4分组5 输出电容2.11. 3 VCB =10V Cob 470 pF IE =0 f=O.lMHz 时间A. 4 Ic =2. 5A ton 1.0 s IBI =0. 5A IBZ =一0.75A贮存时间A.4 Ic =2. 5A t , 2. 2 s 1m =0. 5A 1Hz = -0. 75A A.4 I(=2.5A tf 1. 0 s IBl =0. 5A 1Hz =-0. 75A A5分组10 安全工作区Tc=25C t = 1s.单次1 VCE =20V Ic =5. O

11、A 2 VCE =25V Ic =4. OA 试验3VCE =60V Ic =0. 88A VCE = 400V 3DK307A lc: =33mA -一5一SJ 50033/16 94 续表1GR 4587 中放限检验或LTPD 符号单f立方法条件盯lInmax 3DK307 VCF =450V lc =27m. 3DK307C V，、c=500V Ic =23m. 3DK307D VCE =550V 人士19m. 3DK307E VCF. = 600V I=17mA 3DK307F VCE =700V Ic =13mA 3DK307G .vCE =800V Ic =10mA 最后测试见表4

12、步骤1和3I 表2B组检验GJ 128 或试LTPD 方法条件B1分组15 可焊性2026 标志耐久性1022 B2分组低55 C 10 热冲击(度环1051 其余条件见试条件F密封1071 试验条件Ha、细检漏件Fb、粗最后试见表4步l和3B3分组71=162.5士12.5C 5 稳态工作寿命1027 VCE =25V P10t二50W最后测试见表4步2和4R4分组开内部自检2075 每批1个器件，(设计核实)。失效合强度2037 试验条件A20(c=0) B6分组7 高寿命(不工作)1032 TA = 175 C 最后测试见表4步2和46一SJ 50033/16 94 表3C组检验GJB

13、128 极限值检验或LTPD 符号单f立方法条件自lln口lax寸C1分组15 外形尺寸2066 见图lC2分组10 热冲击1056 试验条件B(玻璃应力)引出端强度2036 试验条件A密封1071 4 a、条件Hb、粗条件Ftj;、J口 度/湿度期1021 最后测试见表41和3C3分组10 冲击2016 按总规范变频振动2056 按总规范恒定加速度2006 按总范最后测试C4分组15 盐气(侵蚀)(适用时)1041 C6分组=10 稳态工作寿命1026 Tj=162.5土12.5C Tc =100C VcE=25V Ptot=50W 最后试见表4步和4C8分组15 热阻GB 4587 VcE

14、=25V 2.10 Ic=1. 3A R山JC)1. 5 C/W L. 表4A组、B组和C试GB 4587 极限步检验符号单位方法条件lln 口lax集电极基极截-电流2. 1 发射极基极开路IBOl 0.4 mA VCB=VBO ? 集电极基极电流2. 1 发射极基极开1 CB( )1 0.8 mA VCB=VCBO 一一7一SJ 50033/16 94 续表4G 4587 步检验符号方法条件3 正向电流比2. 8 Vn: = 10V hFE1 Ic =2. 5A 4 正向电流比2.8 VcE=10V Ll. hFE1 lJ l =2. 5A 注，1)本测试超过A组极限值的器件不应接收。5

15、交货准备5. 1 包装要求GJB 33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求要求应按GJB33的规定。6 6. 1 合同或订货单可规定要求的引出线材料和涂层(见3.2. 1)。6.2 如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。6.3 直流安全工作区见图2)。一8一极限值单位盯1mmax 7 15 15 25 25 40 40 55 55 80 初始值的士25%SJ 50033/16 94 3: 0 11 100 20 10 8.e Tc z25 i:o L , j 0.01 D lla吨，nv hd Ib ,3OFIfe80810020040010

16、00 集电极发射极电压VCE(V) 图23DK307直流安全工作区一9SJ 50033/16 94 附录A 试方法(补充件)A1 目的本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的。A2 测试电路S RI + t电压;二:VCE -, A 注2在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电压表读数作因电流表压降的校正。图Al集电极一发射极击穿电压测试电路A3 限流电阻Rl应足够大，以避免过渡的电流流过晶体管和电流表。施加规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(隙lCEO的最低极限，晶体管为合格。本测试方法企图表现晶体管的负阻击穿特性，在这种情况下，必须使晶体管的集成电极电流及结温保持在安全值以内。A4 规定条件a. TA; b. 测试温度Ic。附加说明:本规植由中国电子标准化研究所归口。本规范由衡阳市晶体管厂负责起千。本规范主要起草人:夏贤学、欧阳映和计划项目代号:H901001、H90100210 -一、