SJ 50033 24-1994 半导体分立器件.3DK310型功率开关晶体管详细规范.pdf

1、中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件3DK310型功率开关晶体管详细规范SJ 50033124-94 1 范围1. 1 内容本规范规定了3DK310AG型NPN暗功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33(半导体分立器件总规范的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。1. 2 外形尺寸外形尺寸应按GB7581(半导体分立器件外形尺寸的B201C或B2一01D型及如下规定(见图1):B2-01C I B2一01DA 15.5 + 份11. 52 #2 1. 09 3. 0 25 C ，按2000mW/C的速率线性地。.4 主要电特性(TA25 C) 、极限hFE1

2、1) VCE归时V BEt40各档，其误差不超过士10%。2 引用文件3 3. 1 GB 4587 GB 7581 GJB 33 GJB 128 要求双极型晶体管测试方法半导体分立器件外形尺寸半导体分立器件总规范半导体分立器件试验方法各项要求应按GJB33和本规范的规定。3. 2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2. , 引出线材料和涂层一2一 SJ 50033124 94 引出线材料应为可伐，引出线表面应为锡层或镰层。对引出线涂层有选择要求时，在合同或订货单中应予规定。3.3 标志器件的标志应按GJB33的规定。4 质量保证规定4. 1 抽样和

3、检验抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)器件的筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1规定极限值的器件应予剔除。筛选V! 试(见GB33的表2)GT和GCT级7、中间电参数测试1 CB(lJ和hFE18、功率老化见4.3. 1 9、最后测试按本规范表1的A2分组:t:J.I CBOl :(初的100%或350A.取较大者。t:J.hFE1 初始值的士20%4. 3. 1 功率老化条件功率老化条件如下:11，=162.5士12.5C VCE -25V P，O，二三15

4、0W4.4 质量一致性检验质量一致性检验应按QJB33的规定进行。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5 检验方法检验方法应按本规范相应的表和下列规定。4. 5. 1 脉冲测试脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定。一3一SJ 50033124 94 4. 5. 2 热阻热阻测试应按GB4587的2.10和下列规定。a. 加功率时的Ic-4. OA; b. VCE -25V; C. 基准瘟度测试点应为管壳;d. 基准点温度范围

5、为25C运Tc75C，实际温度应记录;e. 安装应带散热装置;f. R削-c)的最大极限值应为0.50C/W。4.5.3 C组寿命试验C组寿命试验应按GJB33和本规范的规定进行。4. 5.4 恒定加速度恒定加速度试验应按GJB33和本规范的规定进行。表1A组检验-GB 4587 极限值方法条件单位或试验LTPD I符号rnm lax A1分组外观及机械检验GJB 128 2071 5 A2分组集电极一发射极击穿电压3DK310A 3DK310B 5 本规范|发射极一基极开路附录A1 Ic =5mA V (BRlCEO VVVVV 3DK310C 3DK310D 3DK310E 400 459

6、 500 550 600 3DK310F 700 I V 3DK310G V 发射极一基极2. 9. 2. 2 集电极一基极开路;I I V(BRlE回|6 I V 击穿电压Ic =5mA 集电极一基极2. 1 发射极基极开路;I I IcBo O. 7 mA 止电流VCB = VCBO 集一发射极2. 1. 4 发射极基极开路;I IIcEO 2.0 flA 止电流|VCEE;v 发射极一基极2. 2 集电极基极开路;I IhBO 0.7 mA 止电流VEB = 6V 集一发2.3 Ic = 7. 5A V CE(sat) 1.5 V 饱和电压I IB = 1. 5A 4一SJ 500331

7、24 94 续表1GB 4587 极限值检验或LTPD 符乒、，单位方法条件mm 自lax基极一发射极2.4 1c = 7. 5A I V BE(s.at) 2. 0 I V 饱和电压1s =1. 5A 正向电流传输比2.8 VCE =10V I hFEJ 7 15 1c =7. 5A 15 25t 25 40 40 55 80 A3分组10 高温工作TA =125士5C集电极2. 1 发射极基极开路|Ic皿27. 0 I mA 截止电流VCB =0. 7Vcoo 作TA =-55 C 正向电流比2.8 VCE =10V Ic =7. 5A IhFEO 3 脉冲法(见4.5. 1) A4分组5

8、 输出电容.2. 11. 3 VCB =lOV pF h =0 J=O.lMHz 时间A.4 I Ic =川A龟1B1 =1.5A 1S2 = -2. 5A 贮存时间A.4 Ic=口A电1B1 =1. 5A , 1B2 =一2.5A下降时间A. 4 I Ic =7.5A p.飞1s1=1.5A 1B2 =一2.5AA5分组10 安全工作区Tc =25 C (直流)t =ls.单次1 I VCE =20V 1c =15A 2 I VCF =25V h =12A 3 I VCE =60V I=2.0A 试验4VCE =400V 3DK310A lc =41mA -5一SJ 50033124 94

9、续表1GB 4587 极限或试LTrD 符号单位方法条f牛盯lln盯lax3DK310B VCE =450V 人=32mA3DK310C Vcr =500V Ic =26mA 3DK310D VCE =550V Ic =22mA 3DK310E Vc, =600V Ic -18mA 3DK310F VCE =700V Ic =13mA 3DK310G Vc, =800V I=10mA 最后坝tl试见表4步骤1和3表2B组检验GJB 128 检验或试验LTPD 方法条件l分组15 可焊性2026 标志耐久性1022 B2分组低瘟一55C 10 热冲击(温度环)1051 其余条件见试验条件F密封1

10、071 条件Ha、细检条件Fb、粗检最后测试见表41和3B3分组T , = 162. 5士12.5C 5 稳态工作寿命1027 VCE =25V Ptot二三150W最后测试见表4步骤2和4B4分组开帽内部自检2075 每批1个器件，(设计核实0失效合强度2037 试验条件A20(c=0) B6分组7 高瘟寿命(不工作)1032 TA=175C 最后测试见表4步2和4一6一SJ 50033124 94 表3C组检验GJB 128 极值或LTPD 符号单位方法条件口lln自laxC1分组15 外形尺寸2066 见图lC2分组10 热冲击1056 试验条件B(玻璃应力引出端强度2036 条件A密封

11、1071 a、细检试验条件Hb、粗检揭条件F综合强度/湿度期1021 试验最后测试见表4步骤i和3C3分组10 冲击2016 按总规范变频据动2056 按总规范恒定加速度2006 按总规蓓最后试 C4分组15 盐气(侵蚀)(适用时)1041 C6分组 =10 作寿命1026 T，=162.5士12.5C Tc =100 C VcE=25V Ptot=150W 最后试见表4步2和4d8分组15 热阻GB 4587 VcE=25V 2. 10 Ic =4.0A Rth(,_,) 0.5 C/W L 表4A组、B组和C组最后测试GB 4587 极限值步骤检验符号单位方法条f牛口lln口laxl 集电

12、极基极止电流2. 1 发射极基极开路IcllOl O. 7 mA VCB=VC酣2 电极基极截止电流发射极基极开路Ic回11. 4 mA VCB=VC皿一7一SJ 50033124 94 续表4GB 4587 步检验符号方法条件3 正向电流传输比2. 8 VCE =10V hFE1 Ic =7. 5A 4 正向电流传输比2. 8 VcE=10V t:. hFE1 1) Ic =7. 5A 注:1)本测试超过A不应接收。5 交货准备5. 1 包装要求GJB 33的规定。5.2 贮存要求求应按GJB33的规定。5.3 运输要求要求应按GJB33的规定。6 说明事项6. 1 合同或订货单可规定要求的

13、引出线材料和涂层(见3.2.1)。6.2 如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。6.3 直流安全工作区(见图2)。 8一极值单位自un盯lax7 15 15 25 25 40 40 55 55 80 初的士25%SJ 50033124 94 1 tc = 25(; J. 5 -3.9 3DK310A 1. 310B 6i 0.01 ),.9 30 50 间，1q029Ot 400 1000 电极-电BEYCEV:图23DK310直流安全工作区9一-A1 目的SJ 50033124 94 附录A极一发射极击穿电压测试方法(补充件)本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击

14、穿电压是否大于规定的最低极限。A2 测试电路g, RI + 电压VCE: A 注z在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电压表读数作因电流表压降的校正。图Al集电极一发射极击穿电压测试A3测限流电阻R1应足够大，以避免过夜的电流流过晶体管和电流表。施加规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BRlG囚的最低极限，晶体管为合格。试方法企图表现晶体管的负阻击穿特性，在这种情况下，必须使晶体管的集成电极电流及结温保持在安全值以内。A4 规定条件a. 纠、南温度TA;b. 测试温度Ic。附加说明z本规范由中国电子标准化研究所归口。本规范由衡阳市晶体管厂负责起草。本规范主要起草人:夏贤学、欧阳映和项目代号:H901001、H901002一-10