SJ 50033 28-1994 半导体分立器件.2CV334、2CV3338型微带混频二极管详细规范.pdf

1、中FL 5961 国电SJ 50033/28 94 自.L.、Semiconductor discrete device Detail specification stripline mixer diodes for 2CV334、2CV33381994-09-30发布1994-12-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准1 范围半导体分立器件2CV334、2CV3338型微带混二极管详细规范Semiconductor discrete device Detail specification stripline mixer diodes for 2CV334 ,2C

2、V3338 . ,. , 主题内容SJ 50033128 94 本规范规定了2CV334，2CV3338型1.2 适用范围带混频二极管以下简称器件的要求.本规范适用.3 分类本规范根据器件质1. 3. 1 器件的等级的研制、生产和采阴。等级进行分类.按GJB33D D1 H L B 2CV334型3.3 最大额定值和主要电特性3. 3. 1 最大额定值PRFP 型号(W) 2CV334 1) 2CV3338 2 一2一尺mln 2.4 1.98 1.20 O. 55 L z 国.一mm 寸自lax2. 6 2.18 1.60 8.50 0.65 2CV3338型图l外形图VR IR=10A (

3、V) T op (C) O 骨01L A向4 符号D1 H L B 4 一55+125:t A _ . 口1口1尺寸 mm 口lax1.98 2.18 1.02 1.27 8. 5. 0.55 0.65 T.t, (C) -65十176SJ 50033128 94 注，1)=12.6GHz，脉宽3ns，重复频率1kHz3.3.2 主要电特性(T叫=250C)VF1 6VF V(回IR Lc I N , I Sv I Fo归盯Z;( IF=1mA VF (1mA) I IR=10/1A VR=2V VF(O. 最(V) 最小值(A) 最大(噪声(dB) 1比)(dB) (0) nu nu 、，一

4、Favm|(一小-mA哇。、HVV FLv qru (mV) 300 I 500 45 45 4 4 1 1 4. 5 I 1. 05 I 2 6 I 200 I 600 2CV 4. 7 I 1. 05 I 2 I 6. 5 I 200 I 600 3.4 试要求电测试应符合GB6570及本规范的规定。3.5 标志标志应符合GJB33和本规范的规定。4 4. 1 样和检验抽样和检验应按GJB33的规定4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选仅对GT和GCT级筛选应按GJB33表2和本规范的规定.其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。筛选见GJB

5、33表2试验方法试GJB 128方法3 热冲环1051 环20次外，其余同Fo 7 中V(BR)，VF失效判据同最试.8 电老化1038 见4.3.19 最后11V伽1:初始值的15%I IVFI: 5% 其他参数g1的A2和A4分组4.3. 1 电老化B5.C .h=O. 3mA.叠加50周交流0.lmA.96h.4.4 质量一致性检验4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。-3一SJ 50033128 94 4.5 检验和试验方法检验

6、和试验方法应按本规拖相的规定.表1A组GB 6570 极LTPD 符号最小值i最大方法|条件A1分组1 1 1 5 验IGJB 128 2071 A2分组5 反向击穿电压3. 1 IIR=10A I V(BR) 反向电流3.2 VR=2V IR 正向电压3. 3 IF=lmA VF 正向电压差值3.4 IVF (1mA)- I VFl IVF(0.3mA) A3分组5 作1 T.b = 125C 反向击穿电压3. 1 IR=10A IV咀阳正向电压3.3 lv=lmA I VF2 作T.b盟一55C反向击穿电压3.1 IR=10A I V(跑的正向电压3. 3 P=lmA 1 V F3 A4分

7、组5 I Lc 4.7 率z2CV334 12.8GHz 2CV3338 功率:1.4mW 总噪声系数1)4.5 中负2 Fc(.v) 2CV334 14000, 2CV3338 直压电阻2中抗4.3 1000 I Z;f 电压驻比4.4 1 Sv 注:1 )F;I= 1. 5dB. 表2B组检验GJB 128 方法条Bl分组可焊性B2分组热冲击温度循环密封a. 4 2026 1051 F-1，t(极限1071 H 14 l 300 500 45 1 2 1 200 400 B l I 2 I 350 550 4.5 4.7 6 6.5 I 200 800 2 件注15min四百单位IV A

8、mV 1 mV IV 1 mV IV I mV dB dB dB dB |。LTPD 15 10 SJ 50033128 94 续表GJB 128 检验或试验LTPD 方法条件b. 条件C最后试g按表4步聚1和2B3分组5 重复脉冲烧毁4141 脉冲功率:2Wf=12.6GHz , 脉宽.3nsJ 重复: 1000Hz 时间，lmin最后测试g按表在1和2B6分组7 温寿命(不工作)1032 340h , 1.mb = 175C 最后测试z按表41利2表3C组检验GJB 128 检验或试验LTPD 方法条件C1分组15 外形尺寸2066 见图lC2分组10 热冲击(玻璃应力)1056 |试验条

9、件A引出端强度2036 试验条件E密封1071 a. 细试验条件Hb. 粗试验条件C综合温度/湿度1021 省略预处理周期试验外观及机械检验2071 最后 按表4l丰日2C3分组10 冲击2016 4900m/s2 , O. 5ms在x，y、z每个方向冲击5次变频振动2056 恒定加速度2006 196000nl/s(20000g)方向各至少1min最后测试:按表4步骤1和2C4分组15 盐气(适用时)1041 -5一8J 50033128 94 表4B组和C组检验的电测试步GB 6570 极试符号方法条件最小值最大值l 反向击穿电压3. 1 lR=10A V(阻3. 2 2 正向电压变化3.

10、 3 lF=lrnA AVF IAVF I初始值10%5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。6 说明6. 1 预定用途符合本规范的器件供新设备使用和供现有设备的后勤保障用。6.2 订货文件内容合同或订单中应载明下列内容:a. 本规范的名称和编号;b. 等级(见1.3.1); C. d. 需要时，其他要求。6.3 对引出端材料和涂层有特殊要求时，应在合同或订单中规定(目1.2. 1)。如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订单中规定。附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由电子工业部第五十五研究所负责起草。本规范主要起草人:吴逮、卡积善、金贵永。计划项目代号:Bl10240 一6单位V