SJ 50033 33-1994 半导体分立器件.F1121型NPN硅功率达林顿晶体管详细规范.pdf

1、中Jl FL 5961 、1994-09-30发布中华人民共和国电子工业部SJ 50033/33 94 d H .- -h J 1994-12-01实-_ 中华人民共和国电子行业军用标准1 范围半导体分立器件Fl121型NPN硅功率达林顿晶体详细规范Semiconductor discrete device Detail specification for type FH121 NPN silicon power Darlington transistor 1. 1 主题内SJ 50033/33 - 94 本规范规定了FH121型NPN硅功率达林顿晶体管(以下简称器件)的详细1.2 适用范围。

2、本规范适用于器件的研制、生产和采刑。1.3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1 .3. 1 器件的按GJB33(半导体分立器件总规范)1.3条规定，提供质量的保证军三级，分别用字母GP、GT和GCT表示。2 引用文件GB 4023-86 半导体分立器f第2部分:整流二极管GB 4587-84 双极型晶体管苦战方法GB 7581- 87 半导体分立器件外形尺寸GJB 33-85 半导体分立器件总规范GJB 128-86 半导体分3 要求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规洒的规定。3.2. 1 引

3、出端材料和引出端材料应为可伐。引出端表面应为锡层或镰层。中华人民共和国电子1994-09-30发布、特军和超特1994-12-01 一1一SJ 50033/33 - 94 3.2.2 单片、三重扩散、台面结构。3.2.3 电原理图电原理图应按图1上的规定。3.2.4 外形尺寸 3.3 3.3.1最外形尺寸应符合GB7581中B2-01B型的规定。定值和主要电特性(T = 25t ) 定值2。P VcO V囚。V。1c 1 Tj T . 型号Tc=25C (W) (V)-(V) (V) (C ) (C ) A A F1121A 300 300 F1121B 400 400 F1121C 500

4、500 30 5 5 0.5 -55- +175 -55- + 175 F112lD 600 600 F1121E 700 700 F1121F 8 800 注:1)当Tc25C时，按0.2W/C线性降棚。3.3.2 主电特性(TA=25t) hFE1 hFF;2 hFE3 hfe I hfe I V踵酣)1VBE( . tlZ 极限田V=5V VCE= 5V V，=5V V=5V V=5V 1c=2A 1c=5A 1c= 1A lc= 1A lc= 1A 1c=2A 1c=5A I f=1K陆f=1M陆Il嚣。.02AI l= 0.05A 型号包制、:300 600 1200 1 500 1

5、 1100 1 250 1一11000 I 2200 I 500 I一12000 1一I10E一300 1一句&430且75 150 300 一600 1 12001一I 2.5 一3.0 一, 一2一臼50033/33- 94 表V( . tll V CE( . t)2 E里睡Ic=2A Ic=SA V= V.b l 1.52 #2 0.9 1. 1 D 15.0 d 3.0 * F 3.0 L 8.5 10.5 LI 1. 5 p 4.0 4.2 q 22.8 23.2 RI 9.5 R2 4.3 S 13.1铮斗U1 31. 4 U2 19.0 引出端识别1一基极2一发射极外亮一集电极1

6、1一SJ 50033/33 - 94 Tc = 25C 10 t= 1ms FEDMLB川lllulj z22山2啤Illi-EHHHHH -FFFFFF t = 18 I 主VJMRMr扇甜领0, I 1) 00 , 0, 01 集电极一发射极电压Vn:(V)安全工作区1000 100 10 图3曲线二次击穿减温度减额曲线100 80 X 草草60 隔题筐里4020 。lc壳温C)175 120 80 40 。Tc壳描(C)曲线功率减图4一12 Al 目的、SJ 50033/33 - 94 附录A电极一发射极击穿电压方法(补充件)试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定

7、的最低极限。A2 测试电路S R, + 电压。A 一_J 、注:在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电压表读数作因电流表压降的校正。图A1集电极一发射极击穿电压测试电路A3 限流电阻R1应足够大，以避免过搜的电流流过晶体管和电流表。 加规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BR)CEO的最低极限，晶体管为合格。本测试方法企图表现晶体管的负阻击穿特性，在这种情况下，必须使晶体管的集电极电及结温保持在安全值以内。A4 规定条件a. 环境温度TAb. 测试电流lc。附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由扬州晶体管厂负责起草。本规范主要起草人:刘伯实、施立秋。计划项目代号:Bll038 一13一