SJ 50033 34-1994 半导体分立器件.F1129型NPN硅功率达林顿晶体管详细规范.pdf

1、中华人民共和国电子行业军用标准1 范围半导体分立器件Fl129型NPN硅功率达林顿晶体管详细规范Semiconductor discrete device Detail specification for type FH129 NPN silicon power Darlington transistor 1. 1 主题内容臼50033/34- 94 本规范规定了FH129型NPN硅功率达林顿晶体管以下筒称器件)的详细要求。1.2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采刑。1. 3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3. 1 器件的等级按GJB33(半导体分立器件总规范)1.3条规

2、定，军三级，分别翅字母GP，GT和GCT表示。2 I用文件GB 4023 -86 半导体分立器件第2部分:整流二极管GB 4587-84 双极型晶体管测试方法GB 7581-87 半导体分立器件外形尺寸GJB 33 - 85 半导体分立器件总规范GJB 128- 86 半导体分立器件试验方法3 要求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引出端材料和涂层引出端材料应为可伐。引出端表面应为锡层或镰层。中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布保证军、特军和超特1994-12-0

3、1实SJ 50033/34 - 94 3.2.2 器件结构单片、三重扩散、台面结构。3.2.3 电原理图图应按图1上的规定。3.2.4 外形尺寸外形尺寸应符合GB7581中B2一01C型的规定。见图203.3 最大额定值和主要电特性(TA = 25t ) 3.3. 1 最大额定值Ptut P V VEIlO Vo Ic IB 型号Tc=25t Tc = 25t (W) (W) (V) (V) (V) A A F1129A 300 300 F1l29B 400 400 F1129C 500 500 Tj (t) 5 225 5 20 4 -55-+175 F1129D 600 F1129E 70

4、0 F1l29F 800 注:1)当Tc25t时，按33.3mW/t线性2)当Tc25t时.按1.5W/t线性。3.3.2 主要电特性(TA=25t) hFE1 V=5V Ic=6A 型号1最小包标:h1:Z V=5V Ic= 12A 500 一1500I 1100 hFE才V=5V Ic=20A , 600 700 800 hfe Ih V皿(.)1V=5V V=5V Ic= 12A Ic=5A Ic=5A IB:，12A I f= 1kHz f= lMHz (V) 500 I一I5 125 I一T . (t) -55- + 175 VIIE(皿)2Ic=20A IB=2A ;:l二l;:l

5、引100一l;:;二20l;!二I3.0 I一I3.5 2 SJ 50033/34 - 94 续表Vcr.(副)1lc=6A lB=0.6A V( ,t)2 lc= 12A lB=0.12A V CE(.t)3 lc= 20A lB = 2A Io I 1囚犯V CB = V CBO I V EB = 5V 最小值|最大值|最小值|最最C V= 10V IE = 0 fIMHz (pF) 一最大值(V) 最小面马大值慑小(mA) I (mA) (V) (V) 型号, 色标红黄绿一I2.0 2.5 3.0 I一I0.1 I一I100 400 R(由)J-ct t. tf VF 极限Vet; =

6、10V VCC = 20V VCC= 20V V=20V VF=12A Ic=2A Ic= 10A Ic = 10A Ic= 10A 25t:运Tc75tlB= 1A lB1 = - 1m IBt = - 1m =lA =lA 型号(t: /W) s) (f国)() (V) 最最大值最最大值最小值最小值最大值最小最大值色标红0.67 2.0 10 7.5 3.5 黄绿3.4 电测试要求电测试应符合GB4023、GB4587及本规范的规定。3.5 标志标志应符合GJB33和本规范的规定。4 质量保证规定4. 1 抽样和检验抽样和检验应符合GJB33的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应符合GJB33

7、的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。一-3 筛选(见GJB33的表2)7.中试8.功率老化9.最后测试SJ 50033/34 - 94 IXl和hFF2TclOOC V=40V Pt100W 按本规范表1的A2分组测试GT和GCT级MXI=初始值的100%或100A.取较大者llhFF2 =初始值的土20%4.4 质量一致性检验质量一致性检验应按GJB33的规定。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规范表2的

8、规定进行。4.4.3 C细检C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5 检验和试验方法检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定:4.5. 1 脉冲测试脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定。表1A组GB 4587 检或试LTPD 符号方法条件人1分组5 外观及机械检验GB 128 2017 A2分组5 集发射极击穿电压本规市发射极基极开路VCBR)o 附录AIc=5mA F1129A F1l29B Fl129C F1129D F1129E F1129F 集电极基极击穿电压2.9.2.1 发射极一基恨开路VCBR)CllO ifrtzfmA 极单位最小值最大值300 V 40

9、0 v 500 v 600 V 700 V 800 v 一4甲- SJ 50033/34 - 94 续表1 GB 4587 极或试LTPD 符号单位方条件最最大值F1129A 300 v F1129B 400 V F1l29C 500 v F1129D 600 v F1129E 700 V F1129F 800 V 发柑极截止电流2.2 集电极基极开IEFO 100 mA VEB= 5V 集电极基极截止电流2.1 电极基极开路Im 0.1 mA VCB= VC!lO 集电极发射极截止电流2.14 发射极反偏IXl 0.3 mA VIlE = -1. 5V V=Vo 发射极饱和电压2.4 Ic=

10、 12A VBE( . ,)l 3.0 IB= 0.12A 脉冲法(见4.5.1)Ic=20A VBE恼。23.5 V IB=2A 脉冲法(见4.5.1)集电极发射极饱和电压2.3 IC=6A V(.)1 2.0 V lB = 0.06A 脉冲法(见4.5.1)lc= 12A VCE(副)22.5 V lB = 0.12A 脉冲法(见4.5.1)Ic= 20A V匾。33.0 V IB=2A V 、F脉冲法(见4.5.1)正向电流传输比的静态值2.8 色标:红Ic=6A hFE1 500 黄V=5V 1000 脉冲法(见4.5.1)2000 红Ic= 12A hf12 500 .1100 黄V

11、CE=5V 10 2200 脉冲法(见4.5.1)2000 I=20A h OO 100 VE = 5V 脉冲(见4.5.1)一极管正向电压GB 4023 IF= 12A VF 3.5 v 1. 2.1 5 SJ 50033/34 - 94 续表1 GB 4587 极值检验或试验LTPD 符号单位方法条f中, 最小值最-=-t一一甲一 A3分组7 1作:TA = 150t: 集电极发射极截止电流2.14 发射极基极反ICEX2 3.0 mA VBE = - 1. 5V VCE = VCEO 集电发射极饱和电压2.3 Ic = 12A V( . ,)4 2.5 V IB = 0.12A 脉冲法(

12、见4.5.1)低温工作:TA = - 55t: 正向电流传输比的静态值2.8 VCE= 5V hFEO Ic = 12A 红脉冲法(见4.5.1)150 黄300 绿600 A4分组7 小信号短路正向电流传2.7.2 V=5V 输比IC=5A hfe 色标:j = 1kHz 江500 黄1000 绿i 2000 小信号短路正向电流传2.7.2 VcE=5V I h1e I 输比幅1 C = 5A 红f= lMHz 5 125 黄10 250 20 500 开路输出电容2.11. 3 i VCB= 10V Cob 400 pF IE =0 100kHz，二fIMHz开启时间附录AVcc二20Vt

13、 2.0 s A4 I - 10A IB= lA 时间附录AVcc=20V t. 10 s A4 Ic=10A IB1=-IB2=IA 下降时间附录AV cc= 20V tl 7.5 s A4 Ic= 10A IB1= -Illz=IA AS分组10 安全工作区(直流)Tc=25t: t = 13单次6 检验或试t!i 1 试验2试验3FH129A FH129B FH129C FH129D FH129E FH121F 最后测试安全工作区(脉冲的)1 试验2FH129A FH129B FH129C FH129D FH129E FH129F 最后测试- 7 一SJ 50033/34 - 94 续表

14、1 GB 4587 极限值一LTPDI符号7立了一条件I I I :最小最一V cr. = 11. 25V Ic . 20A Vcr=20V Ic= 1l .25A V=300V Ic=0.065A V:E= 400V Ic二0.037AV=500V Ic = O.024A V=600V Ic = 0.017A VCE = 700V Ic =0.0125A Ic=0.01A 见表4步骤1和3T c = 25(: t :- 1 rns单次VCE = 80V 1 c = lOA V=300V Ic = 1. 75A I VCE = 400V Ic ,= 1. 2A I VcE=500V Ic=0.

15、9A IV=600V Ic=0.7A I VcE=700V lc= O.58A I VcE=800V Ic = 0.48A l见表4步1和3 单位SJ 50033/34 - 94 表2B组检GJB 128 检验试验LTPD 方法条件Bl分组15 可性2026 标志的久性1022 B2分组10 热冲击(温度1051 T高=+ 175t: T. = - 55C 密封1071 a. 试验条件Hb.粗检试验条件F最后测试见表4步骤1和3B3分组5 稳态工作寿命1027 T c豆100t:V (E = 40V p酣二100W 最后测试见表4步骤2和4B4分组开帽内(设计核实)2075 每批件/0失效目检

16、 键合强度2037 试验条件A，每个器件的寻|应受20(C=0) 拉力B6分组7 高混寿命(非工作状态)1032 T A = 175t: 最后测试见表4步2和4表3C组检验CJB 128 检或试验LTPD 符号单位方法条件最小值最大值Cl分组15 外形尺寸(除B1分怨之外2066 (见图1)的全部尺寸)c2分组10 热冲击(玻璃应力)1056 试条件B引出端强度2036 试件A力=44N时间=15s 密封1071 a. 细试条件H、b. 粗检漏试验条件F.L 一.8一SJ 50033/34 - 94 续表3 GJB 128 极值检试验LTPD 符号单位方法条件最小值i度/温度周期试1021 外

17、观及机械检验最2071 见表4步1和3C3分组10 冲击2016 2056 但定加速度2006 最后测试见表4步l和3c4分组15 (适用时)盐气(腐蚀)1041 C6分组= 10 稳态工作寿命1026 T C :;:; 100 t: V cr. =40V P tot主主100W最后测试见表4步2和4C7分组15 阻GB 4587 V cr. =10V R由.-5 t:/w 2.10 Ic=2A 25t: T c75t: 表4A、B和C组最后测试步GB 4587 试符号单位方法条件最小值最小值+ 1 集电极一发射极截止电流2.14 发射极一基极反偏I l:t:XE 0.3 mA VBE= -1

18、.5V VCE= Vcro 2 集电极发射极截止电流2.14 发射极一基极反偏I芷10.6 mA VBE= -1.5V VCE= Vo 3 正向电流传比态2.8 VcE=5V hFF2 Ic=2A 脉冲法(见4.5.1)红500 、1100黄1000 2200 绿2000 4 正向电流传比变化量2.8 VCf. = 5V .h FE2 1) 相当于初始值的IC=2A t25% 脉冲法(见4.5.1)9 -一SJ 50033/34 - 94 注:1)A组极限m的器件不应接收。5 交货5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求要求

19、应按GJB33的规定。6说明6. I 订货资料合向或订货单位应规定下列内容:a. 本规茂的名林和编号:b. 等级(见1.3.1);C. 数豆:d. 需要时，其他要求。6.2 对引出端材料和就层有特殊要求时，应在合同中规定(见3.2.1)。6.3 如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。6.4 安全工作区见图306.5 功率减额曲线见图4。B 图1电原理图 一.10一SJ 50033/34甲94,0. RI q U D bl I;, 吃叫心引出端识别1一基极2一发射极外亮一集电极中112图2外形图4 一一11 -一SJ 50033/34 - 94 100 t = 1m8 10 I

20、 。.1 22悟背国串面蜡FH1Z9F FH129E 0.01 FH 1l29D .FHI29C FHI29B FH129A 0.001 JOOO 100 集电极一发射极电压V(v)10 l 安全工作区4 图3幽线100 剧创-【WAV裕赚回帽幅属Mhg间20 ，、U 一12 一175 k(壳温c)120 曲减80 功图440 。a Al 目的SJ 50033/34 - 94 附录A电极一发射极击穿电压方法(补充件)试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的A2 S R) E二j-1+ 。VCE 电压-、A 注:在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电压表读数作因电流表压降的校正。图Al集电极一发射极击穿电压测试电路A3 测试步限流电阻R1应足够大，以避免过渡的电流流过晶体管和电流表。加规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于VO:IR)CEO的最低极限，晶体管为合格。本测试方法企图表现晶体管的负阻击穿特性，在这种情况下，必须使晶体管的集电极电流及结温保持在安全值以内。A4 规定条件a. 环境温度TAb. 测试电流Ico附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由扬州晶体管厂负责起草。本规范主要起草人:刘伯实、施立秩。计划项目代号:Bll038-一13