SJ 50033 60-1995 半导体分立器件.3DK40型功率开关晶体管详细规范.pdf

1、FL 5961 1995蝴05-25发布J、I玉SJ 50033/60一1995, ! I 自日日Semiconductor discrete device Detail specification for type 3DK40 power switching transistor 自1995-12-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准1 范围1. 1 主题内容半导体分立器件3DK40型功率开关晶体详细规范Semiconductor discrete device Detail specification for type 3DK40 Power switchin

2、g transistor SJ 50033/60-1995 本规范规定了3DK40型功率开关lB体管(以下简称器件)的详细要求。1. 2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1 . 3. 1 器件的等级按GJB33(半导体分立器件总规范)1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级，分别用字母GP，GT和GCT表示。2 引用文件GB 4587一84双极型晶体管测试方法GB 7581一87半导体分立器件外形尺寸GJB 33一85半导体分立器件总规市GJB 128一86半导体分立器件试验方法3 要求3. 1 详细要求各项要求应

3、按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引出端材料和l涂层引出站i材料应为可伐。引出站j表回应为锡层或悚层。中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布195幡1201:也施1 SJ 50033/60 - 1995 3.2.2 器件的结构采用外延台面结构。3.2.3 外形尺寸外形尺寸应符合GJB7581的B2-01C型及如下的规定。见图101b2 3.3 最大额定值和主要电特性3.3. 1 最大额定值pase u VCIlO 型号Tc = 25t: (W) (V) 3DK40C 80 3DK40D 110

4、 225 3DK40E 150 3DK40F 200 图1外形图VCF.O V FJlO (V) (V) 80 110 5 150 200 注:1) Tc25t:时.按1.5W/t的速率线性地降额。3.3.2 主要电特性(TA = 25 X:;) 一2一c 8 (A) (A) 20 4 告，口1mTJ T . (t) (t: ) 175 - 55-175 SJ 50033/60-1995 特VCE . , V1lE皿h FEI VcE=3V 1 C = 10A 型性111= 1A Ic= lOA (V) 主主最小值最大值最大值3DK40C-F 20 80 0.8 3.4 电视l:i要求电测试应

5、符合GB4587及本规班的规定。3.5 标志标志应符合GJB33和本规范的规定。4 质量保证规定4. 1抽样和检查抽样和检验应按GJB汩的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT极)2.0 tun 1. 0 t. tf Rh(广dIc= 10A VCE= 10V 1111 = - 1m = lA lc=3A (s) (C /w) 向-最大值最大值胃、.2.0 0.9 。.1E 筛选应按GJB33表2和本规范的规定，其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。筛选(见GJB33表2)试或试7.中间屯参数测试, I附t和hFE18.

6、功率老化条件:Tj = 162.5土12.5CVCE= 20V P，1l2.5W 9.最后测试按本规范表1的A2分组D. 1 CHOl :;初始值的100%或500A，取较大者:D.hFE1运初始的土20%。4.4 质量一致性检验质量一致性检验应按GJB33的规定。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规施表2的规定进行。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5 检验方法检验方法应按本规范相应的表和下列规定进行。一3一, SJ 50033/60 - 1995 4.5. 1 脉冲测试脉冲测试

7、应按GJB128的3.3.2.1条的规定。表1A组检验检验或叫LTPO I符号值大值一最限一|极一值阳、i -! 一最单位GB 4587 方法条件A1分组外观及机械检验5 GJB 128 2071 A2分组5 集电极发射本规程发射中11基极子HII被击穿电压附录Ai lc lOmA V( llR)CEO 30K40C 80 V 30K400 110 V 30K40E 150 V 30K40F 200 V 发射极基极2.9.2.2 集电极基极开HII击穿电压IE:= 20mA I VCBR) EIlO I 5 V 集电极基极2. 1 发基?泛开HII截止电流V (ll V ClIO 1 CllO

8、l 1. 0 I mA 电极发射2.14 发射极2主极开ffll极止电流V CE = 0 . 5 V t.EO IcEO 1. 5 I mA 集电极发射2.3 11c=10A 饭饱和电压111= lA VCE削0.8 V 基发射极2.4 lC = 10A 、饱和电压lll:= lA V llE oc 2.0 V 正向电流传输比2.8 VcE=3V hFE1 20 80 Ic= 10A A3分组5 高温工作T A = 125土5C集电极基极2. 1 发射极基极开111 Cl102 10 I mA 、截止电流V(ll = O. 7V咽低温工作TA = - 55 C 正向电流传:比2.8 V可E=3

9、VhFEO 10 一lc = 10A |脉冲法(见4.5.1)A4分组5 出电容2.1 1. 3 I VCIl = 10V Cob 500 lE =0 i f= 1MHz 开通时间A.4 ! lc= 10A t回1. 0 |间I民l=-IIl2=IA一4一SJ 50033/60 1995 续表1GB 4587 限值检验或试验LTPD 符号单位方法条件最、值最大值存储时间A.4 Ic=10A t , 2.0 s Is1= -IR2=IA 下降时Ic = 10A 0.9 A.4 tf s Im= -IR2=IA e 、A5分组10 安全工作区Tc=25C (直流)t = 15 t再次VcE=1 1

10、. 25V Ic= 20A 试验2V (E= 15V IC Z15A 试验33DK40C VCE = 80V Ic=208mA 3DK40D Vn:= 110V Ic = 92mA 3DK40E VCE = 150V Ic = 42日lA3DK40F VC f. = 200V Ic = 20mA 最后测试见表4步骤l和3I 表2B组检验GJB 128 检验或试3盘寸LTPD 方法条件Bl分组15 可焊性2026 标志耐久性1022 B2分组低温-55C.其余为试验条10 热冲击105 1 中F。(温度循环)密封1071 a.细检漏试验条件Hb.粗检漏试验条件F最后测试见表4步骤l和3B3分组5

11、 稳态工作寿命1027 T, = 162.5土12.5CVf. = 20V 、5一SJ 50033/60-1995 续表2J GJ 128 检或试验LTPD 方法条牛Ptut1l2.5W 最后测试见表4步2和4B4分组每批1件开帽内部目检2075 。失效(设计核实)(仅对GCT级)合强度2037 试验条件A20(C=0) B6分组7 高寿命1032 TA=175t (非工作状态)最后测试、见表4步骤2和4表3C组检验GJ I3 128 极限值检验或试验LTPD 符号单位方法条牛最小值最大值Cl分组 15 外形尺寸2066 见图1C2分组10 热冲击1056 试验条件B(玻璃应力)引出强度203

12、6 试验条件A受试瑞:2力H力:20N1=105 密封1071 a.细检漏试验条件Hb.租检试验条件F综合温度/湿皮1021 周试验外观及机械检验2071 最后测试见表4步骤i和3C3分组10 冲击2016 变频振动2056 假定加速度2006 最后测试见表4步骤l和3 6一SJ 50033/60-1995 续表3GJB 128 检LTPD 符号单位方法条件最/|、最大值+ CA分组IS (适用时)盐气(侵蚀)1041 寸C6分组). = 10 、稳、态工作寿命1026 Tj = 162. S :t 12. SC VE=20V Pol1l2.SW 报后测试见表4，步2和4c8分组IS 热阻GB

13、 4587 V (f: = lOV R由(j- e) 0.67 C /W 2.10 IC=3A L 表4A组、B组和C组测试GB 4587. 极限值步检验或试验符号单位方法条f中最小值最大1 集电极基极2. 1 发射级基极开路截止电流VCll = V吩lCOOI 1. 0 mA 2 集电极基极2. 1 发射极开a截止电流VCll= Vm 1 CIlOI 2.0 mA 3 正向电流传输比2.8 V CE = 3V C = 10A hFE1 20 80 4 正向电流传输比2.8 Vcr. =3V 初始值的Ic= 10A L:. hFE1 1) 土25%L 注:1)本测试超过A组恨限值的?(中不应f

14、1段。5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。6 说明事项6. 1 预定用途符合本规范的器件供新设备设备使用和供现有后勤保障用。7一SJ 50033/60-1995 6.2 订货资料合同或订货单位应规定下列内容:a. 本规范的名称和l编号:b. 等级(见1.3.1);c. 数茧;d. 需要时，其它要求。6.3 对引出端材料和涂层有特殊要求时，在合同或订货单中规定(见3.2.1)。4 如需要时，典型特性曲线可在合同或订货单中规定。6.5 直流安全工作区(见图2)IcC A) 10 ,

15、1. O. 11 10 VCE(V) no 因23DK40 C-F直流安全工作区一8一附录A(标准的附录)电极一发射极击穿电压测试方法Al 目的本测试的目的是为了在规定的条件下，确定器件的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2 测试电路图SI Rl + 电压-图Al集电极一发射极击穿电压测试电路注:在测试电流时.电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电压表读数作因电流表压降的校正。A3 测试步限流电阻Rl应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。规定的偏置条件，境加电压直到规定的测试电流。如果规定的测试电流下所加的电压大于V(BRlCEO的最低极限，器件为合格。本测试方法用于表现器件的负阻击穿特性，在这种情况下必须使晶体管的集电极电流及结温保持在安全值以内。A.4 规定条件也环境温度TA;b. 测试电流Ico附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由国营八七三厂负责起草。本规范主要起草从:杜小堂、倪天发。计划项目代号;B21002。9一