SJ 50033 62-1995 半导体分立器件.3DK406型高压功率开关晶体管详细规范.pdf

1、中FL 5961 国&四、SJ 50033/62一1995-自日日Semiconductor discrete device Detail specification for type 3DK406 high voltage and power switching transistor 1995-05-25发布1995-12-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准1 范围半导体分立器件3DK406型高压功率开关晶体详细规范Semiconductor discrete device Detail specification for type 3DK406 high-v

2、oltage and power switching transistor 1. 1 主题内容臼50033/621995 本规范规定了3DK406A-D型高反压功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求。1. 2 适用范围本规范适用于器件的研究、生产和月刊哩。1. 3 分类本规范根据器件1. 3. 1 器件的等级类。GJB 33(半导体分立器件总规范)1.3的规定，提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级，分别用字母GP，GT和GCT表示。2 51用文件3 GB 4587 84 双极型晶体管测试方法GB 7581 87 半导体分立器件外形尺寸GJB 33 85 半导体分立器件总规范GJB128

3、 86 半导体分立器件试验方法3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1 引出端材料和涂层引出端材料应为可伐。引自端表面应为锡层或镰层中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01实施一1一臼50033/621995 3.2.2 器件结构采用三重扩散台面结构。3.2.3 外形尺寸外形尺寸应符合GB7581的B2-01C型及如下的规定。见图1。Z R1 自1自1B2-91C 2-iP mm I nom I max 刷;, :2-6- h-9-8-NH aH-nv-t-

4、川17iz中一3-/O 一-A吨-E甲J-ro-KU-oy-no-A一份1一帆一如-d-F_._-一-一一-q 斗s 16.89铃13.9 1.52 4.21 30.40 13.58 4.82 3一却L-vaH一何一q8 ;D 1一基极2一发射极电极接外壳3.3 最大额定值和主要电特性3.3. 1 最大额定值o.l R1 R2 嗖电bl 叭-u40.13 27.17 图13DK406外形图P tot1) VCBO V。VEBO Ic Ti T啕型号Tc=25t: (t: ) (W) (V) (V) (V) (A) (t: ) 3DK406A 300 250 3DK406B 350 300 75

5、 6 5 175 - 55-175 3DK406C 450 400 3DK406D 550 500 注:lTc25t时按0.5W/t:的速率线。一2一SJ 50033/62 1995 3.3.2 主要电特性(TA=25t:) 极hFE1 V皿VBE . ton ts tf R(创jeV=5V I =2.5A I=2.5A I=3A I=3A V=10V 型I =2.5A IB = O. 5A IB= 0.5A IB = 0.3A 1 Bl = - 1m = 0 . 3A I =1A (V) (V) (S) S) (C /W) 号最小最大值最大值最大值最最大值3DK406A-D 10 1. 2

6、1. 5 1. 2 2.5 1.5 2.0 3.4 电测试要求电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.5 标志标志应符合GJB33和本规范的规定。4 定4. 1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)筛选应按GJB33表2和本规范的规定。试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。(见GJB33的表2)测试或试7.中间电参数测试IB01和hFE1功率老化条件如下:8.功率老化Tj=162.5士12.5CV=30V p tot;:.37. 5W 按本规范表1的A2分组9最后测试6.IBOf

7、初始值的100%或100A.取较大者6.hFE1运初始的土20%4.4 .质量一致性检验检验应按GJB33的规定。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。3一臼50033/621995 4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规施表3的规定进行。4.5 检验方法检验方法应按本规范相应的表和下列规定:4.5.1 脉冲测试脉冲测试条件应按GJB128的3.3.2.1的规定。表1A组检验GB 4587 检验或试验卜一一方法值LTPDI符号一单位条件Al分组I GJB 128 外观及机械检验I 2071

8、5 十A2分组集电极一发射极I :本规范击穿电压|附录A3DK406A 3DK406B 3DK406C 3DK406D 发射极一基击穿电压集电极一基极截止电流集电极一发止电流集电极一发射极饱和电压5 发射极一基极开路;Ic= 5rnA 集电极一基极开路;IE= 3rnA 发射极一基极开路;V=VCBO 发射极一基极开局;VcE=0.5Vo Ic=2.5A I=0.5A 脉冲法(见4.5.1)1 C= 2.5A I I = 0.5A 脉冲法(见4.5.1)VcE=5V Ic=2.5A 脉冲法(见4.5.1)一一2.9.2.2 2.1 2. 1.4 2.3 基极一发射极I 2.4 饱和电压正向电流

9、传输比I 2.8 A17t组离温工作:集电极一基极止电流低温工作:正向电流传输比5 2.1 TA = 125士5t发射极一基极开附:V=0.7CBd TA= -55t V=5V Ic=2.5A 脉冲法(见44.5.1)一一一2.8 .L 4一 最小值I:最大值V(BR)o V(R)园。250 300 400 500 6 IE 200 Io 一1.0 V副一1.2 VE(副)1.5 hFE1 10 1 CB02 2 hFJ回7 VVVVV 、A rnA V 飞7mA B1分组可焊性标志耐久性B2分组热冲击密封a.细检b.粗最后测试zB3分组态工作寿命最后, 或试臼50033/621995 1 表

10、2B组检验方法2026 1022 1051 1071 1027 GJB 128 条件i低-55t I其余F 试验条件Hf牛F见表4步1和3Tj= 162.5士12.5tV=30V P _;!:.37 5W 见表4步骤2和4LTPD 15 10 5 5一臼50033/621995 2 GJB 128 或试验LTPD 方法条件B4分组(仅对GCT每批个开帽内部目检2075 胃胃, (设计实)。失效2037 件A20(C=0) 部分组7 高寿命1032 TA= 175C (非工作状态) 见表42和4表3GJB 128 检验或LIPD 符号单位方法条件最小值最大值Cl分组15 外形尺寸2066 见图1

11、+ 分组10 热忡击1056 试验条件B(玻璃应力)引出2036 A 外加力t20N时间:105受试引出端数:2密封1071 8.细检H b.粗试验条件F度/湿度1021 外观及2071 最后测试:见表4步骤1和3c3分组10 冲击2016 变频振动2056 恒定加速度2006 最后测试:见表4步骤1和3+ 卡组15 时)盐气(侵蚀)1041 c6分组稳态工作寿命1026 Tj= 162.5士12.5CV=30V = 10 Ptut37.5W 最后测试:见表4步骤2和4c8分组15 热阻GB 4587 V=10V R(由)j-c2 C /W 2.10 Ic= lA 20CT 75C 6一臼50

12、033/621995表4A组、B组和C组步|GB 4587 检方法条件1 |集电极基2.1 发射极基极止电流VCB= VCBO 2 电极基2.1 电流V=V。3 !正向电流比2.8 VCE=5V Ic=2.5A 脉冲法(见4.5.1)4 |正向电比2.8 I v，=5V Ic=2.5A 脉冲法(见4.5.1)注:1)本测试超过A组极限值的器件不应接收。5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求求应按GJB33的规定。5.3 运输要求要求应按GJB33的规定。6 说明事项6. 1 预定用符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后6.2 订货资料合同或订货单应规

13、定下列内容za. 本规范的名称及编号:b. 等级(见1.3.1)C. d. 需要时，其他要求。试极符号最最大值ICBOI 2 Im 400 h陀110 初始i的土25%。6.3 对引出端材料和涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定(见3.2.1)。6.4 如需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。单位A A 一7一臼50033/621995 6.5 直流安全工作区见图2。8一10 s. 一. . 、:31.Ol.二r=.-一- -. - I 爆 . _._- t-. -_ . -.mJ , 11. _. L 0.01 。.0021. 一-. 一-一, 10 集电极一发射极电压V卢(V)

14、图23DK406的直流安全工作区附录A(标准的附录)/ -发射极击穿试方法Al 目的本测试的目的是为了在规定的条件下，确定器件的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2 电路Rl + VCE G 一A 图Al集电极一发射极击穿电压测试注g在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看，胡对电作因电流的校正。A3 限流电阻Rl应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BR)CED的最低极限，器件为合格。试方法用于表现器件的负阻击穿特性，在这种情况下必须使晶体管的集电极电流及结温保持在安全值以内。A4 规定条件a. 环境温度TAb. 测试电流Ic。说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所负本规范主要起草人:蔡仁明、刘东才。计划项目代号:B21005o。9一