SJ 50033 8-1994 半导体分立器件.3DK205型功率开关晶体管详细规范.pdf

1、中电SJ 50033/8 94 、1994-09-30发布1994-12-01实中华人民共和国电子工业部批中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件SJ 50033/8 94 3DK205型功率开关晶体管详细规范1. 1 内本规范规定了3DK205AI型NPN硅功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33(半导体分也器件总规范的规定，提供产品保证的三个等级的P、GI相GCT级)。1.2 外形尺寸外形尺寸应按GB7581吧、民咱图1中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布电专七号符号.tA b飞250C，按333mWIC的速率1. 4 主要电特性CTA-25C)、极限值hFE1

2、1) VCEsatI J V BE(sat) Ic =1. 5A CE = 5.0叫IB=0.15A Ic = 1. 5A (V) 型号口lax3DK205AI 红1525橙2540黄40550.5 1. 2 绿5580蓝8012SJ 50033/8 94 VCEO (V) 30 50 80 110 150 200 250 300 350 。ton t, Ic =1. 5A lBl =0. 15A Is2 = -0. 15A (s) 盯lax0.5 2. 2 VE田Ic IB Tj Tstg (V) (A) (A) (C) ( C) 6 3.0 1. 0 175 -55175 由tr IT C

3、ob Rth(-c VCE =10V IE =0 Ic =0. lA VCB =10V VCF 25V 1=3.0MHz 1=0. 1MH/ , 1, =0.7A (MHz) (pF) (OC/W) 口un口lax口lax0.4 8 400 3. 0 . 注:1)hmz三40各档，其误差不超过士20% ; hFEJ 40各档，其误差不超过士10%。2 引用文件3 GB 4587 GB 7581 GJB 33 GJB 128 3. 1 详细要求双极型晶体管测试方法半导体分立器件外形尺寸半导体分立器件总规范半导体分立器件试验方法各项要求应按GJB33和本规范的规定。3. 2 设计证结构和外形尺寸器

4、件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引出线材料和涂层一2一 SJ 50033/8 94 引出线材料应为可伐，引出线表面应为锡层或镰层。对引出线涂层有选择要求时，在合同或订货单中应予规定。3. 3 标志器件的标志应按GJB33的规定。4 4. 1 抽样和抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4. 2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)器件的筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1规定极限值的器件应予剔除。筛选测试(见GJB33的表2)GT和GCT级7、中间电参数测试ICBOj和h

5、FE18、功率老化见4.3. 1 9、最后测试按本规范表1的A2分组z t:J C!lOj :;(初始值的100%或100A取较大者。4. 3. 1 功率老化条件，功率老化条件如下:TJ -162.5士12.5 C VCE =25V Ptot注25W4.4 质量一致性检验.hFEl :;(初检验应按GJB33的规定进行。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5 检验方法检验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5. 1 脉冲测试脉冲

6、测试应按GJB128的3.3. 2. 1的规定。的+20%3一SJ 50033/8 94 4.5.2 热阻热阻测试应按GB4587的2.10和下列规定a. 加功率时的IcO.7A; b. VCE -25V; c. 基准温度测试点应为管壳;d. 基准点温度范围为25CC1c运75C ，实际温度应记录;e. 安装应带散热装置;f. Rh(J-d的最大极限4. 5. 3 c组寿命试验C组寿命试验应按GJB33和本规范的规定进行。4.5.4 恒定加速度恒定加速度试验应按GJB33和本规范的规定进行。去1A组检验为3.0C/W。GB 4587 极限值或试验方法条件LTPD I符号单位口1mmax A1分

7、组外观及机械检验GJB 128 2071 5 A2分组集电极发射极击穿电压3DK205A 3DK205B 3DK205C 3DK205D 3DK205E 3DK205F 3DK25G 3DK205H 5 本规范|发射极基极开路附录AI Ic =3mA V (HR1CEO 30 50 80 110 150 200 250 300 VVVVVVVV 3DK2051 350 V 发射极一基极2. 9. 2. 2 集电极基极开V (BR1EBO 6 V 击穿也压h =lmA 集电极一基极2. 1 发射极基极开路;1 CB 1 O. 2 mA 止电流VC = VCBO 集电极一发射极2. 1. 4 |发

8、一基极开路;IIcEO O. 7 mA 截止电流l VCE一-A牛CEO 发射极基根2.2 集电机一基极开路;I IIEBo 0.2 mA I VEB = 6V 止电流集电极发射极2. 3 I Ic = 1. 5A I V CEtsal) 1 0.5 V 饱和电压I I =0. 15A -4一检验或试验方法基极发射极2.4 饱和电压正向电流传输比2. 8 仲A3分组高温工作集电极基极2. 1 截止电流低温工作正向电流l 比2. 8 A4分组输出电容2. 11. 3 导通时间A.4 贮存时间A. 4 F降时间A.4 A5分组安全工作区(直流)试验1试验2试验33DK205 - 1 试验43DK2

9、05C SJ 50033/8 94 续表1CB -1587 LTPD I符号条f牛Ic = 1. 5A I V BF.(;Ir) Is=0.15A VCE =5. OV h.iEl Ic = 1. 5A 10 TA=125士5C发射极一基极开路11 nl(), VCB =0. 7VcIlo TA 一55C VCE =5. OV Ic =1. 5A hn:o 脉冲法(见4.5. 1) 5 VCR =10V Cob h=O /=O.lMHz Ic = 1. 5A lB1 =0.15A lB2=-0.15A Ic = 1. 5A t飞1111 =0.15A lB2 = -0. 15A Ic = 1.

10、 5A lf lB1 =0.15人lB2=-0.15A 10 Tc =25 C t = ls，单次也VCE= 16. 7V lc =3. OA VCE =30V Ic =1.67A VCE50V Ic =O.57A VC F. =80V Ic =220mA 极限值盯1m町lax1.2 15 25 25 40 40 55 55 80 80 120 2.0 7 400 O. 5 2. 2 O. 4 单位产d V mA pF s s s SJ 50033/8 94 续表1GB 4587 极限值检验或试验LTPD 符号单位方法条牛口lln口lax、3DK205D VCE= 1l0V Ic =1l0mA

11、 3DK205E VCE =150V Ic =58mA 3DK205F VCE =200V Ic =32mA 3DK205G Vn: =250V Ic =20mA 3DK205日VCE =300V Ic =14mA 3DK2051 VCE =350V Ic =10mA 最后测试见表4l和3表2B组检GJB 128 检验或试验LTPD 方法条件B1分组15 可焊性2026 标志耐久性1022 B2分组低一55C 10 热冲击(循环1051 其余条件见试验条件F密封1071 H a、细检漏F b、粗最后试见表4步l和3B3分组T , = 162. 5士12.5C 5 稳态工作寿命1027 VCE

12、=25V Prot二三25W最后l试见表4步2和4B4分组每批1个器件，开内部目检2075 。失效(设计核实)合强度2037 试条件A20(c=0) B6分组7 寿命(不工作)1032 TA=175C 最后测试见表4步骤2和4-6一SJ 50033/8 94 表3C组GB 128 极限值检验或试验LTPD 符号单位方法条件口un盯lax-t C1分组15 外形尺寸2066 见图IC2分组10 热冲击1056 试验条件B(玻璃应力)引出端强度2036 试验条件A密封1071 a、细检漏条件Hb、粗检漏试验条件F综合温度/湿度周期1021 1 最后测试见表4步1和3C3分组10 冲击201且按总规

13、范变频振动20G6 按总规范恒定加速度2006 按总规范最后测试C4分组15 盐气(侵蚀)(适用时)1041 C6分组Tc =100C =10 稳、态工作寿命1026 TJ= 162.5+ 12.5 C VcE=25V Po,=25W 最后测试见表4步骤2和4C8分组15 热阻GB 4587 VcE=25V 2.10 Ic =0.7A Rthj- () 3.0 C/W 表4A组、B组和C组最后测试GB 4587 极限步骤检验符号单位力法条牛口lln口lax电极基极截止电流2. 1 发射极一基极开路Ic阳川O. 2 mA VCH=VCRO 2 电极基极止电流2. 1 发射极基极开路ICBol 0

14、.4 mA VCH=VCRO 一7一SJ 50033/8 94 续表4(_;B 4587 步骤检验符号方法条f牛正向电流传输比2. 3 VcE=5.0V h凹飞Ic = 1. 5A 4 正向电流传输比2. 8 VcE=5.0V Li. hFE1 j) Ic = 1. 5A 注:1)本测试超过A组极限值的器件不应接收。5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GR33的规定。5. 3 运输要求运输要求应按GB33的规定。6 说明6. 1 合同或订货单可规定雯求的引出线材料和涂层(见3.2. 1)。6.2 如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货

15、单中规定。6. 3 直流安全工作区(见图2)。8 极限值单位口lln盯lax15 25 25 40 40 55 55 80 80 120 初始值的土25%SJ 50033/8 94 100 .0.01 1 1c = 25C i 26 1. 0 O. 1 10 f. vuhM属哥瑶叫苦一9一1000 . O ,50 lJ() 100 200 )O 集电极一发射极电压VCE(V)3DK205直流安全工作区图2A1 目的SJ 50033/8 94 附录A一发射极击穿电压测试方法(补充件)本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是杏大于规定的最低阪限。A2 测试电路S R1 + t电压;

16、二VCE. 一A 注:在测试电流时，电流表的接头之间实际t可看成短路，或对电压表读数作因电流表压降的校正。图Al集电极一发射极击穿电压测试电路A3 测试步限流电阻Rl应足够大，以避免过渡的电流流过晶体管和电流表。施加规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于VWR)巳EO的最低极限，晶体管为合格。本测试方法企图表现晶体管的负阻击穿特性，在这种情况下，必须使晶体管的集成电极电流及结由保持在安全值以内。A4 件a. 环境温度TA;b. 测试温度lc。附加说明:本规范由中国电子标准化研究所归口。本规范由衡阳市晶体管厂负川且=甲。本规范主要起草人:夏贤学、欧阳映和汁划项目代号:H901001、H901002一10一