SJ 50033 96-1995 半导体分立器件.3DG216型NPN硅小功率差分对晶体管详细规范.pdf

1、中FL 5961 8J 50033/96 95 主叫晶自8emiconductor discrete devices Detail specification for type 3DG216 NPN silicon low power difference matched pair transistor 1996-06-14发布1996-10-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件3DG216型NPN硅小功率差分对晶体管详细规范1范Semiconductor discrete devic四Detail specification for type 3D

2、G216 NPN silicon Low - power difference matched - pair transistor 1. 1 主题内容SJ 50033/骆一95本规范规定了3DG216型NPN硅小功率差分对晶体管(以下简称器件)的详细要求。1. 2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采阴。1. 3 分类本规证叫行分类。1. 3. 1 器件的按GJB33(半导体分立器件总规范第1.3的规定，提供的产品保证等级为普军、特军和超特军三级，分别用字母GP、GT和GCT表示。2 引用文件GB 4587 84 双极型晶体管测试方法GB 7581 87 半导体分立器件外形尺寸GJB 33

3、 85 半导体分立器件总规范GJB 128 86 半导体分立器件试验方法3 要求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引出端材料和涂层引出端材料为可伐。引出端表面涂层应为镀金，镀锡或浸锡。对引端材料和涂层要求选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定(见6.4)3.2.2 器件结构中华人民共和国电子工业部1996-06-14发布1996-10-01实施一1一臼50033/9695 器件采用NPN硅外延平面双极型结构。3.2.3 外形尺寸外形只寸按GB7581的A602A型及如下规

4、定。见图1。45 45 o. o.l 吃份z叫3.3 最大额定值和主要电特性3.3. 1 最大额定值机xM P tot) VCI!O 型号TA =25t: (mW) (V) 3DG216 100X2 45 A、B注:1) TA25t:时，按0.57mW/t:的3.3.2 主要电特性(TA=25C) 一2一o. M 图I外形图VCF- (V) 30 。飞f、亨A6-02A 符号:最小值典型值最大值号A h ;b. ;bz ;D ;D. J K L L , VEBO (V) 4 6.10 6.60 5.08 1.01 0.407 0.450 0.508 8.64 9.39 8.01 8.50 0.

5、712 0.787 0.863 十0.740 1. 14 12.5 25.0 1. 27 引出1一发射极17、发射极22一基极13、集电极1Ic (mA) 20 6、基极2电极2玛利T啕(t: ) -55-175 SJ 50033/96 95 参型号符号(单位)测试条件最小值最大值hFE(l) V= 10V, Ic = 3mA 所有型号40 200 V酣(V) Ic= 10mA, IB= lmA 所0.5 h(MI也)Ic=3mA, V(E= 10V f=30MHz 所有型号150 h FEl 1) V= 10V, Ic= 3mA 3DG216B 0.95 hFE2 3DG216A 0.90

6、V CB = 10V, f= lMHz 所有型号C,(PF) 5 IE=O 注:1)较大的数为分母。3.4 标志件的标志应按GJB33的规定。4 保证规定4.1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)按GJB33和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行，超过本规范表1极限的器件应予剔除。7 中间电参数8功9 最后4.4 质量一致性检验试检I CI!O hFE(l)hFE1/ h . :z T A = 25 :t 3t, V= 10V, P,= 100mWX2 按本规范表1的A2分组.tlI CI!O =

7、初始值的100%或5nA.取其较大者D.hFE=土20%质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1 A组A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量(.)要求按本规范表4的步哪川。一3一SJ 50033/96 95 4.4.3 C组C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量(L)要求按本规范表4的步帽1J 0 4.5 检验和试验方法4.5. 1 脉冲测试冲测试应按GJB128的3.3.2.1条的规定进行。4.5.2 基极一发射极电压测试将两个单管的发射极连接在一起，对每个单管采用规定

8、的试验条件并符合GB4587的2.4方法。在两个单管之间直接测得基极-发射极的电压差IVBE1VBE21。4.5.3 基极一发射极电压差随温度变化的测试按本规范4.5.2条规定的方法，在两个规定的温度下测试基极一发射极电压差的数值，并按如下公式计丹:1L(VBE1- VBE2)LTAI = I(VBE1-VBE2)TAl一(VBE1-VBE2)TA21。方法Al分组128 外观和A2分集电极一基电压12.9.2. 1 发射极一基极击穿电压12.9.2.2 电极一发击穿电压集电极一基极截止电流12.1 发射极截止电流12.14发止电流.2 正向电流传输比.8 电压12.3饭饱和电压12.4 正向

9、电流传输比12.8 (增益比)3DG216B 3DG216A 基极一发射极电压(非饱和)绝对差值基极一发射极电压非饱和)随温度变化的绝对差值一4一.5 .5 范附表1A组检验GB 4587 条件极一基极开路C= 10A 电极一基极开路F. = 10A 射极一基极开路C= 10A 射极一基极开路VC8= lOV 射极一基极开路VCE= lOV 电极一基极开路V F.8= 1. 5V V(_F. = lOV Ic = 3mA C= 10mA 18= lmA lC= 10mA 18= lmA V= 10V Ic= 3mA VcE=5V c=lmA V=5V c=lmA TA =25t:和-55t:

10、见4.5.3)5 5 符号单位最小l最大V(BRlCBO I 45 I一1V V(BRl F.BO 4 1 1 V V(8RlCF.o 30 v Ic区)(1) 10.01 1A l cr.o 10.01 1A I F.BO 0.01 IA hFE(1) 4012001一V蚓!一I0.5 I V V8E(蚓|一11 1 V h FE1 1 hFU 0.95 1一一0.90 I VBE1-VBt:211一I ( VBF.l-VBU) I L:. TAI( l) 一10 mV 1. 5 mV 或试方法基极发射极电压(非2.5 度变化的绝对A3分组高!T作集电极电流2.1 作正向电流传输比2.8 A

11、4分组开路出电容2.11.3 特征频率2.11. 2 A5、A6和A7分组不适用或试验方法Bl 2026 1022 四分组冲击(环)1051 密封1071 a.细b.粗检最后测试:B3分组稳态工作寿命1027 最后测试B4分组开帽内目检(设计证)I 2075 四分组高温寿命(不工作)最后测试2037 1032 臼50033/9695 续表1GB 4587 LTPD 符号单位条件最小最大V=5V IA( VBE10 VlIE2 2.0 mV Ic= lmA TA=25C和125CATAI(2) (见4.5.3)5 TA = 150C 发射极基开路Ic阳Z)10 A V= 10V TA = - 5

12、5C V= 10V Ic=3mA hFECZ) 20 Is V= 10V f= lMHz C 5 pF h=O V= 10V Ic=3mA fT 150 MHz r=3MHz 表2B组检验GJB 128 LTPD 条件受试引出数:615 10 牛F-l件H条件C见表4步1、3和45 TA=25C, VcB=10V Ptat= 100mWx2 不允许器件加散热器或风冷见表4步2、3、5、6和7自标准按鉴定时的设计个，0失效件A20(C= 0) 7 TA=175C 见表4，步骤2、3、5、6和75一SJ 50033/96 95 表3C组检验一一方法GJB 128 条LTPD 或试件15 2066

13、I见图110 AE 件件条条验验试试Zornv且，、d句J句，nunA A句，-A件H试验条件C1021 2071 见表4，步骤1、3和410 2016 2056 2006 见表4，1、3和415 1041 = 10 最后测试:1026 I TA=25 :t 3C, V= 10V PIO= 100mWX2 不允许器件加散热器或强迫风冷见表4，步骤2、3、5、6和7表4B组和C组最后测试步GB 4587 极限值检符号单位方法条件4王小最大1 集电极基极截止电流2.1 发射极基极开路I1()(1 ) 0.01 A V= 10V 2 集电极基极截止电流2.1 发射极基极开路lCBO(1) 0.02

14、A VCB= 10V 3 基极发射极电压(非饱和)2.5 VcE=5V, Ic= 10mA I VBE1- VBE21 10 mA 绝对差值(见4.5.2)4 正向电流传比2.8 VCE= 10V, Ic=3mA hFEJI h FE2 (增益比)3DG216B 0.95 3DG216A 0.90 5 正向电流传比2.8 Vcr.= 10V, Ic= 3mA hFE,/hFE2 6一J 50033/96 95 续表4步!GB 4587 提检验或符号l 单位方法条件最小最大|(增益比)3DG216B 0.80 I 3DG216A 0.75 I 6 I基极发射极电压2.5 V=5V. Ic= lm

15、A I .( VBE1 -V阴)I I 1. 5 I mV (非饱和)随温度变化的绝对TA =25C和-55C.TAI (I7 I基极发射极电压I 2.5 I V=5V.lc=lmA 11 .(VBE1-Vm) I I 2.0 I mV (非变化的绝对TA =25C和125C差. TAI (Z) 5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。6说明6. 1 预定用途符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2 订货资料合同或订单应规定下列内容:a. 本规范的名称和编号:b.

16、 等级c. 数量;d. 需要时，其他要求。6.3 定义6.3.1 hFEdhFE2:稳态正向电流增益比，每个管芯的稳态正向电流传输比配对率。6. 3. 2 I V 1:1 - V BE2) I各管芯之间基极一发射极电压差的绝对值。6 . 3. 3 1M V BEl - V HE2 ) T A I :两个不同温度下各管芯之间基极一发射极电压差之间代数的绝对值。6.4 对引出端涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定(见3.2.1)。如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。一7一Al 目的臼50033/9695 附录A一发射极击穿电压测试方法(补充件)试的目的是为了在规定的条件下确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极值。A2 测试电路试电路见困Al。s 令V Cf; , 图Al集电极一发射极击穿电压测试电路A3步电阻器Rl为限流电阻，应足够大，以避免过度的电流流过晶体管的电流表。在发射极一基极开路的条件下，增加电压直到达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BRlo的最低极限值，则晶体管为合格。说明本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由国营第九七O厂起平。本规范主要起草人:黄世杰、李民运。项目代号:B31006。8一