SJ 50033.45-1994 半导体分立器件.2CZ58型硅整流二极管详细规范.pdf

1、中-FL 5961 SJ 50033.45 94 主2玄1)1(, Semiconductor discrete device Detail specification for type 2CZ58 silicon rectifier diode 1994-09-30发布1994-12-01实 中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准1 范围1. 1 主题内容半导体分立器件2CZ58型硅整流二极管详细规范Semiconductor discrete device Detail specification for type 2cz58 silicon rectifier dio

2、de 本规范规定了2CZ58型硅整流二极管(以下简称器件)的详细要求。1.2 适用范围本规m适用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规范根据器件证等级进行分类。1 .3. 1 器件的等极按GJB33(半导体分立器件总规范1.3条的规定，提供的特军三级，分别用字母GP，GT和GCT表示。g 引用文件GB 4023 86半导体分立器件第2部分整流二极管GB 7581 87 半导体分立器件外形尺寸GJB 33 85 半导体分立器件总规范GJB 128 86 半导体分立器件试验方法3 要求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸件的设计、结构和外形尺寸

3、应按GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引出端涂层SJ 50033.45 94 普军、特军和超器件表面应镀锡。对引出端涂层另有要求时，在合同或订货单中规定(见6.3条)。中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01实施SJ 50033.45 94 3.2.2 器件结构在芯片的两面和引出端之间采用高温冶金键合结构。, 阳、=写 2一Q . 电 W A D Dt D2 E F J 1M N Nt + w 非D，o, 盯un2.0 10.72 1.53 国11李C1-01A nQm 11.0 M5 图1外形图max 10.28 12.82 10.76 6.35 4.4 2

4、0.32 M5 外径 11.50 2.03 SJ 50033.45 94 3.2.3 外形尺寸外形尺寸应符合GB7581的C1-01A型及如下的规定。见图1。3.3 最大额定值和主要电特性3.3. 1 最大额定值VRSM VRWM 型号(V) (V) 2CZ58B 75 50 2CZ58C 150 100 2CZ58D 300 200 2CZ58E 450 300 2CZ58F 600 400 2CZ58G 750 500 2CZ58H 900 600 2CZ58J 1050 700 2CZ58K 1200 800 Iou Tc=75C (A) 10 注:1)当Tc超过75C时，按133mA/

5、C线性3.3.2 主要电特性(TA = 25t:) VFM1 IFSM TA=25C VR= VRWM tp= 10ms (A) 210 。IR1 IFM= 30A VR= VRWM 型号(V) (A) 最大值最大值2CZ58B 2CZ58C 2CZ58D 2CZ58E 2CZ58F 1.8 50 2CZ58G 2CZ58H 2CZ58J 2CZ58K .L. 3.4 电测试要求电测试应符合GB4023及本规范的规定。3.5 标志TOP (C ) - 55-150 IR2 VR= VRWM Tc= 140C (A) 2000 T.幅低气压(C ) (Pa) 一55-1754400 Z也(J-

6、c) t = Is (C /w) 5 一3一 SJ 50033 _ 45 94 标志应符合GJB33和本规范的规定。3.5. 1 极性器件的极性应采用二极管符号一时表示，箭头指向为负极端。4质4. 1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。筛选(见GJB33表2)试检验3.热冲击混为-55C外，其余同试验条件瓦, 7.中间电参数测试VFM1、1R18.电老化Tc=75_C 10= 10A VR= VRWM

7、 f=50日z正弦半波9a 最后测试本规范表1的A2分组;Ll1 Rl =初始值的100%或2.0A，取较大者:Ll VFM1 =土0.1V。4.4 质量一致性 性检验应按GJB33的规定。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量(.1)的要求应按本规范表4的相应步骤的规定。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量(.1)的要求应按本规范表4相应步骤的规定。4.5 检验和试验方法和试验方法应按本规范相应的表和如下规定:4.5. 1 稳态工作寿命在

8、器件的反向施加规定的正弦半波峰值电压，接着在正向施加规定的正弦半波平均整流电流，整流电流的正向导通角应不大于180.，不小于150.。4.5.2 脉冲测试脉冲测试条件应按GJB128的33-2-1的规定。4.5.3 热阻热阻测试应按GB4023中的2.2.3条的规定。4一SJ 50033.45 94 , 表1A组检验GB 4023 极检验或试验LTPD 符号单位方条件最小值最大值A1分组5 外GJB 128 2071 A2分组5 正向电压町-1.2.3TFM = 30A VFMt 1.8 v tp = 300s 82% 反向电流N- 1. 4.1 VR = VRWM IRt 50 A A3分组

9、5 高作:Tc = 140t: 反向电流N- 1. 4.1 VR = VRWM IR2 2000 A 低作2Tc = - 55t: 正向电压:N -1.2.3 IFM= 30A VFM3 2.0 V tp= 300s 8运2%A6分组10 浪涌电流 N -3.1 TA = 25t: VR = VRWM 5 IFSM= 210A tp= 10ms 波数与浪涌次数均为1最见表4步骤1和2 表2B组检验GB 128 检验或试验LTPD 方法条件Bl分组15 可焊性2026 焊接停留时间=10 :t 1s 标志耐久性1022 B2分组10 热冲击1051 除低-55C外，其余同F - 10 密封107

10、1 a.细试验条件Hb.粗检试验条件C最后测试:见表4步骤1和25一 检验或B3分组稳态工作寿命最试zB4分组开帽内部自检B6分组高(非工作状态)最后测试:Cl分组外形尺寸分组冲击或检引出端强度转矩密封a.细b.粗检综合温度/湿度周期试验外观及机械检验最后测试:C3分组冲击动恒定加速度6一SJ 50033.45 94 续表GB 128 试方法条件1027 Tc = 75_tC VR = VRWM To = 10A f=50Hz 正弦半波见表41、2和32075 1032 TA = 175t: 见表4步1、2和3表3C组检验 GB 128 LTPD I符号方法|条件2066 1056 1071

11、1021 2071 2016 2056 见图1件B件Dz转矩31ON-m时间:1015s条件H试验条件C按表4步骤1和2A = 14700m/l T=0.5ms 冲击方向及次数:沿X、Y、Z每方向5次非工作状态离心加速度:15 10 10 , LTPD 5 /0失效7 单位, 8J 50033.45 94 续表GB 128 极限检验或检LTPD 符号单位方法条件最小值最大值98000m/s2 最后测试2按表41和2C5分组15 (适用时)、低气压1001 试验条件Ct = 60s 试反向电流GB 4023 VR = VRWM IRl 50 A N- 1. 4.1 c6分组 = 10 稳态工作寿

12、命1026 Tc = 75_s0t 10 = 10A VR = VRWM f = 50王Z正弦半波按表41、2、和3c7分组15 热阻GB 4023 t = 1s 马(j-.) t/w N -2.2.3 表4A组、B组和C组的电测试GB 4023 或检验符号单位方法条件最小值最大值1 正向电压N -1-2-3 IFM = 30A VFM 1.8 V tp= 300s S运2%2 反向电流N-I-4-1 VR= VRWM IRl 50 A 3 反向电流变化N -1 - 4 - 1 VR= VRWM AIRIU 初始值的100%A 2.0.取较大者。注:1)本试验中IRl超过A组极限值的器件不应接

13、收。5 交货准备5_ 1 包装要求包装要求应符合GJB33的规定。5_2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。一7一SJ 50033.45 94 5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。6 说明事项6. 1 预定用途符合本规范的器件供新设备和现有的后勤保6.2 订货资料订货合同应规定下列内容:a. 本规范名称和编号;。LH (见131);C. , d. 需要时，其它要求。6.3 对引出端涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定(见3，2-1条)。如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由八七三厂起草。本规范主要起草人:彭琳、刘东才、金贵永。计划项目代号:B21024。8一