SJ 50597 29-1994 半导体集成电路.JC4585型CMOS4位数值比较器详细规范.pdf

1、FL 5962 、l叮，口SJ 50597/29 94 Semiconductor integrated circuits Detail specification for type JC4585 。fCMOS 4-Bit magnitude comparator 1994-09-30发布1994-12-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标半导体集成电路JC4585型CMOS4位数值比较器详细规范1 范围1. 1 主题内容Semiconductor integrated circuits Detail specification for type JC4585 of

2、 CMOS 4-bit magnitude comparator 臼50597/2994 本规范规定了半导体集成电路JC4585型CMOS4位数值比较器(以下简称器件)的详细要求。1. 2 适用拖围本规范适用于器件的研制、生产和采阴。1. 3 分类本规范给出的器件按器件型号、器件等级和封装形式分类。1 .3. 1 器件编号器件编号应按GJB597(微电路总规范第3.6.2条的规定。1. 3. 1. 1 器件型号器件型号如下:器件型号JC4585 1. 3. 1. 2 器件等级器件型号CMOS4位数值比器件等级应为GJB597第3.4条所规定的B级和本规范规定的B1级。1. 3. 1. 3 封装

3、形式封装形式应按GB/T7092 -93(半导体集成电路外形尺寸的规定。封装形式如下:类型外形代号D Dl6S3 (陶瓷双列封装)F F16X2 (陶瓷扁平封装)民H16X2 (陶怒熔封扁平封装)J J1 6X3 (陶瓷熔封双列封装)中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01实一1一SJ 50597/29 94 1. 4 定值绝对大额定值如下:项目电电压输入电压入电(每个输协靠毛贮存温度范围引线耐焊接( 105) 结1. 5 推荐工作条件推荐工作条件如下:项目电5京电压工作环境温度2 引用文件3 GB 3431.1 - 82 GB 3431.2 - 86 GB 343

4、9 - 82 GB 3834 - 83 GB 4590-84 GB 4728.12一85GB/T 7092 - 93 GJB 548 - 88 GJB 597 - 88 GJB 1649 - 93 3. 1 详细要求数惶符号 最最大Voo 甲0.518 V1 - 0.5 Voo+0.5 I 1 I I 10 Po 500( - 55-100t:) 200 (100-125t: ) T酣-65 175 Th 300 TJ 175 数符号最小最大Voo 3 15 一一咽TA 一55125 半导体集成电路文字符号电参数文字符号半导体集成电路文字符号引出端功能符号半导体集成电路TTL电路测试方法的基本

5、原理半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理半导体集成电路机械的气候试验方法电气图用图形符号二进制逻辑单元半导体集成电路外形尺寸。微电子器件试验方法和程序微电路总规范电子产品防静电放电控制大纲各项要求应按GJB597和本规范的规定。单位v v mA mW 卡 单位V 本规范规定的B1级器件仅在产品保证规定的筛选、鉴定和质量一致性检验的某些项目和要求不同于B级器件。3.2 设计、结构和外形尺寸一2一町50597/2994 设计、结构和外形尺寸应符合GJB597和本规范的规定。3.2. 1 逻辑符号、逻羁图和引出逻辅符号、逻辑图和引出端排列应符合图1的规定。逻辑符号和逻辑图符合GB4728.1

6、2 的规定。引出端排列为俯视图。逻辑符号引出端排列D型Vssl 18 9 一3一SJ 50597/29 94 逻辑图B. B, BI B。A X AJ= Az Bz AJ = B:! A2= Bz AJ = B:! A2=Bz AJ = B:! A2=Bz AJ= B:! A2=Bz 4一较AI B1 X AIBI AI =B1 斗AI =B1 AI =B1 入AoBo AB X X H H 丁HH AoE与 日Ao=Bo L L H Ao=E与L H X AB 出FAB FA_B FAB 5V 600 600 840 C. = 50pF. ns A.BFAB如FAB 10V 160 160

7、184 A=B .FA-B 15V 120 120 148 5V 200 200 280 输出转换时间RL = 200kn. CL = 50pF 斗tTLH ns 们.t , = 10ns. f = 200kHz 10V 100 100 140 tTHL (见本规范图2)15V 80 80 112 6一SJ 50597/29 94 表2电试验要求B 器件Bt 件项目分组(见表3)变分组(见表3)中间(老化Al Al 电测试 中间(老化后)A12) L12) All) L12l 电测试最终电测起A2. A3. A7. A9 A2.A3.A7. A9 A组电Al, A2. A3. A4. Al,

8、A2. A3. A4. A7. A9. AI0. All A7. A9 C组终点电试Al,A2.A3 L12) Al,A2.A3 L12l C组检验增加的电试分组AI0.All D组终点电试Al,A2. A3 Al. A2. A3 注:1)该分组要求PDA计算(4.2条)。2)老化和寿命试验要求A变化量测试。A变化量极限按本规范第4.:;.2第的规定。表3电测试引用标准条件规范值 分组符号单位(若无其它规定.Vss=OVo TA=25t GB 3834 最小最大Al Voo接地，Vss开路。被测入llK= lmA.非测入开V1K+ 路.出开路。1.5 V 1) Voo开路，Vss接地。测入II

9、K= -lmA.非入V1K-开出开路。-6 v Voo=5V. Vu_=OV. VIH=5V. 出开0.5 I 。2.15 出开 V= 10V. V1L = 0 VIH= 10V. 1 A 。V 00 = 15V. V1L = OV. V1H = 15V. 出开路。2 Voo= 15V.被测输入V1L= OV. 出开路;V佣2.7 所有其它非被测端开路，被出IOH=O。14.95 V VOO= 15V.被入VIH=15V. 出开. , VOL 2.8 0.05 v 所有其它非被测开路.被测输出loL=O。 一7一SJ 50597/29 94 E引用符号GB 3834 J 句，= A T V L

10、肿EnvqJE,T= S V 条定即J1 它其无若单位最小|最大VIH 12.1 Voo=5V，被测输入端为叭，其它输入端接地，. ，被测输出端VO也=0.5V或V佣=4.5V。VOO= 10V，被测输入端为叭，其它输入端接地，被测输出端VoL=1V或VoH=9V。3.5 一A1 7 一V V= 15V，放测输入端为叭，其它输入端接地，输出端VOL= 1.5V或VQH=13.5V。11 一IVDo=5飞f，入端为V，入端出咱, 1 1.5 出端VOL=0.5V或V=4.5V。VL I 2.2 1 Voo = 10V, 测入为町，入端接地，13 . , . .出VoL=lV或VoH=9V。E 入

11、端为叭，其入端接池，v Voo= 15V, 14 1 Ml.测出端VOL= 1. 5V V佣=13.5VoIH2) ., 2.9 VOO= 15V，输入其一它i一其LE, 5-v A-nu -一=HFL I嗣IV-v 测一一一地。一百二1VOO= 15V, 10 -10 nA 15Vo 1一Voo=5V，被测输入端为VL=OV，被测输出端V佣=4.6V。- O. 51 I一V= 10V，被测输入端VL=OV，出VQH=9.5Vo-1.3 mA Voo= 15V，被测输入VL= OV, 被测输出VQH = 13. 5V 0 . - 3. 4 I一Voo=5V，被测输入端为VIH=5V, 被测输出

12、端VoL=0.4V。V= 10V.被测输入端VH=10V. 被测输出端VH=0.5V。V= 15V.被测输入端VIH=15V. 被测输出端VOL= 1.5V。A2 I T A =. 125C ，除VK+ V1K-不测外，所有参数条件同Al分组，规范值按表10loL 13.12 0.51 一mA 1. 3 3,4 一A3 TA=一55C.除VK+ VK-不测外，所有参数条件向A1分组，规范值按表1。Voo OV. f= lMHz.分别测每个输入端对Vss、.- 3.1 A4 C, 7.5 pF 容。A7 1 V=5V.功能测试，按功能表。一8一SJ 50597/29 94 续表3分组符号引用标准

13、条件GB 3834 (若无其它规定，Vss=OVo TA =25t A9 tpLH 3.9 RL =200kO, A, B FAB V=5V CL = 50pF, A, BFABFAQ 图3静态老化试验线路注:静态老化1:所有输入端接OV.即开关5(置1静态老化Il比I七:所有输入端接V，即开关S乌r置2&,L-vm/2 2 除VOD和Vs部s端外，每个引出端应通过一个2站k!l-4盯7k的电阻相连接.由于工作.受热和老化，选用电阻告段T实测值应不超过其标称由的土20%输出端开关So可以置叮J或飞2VOD扩伊可1臼5V-l陀s.V喝OV。 Voo. COMf - p Q Q PQ 图4动态老化

14、和稳态寿命试验线路注:除Vw和Vss外，每个引出端应通过一个2k!l-47kO的电阻相连接，由于使用、受热或老化，选用电阻的实测值应不超过其标称值的士20%对输入信号的要求:a 方波:占空比q=50%b 频率:10 , /4 = 25kHz-IMHz; Idd3分别为10的二、四、八分频。C tr豆1问;tflS; 一12一臼50597/2994 d 幅度Vrn:最小值为(Vss-0.5V)+ Vx 10%; 最大值为(V+0.5V)-Vx 10%。( VOO= 15V. Vss=OV。4.3 鉴定检验一检验应按GJB597的第4.4条的规定。所进行的检验应符合GJB548方法5005和本规范

15、A、B、C、D、E组检验(见本规范4.4.1-4.4.5条)的规定。4.4 质量一致性检验二致性检验应按GJB597的第4.5条和本规范的规定。所进行的检验应符合GJB 548方法5005和本规范A、B、C、D、E组检验(见本规范4.4.1-4.4.5条)的规定。4.4.1 A组检A组检验应按本规范表5的规定。各分组的电按本规范表3的规定。各个分组的测试可用同一个样本进行，当所要求的检验。各分组测试可按任意顺序进行。本大小超过批的大小时允许100%合格判定数(C)最大为2。表5A组检 LTPD 试B级牛Bt Al分组25t:下2 A2分组125t:下静3 A3分组由55t:下静态试5 A4分组

16、25t:下动态测试(C.) 1) 2 A7分组25t:下功能测试2 + A9分组25t:下开关试2 AIO分组125t:下开关试3 All分组-55t:下开5 注:1)仅在初始鉴定或工艺、设计改进时才进行时该分组测试。(即在lMHz频率下测VssI司的电容。)4.4.2 B组检验B组检验应按本规范表6的规定。BI-B5分组可用同一检验批中电性能不合格的器件作为样本。2 3 5 2 2 2 入端和13一町50597/2994 表6B组检验若无其它规定，表中引用的方法系指GJB548的试验方法。条件和要求样品数/(接收数)分组B级器件Bt 件或说明方法条件方法条件LTPD Bl分组2016 按规定

17、.2016 按规定2/(0) 尺寸四分组2015 按规定2015 按规定4/(0) 抗溶性B3分组2022 度:2022 焊接温度:15 LTPD系对引线可焊性或245 :t 5C 或245士5C数而言，试器件应不少于32003 2003 个。B4分组2014 按规定2014 按规定1/(0) 内部目检和机械性B5分组15 可在密封前的度2011 C 2011 C 内部目检超户焊或D或D选后，机抽取样品进行本分组试验。十B8分组初鉴(a)电测试本规程Al分组本规范Al分组15/(0) 产品重新设计(b)静电放GJB GJB 进行。电灵度1649 1649 度等级(c)电测试本规范Al分组B9分

18、组始鉴定或工I备电压本规范本规范15 艺设计改变时( VZAP)试4.5.3条4.5.3条进行。刷 4.4.3 C组检验C组检验应按本规范表7的规定。一14一 SJ 50597/29 .94 表7C组检验若无其它规定，表中引用的方法系指GJB548的试验方法。条件和要求分组Cl分组命终点电测试分组温环恒定度密封(1) (2)粗检目检终点电试C3分组125(; 开关测试分组-55(; 开关测试10051试验条件D温度:125(;! 1010 2001 I 1014 时间:1000h Al, A2，A3分组和表1M极试验条件C试验条件EY1方向条件:Al或A2Cl或按方法10104的目检判据ALA

19、2、A3分组(见本规范，表2和表3)不要求不要求4.4.4 D组检验D组检验应按本规范表8的规定。1005试验条件D温度:125(; 2001 1014 时间:1000h Al, A2, A3分组和表10.1极试验条件C试验条件DY1方向试验条件:Al或A2Cl或C2按方法1010的目检判据Al，A2、A3分组(见本规范表2和表3)AI0分组见本规程表2和表3)All分组(见本规范表2和表3) 样品数/(接收数)或LTPD5 15 3 5 说明采用本规范图3线路或其等效Al分组试并计算A极限值(见本4.5.2条)DLD2，D5，D6、D7和08分组可用同一批中电性能不合格的器件作为。一15一S

20、J 50597/29 94 表8D组检验若无其它规定，表中引用的方法系指GJB548的条件和要求。 /D 数四口阳:U样啤或说明 B级器件l 乌方法|条件|方法件条件分D1 I 2016 ，按规定12016悻规定15 尺寸 D2分组引线牢固性2004、验条件四2004 件B215 密封I 1014 I时验条件:1014 件:(1) Al或A2或A2(2)粗检1或1或C2, D3分组热冲击1011、验条件B1011 件A环15 15 度环1 1010 1试验条件C1010 验条件C 00次环110次循环抗潮湿1004 按定1004 IBl级器件可用GB4590 第3，6条t严格度DI CI!P

21、56d)代替密封1014 试验条件:，1014 、验条件:(1)细检1或A21或A2(2)细检1或口或口方法1004和方法1004和。的目检判1010的目检判终点电试队1，A2和A3分组1. A2和A3分组可在抗潮湿后见表2和表3)(见表2和表3)密封E进行终点电试。阳分组2002 试验条件B1 2002 f试验条件A!用作D3分组的机械冲击2007、验条件A2007 验条件A15 样品可用在四动2001 验条件E.2001 、验条件D.分组但定加速度Yl方向Yl方向1014 1014 密封试验条件:民验条件:(1)细IAl或A2或A2(2)粗l或口或自检按方法2002或法2002或的目检判据

22、的目检判据终点电测试.A2.A3分组见表2、表3)见表2、表3)一16SJ 50597/29 94 续表8条件和要求分组B级器件方法|条件知如m口相唱U辄嗡或说明D5分组盐雾1009 f牛A15 密封 B级四f牛(1)细1014 或A2或目检方法1009的目检判E后分组内部水汽E营商加试21018 1100t时最大水汽:50QOppm 求件器效个失3个验1试现当出或)、，A白，飞，z、，、d街3个器件并且不失效，若第一次过，可在鉴定机构认可的另一实验室进行第二次实，则该批应被接收。D7分组引线涂覆粘附强度2025 I按方法2025的失效判2025幢方法2025的失效15 LTPD系指用于试的引

23、线数而言。D8分组封盖扭距2024 用于陶瓷熔封2024子陶5/(0) 。4.4.5 E组检验有幅射强度保证等级要求的器件还应进行E组检验见本规范3.6.1条)。E组检验应按本规范表9的规定。一17一SJ 50597/29 94 表9E组若无其它规定，表中引用的方法系指GJB548的。一试验件器求一级E-E N-B b网川、仲一级条-a级qJV 样品数/(接收数)一一S 件B级Bt 说明条件一一一E27Hfl 盲tr电测试本规范AlVTP VTN 见本规艳4.5.5条规定态总剂量涌射(a)鉴定检验(b)反量一致性检验终点电测试10191 TA=25C Voo= 10V (a)4月的I (a)1

24、5/(0) I抽样方法按时B548 (b)4月的I (b)l1/(O) I 5005表V的研本规范A7分组及表14按本规范4.5.5条4.5 检验方法检拴方法应按下列规定。4.5. 电压和电流若无其官规庭，所有给出电压以器件的Vss端为基准，电流约定以流入器件引出端为正。今5.2老化和寿命试验被试验器件(DUT)在完成试验之后，应先冷却到25土3t才能去掉偏置电压，然后进行电参数终点测试。并按要求计算变化量(.1).见表10。表10变化量A极限(TA=25t) 唱数1)V 变化量()极00 15V 士100nAOL 5V 土20%I佣5V 士20%噜注:1 )老化和1寿命试验前后，应记录每个参

25、数，以确定变化量()。4.5 3 输入保护电路的高压(VZAI)试被l式器件(DUT)的所有输入端(每次最多4个)应经受由充电到400V的100pF电容器所产生的电压脉冲。该破坏性试验采用图5试验线路，按下列规定进行。a. 25t下测量选定输入端的11L和1lH;在最大Voo下每个被试输入端的试验规范值为主100nA。25t下测量被试器件(DUT)的100在最大Voo下:1DD的试验规范值最大增加到表3规定的100规范值的20%。b. 高压试验方式见表11。每种试验方式要求首先将Sl置于1，使G冲电到VZAP然后将Sl置于位置2将VZAP加到被试器件(DUT)。C. 在24h内按上述操作重复测

26、量同一引出端的11L、I1H和100。如果VZAP试验后被测试器件(DUT)的漏电流超过规定的试验规范值，则该器件视为失效。一刊一SJ 50597/29 94 + Rl 1 2 R, + 高压S, Vv.p -C, 图5高压(VZAP)试验线路注:1MnR，主运50Mn.R2 = 1. 5kn C, = lOOpF. 为水银无抖动继电表11高压试验方法方式正1 V端2 3 4.5.4 电源电流(IDD)的测试进行电源电流测量时，电表的安置应使全部电流流过该电表。4.5.5 辐射强度保证(RHA)试验DUT 负端相关输出RHA试验应按GJB548方法5005表V和本规范表9规定的试验程序和抽样进

27、行，并应符合如下的规定。3. 辐射前，抽取的样品应经过25C下的Al分组电测试合格;并进行阔值电压(VTN, VTP)测试，以便计算辐射后阔值电压变化量(VT)。样品应放置在合格的包装中。b. 阔值电压测试线路按图6和表12的规定。电压测试也可采用GJB548中1022测试方法。在实测静态电流100的基础加10A(电流增量法).分别测出VTN、VTPOC. 对被试的RHA等级，器件应经受GJB597(第3.4.1.3条)规定的总剂量辐射。辐射期间，器件应按表13的规定加偏置电压，且在整个试验过程中，始终保持铺置。d. 辐射后，器件应进行原位测试或移地测试(按本规范表14和A7分组)。作移地测试

28、时，器件应使用可动偏置加具，并按规定保持其温度和偏置。移动偏置装置时，偏置的中断时间不得超过1分钟。e. 辐射后器件在25C下的终点电测试，电参数应符合表14的规定。A7分组的功能测试按本规范表3的规定。终点电测试应在辐射后2小时内完成。一19一SJ 50597 i29 94 一一-一一同一一一一一一、一一N浅，;视!试地皿m46、._. , .) 一_.-J 14如叮嘱陆?;在J的引出端哗牛一一一句一-刷刷刷忡:uv)写r-酌，幸在总统克凶ii二ii海j唱唱如钱一一-lOt,u 12 5 11 1, g 10 V 8 9 地P沟测试一一一一一飞1 16 2 15 一10V10A 3 4 14

29、 13 接规定的引出斟唱规定的引出端一.，5 1?王一一叫咱10卜叫甲甲飞拭川町阳L斗一一Jd一J6飞J地在I(, 阔岱f艺陪式驳纯路表12阔白电，眨测试引翻一一一 t型.TN 9!JJ试V?淑9试地施10V10件一一一叫6 1、2、7、8、9、11、14、1516 表13辐射期间的偏置、连接i;:1;i 1 l t 11 31且4连10V(通过30-60kn电|也)Vss接地VOO= 10V 型号JC 4585 2、3、4、5、6、7、9、10、11、12、13、14、8 , 16 15、注:朱标出的引出端为开路，或通过30-60kn的电阻器接10Vo一20一SJ 50597/29 94 表

30、14辐射强度电参数(TA=25t)参v VTN lOV VTP lOV VT lOV IDD 15V t肉.H5V tPHL 5V 4.6 数据报告当采购方需要时，应提供下列数据的副本:a. 所有筛选试验的特征数据(见本规范4.2条)和所有(见本规范3.5条); b. 质量一致性检验数据(见本规范4.4条); C. 老化期间的电参数分布数据(见本规范3.5条); d. 最后电测试数据(见本规范4.2条)。5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB597第5.1条的规定。6 说明事项6. 1 订货资料订货合同应规定下列内容:a. 完整的器件编号(见本规范第1.3.1条); b. 需要时，对

31、器件制造厂应提供与所交付器件相应的C. 南安时，对合格证的安机;d. 需要时，对产品或工艺更改时应通过采购单位的e. 南安町，对失效分析(包括GJB548方法5003要求的供报告的要求:f. 对产品保证选择的要求:g. 前要时，对特殊载体、引线民度或引线形式的要求:h. 对订证标志的要求:i. 需要时，对总剂量辐射试验要求;j. 需要时，其他要求。6.2 缩写词、符号和定义 , 范围最小O.3V最大2.8V最大1.4VlOOX最大规范值1.3SX最大规范值1.35 X 值试验的变化数的要求:条件)、纠正措施和结果提本规范所用的缩写词、符号和定义符合GB3431.1、GB3431.2和GJB579的规定。6.3 替代性本规范规定的器件其功能可替代普通工业用器件。但不允许用普通工业用器件替代军用一21一臼50597/2994 器件。6.4 器件必须采取防静电推荐下列操作阳础:作。8. 宿件应在防静电的工作台上操作;b. 试验设备和器具应接地;c. 不能触摸器件引现;d. 器件应存放在导电材料或容器中:e. 生产、测试、使用以及流转过程中的MOS器件区域内避免使用能引静电的塑料、橡胶或丝织物;f. 相对湿度尽可能保持在50%以上。附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由北京市半导体器件三厂负责起草。本规范主要起草人:谷寒。计划项目代号:B210490 一22一