GB T 12965-2005 硅单晶切割片和研磨片.pdf

1、ICS 29.045 H 82 GB 和国国家标准11: _，、中华人民硅单E3 日日切割片和GB/T 12965-2005 代替GB/T12965-1996 研磨片Monocrystalline silicon as cut slices and lapped slices 2005-09-19发布中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会2006-04-01实施发布GB/T 12965-2005 目。自本标准的指标参照了国外有关标准(见参考文献)，结合我国硅材料的实际生产和使用情况，并考虑国际上硅材料的生产及微电子产业的发展和现状进行修订而成的。本标准代替GB/T129

2、65-1996。本标准与GB/T129651996相比，有如下变动:一一-增加了150mm、200mm的切割片和研磨片的相关内容;-一根据近年来国内硅单晶的发展情况，并参照国际标准的相关内容修改了运125mm切割片和研磨片的标准;一一一增加了术语;一一一删除了原标准中的内3.5mm的产品参数一项;一一在切割片和研磨片厚度中增加了注1，由供需双方根据需要制定厚度要求;对150mm的切割片和研磨片规定了两种主副参考面的位置，即与主参考面成180。和1350两种;一一对200mm切割片和研磨片规定了两种:由切口的和有参考面的(仅有主参考面而无副参考面)，表征参考面尺寸采用主参考面直径;一增加了对倒角

3、后边缘轮廓的要求。本标准应与GB/T12962、GB/T12964配套使用。本标准由中国有色金属工业协会提出。本标准由全国有色金属标准化技术委员会归口。本标准由北京有色金属研究总院、中国有色金属工业标准计量质量研究所负责起草。本标准主要起草人:孙燕、王敬、卢立延、贺东江、翠富义。本标准由全国有色金属标准化技术委员会负责解释。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:-一-GB/T12965一1991;一一GB/T12965-一19960GB/T 12965-2005 硅单晶切割片和研磨片1 范围本标准规定了硅单晶切割片和研磨片(简称硅片)的产品分类、术语、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装

4、、运输、贮存等。本标准适用于由直拉、悬浮区熔和中子擅品矗巍远县晶经切割、双面研磨制备的圆形硅片。产品主要用于制作晶体管、整流器件等半导路糟怦，或进一步加工2 规范性引用文件下列文件中的条款通的修改单(不包括勘误是否可使用这些文件GB/ T 1550才GB/ T 1552 GB/ T 1554 GB/ T 155 5 GB/ T 2828. GB/ T 6616 GB/ T 6618 GB/ T 6620 GB/ T 6624 GB/ T 1107 GB/ T 1296 GB/ T 12964 GB/ T 13387 GB/ T 14140 GB/ T 14844半YS/ T 26 硅片边3 术

5、语下列术语适用于本标准。3. 1 主参考面直径primary flat diameter 从主参考面的中心沿着垂直主参考面的直径，通过硅片达对面的边缘周边处的直线长度。参见GB/ T 12964。3. 2 硅片切口notch on a silicon wafer 在硅片上加工的具有规定形状和尺寸的凹槽。参见GB/T12964。切口由平行规定的低指数晶向并通过切口中心的直径来确定。该直径又称取向基准轴。3. 3 合格质量区(FQA)fixed quality area 标称边缘除去X后，所限定的硅抛光片表面的中心区域，该区域内各参数的值均应符合规定值。1 GB/T 12965-2005 4 产品

6、分类4. 1 分类硅片按导电类型分为N型，P理两种类型，按硅单晶生长方法分为直拉(CZ)和悬浮区熔(FZ)和中子擅变掺杂三种规格。4.2 牌号硅片的牌号表示:按GB/T14844规定。4. 3 规格4.3. 1 硅片按直径分为150.8mm、176.2mm、1100mm、1125mm、1150mm和白00mm六种规格。4. 3. 2 非标准直径要求由供需双方协商提供。5 技术要求5. 1 物理性能参数硅片的导电类型、掺杂剂、电阻率及径向电阻率变化、少数载流子寿命、氧、碳含量应符合GB/T 12962的规定。5.2 几何参数5.2. 1 硅片的几何参数应符合表1的规定。5.2.2 切割片、研磨片

7、所有参数规格在表1中没有列出的，按供需双方协商提供。表1硅片几何尺寸参数要求产品硅片直径/mm50.8 76.2 100 125 150 200 名称直径允许偏差/mm土0.4土O.5 士0.5土0.3土O.3 土0.2硅片厚度(中心点)/m二三260二三220二三340二主400二500二注600切厚度允许偏差/m土15土15:1: 15 土15土15土15割总厚度变化/m不大于10 10 10 10 10 10 片翘曲度(Warp)/m不大于25 30 40 40 50 50 崩边mm不大于0.5 0.8 0.8 0.8 O. 8 O. 8 硅片厚度(中心点)/m二三180二主180二主2

8、00二三250二月00二主500厚度允许偏差/m土10土10土10土15:1: 15 :1: 15 研总厚度变化200 mm硅片的基准标记分为有切口的和有参考面的两种，有参考面的用主参考面直径来表征。2 GB/T 12965-2005 5. 3 晶体完整性硅片的晶体完整性应符合GB/T12962的规定。5.4 表面取向5.4.1 硅片的表面取向为100或111。5.4.2 硅片表面取向的偏离为:正晶向:0。土O.5气偏晶向:(111硅抛光片)有主参考面的，硅片表面法线沿平行主参考面的平面向最邻近的方向偏2.5。土0.5。或4. 0。士0.50。有切口的，硅片表面法线沿垂直于切口基准轴的平面向最

9、邻近的方向偏2.50士O.50或4.0。土0.505.4.3 硅片是否制作参考面，由用户决定。5.4.4 硅片主、副参考面取向位置和长度应符合表2及表1的规定。5.5 基准标记5.5.1 150 mm硅片参考面取向及位置应符合表2的规定。表2硅片主副参考面位置导电类型表面取向主参考面P 111 110 :l: 1。无副参考面N 111 110土1。与主参考面成45。土50P 100 110土1。与主参考面成90。土50N lOO 110土1。与主参考面成180。土50(125mm硅片)135。土50忡150mm硅片)注:a 对于(111)的硅片，可允许等效110的面是(1iO)、(Oli)和(

10、i01)晶面。对于(100)硅片，可允许等效110的面是(Oli)、(011)、(Oil)和(Oii)晶面。5.5.2 白00mm硅片分有切口的和有参考面的硅片两种，均无副参考面。切口和主参考面位置应符合表3要求，可分别参见GB/T12964。表3切口及主考面位置切口基准轴取向110土10主参考面位置110土1。注:a 对(11)的硅片，可允许等效110的面是(1iO)、(01i)和(i01)品面。对于(100)硅片，可允许等效110的面是(Oli)、(011)、(Oi1)和(Oii)晶面。5.6 表面质量5.6. 1 硅片崩边的径向延伸应符合表l的规定。每个崩边的周长不大于2mm，每片崩边总

11、数不能多于3个，每批硅片中崩边硅片数不得超过总片数的3%。5.6.2 硅片不允许有裂纹、缺口。5.6.3 硅片经清洗干燥后，表面应洁净、无色斑、无沾污。3 G/T 12965-2005 5. 6. 4 硅切割片不得有明显切割刀痕。5. 6.5 硅研磨片表面应无划道、无刀痕。5. 7 边缘轮廓硅片经边缘倒角，倒角后的边缘轮廓应符合YS/T26的规定，特殊要求可由供需双方协商确定。6 试验方法6.1 硅片导电类型测量按GB/T1550进行。6.2 硅片电阻率测量按GB/T6616进行。6.3 硅片径向电阻率变化测量按G6. 4 硅片晶向的测量按GB/T6.5 硅片参考面长度测量6.6 6. 7 6

12、.8 6. 9 6. 10 6. 11 6.12 6. 13 6. 14 7 检验规则7. 1 检查和验量保证书。化，翘由度，表面质量，直径，主、副参7.4 抽检7. 4.1 每批产品如属非破坏性测量的项目，检测按GB/T2828. 1一般检查水平JI，正常检查一次抽样方案进行，或由供需双方协商确定的抽样方案进行。7. 4. 2 如属破坏性测量的项目，检测按GB/T2828 . 1特殊检查水平S-2，正常检查一次抽样方案进行，或由供需双方协商确定的抽样方案进行。7. 5 检验结果的判定7.5. 1 导电类型、晶向检验若有一片不合格，则该批产品为不合格。其他检验项目的合格质量水平(AQL)见表4

13、。4 序号1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 7. 5.2 抽检不8. 1 硅片用相规格，片数，批号及8. 2 包装箱内应有a) 需方名称，地b) c) 产品件数;d) 供方名称。8. 3 每批产品应有质量证明a) 供方名称;b) 产品名称及规格、牌号;c) 产品批号;d) 产品片数(盒数); 表4检测项目及合格质量水平检验项目电阻率范围径向电阻率变化晶向偏离厚度偏差总厚度变化翘由度e) 各项参数检验结果和检验部门的印记;f) 本标准编号;g) 出厂日期。8. 4 产品在运输过程中应轻装轻卸，勿压勿挤，井采取防震防潮措施。8.5 产品应贮存在清洁、干燥的环境中。GB/T 12965

14、-2005 合格质量水平(AQL)l. 0 l. 0 l. 0 l. 0 l. 0 l. 0 l. 0 l. 0 l. 0 2. 5 l. 0 以重新组批。品名称(牌号), 5 GB/T 12965-2005 6 参考文献1.美国IbisTechnology公司产品样本2. SUMCO(美国)公司产品样本及介绍3. SEH(美国)公司产品样本及介绍4. WACKER(德国)公司产品样本及介绍5. MEMC电子材料公司产品介绍6.日本小松公司产品介绍7.国际半导体制造联合会CInternationalSEMATECH)硅片规格8. TOPSIL(丹麦)半导体材料公司产品样本9. LG硅(韩国)公司产品样本及介绍10.中美夕晶(台湾)公司产品样本CON-mNFH阁。华人民共和国家标准硅单晶切割片和研磨片GB/T 12965-2005 国中* 中国标准出版社出版发行北京复兴门外三里河北街16号邮政编码:100045 网址电话:6852394668517548 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销9导印张O.75 字数13千字2006年1月第一次印刷开本880X1230 1/16 2006年1月第一版奇峰定价10.00元如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话:(010)68533533书号:155066. 1一26931