1、中华人民国部标准3DD65和3DD66型NPN硅外延平面低频大功率三极 . SJ775-74 1、本标准适用于耗散功率为75W的3DD65和3DD66型NPN硅外延平面低频大功卒三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大，电源变换和低速开关的电路中。2、该产品除应符合本标准规定外，还应符合半导体三极管总技术条件SJ61473的规定。3、外形结构和尺寸应符合部标准S1139一70，3 DD65型为G-3型;3 DD66型为F2型。4、技术要求和试验方法z( 1 )电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合部标准SJ300一72r-SJ31472的规定。( 2 )环境试验后考核反向击穿电压
2、BVCEO，BVEBO，反向电流ICEO ，饱和压降VCES和电流放大系数HFE，其值应符合参数范表的规定。( 3 )高温贮存试验后考核反向电流ICEO，饱和压降VCES和电流放大系数HFE。要求IcEO增大不超过规范的2倍，VCES增大不超过规泡的1.2倍，HFE相对变化率小于土35%5、说明z( 1 )生产单位应在产品目录或说明书中提供频率参数和F列特性曲线=a、IcVCE附关系曲线zb、IB一VBE的关系曲线Ec, HFE Ic的关系曲线z-九七四年十月-日41瓦第2页J5775-74 d、HFET (低温的关系曲线se. ICEo T (高温的关系曲线FL直流(或脉冲安全工作区。在提供
3、曲线时，应对测试环境，测试条件等给予必要的说明。( 2 )功率管的使用z应在生产单位提供的安全工作区范围内使用。使用时的散热装置，用户根据使用功率，热阻，最高结温和壳温旗下式自行设计，满功率使用时壳温不允许超过75吧。TiM -Tc Pc M= . J坐一一.RTj 共4页第3Jlt15775-74 3 DD65和3DD66型NPN硅外延平电极限参数直流参型参 PCM ICM TjM RTj BVCEO BVE苗。1 CEO HFE 号数W A 。C。C/WV V mA 3 DDA 66 二303 DDB 66 总50-一-3 DDC 66 75 10 175 1.33 主80马88 总103
4、 DDD 66 占1103 DDE 66 占150、Tc ICE IEB VCE VCE 试750C = 10 = 15 20V 5 V mA mA Ic 条目3.75A件试验类别C JS 注:1、色标点)位撞:管帽顶端(G型):管帽边缘(F型。2、测试环境温度:Ta=25.C 5J775-74 共4页第4贸功管电数额其二功率试验考核标准VCES I 1c 1CEO VCES 6HFE/ HFE包标分档/ V A mA V I /HFE 棕10fJ20 率三L86 于L.1.5 7.5 土35%红20 ,-., 30 橙1c IB-l 试验条件z功率为PCM值电压VCE(或VCB)lOV 22温Tc750C主30v-v mhu甲hu号一月4。-h 一
