YD T 1687.1-2007 光通信用高速半导体激光器组件技术条件 第1部分：2.5Gbit s致冷型直接调制半导体激光器组件.pdf

1、ICS33 18099M 33Y口中华人民共和国通信行业标准YD，T 1 6871-2007YM 1 6872-2007光通信用高速半导体激光器组件技术条件2007-09-29发布(第1部分至第2部分)2008-01-01实施中华人民共和国信息产业部发布ICS 3318099M 33中华人民 共禾口Y口国通信行业标准YD厂r168712007光通信用高速半导体激光器组件技术条件第1部分：25Gbi如致冷型直接调制半导体激光器组件Technical Requirements of High Speed Semiconductor LaserAssembly for Optical Fiber C

2、ommunicationPart 1：25Gbits Cooled Direct Modulation Semiconductor LaserAssembly2007-09-29发布 2008-01-01实施中华人民共和国信息产业部发布目 次YD厂r 168712007前言II1 范围12规范性引用文件13术语、定义、缩略语及符号l4分类45技术要求46测试方法67可靠性试验分类和试验方法78其他要求99产品检验910产品管理、包装、运输和贮存要求10附录A(资料性附录)SDH光传输系统中的应用代码。”1l附录B(资料性附录)DWDM光传输系统中心波长12附录C(资料性附录)封装尺寸及管脚定义

3、15刖 吾YD厂r 168712007光通信用高速半导体激光器组件技术条件分为如下两部分：第1部分：25Gbiffs致冷型直接调制半导体激光器组件；第2部分：25Gbigs无致冷型直接调制半导体激光器组件。本部分为光通信用高速半导体激光器组件技术条件的第1部分。本部分第7章参考了MILSTD一883F(2004)微电子器件试验方法标准、Telcordia GR468-CORE(2004)用于通信设备中的光电子器件的一般可靠性保证要求、Te|cordia GR-326-CORE单模光纤连接器和光纤跳线的一般要求。本部分的附录A参考了rruTG957(SDH系统和设备的光接口。本部分还参考了以下标

4、准：YDT 7011993半导体激光二极管组件测试方法；YDT 8341996分布反馈激光二极管检测方法；YDT 111122001 SDH光发送_Ye接收模块技术要求2488320Gbits光发送模块。本部分的附录A、附录B、附录C为资料性附录。本部分由中国通信标准化协会提出并归口。本部分起草单位：中兴通讯股份有限公司、武汉邮电科学研究院、信息产业部电信研究院本部分主要起草人：张红宇、张立昆、葛超、张赞、余向红、赵文玉YD，T 168712007光通信用高速半导体激光器组件技术条件第1部分：25Gbits致冷型直接调制半导体激光器组件1范围本部分规定了25Gbiffs致冷型直接调制半导体激光

5、器组件的技术要求和测试方法，包括相关术语、定义、分类、技术要求、测试方法、可靠性试验分类和试验方法、产品检验和产品管理等。本部分适用于高速光纤通信系统中采用的25Gbiffs致冷型直接调制半导体激光器组件。2规范性引用文件下列文件中的条款通过本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本部分。然而，鼓励根据本部分达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本部分。GBT 176262-2006 电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验GBT 176263-2006 电磁兼容试验和测量技

6、术射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 1762641998 电磁兼容试验和测量技术电快速瞬变脉冲群抗扰度试验GBT 1762661998 电磁兼容试验和测量技术射频场感应的传导骚扰抗扰度GBT 2829-2002 周期检验计数抽样程序及表(适用于对过程稳定性的检验)YDfr 701-1993 半导体激光二极管组件测试方法YDT 834-1996 分布反馈激光二极管检测方法YDT 1 1 1 12-2001 SDH光发送光接收模块技术要求一2488320Gbits光发送模块YDT 12742003 光波分复用系统(WDM)技术要求一160X 10Gbits、80lOGbiffs鲥,)rruT G65

7、2(2000) 单模光纤光缆的特性rruT G6941(2002) 密集波分复用系统光源频率间隔rrUT G957 SDH系统和设备的光接口MIL-STD883F(2004) 微电子器件试验方法标准Telcordia GR-326CORE 单模光纡连接器和光纤跳线的一般要求Telcordia GR468CORE(2004)用于通信设备中的光电子器件的一般可靠性保证要求3术语、定义、缩略语及符号3。1缩略语下列缩略语适用于本部分：APC Automatic Power Control 自动功率控制ATC Automatic Temperature Control 自动温度控制BER Bit Er

8、ror Rate 比特差错率BOL Beginning ofLife 寿命开始YD厂r 1687 1-2007CW Laser Continuous Wavelength LaserDFB Laser Distributed Feedback LaserDWDM Dense Wavelength Division MultiplexingDP Dispersion Penal哆DML Directly Modulated LaserEoL End ofLifeESD Electro-static DischargeEX Extinction RatioFEC Forward Error Cor

9、rectionMQW-DFB Laser Multi Quantum Well DFB LaserNRZ NonRemmtoZeroORL Optical Return LossOTN Optical Transport NetworkPRBS Pseudorandom Binary SequenceRF Radio FrequencyRIN Relative Intensity NoiseSDH Synchronous Digital HierarchySLM Single Longitude ModeSMSR Side Mode Suppression RatioTE Tracking E

10、rrorTBC Thermoelectric cooler3_2参数符号及中英文名称连续波激光器分布反馈式激光器密集波分复用色散代价直接调制激光器寿命终结静电放电消光比前向纠错多量子阱DFB激光器非归零码光回波损耗光传送网伪随机二进制序列射频相对强度噪声同步数字体系单纵模边模抑制比跟踪误差热电致冷器25Gbiffs致冷型直接调制半导体激光器组件是典型的电光转换器件，本部分涉及的光电性能参数符号及中英文名称见表1。表1参数符号及中英文名称参数符号 英文名称 中文名称瓦m StorageTemperature 贮存温度 SetTemperatureofLaserChip 设置激光器管芯温度琵 Op

11、emdrtg Laser Chip Temperature 工作对管芯温度 Operating Case Temperature 管壳温度k T11reshold Current 阈值电流h Laser Forward Current 激光器正向工作电流厶。 Operating Laser Current 激光器工作电流h Photodiode Forward Current 背光监测二极管正向工作电流l-me TEC Current TEC工作电流，d Photodiode Monitot Dark Current 背光监测二极管暗电流。 PhOtOdiode Monitor Current

12、 背光监测二极管监测电流P|Il。n Photodiode Monitor Ou屯ut Optical Power 背光监测二极管监测输出光功率2表1(续)YD厂r 168712007参数符号 英文名称 中文名称VaL Laser Reverse Voltage 激光器反向工作电压 Phohxtiode Reverse Voltage 背光监测二极管反向电压VFL Laser Forward Voltage 激光器正向工作电压Vrec TEC Voltage TEC工作电压R Thermistor Resistance 热敏电阻B Optical Output Power from Fiber

13、 End 输出光功率Rrec TEC Resistance TEC阻抗Paxc TEC Power Consumption TEC功耗RHop Operating Relative Humidity 工作环境相对湿度兄风m Storage Relative Humidlty 贮存环境相对湿度如 Laser Emission Cenal Specmal Wavelength 发射中心波长Ac，珏 Center Wavelength Drift with Case Temperature 中心波长随管壳温度变化率b Spec叫Width without Modulation 连续波光谱宽度jl_n

14、od Spectral Width witll Modulation 调制光谱宽度S Side Mode Suppression Ratio 边模抑制比吖“ Rise，FallTime 上升，下降时间瓦 Input Impedance 输入阻抗，S Optical Isolation 光隔离度阿 Tracking EITOr 跟踪误差cl Capacitor ofPD 背光监测二极管等效电容33术语和定义下列术语和定义以及YDT 7011993、YDT 8341996、YDfr 111122001、YDfr 12742003中确立的相关术语和定义均适用于本部分。331啁嗽参数chirp par

15、ameter单纵模激光器(如MQW-DFBLD)由于在高速调制时电流急剧变化，将导致激光器有源层中的载流子浓度急剧变化和激光器腔长变化，从而产生激光器发射波长的瞬时动态偏移。这种波长的瞬时动态偏移(亦即频率瞬时动态偏移)称为频率啁啾。频率啁啾可用啁啾因子a来衡量，其定义为：口=(d中ldt)I【(12P)(dPIdt)】这里中为光信号的相位，P为光功率。正啁啾参数相应于脉冲上升边的正频率漂移(蓝移)，而负啁啾参数相应于脉冲下降边的负频率漂移(红移)。332帕尔帖致冷器peltire thermoelectric cooler帕尔帖致冷器是利用帕尔帖效应工作的半导体双向热泵浦器件，安装在激光器芯

16、片和金属封装主体之间。YD厂r 168712007333截止频率cut Off frequency给半导体激光器组件施加直流偏置电流，并叠加交流正弦调制电流。保持交流调制电流恒定，增加调制频率，直到交流输出信号幅度下降3dB，此时所对应的频率为截止频率。334RF回损RF return loss指半导体激光器组件的高频输入端口的反射能量与输入能量的比值。4分类25Gbits致冷型直接调制半导体激光器组件有以下几种分类方式：根据在SDH光传输系统中的传输距离有不同的应用代码(参见附录A)；。根据输出光波长不同可分为l 310nm，l 550rim和DWDM特定波长(参见附录A、B)。5技术要求5

17、1极限工作条件25Gbits致冷型直接调制半导体激光器组件在任何时候、任何情况下均不能超过极限工作条件，超过极限工作条件将可能导致瞬间失效或永久损坏。表2列出了极限工作条件。表2极限工作条件参数 符号 测试条件 最小值 最大值 单位贮存温度 瓦u 舶 +85 管壳温度 -20 +70 激光器正向工作电流 ，凡 cw 150 mA激光器反向工作电压 CW +20 V背光监测二极管正向工作电流 b 1_0 mA背光监测二极管反向电压 Vm 10 VTEC工作电压 Vrac +3O VTEC工作电流 hEc 15 A工作环境相对湿度 RHor, 10 95贮存环境相对湿度 RHq 10 95512参

18、数要求25Gbits致冷型直接调制半导体激光器组件的参数要求见表3。表3参数要求参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位管芯温度设定 7kt CW，Inj| +15 +2S +35 阈值电流 k CW，k产+25 2 40 mA激光器正向工作电压 惋 CW，lE商。 +20 V输出光功率 Pf CW，Its+20 mA 2 20 n1W发射中心波长 五 见附录A中心波长随管壳温度变化率 如aTc RI=+25 一1 1 pmC4表3(续)YD厂r 1687112007参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位寿命终结时中心波长漂移8 02 O2边模抑制比6 S 30 35 d

19、B-20dB谱宽6 &k 04CW，毛Fp 248832Gbiffs，相对强度噪声 RlN 140 dB，lzDR厶-24dB色散容限 1350 psdnm色散代价6 DP 2O dB输入阻抗 Zh CW 25 02 48832Gbits，50Q测试条8 dB件，lPL=lov，50MHz2GHz248832Gbits，500测试条RF回损 Sll 6 dB件，leL=lop，2GHz3GHz2，48832Gbiffs。500测试条3 dB件，IFL=10p，3GHz5GHz2 48832Gbiffs，2231 PRBS消光比 耐 8 2 dBNRZ带内平坦度 是1 f=50MHz3GHz 1

20、 5 +15 dB截止频率 知 3 O GHz眼图上升下降时间 蚶tt 10到90 0125 0150背光监测二极管监测电流 啪n CWt IFI_-Iop 01 10 mA背光监测二极管暗电流 毛 KD=+50V 2 100 nA背光监测二极管等效电容 ct hD=0V，卢1MHz 20 pFCW r lFL-loP，TECI作电流 lrEc 13 ATL=瑶Tc=+70CW，JH尸IoP rTEC工作电压 Vmc +26 VTL=LcI t Tc=+70CW，IpL=Iop，TL=7k【 TEC功耗尸T 30 WTc=+70CW，Irt,=lop，TEC阻抗RTEC 2O 24 32 0嚣

21、-，Tc=+70热敏电阻阻值 Rt =+25 95 10 10 5 kQ热敏电阻B常数 口 3450 KR=一20+70，跟踪误差 弛 -05 O5dBApC。ATC光隔离度 ，s Tc=-20+70 25 30 dB注：a 20年后指标，一般可采用加速老化的试验方法来测试。b 2A8832GbiFs，NRZ码，PRBS 223-!，11t=IoP，TL=咒l5YDT 16871-20075 3尾纤要求25GbWs致冷型直接调制半导体激光器组件的尾纤要求符合rru-T G652(2000)标准。6测试方法61正向电压怍L、正向电压V#广正向电流概曲线的测试按照YDT 834-1996中的41和

22、47规定进行。62阈值电流“、输出光功率FL一正向电流FL曲线的测试按照YDT 7011993中的33和34规定进行。63背光监测二极管监测电流m输出光功率P曲线的测试按照YDT 834-1996中的49规定进行。64中心波长、谱宽、边模抑制比的测试按照YDT 8341996中的413规定进行。65相对强度噪声BIN的测试按照YDT7011993中的3，13规定进行。66啁啾参数的测试661测量框图啁啾参数测量框图如图l所示。图1啁啾参数测量框图662测量步骤(a)按图1配置，连接好线路；(b)开启电源，调节被测激光器组件功率到适当数值；(c)调节干涉仪，记录高速宽带示波器采集的数据；(d)根

23、据采集的数据自动计算啁啾参数。67眼图、消光比的测试按照YDT 111122001中的65和66规定进行。68跟踪误差的测试按照YDT 7011993中的315规定进行。69中心波长和输出平均光功率的温度变化测试691测量框图中心波长和输出平均光功率的温度变化测量框图如图2所示。6号YD厂r 168712007i一：司一j i一，-：丑j图2中心波长和平均输出光功率的温度变化测量框图692测量步骤(a)按图2配置，连接好线路；(b)开启驱动电源，调节驱动电流到适当数值，加入脉冲图形发生器；(c)调节光谱分析仪，通入被测光，调节光可变衰减器到适当值，记录光谱信息和输出功率值(d)将被测激光器组件

24、放入温度循环箱中并设置相应温度值；(e)当设定温度稳定后，再次记录光谱信息和输出功率值；(f)比较两次测量数据，计算结果。7可靠性试验分类和试验方法71可靠性试验分类可靠性试验项目分为机械完整性试验、耐久性试验、物理特性试验和电磁兼容试验。7_2机械完整性试验、耐久性试验和特殊试验条件光通信用25Gbits致冷型直接调制半导体激光器组件可靠性试验见表4。表4可靠性试验样品8项目 试验 参考标准 条件 U肿ss C条件A：5次，轴向机械冲击 MIL，STD883F方法20024 20 11 05009，10ms机 条件A：20920200020Hz械 变频振动 MILSTD883F方法20073

25、 20 11 04min，循环兀 4个循环轴向整热冲击 MILSTD一883F方法101 19 条件A：T=100 20 11 0性可焊性 MILSTD883F方法20038 不需要蒸汽老化 20 1l 005始，1min 20 11 0光纤拉力6 1Hcordia GR326-CoRElkg，lmin 20 11 0+70C，额定功率2000h 10耐加速老化 5 000h久 MIL-STD883F方法10047性(高温) +85，额定功率2000h 255 000h 107YD厂r 168712007表4(续)样品4 项目 试验项目 试验 参考标准 条件 I肿DSS CTelcordia

26、GR-468CORE高温贮存 +85，2吣 20 11 0(2004)3 3 21Telcordia GR468CORE低温贮存 40，72h 20 11 0(2004)3 321耐-40+85久 100次循环通LqJS效420 11 0温度循环。 MILSTD一883F方法10108-40+8520 11 0性 500次循环通过，失效。Telcordia GR一468一CORE +85C，相对湿度85，湿热试验 20 11 0(2004)3323 500h耐湿 MIL-STD883FYy法10047 循环次数为20 20 11 0物 内部水汽含MILSTD883F方法10184 最大5 00

27、0xl驴水汽 20 1l O理 量特 采用人体放电模型，性 ESD闽值 MILSTD883Fh法30157 6 0最dx+500V注：a LTPD(用表示)表示批容许不合格品率，ss表示最小可接收样品数，C表示允许的失效数。b 05kg，lmJn是所有带涂敷层光纤、紧套光纤的光屯子器件组件要求；】k，lraJn是所有松套光纤的光电子器件组件要求。c如优先采用加电的温度循环则不加电的试验可以不做。d对应于中心局环境应用的半导体光电子器件。e对应于非受控环境应用的半导体光电子器件73机械完整性试验、耐久性试验和物理特性试验方法25Gbits致冷型直接调制半导体激光器组件的可靠性试验方法按照Telc

28、ordia GR468CORE(2004)、Telcordia GR-326cOI也及MmSTD-883F(2004)中相关项目进行。74机械完整性试验、耐久性试验和物理特性试验的失效判据机械完整性试验、耐久性试验和物理特性试验的各项试验完成后，在相同测试条件下，出现以下任意一种情况，即判定试验不合格。(a)不能正常工作；(b)光接口或电接口指标不能满足表3的要求；(c)外壳封装破裂或有裂纹、器件有错位。75电磁兼容试验25Gbits致冷型直接调制半导体激光器组件的电磁兼容试验，可参考下列文件执行；GBT 17626，22006电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验；GBT 17626320

29、06电磁兼容试验和测量技术射频电磁场辐射抗扰度试验；GBT 1762641998电磁兼容试验和测量技术电快速瞬变脉冲群抗扰度试验。GBT 176266-1998电磁兼容试验和测量技术射频场感应的传导骚扰抗扰度。对于组件级无法进行的电磁兼容试验，可参考上述标准在光模块级实现。8YD丌16871-20078其他要求25GbWs致冷型直接调制半导体激光器组件是静电敏感器件，组件在安装、传递和包装时都要采取静电放电防护措施。9产品检验9。1出厂常规检验911光电指标测试25Gbits致冷型直接调制半导体激光器组件在正常工作条件下，其测试指标应符合表3的要求。912高温老化试验在极限工作环境温度下，25

30、Gbits致冷型直接调制半导体激光器组件处于工作状态，老化时间至少应为24h。老化后测试指标，其测试结果应符合表3的的要求。92抽样检验批检验抽样方法按GBT 2829-2002进行。921外观检查用目检检查产品的外观。失效判据：产品表面有明显划痕，或有污点，或产品标识不清晰，或产品标识不牢靠。922光电指标测试所有抽样的组件在额定条件下工作，其测试指标应符合表3的要求。93型式检验931型式检验条件25Gbits致冷型直接调制半导体激光器组件有以下情况之一时，应进行型式检验：(a)产品定型时；(b)正式生产后，如结构、材料、工艺有较大改变，可能影响产品性能时；(c)产品长期停产后，恢复生产时

31、；(d)出厂检验结果与鉴定时的型式检验有较大差别时；(e)国家质量监督机构提出进行型式检验要求时。经受了型式检验的样品，一律不能作为合格品交付使用。型式检验方案与可靠性试验要求的方案相同。9。32不合格品的判定型式检验的各项试验完成后，在相同测试条件下。出现以下任意一种情况，即判定该批不合格：(a)不能正常工作；(b)光接口或电接口指标不符合表3的参数要求：(c)外壳封装破裂或有裂纹、器件有错位。对不影响抽样和试验结果的条件下，一组样品可用于其他分组的检验和试验。9YD厂r 16871-20071 0产品管理、包装、运输和贮存要求101产品管理1011产品说明书产品说明书是产品使用的依据，应包

32、括以下内容：(a)名称、型号；(b)正常工作条件和极限工作条件；(c)封装尺寸和管脚功能描述：，(d)使用中的有关注意事项；(e)生产厂家。1012产品标识由于产品质量保证要求和可溯性要求，在产品或产品包装盒上必须贴有产品标识，主要内容有：(a)激光安全醒目标识；(b)生产序列号、生产日期、质检员代码信息；(c)所获得认证通过的相关认证标识。102产品包装、运输和贮存包装、运输和贮存应满足如下基本要求：(a)应该符合产品包装的基本要求，包装盒内有产品说明书和主要标识，尾纤在盘纤盒中盘好，不应随包装、运输而损坏，管脚要采取防静电措施加以保护；(b)包装盒应该具备防震、防压的要求；(c)包装盒上应

33、有明显的静电防护标识和激光器辐射等级标识；(d)应贮存于通风干燥(相对湿度小于80)、洁净和温度适宜(040)的环境中。10附录A(资料性附录)SDH光传输系统中的应用代码YD厂r 16871200725Gbits致冷型直接调制半导体激光器组件应用于SDH光传输系统中，通常使用标称中心波长为1310nm111550rim。rrUT G，957标准定义了SDH光传输系统中的应用代码及光接口参数，见表A1。表A1 SDH光传输系统应用代码应用代码 单位 L161 卜162 L-163光纤类型 G652 G652 0653目标距离 krn 40 80 80光源标称波长 1310 1550 1550平

34、均发送 最大值 dBm +3 +3 +3光功率 最小值 dBm -2 2 -2光谱特性(-20dB谱宽) 1 l 1最小边模抑制比 dB 30 30 30最小消光比 dB 82 82 82最大色散容限 psnm 1 200l 600MPIS点回波损耗 dB 24 24 24在MPISMPIR之间最大光反射 dB -27 27 -27最差灵敏度 dBm 一27 -28 27最小过载点 dBm -9 9 -9接收机在R点的最大反射 dB -27 -27 27最大光通道代价 dB 1 2 1注：+表示待研究YD厂r 16871-2007附录B(资料性附录)DWDM光传输系统中心波长在DWDM光传输系

35、统中，通常使用C波段和L波段总共160波，25Gbits致冷型直接调制半导体激光器组件标称中心波长(频率)如表B1和表B2所列，表中所列的均是符合uT G6941(2002)标准，频率间隔为50GHz的标称中心频率(波长)。表B1 c波段80波的波长号及对应的中心频率(波长)间隔50GHz的标称 标称中心波长 间隔50GHz的标称 标称中心波长c波段波长号 C波段波长号中心频率(THz) (rim) 中心频率(THz) fnm)1 19605 1 52916 41 19405 1 544922 196oo 1 52955 42 19400 1 545 323 19595 1 52994 43

36、19395 1 545 724 19590 1 53033 44 193 90 1 546125 19585 1 53072 45 193 85 1 546 526 19580 1 53112 46 19380 l 546 927 19575 l 531 51 47 19375 l 547 328 195 70 1 53190 48 19370 1 547729 19565 1 53229 49 19365 1 5481110 195 60 1 53268 50 19360 1 5485111 19555 1 53307 51 19355 1 5489112 19550 l 53347 52

37、19350 1 549 3213 195 45 l 53386 53 19345 1 549 7214 19540 1 53425 54 19340 1 5501215 19535 1 53464 55 19335 1 550 5216 195 30 1 53504 56 193 30 1 5509217 19525 l 53543 57 19325 1 551 3218 19520 1 535 82 58 19320 1 5517219 19515 1 536 22 59 19315 1 5521220 19510 1 53661 60 19310 1 5525221 19505 I 537

38、00 61 19305 1 5529322 195 00 l 53740 62 19300 1 553 3323 194 95 1 537 79 63 19295 1 5537324 194 90 1 53819 64 19290 1 5541325 194 85 1 53858 65 19285 1 554 5426 19480 1 53898 66 19280 1 554 9427 194 75 l 53937 67 192 75 1 555 3428 194 70 l 53977 68 192 70 1 555 7529 19465 1 54016 69 19265 1 5561530

39、19460 l 54056 70 19260 1 556 5512表B1(续)YDfr 1687，12007问隅50GHz的标称 标称中心波长 间隔50Gltz的标称 标称中心波长C波段波长号 C波段渡长号中心频率Orxz) (rim) 中心频率crrlz) (m)31 19455 1 54095 7l 19255 1 5569632 19450 1 54135 72 19250 1 557，3633 19445 1 54175 73 19245 1 557 7734 194，40 I 54214 74 19240 1 5581735 19435 1 54254 75 19235 1 5585

40、836 19430 l 54294 76 19230 1 5589837 19425 1 54333 77 19225 l 55913938 19420 1 54373 78 19220 1 5597939 19415 1 54413 79 19215 1 5602040 19410 1 54453 80 19210 1 56061表132 L波段80波的波长号及对应的中心频率(波长)间隔50GHz的标称 标称中心波长 间隔50Gttz的标称 标称中心波长L波段波长号 L波段波长号中心频率(TI-Iz) (rim) 中心频率OIz) (rim)l 19090 l 57042 41 18890

41、1 587042 19085 1 57n83 42 18885 1 587463 19080 1 57124 43 18890 l 587884 19075 l 57165 44 18875 1 588305 190 70 1 57206 45 18870 1 588736 190，65 l 57248 46 18865 l 589157 19060 1 57289 47 18860 l 589578 190，55 1 57330 48 18855 1 589999 19050 l 5737l 49 18850 1 5904110 19045 1 57413 50 188 45 1 59083

42、1l 19040 1 574，54 5t 18840 l 591_2612 19035 1 57495 52 l踮35 1 5916813 19030 l 57537 53 18830 I 5921014 19025 1 S7578 54 1船25 1 5925215 19020 l 576120 55 18820 l 5929516 190，15 1 57661 56 18815 1 5933717 19010 I 57703 57 18810 l 5937918 19005 1 57744 58 18805 1 59422t9 19000 1 57786 59 188 00 l 59464

43、20 18995 1 57827 60 18795 1 5950621 18990 1 578，69 61 18790 1 5954922 18985 l 57910 62 18785 1 5959123 18980 1 57952 63 18780 1 5963424 18975 l 57993 64 18775 l 59676YD广r 168712007表B2(续)间隔50GHz的标称 标称中心波长 间隔50GHz的标称 标称中心波长L波段波长号 L波段波长号中心频率(Tl-lz) (rim) 中心频率ffl-Iz) (rim)25 18970 1 58035 65 18770 1 597

44、1926 18965 1 58n77 66 18765 l 5976227 18960 1 58118 67 18760 l 5980428 18955 1 58160 68 18755 1 5984729 18950 l 58202 69 18750 1 5988930 18945 l 58244 70 187 45 1 599323l 18940 1 58285 71 18740 1 5997532 18935 l 58327 72 18735 1 6001733 18930 1 58369 73 18730 1 6006034 18925 1 5841l 74 18725 1 60103

45、35 18920 1 58453 75 18720 1 6014636 18915 1 58495 76 18715 l 6018837 18910 1 58536 77 18710 l 6023l38 18905 1 58578 78 18705 1 6027439 18900 1 58620 79 18700 1 6031740 18895 l 58662 80 18695 1 6035714YD厂r 16871-200725Gbits致冷型直接调制半导体激光器组件管脚定义如表C1所示，封装时可直接将第10脚和第14脚接管壳地或将这两只管脚悬空，不作任何连接。表c管脚定义管脚 符号 管脚描述1 nermistor 热敏电阻引脚2 Thermistor 热敏电阻引脚3 Laser DC Bias(-) 激光器直流偏置(一)4 MOnitot Anode 光电探测器(一)5 Monitor Cathode 光电探测器(+)6 TEC(+) TEC致冷器(+)7 TEC(一) TEC致冷器(一)8 Case ground 管壳地9 Case ground 管壳地10 Case groundNC 管壳地，悬空11 Case ground 管壳地12 Laser Moduladon(一)