GB T 2296-2001 太阳电池型号命名方法.pdf

1、GB/2296-2001 前言本标准是太阳光伏能源系统的基础标准之一。GB/T2296-1980太阳电池型号命名方法在我国光伏产业发展过程中起到了基础标准的作用。随着太阳光伏能源系统的发展，国际、国内光伏产业在近二十年来有了很大的进步和变化。为了适应光伏产业日益发展的需要，所以对GB/T2296-1980太阳电池型号命名方法进行了修订。修订后的标准在保持GB/T2296-1980太阳电池型号命名方法基本框架结构的同时，补充了国际、国内新技术的有关内容2对单体元素半导体太阳电池的型号命名，补充了第五部分内容，表示太阳电池的其他特征s同时，补充了原标准中没有的单体化合物半导体太阳电池的型号命名方法

2、g对太阳电池组件、板、子方阵、方阵的型号命名，加入了第二部分内容，表示其额定电压。使修订后的标准既具有与原标准较好的继承性，又能适应未来国际、国内新技术的需要。本标准从实施之日起，同时代替GB/T2296一19800本标准的附录A是提示的附录。本标准由中华人民共和国信息产业部提出。本标准由全国太阳光伏能源系统标准化技术委员会归口。本标准起草单位z信息产业部电子标准化研究所、信息产业部电子第十八研究所。本标准主要起草人z周耀宗、孙传癫、郭增良、杜福生、刘春勋。1 1 范围中华人民共和国国家标准太阳电池型号命名方法Designation method of solar cells (photovo

3、ltaic device) 本标准规定了太阳电池(包括单体、组牛、板、子方阵、方阵)型号命名方法。本标准适用于同质结、异质结、肖特基势垒反光电化学型的太阳电池。2 引用标准GB!T 2296 -.2001 代替GIlI丁2296-1980下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时，所示版本均为有效。所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。GB/T 2297一1989太阳光伏能源系统术语3 单体太阳电池型号命名方法3. 1 单体太阳电池型号单体太阳电池型号命名用符号、阿拉伯数字、化学元素符号乘号、短斜线等来表示。术语按GB 2297

4、规定。3.2 单体太阳电池型号命名分类单体太阳电池型号命名方法分为z单体元素半导体太阳电池型号命名方法和单体化合物半导体太阳电池型号命名方法两部分。3. 3 单体元素半导体太阳电池型号命名方法3. 3. 1 单体元素半导体太阳电池型号命名的组成单体元素半导体太阳电池型号命名由五部分组成，型号命名示例见附录A(提示的附录人望马盖全复国FE| 幽幽血立一表示太阳电池主要特征或理直整整3. 3. 2 型号组成各部分的符号及含义3. 3. 2. 1 第一部分用符号表示太阳电池类型，见表10中华人民共和国国东质量监督幢幢栓i总局2001-09】28批准2002- 05-01实施2 GB /T 2296

5、- 2001 表1太阳电池类型符号表符号T Y X G 含义同质结太阳电池异质结太阳电池自特墓势垒太阳电池光电化学太阳电池3. 3. 2. 2 第二部分用符号表示太阳电池的基体材料和衬底材料。见表20表2基体材料和衬底材料符号表符号吉义符号C N型单晶硅材料G D P型单晶砖材料F F 多晶硅材料T H 非晶硅材料K X 其官材料吉义政璃不锈钢陶瓷聚酷亚胶膜J J 2. 3 第三部分用符号表示同质络电池特征，见表30肖特基势垒电池顶区材料符号见表40表3同质结电池特征符号表符号吉sl. A 常规太阳电池B 有背表面场的太阳电池D 有表面钝化层的太阳电池E 有防阴影功能的太阳电池F 有背反射铸的

6、太阳电地J 或结密栅的太阳电池K 有孔式卷包电极的太阳电池L 膏表面场的太阳电池M 聚光型末阳电池 N 弱光型太阳电池Q 叠层太阳电池R 有绒面的太阳电池S 有双面栅电极的太阳电池T 薄膜太阳电池V 有V型槽表面的太阳电池w 有边缘卷包电极的太阳电池Z 有局部背扩散结构的太阳电池表4肖特基势垒电池顶区材料符号表符号吉sl. 5 银U 铛V 错w 金X 其他材料3 GB/T 2296-2001 3.3.2.4 第四部分用阿拉伯数字表示太阳电池的尺寸数值。矩形用相邻两边长度相乘，或用相邻两边氏度和厚度相乘表示s圆形用直径表示s半圆形用直径/2的形式表示s其他形状电池用表示电池面积大小的阿拉伯数字后

7、加S表示。单位为毫米(mm)。3. 3.2.5 第五部分用符号表示太阳电池的其他特征。此部分与前四部分用短横线连接，特征的符号按表3规定。此部分为非必要部分。3. 4 单体化合物半导体太阳电池型号命名方法3.4.1 单体化合物半导体太阳电池型号命名的组成单体化合物半导体太阳电池型号命名由三部分组成。型号命名示例见附录A(提示的附录)。第二型企表示单体化合物半导体太阳电池p-n结材料、基体材料或基体材料/衬底材料3.4.2 型号组成各部分的符号及含义3. 4.2.1 第一部分用阿拉伯数字和j组成的符号共同表示单体化合物半导体太阳电池p-n结的数目，符号及含义见表50表5单体化合物半导体太阳电池符

8、号表符号1) 2) 3) 4) nJ 含义单结双结二:结归结n结3.4.2.2 第二部分用化学元素符号表示单体化合物半导体太阳电池p-n结材料、基体材料或基体材料/衬底材料，当衬底材料不是半导体材料时，其符号同表2。表示顺序由太阳电池顶区(太阳光入射处)开始。在p-n结及衬底材料的化学符号间，单体整片太阳电池用短斜线连接，单体机械叠层太阳电池用短横线连接。3.4.2.3 第二部分用阿拉伯数字表示太阳电池的尺寸数值。矩形用相邻两边长度相乘，或用相邻两边长度和厚度相乘表示3圆形用直径表示s半圆形用直径/2的形式表示;其他形状电池用表示电池面积大小的阿拉伯数字后加S表示。单位为毫米(mm)o4 太阳

9、电池组件板、子方阵、方阵的型号命名方法4. 1 太阳电池组件、板、子方阵或方阵型号太阳电池组件、板、子方阵或方阵型号命名用符号和阿拉伯数字表示。4.2 太阳电池组件、板、子方阵或方阵型号命名的组成太阳电池组件、板、子方阵或方阵的命名通常由四部分组成。子方阵或方阵可省去第四部分，型号命名示例见附录A(提示的附录)。4 GB/2296-2001 4. 3 型号组成各部分的符号及意义4.3. 1 第部分用阿拉伯数字表示在标准测试条件下，太阳电池组件、板、子方阵或方阵的额定功率，单位为瓦(W)。4.3.2 第二部分用圆括号加阿拉伯数字表示在标准测试条件下.太阳电池组件、板、子方阵或方阵的额定电压，单位

10、为伏(V)。4.3.3 第三部分单体元素半导体太阳电池按3.3.2.2规定来表示;单体化合物半导体太阳电池按3. 4. 2. 2规定来表示。4.3.4 第四部分用阿:;:伯数字表示末阳电池组件或板的外形尺寸数值。用相邻两边长度相乘表示。单位为毫米(mm)。5 GB/T 2296 - 2001 附最A(提示的附录)太阳电池型号命名示例A1 单体元素半导体末阳电池型号命名示例示例1，示例22示例3，示例4，T D B 100 X 100 1!&1f，长川叫川m的矩形单体太阳电池七窒亟FoH重锺T C A 75/2 1表示直径为75mm的半圆形单体太阳电池表示常规太阳电池表示基体材料为N型单晶硅窒亟

11、且星笙T 200 X 400 -r;J示长200mm，宽4川m的矩形单体太阳电池示例5，Y 12 X 30-N I表示弱光型太阳电池表示长12mm，宽30mm的矩形单体太阳电池主主星星笙6 示例6: T D A 1235 T T ，一GB/T 2296 - 2001 表示面织为123mm，圆形、矩形以外其他形状的太阳电池表示常规太阳电池羞主基些盘盘主E塑单晶革主亟回屋笙A2 单体化合物半导体太阳电池型号命名示例示例7:示例8:11 示例9:2J 示例10:GaAs/GaAs X 0.4 表示长20mm，宽40mm，厚0.4mm的表示有耐化镰p-n结，以碑化嫁为衬底的单体辖片太阳电池主亟皇笙主至巫笙GalnP 结，以错为衬底的 10 X 20 X 0.2 50 表示长40mm，宽20mm，厚0.2mm的矩形单体太阳电池绪，网化嫁p-n结，以碑化嫁为衬底的结，碑化镶p-n结，以错为衬底的 7 GB!T 2296- 2001 示例11:30 mm的结，错p-n结，示例12:p-n结示例13:豆豆也，-Si表示有碑化嫁p-n结，硅p-n络的体机械叠层太阳电池窒亟翠笙A3 太阳电池组仲、板、子方阵、方阵的型号命名示例示例14:400 X 1200 L，宽肌mmtJ:t: l!I:l电池板示例15:D V 8