CNS 14914-2005 Guidelines for TAGUCHI methods and their application《田口式品质工程与其应用指导纲要》.pdf

1、 1 印行年月 94 年 10 月 本標準非經本局同意不得翻印 中華民國國家標準 CNS 總號 類號 ICS 03.120.10 Z406714914經濟部標準檢驗局印行 公布日期 修訂公布日期 94 年 3 月 25 日 年月日 (共 79 頁 )田口式品質工程與其應用指導綱要 Guidelines for TAGUCHI methods and their application 目錄 節次 頁次 1. 適用範圍 - 3 2. 用語釋義 - 3 2.1 田口式品質工程 - 3 2.2 線外品質工程 - 3 2.3 線上品質工程 - 3 2.4 MTS - 3 2.5 基準空間 - 3 2.

2、6 基準點 - 3 2.7 單位量 - 3 2.8 目的機能 - 3 2.9 基本機能 - 3 2.10 理想機能 - 3 3. 主要內容 - 3 3.1 線外品質工程 - 4 3.1.1 品質評價 - 4 3.1.2 規格決定 - 17 3.1.3 參數設計 - 19 3.1.4 允差設計 - 43 3.2 MTS法 - 54 3.2.1 概述 - 54 3.2.2 原理與方法 - 54 3.2.3 MTS步驟 - 58 3.2.4 應用實例 - 63 3.3 線上品質工程 - 70 3.3.1 概述 - 70 3.3.2 原理與背景 - 72 3.3.3 方法與公式 - 72 3.3.4

3、步驟 - 74 3.3.5 應用實例 - 75 2 CNS 14914, Z 4067 4. 引用資料 - 78 5. 附表 - 79 3 CNS 14914, Z 4067 1. 適用範圍 適用於各行各業的新產品研發、新技術研發、生產的技術精進及管理方法改進等活動之評價。 2.用語釋義 2.1 田口式品質工程（ TAGUCHI Methods）：係指由田口玄一博士所倡導之品質工程，其內容包括線外品質工程、線上品質工程及 MTS 等。 2.2 線外品質工程（ Off-line Quality Engineering）：係在研發、設計及生產技術之開發改進上所 使用的泛用技術，其內容包括 (1)品

4、質的評價， (2)規格的決定方法， (3)參數設計， (4)允差設計。 2.3 線上品質工程（ On-line Quality Engineering）：係在生產過程中所使用的管理技術，其內容包括 (1)損失函數， (2)工程診斷與調整， (3)管理系統檢討， (4)回饋控制， (5)預防保養， (6)適應控制， (7)檢查設計， (8)量測儀器的校正。 2.4 MTS（ Mahalanobis-TAGUCHI System）：係使用馬氏距離在多次元的資料空間上先決定基準點和單位量，然後以資料機能性的最適化原則確定最適資料變量之綜合量測的方法。 2.5 基準空間（ Base Space）：基準

5、空間是期望均質性的 (homogeneous)空間，係表達均質變量值的範圍，基本上其變量與範圍是由專業人員來決定的。例如，若是健康檢查系統的話，是以健康者的資料來製作空間，此乃為專業人員所選定的變量。 2.6 基準點（ Base Point）：係基準空間量測值的向量平均值。 2.7 單位量（ Base Unit） ：建立基準空間的量測基本向量，其馬氏距離的平均值是 1。 2.8 目的機能（ Objective Function）：為獲得系統目的的性能，將目的以量測特性表示，藉由系統（工程）機能以探討影響特性原因之關係。 2.9 基本機能（ Generic Function）：為達成目的特性而針

6、對系統所採取的最根本之技術手段。亦可定義為可達成技術所擁有的效能要發揮到最理想狀態之原理。例如，虎克定律及歐姆定律等。 2.10 理想機能（ Ideal Function）：在標準條件之下，對系統所期待的機能，在沒有變異因素的影響下，系統的目的機 能或基本機能，所呈現之理想性狀態。例如，應用歐姆定律時，所呈現 V IR 之關係式。 3. 主要內容 田口式品質工程的泛用性手法，係一種對技術（資料）內容作評價的方法，有以下三種： (1) SN 比：機能性的評價。 (2) 直交表：是否具有下游（內部顧客或外部顧客）再現性的評價。 (3) 損失函數：品質水準之經濟性評價。 以上評價的方法可廣泛的使用於

7、硬體及軟體的評價，以便確定最適產品、專業技術及資訊 (量測特性 )。 依照田口式品質工程應用之方向，其內容分為 MTS 法、線外品質工程及線上品質 4 CNS 14914, Z 4067 工程三大部分，本指導綱要將就這三大部分逐一介紹。田口式品質工程整體架構圖如圖 1 所示。 圖 1 品質工程之架構圖 品質工程 診斷、辨識、預測等方法或程序的機能性之探討 產品或服務的機能性之探討 產品或服務的線上管理系統之探討 MTS 法 線外品質工程 線上品質工程 M T S 流 程 圖 須確認交易品質時須確定產品之規格允差時 須設計產品之參數時須設計產品相關條件之允差時如 圖 18 所 示 品 質 評 價

8、 流 程 圖 決 定 規 格 流 程 圖 參 數 設 計 流 程 圖 允 差 設 計 流 程 圖 線上品質工程 運作流程架構圖如 圖 24 所 示 如 圖 2 所 示 如 圖 4 所 示 如 圖 6 所 示 如 圖 13 所 示 3.1 線外品質工程 線外品質工程係品質工程的主要部分，係應用在研發、設計及生產技術之開發改進上可得到最適改善對策，其內容包括 (1)品質的評價， (2)規格 (允差 )的決定方法， (3)參數設計， (4)允差設計。 3.1.1 品質評價 3.1.1.1 概述 田口玄一博士將品質定義為產品出廠後，帶給社會的損失，但不包括機能本身所引起的損失。 所謂社會的損失，係指所

9、定義之品質機能因變異所造成的損失；至於機能本身所引起的損失，則指產品發揮應有的機能後，所造成之副作 5 CNS 14914, Z 4067 用等損失，如公害。 3.1.1.2 原理與背景 (1) 損失函數評價 針對某一產品，其特性值為 y，目標值為 m，而設計壽命為 T 年 假設此一特性值在市場使用總數量為 N 當第 i 個產品在 t 年後會發生故障，其損失為 Li(t， y) 若令平均每一個產品之損失為 L(y) 則 L(y)=NiTidtytLN10),(1(1) 利用 Taylor 展開式將 L(y)以 m 為中心作展開可得如下： L(y) LL+2)(!2)(“)(!1)()( mym

10、LmymLmL (2) 因 )(mL 0， )( mL 0，又 3 ,0)(!)()( imyimLii可省略，則上式可化簡為 22)()(!2)(“)( mykmymLyL = (3) 稱此2)()( mykyL = 為損失函數 m+mm0+m0m0A0A)(yL式中 k 是一個常數，為求得比例常數 k，應先求得 y 偏離 m 至會發生問題（例如無法組合，或是在市場上無法發揮機能的實際困難）的機能界限0 ，及產生困擾時的外部損失（平均值）0 。 依此，在公式（ 3）的左邊代入0 ，右邊的（ y-m）代入0 ，則為 200= k 預計比例常數 k 200=k 6 CNS 14914, Z 40

11、67 因此，目標為 m 的損失函數 L 與下一個公式近似 ()2200)( myyL = 上下的機能界限相異時，上下各做出一 個損失函數，或是以上下的機能界限較小的作為0 ，及產生困擾時的外部損失（平均值）為0 。 (2) 機能性評價 機能性評價通常以 SN 比作為評價之尺度。此 SN 比是將在通信上所用的訊雜比之概念予以擴大應用的衡量標準，其 SN 比值（）來表示有效資訊（ Signal, S）的大小與無效資訊或雜訊（ Noise, N）的大小之比。 SN 比值（ ）可用以下公式來定義： NS=無效資訊大小有效資訊大小(4) 3.1.1.3 方法與公式 (1) 損失函數評價 以有目標值的特性

12、品質而言 單一產品時2200)( myAL = (5) n 個產品時 222212220)()()(1,0mymymynALn+= L (6) (2) 機能性評價 SN 比初期用於量測領域，爾後擴及於產品與製程設計領域以展現產品品質。 例如接收器是接收來自發報器信號資訊的量測系統，可用 SN 比進行機能性評價。由於通信系統品質是與 量測系統品質具有相同效力，因此 SN 比的觀念可應用於量測系統。此量測系統之基本要求如下： 1. 對於相同的樣品而言，無論何時何地量測樣品，其量測結果必須相同。 2. 對於兩個不同樣品而言，量測系統必須具備高靈敏度，以偵測量值之些微差異。 3. 量測系統之評價。 量

13、測系統之 SN 比定義如下： )()(SN2量測值誤差單位輸入靈敏度雜訊的能量信號的能量比 = 此式子與上述三項要求之關連性為：當量測系統對 於不同樣本 7 CNS 14914, Z 4067 間的差異靈敏時，則 SN 比變大；當量測誤差減少時， SN 比亦變大。至於第三項要求 (容易校正 )，可以輸入 /輸出之比例關係來表示。換言之，其輸入 /輸出關係為直線。當其關係愈趨近於線性，則 SN 比愈大。因此， SN 比的式子考慮了上述三要素，使得工程人員易於有效地評價或改善量測系統的品質。 若 SN 比用於產品或製程之改善某一特性值的評價，此稱之為靜態 SN 比，大致可分為以下三類： 1. 望目

14、特性：希望品質特性符合既定目標值（ m 為常數）者，品質特性距離目標值之變異越小越好。 全部平方和 )(22221 nyyyST+= L (f n) (7) 一般平均的變動nyyySnm221)( +=L(f 1) (8) 誤差變動 mTeSSS = (f n 1) (9) 誤差變異數1=nSVee(10) SN 比eemVVSn)(1log10= (11) 靈敏度 )(1log10emVSnS = (12) 2. 望小特性：品質特性為正值，在可能的範圍內越小越好，希望以“ 0”為目標（ m 0）的特性。 誤差變異數： 222221)(1=+=neyyynV L (13) SN 比2log10

15、 = (14) 3. 望大特性：無負值的品質特性在可能的範圍內越大越好，可能的話是期待無限大（ m ）。因此，就如同望小特性一般以轉換特性值來進行評價。 誤差變異數2222211111=+=neyyynV L (15) SN 比2log10 = (16) 於產品或生產技術之開發或改善中，使系統機能產 生變化的條件稱為信號因素（以 M 表示）。若信號因素產生變化，則系統中對應的輸出值（即量測特性，以 y 表示）也會隨之而變。當信號因素 M 與量測特性 y 之間呈線性（ linear）關係時，其理想關係為 8 CNS 14914, Z 4067 y=M (17) 此狀況可用動態 SN 比評價。 表

16、 1 為求出 SN 比的數據取法 信號因素 誤差因素 1、 2、 、 k線性 N1y11、 y12、 、 y1kL1N2 21、 y22、 y2k 2當進行實驗時，可得出如表 1 所示的數據，當使 M 從 Ml至 Mk做變化時，就可得出與此相對應的輸出 yl至 yk。在表中的 N為誤差因素，所謂誤差因素是指在生產或實際使用 中無法控制，使品質特性產生變異的因素（例如：環境因素 、劣化因素等）。 若以表 1 所得數據，可依下列步驟求出 SN 比。 全部平方和 ST=y112+y122+y2k2 (自由度 f=2k)(18) 線性 L1及 L2kkyMyMyMLyMyMyML22222212211

17、1211111+=+=LL(19) 有效除數22221 kMMMr += L (20) 比例項的變動rLLS2)(221+=(f=1) (21) 比例項差的變動SrLLrLLSN+=22212212)(f=1) (22) 誤差變動 =NTeSSSS(f=2(k-1) (23) 誤差變異數)1(2 =kSVee(24) 綜合誤差變異數12 +=kSSVeNN(25) SN 比NeVVSr)(21log10= (26) 靈敏度 )(21log10eVSrS =(27) 當信號因素 M 與量測特性 y 之間呈非線性 （ non-linear） 關係時，重新檢討輸入及輸出關係。 3.1.1.4 步驟

18、9 CNS 14914, Z 4067 圖 2 品質評價流程圖 確定品質評價 的目的 須以金錢損失來評價時 須以使用條件來評價時 損失函數評價 機能性評價 3.1.1.5 限制條件與注意事項 (1) 損失函數評價 對於超過 某界限就無法使用之所謂機能界限 (0 )，必須定義清楚。至於超過機能界限則實際所發生之損失 (0A )，亦需定義清楚。 (2) 機能性評價 必須於評價前，充分考慮使用者的使用條件。 3.1.1.6 應用實例 (1) 損失函數評價 範例 (望目特性 ) 裝配設備公司對買進的某零件進行檢查，檢查結果減 去目標值 m後之值如下： 0.3 0.6 -0.5 -0.2 0.0 1.0

19、 1.2 0.8 -0.6 0.9 0.0 0.2 0.8 1.1 -0.5 -0.2 0.0 0.3 0.8 1.3 經依公式 (6)計算： 4795.0)3.16.03.0(2012222=+= LL又此零件的允差為 2.0mm，買進價格 A 為 300 元，則品質水準之評價為： 0.364795.00.23002222200= AAL (元 ) (2) 機能性評價 範例一：薄膜電容器的可靠度試驗期間之縮短 理想機能是 ( )MMyy = ， y： log(tan ) M： log(f) 在此，代表信號因素的頻率之水準取以下的 3 水準， f1 5kHz， f2 10kHz， f3 50k

20、Hz 控制因素與其水準：取 A 公司、 B 公司、 C 公司、 D 公司及 F 公司 10 CNS 14914, Z 4067 （原有）五家薄膜電容器做為評價樣品。 誤差因素：使薄膜電容器劣化的最具效 果之方法，是不斷地重複充電、放電，因此就將此充放電 壓視為誤差因素。即， N1初期值、 N2 200V、 N3 300V、 N4 400V、 N5 500V、 N6 600V、 N7 700V、 N8 800V，這些電壓之充放電周期 (cycle)數都為100cycle，至於充放電時間則為 0.5sec 充電 /0.5sec 放電。 實驗方法：五家公司的五種產品各取 4 個，以誤差因素的充放電壓

21、進行充放電試驗後，就進行在信號因 素的各頻率上之 tan量測。其中 F 公司產品實驗所得到的數據，如表 1 所示。 表 1 F 公司產品實驗數據 誤差因素 信號因素 種類 電壓 試料 M1M2M31 y111Y112y1132 y121Y122y1233 y131Y132y133初 期 值 4 y141Y142y143： ： ： ： ： 1 y811Y812y8132 y821y822y8233 y831y832y833F 公司 800V 4 y841y842y843實驗及解析結果：如表 2、表 3 所示。 表 2 F 公司產品 tan量測值 誤差因素 信號因素 種類 電壓 試料 M1(5)

22、M2(10) M3(50) 1 0.025 0.040 0.186 2 0.024 0.038 0.182 3 0.025 0.039 0.186 初 期 值 4 0.025 0.038 0.181 M M M M M 1 2 3 F公司 800V 4 0.056 0.100 0.487 11 CNS 14914, Z 4067 表 3 F 公司產品對數轉換後的數據 誤差因素 信號因素 種類 電壓 試料 M1 (0.699) M2 (1.000) M3 (1.699) 1 1.602 1.398 0.730 2 1.620 1.420 0.740 3 1.602 1.409 0.730 初 期

23、 值 4 1.602 1.420 0.742 M M M M M 1 2 3 F公司 800V 4 1.252 1.000 -0.312 以原有（ F 公司）的產品數據為例，根據表 3 計算如下： 全部平方和 )96(752.148284321122111=+=fyyySTL平均值的變動 )1(052.133)(9612843112111=+=fyyySmL信號因素的每一水準之合計 136.498411211111=+= yyyY L801.428421221122=+= yyyY L080.218431231133=+= yyyY L信號因素的一次效果之變動 )1(444.13)()()(1

24、 2332211=+=fMMYMMYMMYrS有效除數 12 CNS 14914, Z 4067 84457.16)()()(48232221=+= MMMMMMr誤差變動 )7(384.1)(431282221=+=fSTTTSmNL)87(873.0 =fSSSSSNmTe )94(257.2 =fSSSSmTN 誤差變異數 0100312.0871=eeSV0240111.0941=NNSV SN 比 (db) 21.15)1log(10=NeVVSr靈敏度 (db) 983.0)VS(r1log10Se=綜合五家公司的五種產品整理計算所得的 SN 比和靈敏度，如表 4所示。 表 4 S

25、N 比和靈敏度之整理 (單位： d b) A公司 B公司 C公司 D公司 F公司 SN比 1.92 2.73 22.78 5.19 15.21 靈敏度 1.20 0.75 1.68 0.61 0.98 根據此結果，對於充放電劣化的 tan 特 性，以 C 公司的產品最佳，接著是 F 公司的產品。 範例二：電晶體 (transistor)的機能性評價 品質評價時，若以一般的劣化試驗進行 ，相當費時，但若將劣化 13 CNS 14914, Z 4067 設定為誤差因素，即可在短時間內完成評價。另外， 若於評價時，有設定信號因素，還可使用整體範圍來 進行判斷。在一般的劣化試驗中，若只評價某一點，無法

26、求出是 否為線性效果。在此，以電晶體為例，購買時雖是合格品的但使 用後電晶體有易於劣化與不易劣化兩種現象。表 5 是以電源電壓 M 與輸出電流 y 之比例關係，求出電晶體的機能性數據。 表 5 電晶體在不同電壓 M(伏特 )下輸出電流 y(毫安培 )之數據 M A N 0.5 1.5 2.5 線性 A1N1 N20.72 2.62 4.52 1.02 3.02 4.84 L1=15.59 L2=17.14 A2N1N21.40 4.50 7.58 1.48 4.58 7.80 L1=26.40 L2=27.26 備考 1. A1、 A2表示兩種不同的電晶體 2. N1、 N2分別表示未劣化處理

27、與劣化處理 進行 A1場合的數據之解析 全部平方和 ST=y112+y122+y232=0.722 1.022 4.842=61.3996(f=6) 有效除數232221MMMr += =0.52 1.52 2.52=8.75 線性 L1及 L2L1=M1y11+M2y12+M3y13=0.50.72 1.52.62 2.54.52=15.59 L2=M2y21+M2y22+M3y23=0.51.02 1.53.02 2.54.84=17.14 比例項的變動rLLS2)(221+=61.21445 (f=1) 比例項差的變動rLLSN2221+=S =0.13729 (f=1) 誤差變動 =N

28、TeSSSS =0.04786 (f=4) 誤差變異數4eeSV = =0.01197 (f=4) 綜合誤差變異數 5eNNSSV+=0.03703 (f=5) SN 比 14 CNS 14914, Z 4067 ()03703.001197.021445.6175.821log10)(21log10=NeVVSr=19.75db 靈敏度 ()01197.021405.6175.821log10)(21log10=eVSrS=5.44db 表 6 電晶體的輸出電流之變異數分析比較表 A1A2變異來源 f S V S V 比例項 1 61.21445 164.53689 比例項差 Nx 1 0.

29、13729 0.04226 誤差 e 4 0.04786 0.01197 0.02005 0.00501 綜合誤差 5 0.18515 0.03703 0.16231 0.03246 全部平方和 6 61.39960 164.59920 對 A2進行同樣計算後得變異數分析表，如表 6。 A1與 A2比較，比例項差 (N )之變動相當大，而且非線性效果 (誤差變異 )亦變得很大。而就 A2的情況來看，非線性效果較小，比例項差 (0.04226)較非線性效果 (0.00501)為大，最後以 SN 比來評價此種傾向。 A2的 SN 比與靈敏度可計算如下：SN 比()03246.000501.0536

30、89.16475.821log10 )(21log10=NeVVSr=24.62db 靈敏度()00501.053689.16475.821log10 )(21log10=eVSrS=9.73db A2的 SN 比減 A1的 SN 比為 24.62 19.75=4.87db，即 A2電晶體比A1電晶體為佳。 範例三：膜厚測定器性能的比較 15 CNS 14914, Z 4067 目的：沒有經驗的人進行測定時，檢查 到底那一種膜厚測定器的性能比較好。 備考：隨著測定訓練的累積，雖然多少也可以檢查提升的 SN 比程度，但是在此省略。 因素與水準： (1) 控制因素：膜厚測定器 A A1：利用凸輪的

31、機械結構式 A2：利用螺形線圈的起磁力變化 A3：利用氣壓 A4：厚度以螺旋部的回轉量來表示 信號因素：底片 M M1：擁有 5m 的乳劑膜 M2：擁有 10m 的乳劑膜 M3：擁有 15m 的乳劑膜 (2) 誤差因素： 4 位沒有測定經驗者（訓練初期） R1、 R2、 R3、 R4各作 9 次的反覆實驗 配置與數據： A1的配置與數據以表 7 來表示。 16 CNS 14914, Z 4067 表 7 膜厚測定器 A1的數據 R1R2R3R4計 5.1 5.4 4.9 4.8 4.8 5.3 5.1 5.5 5.0 4.5 5.1 4.1 5.1 5.3 5.2 5.2 5.0 5.1 4.

32、4 5.0 4.9 4.6 5.0 5.2 M15.2 5.4 5.0 4.7 4.8 4.8 4.9 5.5 4.8 4.7 5.7 4.3 179.4 9.1 9.3 8.9 8.9 8.6 9.1 8.7 8.5 8.9 8.2 8.6 8.2 8.6 8.5 8.8 8.8 8.6 8.9 9.1 8.6 8.8 8.5 8.2 8.0 M27.7 8.4 9.2 9.0 8.4 9.0 8.9 8.2 8.5 8.5 8.3 8.5 311.0 15.0 15.2 15.0 15.1 14.5 14.1 13.7 15.8 15.0 15.0 15.0 14.8 14.6 15.4

33、14.8 15.7 15.0 14.5 14.7 14.9 15.0 15.3 15.3 15.0 M315.3 14.8 15.1 15.0 15.3 14.5 15.0 15.7 15.2 15.2 15.2 20.0 544.1 計 1034.5 測定所需平均時間 70.67 分 /日 SN 比的計算：本例知道信號因素的水準值，因為乳劑膜 0 時讀值為零，所以公式 (26)的零點比例式的 SN 比來加以比較。 (1) A1的 SN 比 ( )108 11.843,110.202.51.51.52222=+= fSTL ()()()1 78.751,11600,125.168,121510

34、5361.544150.311104.179522222=+= fS( )107 53.9178.751,1131.843,11 = fSe以上獲得表 8 的變異數分析表。 表 8 膜厚測定器 A1的變異數分析表 要因 f S V E(V) 1 11,751.78 11,751.78 ( )222221510536 + e 107 91.53 0.86 2 T 108 11,843.31 ()()()dbmA 33.0108.186.0600,1286.078.751,1121= (1) 其他的 SN 比 關於2A 、3A 、4A 也和1A 相同，可以求得以下的值： ( ) 65.32=A 1

35、7 CNS 14914, Z 4067 () 86.93=A () 55.104=A 結論：如表 9 所示，可知在訓練初期 A1的 SN 比最好。 表 9 膜厚測定器的 SN 比的比較 膜厚測定器 SN比 (db) 增益 (db) A1 0.33 10.88 A2 -3.65 6.90 A3 -9.86 0.69 A4 -10.55 基準 3.1.2 規格決定 3.1.2.1 概述 以往為了交易及管理上的需要訂定允差，而決定允差時都得考慮機能界限的安全係數。最近對於機能的失敗率，一般都利用機率方法或模擬法，但這方法因需要考慮所有變異的原因，故效率較差。亦即必須顧及所有的缺失及變異，不但不可能，

36、在時間與成本方面也是效率很差的方法。本標準利用損失函數，簡單說明決定允差的方法。 3.1.2.2 原理與背景 田口先生提倡不用機率與統計理論的方法來決定安全係數，並建議以下式求出安全係數。 損失超出工廠規格外的工廠損失超出機能界限外的平均(28) 3.1.2.3 方法與公式 以損失函數的二次為近似值，機能界限值為0，而喪失機能時的損失為 A0時， L(y)以下式為近似值。 2200)my(A)y(L = (29) 式 (30)的 (y m)是 y 與目標值的偏差，其允許的允差是，而 A 是由允差設計的品質及成本的平衡點即： 2200=AA (30) 18 CNS 14914, Z 4067 圖

37、 3 損失關係圖 000=AA(31) AA0= (32) 此AA0= 為安全係數。 若 A0：目的特性超出規格之損失。 0：目的特性的允差。 A：原因特性超出規格之損失。 ：原因特性有一單位變化量時，給與目的特性影響程度。 若原因特性是 x，而目的特性為 y 時 y = x。 損失函數 () 220020200)()( mxAmyAyL = (33) 2200)( mxAA = 又取 )( mx 為原因特性的允差 則得00=AA(34) 3.1.2.4 步驟 本標準建議利用如圖 4 的流程圖進行規格 (允差 )的決定 圖 4 決定規格流程圖 決定安全係數 決定規格 (允差 ) 決定原因條件

38、(因素 )的允差 A0A my0 19 CNS 14914, Z 4067 3.1.2.5 限制條件與注意事項 (1) 超出機能界限外的平均損失，務必經由相關人員詳加計算。 (2) 所謂係數 b，務必由允差設計者予以確定。 3.1.2.6 應用實例 沖壓件若形狀不良時，修理費 A0是 1500 元。發生問題件的形狀尺寸規格為 m 200( m)，鐵板的硬度及厚度，會影響形狀尺寸。鐵板硬度有一單位洛氏硬度 HR 變化時，使形狀尺寸產生 50 m 變化，而鐵板厚度有 1 m 變化時，形狀尺寸有 5 m 的改變。求鐵板硬度和厚度的允差，詳如表 10。但是兩者超出規格時，造成之廢鐵損失，換算成沖壓品

39、1 個為 300 元。 表 10 鐵板硬度和厚度的允差分析表 硬度 厚度 參數 A0 1500 A 300 0 200 b 50 A0 1500 A 300 0 200 b 5 允差 502001500300 3.098 52001500300 30.98 3.1.3 參數設計 3.1.3.1 概述 在品質管理上，認為要減少品質失敗成本，必須增加管理成本。至於，一般實驗設計則認為要解決問題必須將問題原因予以消除，然而參數設計卻用消除原因的影響之方式，即可提高品質亦可降低成本。 3.1.3.2 原理與背景 根據田口玄一博士的看法，對於許多的技術開發上進行有效的實驗，實驗的合理化和技術開發的效率化是有極密切的關係。 所謂實驗的合理化是指有效率地進行實驗結果的有效性評價。所謂實驗結果的有效性評價係指將實驗結果於實際使用時，預測其結果可提升多少效果。因此，所謂技術開發的效率化是指預測的合理化，其評價的尺度（標準）就是 SN 比。 所謂好的技術開發，就是要有較高的 SN 比，且在現實中仍可保證其再現性。許多的技術開發都是以設計目標的達成為著眼點，但在品質工程上，並不是以設計目標的達成為優先，而是以提高 SN 比為第一要務。所謂設計的目標，是指該技術所發揮的機能和目標一致。在品質工程上，主要是著眼於機能的變異，而非機能本身，因為機