DIN EN 60749-8-2003 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 8 Sealing (IEC 60749-8 2002 + Corr 1 2003 + Corr 2 2003) German version EN 60749-8 2003《半导体器.pdf

1、DEUTSCHE NORM Dezember 2003HalbleiterbauelementeMechanische und klimatische PrfverfahrenTeil 8: Dichtheit(IEC 60749-8:2002 + Corr. 1:2003 + Corr. 2:2003)Deutsche Fassung EN 60749-8:2003EN 60749-8ICS 31.080.01 Teilweiser Ersatz frDIN EN 60749:2002-09Siehe Beginn der GltigkeitSemiconductor devices Mec

2、hanical and climatic test methods Part 8: Sealing (IEC 60749-8:2002 + Corr. 1:2003 + Corr. 2:2003);German version EN 60749-8:2003Dispositifs semiconducteurs Mthodes dessais mcaniques et climatiques Partie 8: Etanchit (CEI 60749-8:2002 + Corr. 1:2003 + Corr. 2:2003);Version allemande EN 60749-8:2003D

3、ie Europische Norm EN 60749-8:2003 hat den Status einer Deutschen Norm.Beginn der GltigkeitDie EN 60749-8 wurde am 2002-09-24 angenommen.Daneben drfen die Festlegungen von Kapitel 3, Abschnitt 5, der DIN EN 60749:2002-09 noch bis2005-10-01 angewendet werden.Nationales VorwortFr die vorliegende Norm

4、ist das nationale Arbeitsgremium K 631 Halbleiterbauelemente der DKEDeutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE zustndig.Die enthaltene IEC-Publikation wurde vom TC 47 Semiconductor devices erarbeitet. Sie geht aufeinen Beschluss des TC 47 zurck, die in IEC 60749

5、 enthaltenen Prfverfahren in getrennten Teilen zuverffentlichen. Nach Abschluss der von IEC/TC 47 beschlossenen kompletten berarbeitung derIEC 60749 und der Aufteilung in jeweils einen Teil der Reihe IEC 60749 je Prfverfahren wird die Reiheder Normen voraussichtlich aus 36 Teilen bestehen.Die Festle

6、gungen der vorliegenden Norm sind identisch mit denen aus Kapitel 3, Abschnitt 5, vonIEC 60749:1996 + A1:2000 + A2:2001.Das Corrigendum 1:2003-04 der IEC 60749-8 bezieht sich auf den ersten Satz in 9.4 und stellt den be-reits in DIN EN 60749:2002-09 mit einer Nationalen Funote angemerkten Druckfehle

7、r richtig. Mit demCorrigendum 2: 2003-08 zur IEC-Publikation wurde der Maintenance cycle fr IEC 60749-8:2002 von2012 auf 2007 verkrzt. Dies ist in der nachfolgenden Information bercksichtigt.Das IEC-Komitee hat entschieden, dass der Inhalt dieser Publikation bis zum Jahr 2007 unverndertbleiben soll.

8、 Zu diesem Zeitpunkt wird entsprechend der Entscheidung des Komitees die Publikation besttigt, zurckgezogen, durch eine Folgeausgabe ersetzt oder gendert.Fortsetzung Seite 2und 14 Seiten ENDKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE DIN Deutsches Institut fr

9、Normung e. V. Jede Art der Vervielfltigung, auch auszugsweise,nur mit Genehmigung des DIN Deutsches Institut fr Normung e. V., Berlin, gestattet.Alleinverkauf der Normen durch Beuth Verlag GmbH, 10772 BerlinRef. Nr. DIN EN 60749-8:2003-12Preisgr. 12 Vertr.-Nr. 2512NormCD Stand 2004-03DIN EN 60749-8:

10、2003-122Fr den Fall einer undatierten Verweisung im normativen Text (Verweisung auf eine Norm ohne Angabe desAusgabedatums und ohne Hinweis auf eine Abschnittsnummer, eine Tabelle, ein Bild usw.) bezieht sich dieVerweisung auf die jeweils neueste gltige Ausgabe der in Bezug genommenen Norm.Fr den Fa

11、ll einer datierten Verweisung im normativen Text bezieht sich die Verweisung immer auf die inBezug genommene Ausgabe der Norm.Der Zusammenhang der zitierten Normen mit den entsprechenden Deutschen Normen ergibt sich, soweit einZusammenhang besteht, grundstzlich ber die Nummer der entsprechenden IEC-

12、Publikation. Beispiel:IEC 60068 ist als EN 60068 als Europische Norm durch CENELEC bernommen und als DIN EN 60068 insDeutsche Normenwerk aufgenommen.IEC hat 1997 die Benummerung der IEC-Publikationen gendert. Zu den bisher verwendeten Normnummernwird jeweils 60000 addiert. So ist zum Beispiel aus IE

13、C 68 nun IEC 60068 geworden.nderungenGegenber DIN EN 60749:2002-09 wurden folgende nderungen vorgenommen:a) Ergnzung der Festlegungen aus Kapitel 3, Abschnitt 5, von DIN EN 60749:2002-09 um die Abschnitte 1Anwendungsbereich und Zweck sowie 2 Normative Verweisungen;b) berarbeitung der Nummerierung, s

14、odass dieses Prfverfahren in einer eigenstndigen Norm verffent-licht werden kann.Frhere AusgabenDIN 41794-1:1972-06DIN IEC 60749:1987-09DIN EN 60749:2000-02, 2001-09, 2002-09NormCD Stand 2004-03EUROPISCHE NORMEUROPEAN STANDARDNORME EUROPENNEEN 60749-8Juni 2003ICS 31.080.01 Deutsche FassungHalbleiter

15、bauelementeMechanische und klimatische PrfverfahrenTeil 8: Dichtheit(IEC 60749-8:2002 + Corr. 1:2003 + Corr. 2:2003)Semiconductor devicesMechanical and climatic test methodsPart 8: Sealing(IEC 60749-8:2002 + Corr. 1:2003 +Corr. 2:2003)Dispositifs semiconducteursMthodes dessais mcaniques et climatiqu

16、esPartie 8: Etanchit(CEI 60749-8:2002 + Corr. 1:2003 +Corr. 2:2003)Diese Europische Norm wurde von CENELEC am 2002-09-24 angenommen. DieCENELEC-Mitglieder sind gehalten, die CEN/CENELEC-Geschftsordnung zuerfllen, in der die Bedingungen festgelegt sind, unter denen dieser EuropischenNorm ohne jede nd

17、erung der Status einer nationalen Norm zu geben ist.Auf dem letzten Stand befindliche Listen dieser nationalen Normen mit ihren biblio-graphischen Angaben sind beim Zentralsekretariat oder bei jedem CENELEC-Mit-glied auf Anfrage erhltlich.Diese Europische Norm besteht in drei offiziellen Fassungen (

18、Deutsch, Englisch,Franzsisch). Eine Fassung in einer anderen Sprache, die von einem CENELEC-Mitglied in eigener Verantwortung durch bersetzung in seine Landessprache ge-macht und dem Zentralsekretariat mitgeteilt worden ist, hat den gleichen Status wiedie offiziellen Fassungen.CENELEC-Mitglieder sin

19、d die nationalen elektrotechnischen Komitees von Belgien,Dnemark, Deutschland, Finnland, Frankreich, Griechenland, Irland, Island, Italien,Luxemburg, Malta, den Niederlanden, Norwegen, sterreich, Portugal, Schweden,der Schweiz, der Slowakei, Spanien, der Tschechischen Republik, Ungarn und demVereini

20、gten Knigreich.CENELECEuropisches Komitee fr Elektrotechnische NormungEuropean Committee for Electrotechnical StandardizationComit Europen de Normalisation ElectrotechniqueZentralsekretariat: rue de Stassart 35, B-1050 Brssel 2003 CENELEC Alle Rechte der Verwertung, gleich in welcher Form und in wel

21、chem Verfahren,sind weltweit den Mitgliedern von CENELEC vorbehalten.Ref. Nr. EN 60749-8:2003 DNormCD Stand 2004-03EN 60749-8:20032VorwortDer Text der Internationalen Norm IEC 60749-8:2002 wurde von CENELEC am 2002-09-24 als EN 60749-8angenommen.Der Text dieser Internationalen Norm wurde ohne nderun

22、g bernommen von Kapitel 3, Abschnitt 5 derIEC 60749:1996. Daher wurde der Text nicht ein zweites Mal zur Abstimmung gestellt, es liegt weiterhin dasDokument 47/1574/FDIS zu Grunde.Nachstehende Daten wurden festgelegt: sptestes Datum, zu dem die EN auf nationaler Ebenedurch Verffentlichung einer iden

23、tischen nationalenNorm oder durch Anerkennung bernommen werdenmuss (dop): 2004-01-01 sptestes Datum, zu dem nationale Normen, dieder EN entgegenstehen, zurckgezogen werdenmssen (dow): 2005-10-01Jedes Prfverfahren, das sich nach dieser Norm richtet und das Teil dieser Normenreihe ist, stellt ein eige

24、n-stndiges Dokument dar, das mit EN 60749-2, EN 60749-3 usw. benummert ist. Die Benummerung der Prf-verfahren ist folgerichtig und es besteht kein Zusammenhang zwischen der Nummer und dem Prfverfahren(also z. B. keine Gruppierung der Prfverfahren). Eine Auflistung der Prfungen ist auf der CENELEC-Ho

25、me-page und im Katalog verfgbar.Die berarbeitung eines einzelnen Prfverfahrens ist nicht abhngig von anderen TeilenAnhnge, die als normativ bezeichnet sind, gehren zum Norm-Inhalt.In dieser Norm ist Anhang ZA normativ.Der Anhang ZA wurde von CENELEC hinzugefgt.AnerkennungsnotizDer Text der Internati

26、onalen Norm IEC 60749-8:2002 und deren Corrigendum April 2003 wurde vonCENELEC ohne irgendeine Abnderung als Europische Norm angenommen.NormCD Stand 2004-03EN 60749-8:20033InhaltSeiteVorwort. 2Einleitung . 41 Anwendungsbereich und Zweck 42 Normative Verweisungen. 43 Allgemeine Definitionen. 43.1 Mae

27、inheiten fr den Druck 43.2 Standard-Leckrate . 43.3 Gemessene Leckrate. 43.4 quivalente Standard-Leckrate . 54 Druckbehlter-Prfverfahren . 55 Feinleck-Prfverfahren: Radioaktives Krypton-Verfahren. 55.1 Zweck 55.2 Allgemeine Beschreibung 55.3 Arbeitsschutzmanahmen fr das Prfpersonal . 75.4 Prfdurchfh

28、rung. 75.5 Festzulegende Bedingungen. 75.6 Grobleck-Prfverfahren . 76 Prfung auf kleine Leckraten: Sprgas-(Helium-)Verfahren mit dem Massenspektrometer. 76.1 Allgemeines . 76.2 Verfahren1: Nicht whrend der Herstellung mit Helium gefllte Bauelemente Fix-Verfahren. 86.3 Verfahren 2: Whrend der Herstel

29、lung nicht mit Helium gefllte Bauelemente flexiblesVerfahren . 86.4 Verfahren3: Whrend der Herstellung mit Helium gefllte Bauelemente. 96.5 Grobleck-Prfverfahren . 97 Grobleck-Prfverfahren; Verfahren mit perfluorierten Kohlenwasserstoff- (PFC-)Dmpfenunter Verwendung eines elektronischen Detektors.97

30、.1 Zweck 97.2 Allgemeine Beschreibung 107.3 Prfeinrichtung. 107.4 Prfablauf 107.5 Annahme- und Fehlerkriterien . 118 Grobleck-Prfverfahren Nachweis von perfluorierten Kohlenwasserstoff- (PFC-)Blasen 119 Prfverfahren E; Massewiegen bei Groblecks 119.1 Zweck 119.2 Prfeinrichtung. 129.3 Prfablauf 129.4

31、 Annahme- und Fehlerkriterien . 1310 Grobleck-Prfverfahren: Farbstoff-Penetrierung . 1311 Grobleck-Wiederholungsprfung. 13Anhang ZA (normativ) Normative Verweisungen auf internationale Publikationen mit ihrenentsprechenden europischen Publikationen .14NormCD Stand 2004-03EN 60749-8:20034EinleitungDi

32、e Ttigkeit der Arbeitsgruppe 2 (en: WG 2) des Technischen Komitees 47 der IEC umfasst das Erarbeiten,die Koordination und das Review von klimatischen, elektrischen und mechanischen Prfverfahren (bei denelektrischen werden allerdings nur die ESD- (en: Electrostatic Discharge) und Latch-up-Prfverfahre

33、n sowiedie Beanspruchungsbedingungen fr Lebensdauer-Prfverfahren betrachtet) und den damit verbundenenMess- und Prftechniken, die notwendig sind zur Bewertung der Qualitt und Zuverlssigkeit sowohl in derEntwicklung und Fertigung von Halbleiter-Bauelementen als auch der dazugehrigen entsprechendenPro

34、zesse.1 Anwendungsbereich und ZweckDieser Teil der IEC 60749 ist auf alle Halbleiterbauelemente (Einzel-Halbleiterbauelemente und integrierteSchaltungen) anwendbar.Der Zweck dieses Prfverfahrens ist die Ermittlung der Leckrate von Halbleiterbauelementen.ANMERKUNG Dieses Prfverfahren ist identisch mi

35、t dem in Kapitel 3, Abschnitt 5 von IEC 60749:1996, Amendment 2,festgelegten Verfahren, abgesehen von diesem hier vorliegenden Abschnitt sowie dem Abschnitt 2 und der neuen Num-merierung.2 Normative VerweisungenDie nachfolgenden zitierten Dokumente sind fr die Anwendung dieses Dokuments erforderlich

36、. Bei datiertenVerweisungen gilt nur die in Bezug genommene Ausgabe. Bei undatierten Verweisungen gilt die letzte Aus-gabe des in Bezug genommenen Dokuments (einschlielich aller nderungen).IEC 60068-2-17:1994, Environmental testing Part 2: Tests Test Q: Sealing3 Allgemeine Definitionen3.1 Maeinheite

37、n fr den DruckDas Internationale Einheitensystem (SI) empfiehlt Pascal (Pa) als Maeinheit fr den Druck. Jedoch sind dieallgemein verwendeten Maeinheiten fr den Druck Absolute Atmosphren oder bar (wobei1 Absolute Atmosphre = 1 bar = 105Pa). Die in diesen Prfverfahren verwendete Maeinheit ist das Pasc

38、al(Pa), wobei das bar als alternative Maeinheit verwendet wird.3.2 Standard-LeckrateDie Standard-Leckrate ist definiert als der Grenwert von trockener Luft bei 25 C in Pa (bar), bei dem einRaumvolumen von einem Kubikzentimeter durch ein Leck oder mehrere Leckpfade pro Sekunde fliet, wenndie Hochdruc

39、kseite einen Druck von 105Pa (1 bar) und die Niederdruckseite einen Druck von 102Pa(103bar) aufweist. Die Standard-Leckrate wird ausgedrckt in den Einheiten Pa cm3/s (bar cm3/s).3.3 Gemessene LeckrateDie gemessene Leckrate R(He)ist definiert als die Leckrate fr ein gegebenes Gehuse, die gemessen wur

40、deunter festgelegten Bedingungen und der Verwendung eines festgelegten Messmediums. Die gemesseneLeckrate wird ausgedrckt in den Einheiten Pa cm3/s (bar cm3/s). Zu Vergleichszwecken mit Leckraten,die durch andere Messverfahren ermittelt wurden, ist die gemessene Leckrate in die quivalente Standard-L

41、eckrate umzurechnen.NormCD Stand 2004-03EN 60749-8:200353.4 quivalente Standard-LeckrateDie quivalente Standard-Leckrate (L) fr ein gegebenes Gehuse mit einer gemessenen Leckrate R(He)istdefiniert als die Leckrate fr dasselbe Gehuse mit der gleichen Leckgeometrie, die auftreten wrde unterden Standar

42、dbedingungen nach 3.2. Die Gleichung in 6.3 (diese ist nicht anzuwenden auf die Messbedin-gungen nach Abschnitt 5) reprsentiert das Verhltnis L/R und ergibt die quivalente Standard-Leckrate Leines Gehuses bei einer gemessenen Leckrate R(He), wobei das Gehusevolumen und die Messbe-dingungen den gemes

43、senen Wert von R(He)beeinflussen. Die quivalente Standard-Leckrate wird ausge-drckt in den Einheiten Pa cm3/s (bar cm3/s).4 Druckbehlter-PrfverfahrenVerweisung: IEC 60068-2-17.Diese Prfung ist nach dem Prfverfahren Ql mit folgenden nderungen durchzufhren: Prfflssigkeit: 95 % Methanol und 5 % Wasser

44、mit Zusatz eines Benetzungsmittels; Temperatur der Prfflssigkeit: (25 5) C; Druck: 4,5 105Pa (4,5 bar); Beanspruchungsdauer: 16 h; Splflssigkeit: deionisiertes Wasser; Nachbehandlung: zwischen 2 Tagen und 2 Wochen.ANMERKUNG Dieses Prfverfahren wird fr Halbleiterbauelemente nicht empfohlen (siehe IEC

45、 60068-2-17,Anhang F).5 Feinleck-Prfverfahren: Radioaktives Krypton-VerfahrenVerweisung: Keine.5.1 ZweckBestimmung der Leckrate eines Halbleiterbauelementes durch Messung der Strahlungsintensitt aus demInnern eines Bauelements, nachdem dieses in einer Druckkammer mit radioaktivem Sprgas (Tracer) bea

46、n-sprucht wurde.Dieses Prfverfahren eignet sich fr Bauelemente mit hermetischen Glas-, Metall- oder Keramikgehusen(oder einer Kombination hiervon) bei Leckraten 1 Pa cm3/s (105bar cm3/s).5.2 Allgemeine Beschreibung5.2.1 Die hier angegebenen Kennwerte gelten fr Krypton-85-Sprgas und fr eine untere Gr

47、enze derLeckrate von etwa 5 103Pa cm3/s (5 108bar cm3/s). Bei Verwendung von anderen Sprgasen geltenandere Kennwerte.5.2.2 PrfeinrichtungDie Einrichtung fr dieses Prfverfahren besteht aus einem Behlter fr die Aktivierung mit radioaktivemSprgas und einer Zhleinrichtung, die hinreichend empfindlich is

48、t, um die Konzentration des Sprgases imInnern des Bauelements zu bestimmen.Das Verfahren arbeitet mit einer Sprgasmischung aus Krypton 85 und trockenem Stickstoff mit festgelegterAktivitt (mindestens 100 Ci/cm) bei Normalklima.Die Bedienungsanleitung des Herstellers des Leckprfgertes ist bei der Kalibrierung und Benutzung des Ge-rtes einzuhalten. Die Messergebnisse unter beliebigen Prfbedingungen knnen nach Umrechnung mit denNormCD Stand 2004-03EN 60749-8:20036Gleichungen, die in diesen Bedienungsanleitungen angegeben sind, mit den Messergebnissen unter Vor-zugsbedingungen verglichen werden