DIN EN 61964-2000 Integrated circuits - Memory devices pin configurations (IEC 61964 1999) German version EN 61964 1999《集成电路 存储器引出端排列》.pdf

1、DEUTSCHE NORMEN 61964 DIN Deutsches Institut fr Normung e. V. Jede Art der Vervielfltigung, auch auszugsweise,nur mit Genehmigung des DIN Deutsches Institut fr Normung e. V., Berlin, gestattet.Alleinverkauf der Normen durch Beuth Verlag GmbH, 10772 BerlinICS 31.200Integrated circuits Memory devices

2、pin configurations(IEC 61964 : 1999);German version EN 61964 : 1999Circuits intgrs Configuration de broches de mmoires(CEI 61964 : 1999);Version allemande EN 61964 : 1999Die Europische Norm EN 61964 : 1999 hat den Status einer Deutschen Norm.Beginn der GltigkeitDie EN 61964 wurde am 1999-05-01 angen

3、ommen.Nationales VorwortNorm-Inhalt war verffentlicht als E DIN IEC 47A/484/CDV : 1997-08.Fr die vorliegende Norm ist das nationale Arbeitsgremium UK 631.3 Integrierte Halbleiterschaltungen (monolitischund hybrid)“ der Deutschen Elektrotechnischen Kommission im DIN und VDE (DKE) zustndig.Fr den Fall

4、 einer undatierten Verweisung im normativen Text (Verweisung auf eine Norm ohne Angabe des Ausgabe-datums und ohne Hinweis auf eine Abschnittsnummer, eine Tabelle, ein Bild usw.) bezieht sich die Verweisung auf diejeweils neueste gltige Ausgabe der in Bezug genommenen Norm.Fr den Fall einer datierte

5、n Verweisung im normativen Text bezieht sich die Verweisung immer auf die in Bezug genommeneAusgabe der Norm.Der Zusammenhang der zitierten Normen mit den entsprechenden Deutschen Normen ist nachstehend wiedergegeben.Zum Zeitpunkt der Verffentlichung dieser Norm waren die angegebenen Ausgaben gltig.

6、IEC hat 1997 die Benummerung der IEC-Publikationen gendert. Zu den bisher verwendeten Normnummern wirdjeweils 60000 addiert. So ist zum Beispiel aus IEC 68 nun IEC 60068 geworden.Nationaler Anhang NA (informativ)LiteraturhinweiseDIN IEC 60748-1Halbleiterbauelemente Integrierte Schaltungen Allgemeine

7、s; Identisch mit IEC 60748-1 : 1984Europische Norm Internationale Norm Deutsche Norm IEC 60748-1 : 1984 DIN IEC 60748-1 : 1988-01Entwurf Januar 2000Fortsetzung 13 Seiten ENDeutsche Elektrotechnische Kommission im DIN und VDE (DKE)Integrierte SchaltungenKontaktanordnungen fr Speicherbauelemente(IEC 6

8、1964 : 1999)Deutsche Fassung EN 61964 : 1999Ref. Nr. DIN EN 61964 : 2000-01Preisgr. 12 Vertr.-Nr. 2512Diese Norm enthlt die deutsche bersetzung der Internationalen Norm IEC 61964 Leerseite EUROPISCHES KOMITEE FR ELEKTROTECHNISCHE NORMUNGEuropean Committee for Electrotechnical StandardizationComit Eu

9、ropen de Normalisation ElectrotechniqueZentralsekretariat: rue de Stassart 35, B-1050 BrsselprErsatz fr 1999 CENELEC Alle Rechte der Verwertung, gleich in welcher Form und in welchem Verfahren, sind weltweit den Mitgliedern von CENELEC vorbehalten.ENTWURFIntegrierte SchaltungenKontaktanordnungen fr

10、Speicherbauelemente(IEC 61964 : 1999)EN 61964Integrated circuits Memory devices pin configurations(IEC 61964 : 1999)Circuits intgrs Configuration de broches de mmoires(CEI 61964 : 1999)Diese Europische Norm wurde von CENELEC am 1999-05-01 angenommen.Die CENELEC-Mitglieder sind gehalten, die CEN/CENE

11、LEC-Geschftsordnung zu erfllen,in der die Bedingungen festgelegt sind, unter denen dieser Europischen Norm ohne jedenderung der Status einer nationalen Norm zu geben ist.Auf dem letzten Stand befindliche Listen dieser nationalen Normen mit ihren bibliographischenAngaben sind beim Zentralsekretariat

12、oder bei jedem CENELEC-Mitglied auf Anfrage erhltlich.Diese Europische Norm besteht in drei offiziellen Fassungen (Deutsch, Englisch, Franzsisch).Eine Fassung in einer anderen Sprache, die von einem CENELEC-Mitglied in eigenerVerantwortung durch bersetzung in seine Landessprache gemacht und dem Zent

13、ralsekretariatmitgeteilt worden ist, hat den gleichen Status wie die offiziellen Fassungen.CENELEC-Mitglieder sind die nationalen elektrotechnischen Komitees von Belgien,Dnemark, Deutschland, Finnland, Frankreich, Griechenland, Irland, Island, Italien,Luxemburg, Niederlande, Norwegen, sterreich, Por

14、tugal, Schweden, Schweiz, Spanien,der Tschechischen Republik und dem Vereinigten Knigreich.Ref. Nr. EN 61964 : 1999 DMai 1999ICS 31.200Deutsche FassungSeite 2EN 61964 : 1999VorwortDer Text des Schriftstcks 47A/535/FDIS, zuknftige 1. Ausgabe von IEC 61964, ausgearbeitet von dem SC 47AIntegrated circu

15、its“ des IEC TC 47 Semiconductor devices“, wurde der IEC-CENELEC Parallelen Abstimmung unterwor-fen und von CENELEC am 1999-05-01 als EN 61964 angenommen.Nachstehende Daten wurden festgelegt: sptestes Datum, zu dem die EN auf nationaler Ebene durch Verffentlichung einer identischen nationalen Norm o

16、der durch Anerkennung bernommen werden mu (dop): 2000-02-01 sptestes Datum, zu dem nationale Normen, die der EN entgegenstehen,zurckgezogen werden mssen (dow): 2002-05-01Anhnge, die als normativ“ bezeichnet sind, gehren zum Norminhalt.Anhnge, die als informativ“ bezeichnet sind, enthalten nur Inform

17、ationen. In dieser Norm ist Anhang ZA normativ undAnhang A informativ.Der Anhang A wurde von CENELEC hinzugefgt.AnerkennungsnotizDer Text der Internationalen Norm IEC 61964 : 1999 wurde von CENELEC ohne irgendeine Abnderung als EuropischeNorm angenommen.In der offiziellen Fassung ist in Anhang A Lit

18、eraturhinweise“ zu der aufgelisteten Norm die nachstehende Anmerkung ein-zutragen:IEC 60749 ANMERKUNG: Harmonisiert als EN 60749 : 1999 (nicht modifiziert).InhaltSeite SeiteEinleitung .21 Anwendungsbereich .32 Normative Verweisungen 33 Begriffe und Definitionen 33.1 Bezeichnungen fr Baustein-Anschls

19、se . . . . . 33.2 Bezeichnungen frStromversorgungsanschlsse43.3 Ausfhrungsformen von Speicherbausteinen . . . 43.4 Verschiedene Baustein-bezogene Begriffe . . . . 53.5 Gehuse-bezogene Begriffe 54 Katalog der Anschluanordnungen 54.1 Integrierte SchaltungDynamische Schreib/Lese-Speicher 54.2 Integrier

20、te SchaltungSynchrone Dynamische Schreib/Lese-Speicher . . 54.3 Integrierte SchaltungStatische Schreib/Lese-Speicher(in Vorbereitung) .54.4 Integrierte SchaltungNur-Lese-Speicher (in Vorbereitung) . 54.5 Integrierte Schaltung ProgrammierbareNur-Lese-Speicher (in Vorbereitung) . 54.6 MOS Ultraviolett

21、 Licht Lschbareund Programmierbare Nur-Lese-Speicher(in Vorbereitung) 54.7 Integrierte SchaltungElektrisch Lschbare undProgrammierbare Nur-Lese-Speicher(in Vorbereitung) 54.8 Mehrchip-Modulemit Integrierten Speicherschaltungen(in Vorbereitung) 5Anhang A (informativ) Literaturhinweise .13Anhang ZA (n

22、ormativ) Normative Verweisungenauf internationale Publikationenmit ihren entsprechendeneuropischen Publikationen 13EinleitungDie Normung und Registrierung der mechanischen Abmessungen ist eine stndige Aktivitt des SC 47D und wird in derIEC 60191 publiziert.Da dasselbe mechanische Gehuse verschiedene

23、 Ausfhrungsformen von Speicherschaltungen aufnehmen kann bezie-hungsweise dieselbe Speicherschaltung in verschiedene Gehusebauformen eingesetzt werden kann, ist es angebracht,die Anzahl dieser Anordnungen auf ein solches Mindestma zu beschrnken, das den Anforderungen der Elektronikindustriegengt. Di

24、e Registrierung und Normung solcher elektrischer Pinbelegungen hilft bei Bauelementen verschiedener Liefe-ranten und fr verschiedene Anwendungen, die Kompatibilitt herzustellen und aufrechtzuerhalten.Da in der Industrie mehr oder weniger kontinuierlich neue Generationen von Integrierten Halbleiter-S

25、peichern mit vern-derter Speicherdichte und neuen Funktionen eingefhrt werden, mu es sich um eine offene“ Norm handeln. Offen“ sollin diesem Zusammenhang bedeuten, da jederzeit in jedem ihrer Abschnitte neue Konfigurationen hinzugefgt werdenknnen. Auch knnen neue Abschnitte erffnet werden, wenn neue

26、 Speicher-Typen in Gebrauch kommen.Hinzufgungen, Lschungen sowie jede Art von nderungen bedarf der Zustimmung, um zur Publikation zugelassen zuwerden.Seite 3EN 61964 : 19991 AnwendungsbereichDiese Internationale Norm gilt fr die Gehuse-Pin-belegung fr integrierte Halbleiter-Speicherbauelemente.Der Z

27、weck dieser Norm ist die Einfhrung von Registrie-rungsverfahren fr solche Konfigurationen.2 Normative VerweisungenDie folgenden normativen Dokumente enthalten Fest-legungen, die durch Verweisung in diesem Text Bestand-teil der vorliegenden Internationalen Norm sind. Zum Zeit-punkt der Verffentlichun

28、g dieser Norm waren die ange-gebenen Ausgaben gltig. Alle Normen unterliegen derberarbeitung. Vertragspartner, deren Vereinbarungen aufdieser Internationalen Norm basieren, werden gebeten,die Mglichkeit zu prfen, ob die jeweils neuesten Ausgabender im folgenden genannten Normen angewendet werdenknne

29、n. Die Mitglieder von IEC und ISO fhren Verzeich-nisse der gegenwrtig gltigen Internationalen Normen.IEC 60191-2 : 1996Mechanical standardization of semiconductor devices Part 2: DimensionsIEC 60748-1Semiconductor devices Integrated circuits Part 1:General3 Begriffe und DefinitionenDieser Abschnitt

30、enthlt eine Liste mit den Definitioneneiner Anzahl von Begriffen, die zum besseren Verstndnisdieses Dokuments bentigt werden. Die meisten dieserBegriffe haben sich in der Halbleiterindustrie eingebrgertund werden hier zur schnellen Orientierung zitiert. Esist nicht die Absicht dieses Dokuments, frhe

31、re Defini-tionen in bereits verffentlichten IEC-Dokumenten (wieIEC 60748-1) zu ersetzen.Die folgenden Bezeichnungen fr Bauelementean-schlsse sowie die zugehrigen Funktionsbeschreibungenbeziehen sich gleichermaen auf alle Bauelemente, die indiesem Dokument behandelt werden. Wenn ein Anschlumehrfache

32、Funktionen reprsentiert, die nacheinanderaktiviert werden knnen, so werden die Bezeichnungenund Symbole fr diese Funktionen durch einen Schrg-strich (/) voneinander getrennt (z. B. VPP/G). Wenn einAnschlu mehrfache Funktionen reprsentiert, die grund-stzlich gleichzeitig gegeben sind, so wird der Sch

33、rg-strich weggelassen (z. B. DQ). Wenn mehrere Anschlsseeine hnliche Funktion haben, so wird eine Zahl (n) anden Bezeichner angehngt. Wird die Anschlu-Funktionim logischen Sinne invertiert definiert, so wird ein umge-kehrter Schrgstrich () benutzt. Soll die Norm alternativeFunktionen am gleichen Ans

34、chlu erlauben, so werdendiese durch Komma getrennt. Hat der allgemeineGebrauch zwei austauschbare Bezeichnungen hervor-gebracht, so werden beide aufgefhrt, die weniger ge-bruchliche aber in Klammern gesetzt.3.1 Bezeichnungen fr Baustein-Anschlsse3.1.1 A(n), ADDRESS INPUTSDiese Eingangssignale whlen

35、(adressieren) eine be-stimmte Zelle bzw. eine Gruppe von Zellen innerhalb einesSpeicherbereichs aus, um dort Daten abzulegen oder diegespeicherten Daten an den Bausteinausgangsklemmenauszugeben. Der Index (n) dient gegebenenfalls dazu,verschiedene Adresseingangsklemmen voneinander zuunterscheiden.3.

36、1.2 AL, AL, ADDRESS LATCH ENABLEEin Eingang, der im Zustand Wahr“ dafr sorgt, da diean den Adresseingngen anliegende Adresse in ein Registerbernommen wird. Im Zustand Falsch“ bleibt der Inhaltdes Registers unverndert.3.1.3 BA, BANK ADDRESSIn einem RAM mit mehreren Speicherbnken dient dieseBank-Adres

37、se dazu, eine der vorhandenen Speicher-bnke auszuwhlen.3.1.4 CA, COLUMN ADDRESSBezeichnet in einem DRAM mit Adress-Multiplex-Eingngendas Adressfeld, welches durch das Signal COLUMNENABLE (CAS) zeitlich definiert ist.3.1.5 CAS, CAS, COLUMN ENABLEEin Freigabesignal, das in bestimmten DynamischenRAMs d

38、ie internen, ausschlielich den Spalten der Speicher-matrix zugeordneten Schaltungsteile aktiviert sowie dieEin-/Ausgabe Schaltungen. Die meisten Bausteine setzenvoraus, da das RAS-Signal gegeben werden mu, bevordas CAS-Signal akzeptiert wird. In einigen neueren Aus-fhrungsformen werden spezielle Abf

39、olgen der RAS- undCAS-Signale zur Auslsung bestimmter Sonderfunktionenbenutzt.3.1.6 CK, CK, INPUT AND OUTPUT CLOCKEin Takt-Eingang, der sowohl Eingangs- als auch Aus-gangsschaltungen (normalerweise Register oder Flip-Flops)bettigt.3.1.7 CKE, CLOCK ENABLEEin Logik-Eingang, der in bestimmten Synchrone

40、n Speicher-bausteinen den Takteingang freigibt.3.1.8 D(n), DATA INPUTDer Zustand dieser Eingnge reprsentiert den Daten-Wert, welcher unter der ausgewhlten Adresse whrendeines Schreibzyklus in ein RAM eingegeben werden soll.3.1.9 DQ(n), DATA INPUT/OUTPUTAnschlsse, die im Lesebetrieb als Ausgangsklemm

41、enund im Schreibbetrieb als Eingangsklemmen dienen.Wenn der Baustein nicht ausgewhlt bzw. freigegeben ist,bleiben die Ausgangsklemmen in einem stromlosen Zu-stand. Hat der Baustein sowohl serielle als auch paralleleZugangs-Mglichkeiten, so handelt es sich hierbei stets umdie parallelen Zugnge. Der I

42、ndex (n) bezeichnet dieNummer einer bestimmten Anschluklemme des Zu-gangs, wobei die Zhlung mit 0 beginnt. Hat der Zugangeine Datenbreite von 2 Bytes, so wird oft der BuchstabeU“ bzw. L“ benutzt, um die Zuordnung zum hherwerti-gen (U) bzw. niederwertigen (L) Byte anzuzeigen. Wo dieNorm wahlweise ein

43、 9. Bit je Byte erlaubt (meist als Kon-troll-Summen-Bit), kann der Nachsatz P anstelle der Zahl(n) benutzt werden.3.1.10 DQM, DATA INPUT/OUTPUT MASKEin Steuersignal, das vorrangig als Byte-Maske frSchreib- und Lesefunktion benutzt wird. In bestimmtenFllen wird zustzlich der Buchstabe U“ bzw. L“ benu

44、tzt,um eine Wirkung nur auf das hherwertige (U) bzw.niederwertige (L) Byte anzugeben.3.1.11 G, G, OUTPUT ENABLEEin Eingang, der im Zustand Falsch“ die Ausgnge ab-schaltet und in einen inaktiven Zustand bringt, ohneEinflu auf die Schreibfunktion. Der inaktive Zustand derAusgnge ist der stromlose (hoc

45、hohmige) Zustand frMOS- und TTL-kompatible Bausteine.3.1.12 L, LOWER BYTEDer Buchstabe L“ im Zusammenhang mit einer Daten-oder Steuerfunktion bedeutet, da die betreffende Funk-tion nur das niederwertige Byte eines Zwei-Byte-Datenzu-gangs betrifft (z. B. LW).Seite 4EN 61964 : 19993.1.13 NC, NO CONNEC

46、TIONEin Anschlu, der keine elektrische Verbindung mit derinternen Schaltung besitzt.3.1.14 Q(n), DATA OUTPUTAusgangsklemmen, deren Zustand diejenigen Datenreprsentiert, welche aus den ausgewhlten Zellen aus-gegeben werden sollen. Wenn der Baustein nicht ausge-whlt bzw. freigegeben ist, befinden sich

47、 die Ausgngenormalerweise im stromlosen (hochohmigen) Zustand.3.1.15 RA, ROW ADDRESSBezeichnet in einem DRAM mit Adress-Multiplex-Eingn-gen das Adressfeld, welches durch das Signal ROWENABLE (RAS) zeitlich definiert ist.3.1.16 RAS, RAS, ROW ENABLEEin Freigabe-Signal, das in bestimmten DynamischenRAM

48、s die internen, ausschlielich den Zeilen derSpeichermatrix zugeordneten, Schaltungsteile aktiviert.3.1.17 S(n), S(n), CHIP SELECTJedes einzelne dieser Eingangssignale schaltet im Zu-stand Falsch“ jegliche Funktion des Bausteins ab, ohnejedoch die Stromaufnahme wesentlich zu beeinflussen.Im abgeschal

49、teten Zustand reagiert der Baustein nichtmehr auf andere Signale.3.1.18 U, UPPER BYTEDer Buchstabe U“ im Zusammenhang mit einer Daten-oder Steuerfunktion bedeutet, da die betreffende Funk-tion nur das hherwertige Byte eines Zwei-Byte-Daten-zugangs betrifft (z. B. UW).3.1.19 W, W, WRITE ENABLEEin Eingang, der im Zustand Wahr“ bewirkt, da dieDaten, welche an den