KS C IEC 60749-17-2006 Semiconductor devices－Mechanical and climatic test methods－Part 17：Neutron irradiation《半导体器件 机械和气候试验方法 第17部分 中子辐照》.pdf

1、KSKSKSKS SKSKSKS KSKSKS SKSKS KSKS SKS KS 2006 11 30 http:/www.kats.go.krKS C IEC 6074917 17： KS C IEC 60749 17： 2006 (2011 )C IEC 60749 17： 2006 : ( ) ( ) ( ) ( ) : (http:/www.standard.go.kr) ： ： 2006 11 30 ： 2011 12 13 2011-0563 ： ： ( 02-509-7294) (http:/www.kats.go.kr). 10 5 , . ICS 31.080.01 KS

2、C IEC 17： 60749 17： 2006(2011 ) Semiconductor devices Mechanical and climatic test methods Part 17： Neutron irradiation 2003 1 IEC 60749 17 Semiconductor devices Mechanical and climatic test methods Part 17： Neutron irradiation . 1. (susceptibility) . . . . . a) (neutron fluence) . b) (4. ). 2. 2.1

3、, , (pico) . 2.2 (Radiation source) (pulse reactor) . 2.3 a) 32S, 54Fe, 58Ni (activation foil) b) CaF2 (TLDs) c) TLD 2.4 2.4.1 32S, 54Fe 58Ni . . . , . , , (32S, 54Fe 58Ni ) . . . C IEC 60749 17： 2006 2 2.4.2 , CaF2 (TLD) . TLD . 3. 3.1 . , . 3.2 , 10 . . . 3.3 (pre-exposure) 3.3.1 , . , . 3.3.2 , .

4、 (MOS) MOS , . ( CaF2 TLD) (mounting fixture) . . 20 % . . 3.4 . , (3.5.1 ). . , . (2010) , 2.4.1 1 MeV . 3.5 (post-exposure) 3.5.1 . (2010) . 24 . ( .), 1 . . . 3.5.2 (anomaly investigation) , 1/ . 3.6 , , , , , . , , , , . , . . 4. . C IEC 60749 17： 2006 3 a) (3.6 ) b) (3.2 ) c) (3.3.1 3.5.1 ) d)

5、, , (3.3.1, 3.5.1 3.6 ) e) (3.5.2 ) f) (3.4 ) g) (2. ) h) (2.3 ) i) ( ) (3.4 3.5.1 ) j) (3.6 ) 17 ： 153787 1 92 3(13) (02)26240114 (02)2624 0148 9 http:/ KSKSKSSKSKS KSKS SKS KSKS SKSKS KSKSKSKorean Agency for Technology and Standards http:/www.kats.go.kr KS C IEC 60749 17： 2006 Semiconductor devicesMechanicaland climatic test methodsPart 17：Neutron irradiationICS 31.080.01