1、a a AFNL NF C9b-O03 b m 1012372 0072755 236 W - fl O NF C96-O03 Avril 1986 CE1 747-3 composants lectron iq ues dispositifs semiconducteurs dispositifs discrets et circuits intgrs troisime partie : diodes de signal (y compris les dio- des de commutation) et diodes rgulatrices E : Semiconductor device
2、s - Discrete devices and integrated circuits D : Halbleiterbauelemente Einzelbauelemente und integrierte Schaltungen Part 3 : Signal (including switching) and regulator diodes Dritter teil : Signaldioden (einschliepblich schaltdioden) und stabilisotordioden Norme franaise homologue par dcision du Di
3、recteur Gnral de Iafnor le 5 mars 1986 pour prendre effet le 5 avril 1986. correspondance Cette norme reproduit la publication 747-3 de la CEI. analyse Cette norme constitue la troisime partie dune norme gnrale pour les dispositifs semiconducteurs. Elle dfinit la terminologie, les symboles litt- rau
4、x, les valeurs limites et caractristiques essentielles ainsi que les mtho- des de mesure applicables aux diodes de signal (y compris les diodes de commutation) et diodes rgulatrices. Elle doit tre utilise en relation avec la norme NF C96-O01 : Dispositifs semiconducteurs - Dispositifs discrets et ci
5、rcuits intgrs - 1 re partie : Gn- ralits (juillet 1984), qui est la reproduction de la publication 747-1 de la CEI. Composants lectroniques - Dispositifs semiconducteurs - Diodes - Dfini- tion - Symbole - Valeur maximale - caractristiques - Essais dendurance lec triq ue. descripteu rs mod if cat ion
6、s correct ions dite et diffuse par lUnion technique de llectricit, 12, place des tats-unis, 75783 paris cedex 16 - tel. (1) 47 23 72 57, diffuse galement par lassociation franaise de normalisation (afnor) tour europe cedex 7 92080 paris la dfense tl. (1) 42 91 55 55 Etc Busson, irnpr., 75018 Paris l
7、mz 1986 - Reproduction interdite 1“ tirage 86-04 NF C 96-003 - - - AFN1 NF C96-003 86 W 1012372 0072756 172 . -L- SOMMAIRE CHAPITRE I: GNRALITS Articles Pages 1. Note dintroduction . 4 2 . But 4 3 . Symboleslittraux . 4 CHAPITRE II: TERMINOLOGIE ET SYMBOLES LITTRAUX SECTION LN . DIODES DE SIGNAL (Y
8、COMPRIS LES DIODES DE COMMUTATION) 1 . Termesgnraux 5 5 3 . Symboleslittraux . 8 2 . Termes relatifs aux valeurs limites et aux Caractristiques SECTION DEUX . DIODES DE TENSION DE RFRENCE ET DIODES RGULATRICES DE TENSION I . Termesgnraux 10 2 . Termes relatifs aux valeurs limites et aux caractristiq
9、ues 10 3 . Symboleslittraux . 10 SECTION TROIS . DIODES REGULATRICES DE COURANT 1 . Termesgnraux 11 2 . Termes relatifs aux valeurs limites et aux caractristiques 12 3 . Symboles littraux . 13 CHAPITRE III : VALEURS LIMITES ET CARACTRISTIQUES ESSENTIELLES SECTION UN . DIODES DE SIGNAL (Y COMPRIS LES
10、 DIODES DE COMMUTATION) 1 . Gnralits . 15 2 . Valeurs limites 15 4 . Donnes dapplications ( ltude) . 17 3 . Caractristiques . 16 SECTION DEUX . DIODES DE TENSION DE RFRENCE ET DIODES RGULATRICES DE TENSION 1 . Gnralits . 17 2 . Valeurs limites 18 3 . Caractristiques . 18 . e a e Articles AFNL NF Cb-
11、O03 86 m LOL2372 0072757 009 -3- NF C 96-003 SECTION TROIS . DIODES RGULATRICES DE COURANT Pages 1 . Type 19 2 . Matriau semiconducteur 19 3 . Encombrement . 19 4 . Valeurs limites (systme des limites absolues) dans ia gamme des tempratures de fonctionnement, sauf indication contraire . 19 5 . Carac
12、tristiques lectriques . 20 CHAPITRE IV: MTHODES DE MESURE SECTION UN . DIODES DE SIGNAL (Y COMPRIS LES DIODES DE COMMUTATION) i . Courant inverse . 21 2 . Tension directe . 22 3 . Capacit totale 23 4 . Paramtres de commutation 24 5 . Rendementdedtection 31 6 . Bruit 33 SECTION DEUX . DIODES DE TENSI
13、ON DE REFERENCE ET DIODES RGULATRICES DE TENSION 1 . Tension de rgulation 34 2 . Rsistance diffrentielle 36 3 . Coefficient de temprature de la tension de rgulation 38 4 . Courantinverse . 40 5 . Tension directe . 40 6 . Capacit de jonction . 40 7 . Tension debruit 41 SECTION TROIS . DIODES RGULATRI
14、CES DE COURANT 1 . Courant de rgulation 2 . Coefficient de temprature du courant de rgulation 3 . Variation du courant de rgulation . 4 . Tension de limitation 5 . Conductance de rgulation en petits signaux 6 . Conductanceau coude . 42 42 43 44 45 47 CHAPITRE V: RCEPTION ET FIABILIT SECTION UN . ESS
15、AIS DENDURANCE LECTRIQUES 1 . Exigencesgnrales . 48 2 . Exigencesspcifiques 48 Cette norme a t adopte par le Comit de Direction de IUTE. le 17 octobre 1985 . -.I- -. . NF C 96-003 _ AFNL NF C9b-O03 8b D LOI12372 0072758 T45 -4- DISPOSITIFS SEMICONDUCTEURS Dispositifs discrets Troisime partie: Diodes
16、 de signal (y compris les diodes de commutation) et diodes rgulatrices CHAPITRE I: GNRALITS I. Note dintroduction La prsente publication doit tre utilise avec la Publication 747-1 qui donne les informations de base sur: - la terminologie; - les symboles littraux; - les valeurs limites et les caractr
17、istiques essentielles; - les mthodes de mesure; - la rception et la fiabilit. Lordre des diffrents chapitres est conforme la Publication 747-1, chapitre III, paragraphe 2.1. 2. But La prsente publication donne les normes pour les catgories et sous-catgories suivantes de dispositifs: - diodes de sign
18、al (y compris les diodes de commutation); - diodes de tension de rfrence et diodes rgulatrices de tension; - diodes rgulatrices de courant. 3. Symboles littraux Sils existent, les symboles littraux ont t ajouts aux termes dans les titres. Lorsquil existe plusieurs formes distinctes pour un symbole l
19、ittral, la forme la plus souvent utilise est donne. AFNL NF C76-O03 6 II012372 0072759 981 -5- NF C 96-003 CHAPITRE II: TERMINOLOGIE ET SYMBOLES LITTRAUX SECTION UN - DIODES DE SIGNAL (Y COMPRIS LES DIODES DE COMMUTATION) I. Termes gnraux Les termes et dfinitions correspondants, donns dans la Public
20、ation 747- 1, sappliquent. Le terme du paragraphe 1.1 ci-dessous est rpt e cette publication, chapitre IV, paragraphe 4.8. 1.1 Diode de signal Diode utilise pour extraire ou acheminer des informations contenues dans un signal lectrique qui varie avec le temps et peut tre de nature digitale ou analog
21、ique. 2. Termes relatifs aux valeurs limites et aux caractristiques Les termes et dfinitions relatifs de la Publication 747-1, chapitre IV, article 5, sappliquent. En complment, dautres termes et dfinitions sont donns ci-dessous. 2.1 Tensions 2. I. 1 Tension inverse continue ( V,) Valeur de ia tensi
22、on constante applique une diode dans le sens inverse. 2.1.2 Tension inverse moyenne ( VR0,) Valeur moyenne de la tension inverse calcule sur une dure spcifie. 2.1.3 Tension inverse de pointe ( VRM) Valeur instantane la plus leve de la tension inverse qui apparat aux bornes dune diode, incluant toute
23、s les tensions transitoires rptitives et non rptitives. 2.1.4 Rendement de dtection en tension (?lJ Rapport de la tension continue aux bornes de la charge la valeur de crte de la tension sinusodale dentre dans des conditions spcifies pour le circuit. 2.1.5 Tension de recouvrement direct ( vFR) Tensi
24、on variable qui se produit pendant le temps de recouvrement direct aprs commutation instantane partir de zro ou dune tension inverse spcifie jusqu un courant direct spcifi. 2.2 Courants 2.2.1 Courant direct moyen Valeur moyenne du courant direct calcule sur une dure spcifie. AFNL NF C9b-O03 b W 3032
25、372 0072760 bT3 W NF C 96-003 -6- 2.2.2 Courant direct de pointe (IFw) Valeur instantane la plus leve du courant, incluant tous les courants transitoires rptitifs et non rptitifs. 2.3 Dissipation de puissance 2.3.1 Rendement de dtection en puissance (qJ Rapport de la variation de la puissance contin
26、ue dissipe dans la rsistance de charge, produite par le signal alternatif, la puissance disponible du gnrateur de signal sinusodal lorsque la diode fonctionne dans des conditions spcifies. 2.3.2 Energie dune seule impulsion (E,) (applique une diode dtectrice) Energie dune impulsion de courte dure ap
27、plique la diode dans le sens direct. Nore. - Pour les besoins des valeurs limites. la dure de limpulsion est normalement spcifie comme infrieure i IO ms. 2.3.3 Energie dune impulsion rptitive ( Energie contenue dans une seule impulsion qui fait partie dune srie rptitive dimpulsions. 2.4 Caractristiq
28、ues diverses 2.4.1 Charge recouvre ( Qr) Charge totale recouvre dans la diode aprs commutation dune condition de courant direct spcifie une condition inverse spcifie. Nore. - Cette charge inclut les composantes dues aux porteurs de charge stocke et la capacit de la couche dilectrique. 2.4.2 Temps de
29、 recouvrement inverse (t,) Intervalle de temps compris entre linstant o le courant passe par la valeur zro, au cours du passage du sens direct au sens inverse, et linstant OU le courant inverse, aprs avoir atteint la valeur de pointe ZRM, est rduit une faible valeur spcifie (comme il est indiqu dans
30、 la figure I) ou atteint par extrapolation la valeur zro (comme il est indiqu dans la figure 2, page 7). /;i t FIGURE I AFNL NF C76-O03 86 I LO12372 0072761 53T I -7- NF C 96-003 FIGURE 2 Note. - Lextrapolation est effectue en traant une droite passant par deux points A et B spcifis, comme il est in
31、diqu dans la figure2. 2.4.3 Temps de recouvrement direct (trr) Temps ncessaire au courant ou la tension pour reprendre une valeur spcifie, aprs commutation instantane, partir de zro ou dune tension inverse spcifie jusqu une condition de polarisation directe spcifie. 2.4.4 Rsistance diffrentielle (r)
32、 Rsistance diffrentielle mesure entre les bornes de la diode dans des conditions spcifies de mesure. 2.4.5 Rsistance directe en courant continu Quotient de la tension continue directe aux bornes de la diode par le courant continu direct correspondant. 2.4.6 Rsistance inverse en courant continu Quoti
33、ent de la tension continue inverse aux bornes de la diode par le courant continu inverse correspondant. 2.4.7 Capacit totale (C,) Capacit diffrentielle mesure entre les bornes de la diode dans des conditions de polarisation donnes. 2.4.8 Sensibilit totale en courant (,) Quotient: 1) du courant total
34、 redresse de la diode pour une charge spcifie, 2) par la puissance totale du signal dlivre lentre. - - _ AFNL NF C9b-003 b W 1012372 00727b2 476 W NF C 96-003 -8- 2.4.9 Sensibilit diffrentielle en courant (8,) Quotient: I) de laccroissement du courant redress de la diode pour une charge spcifie, 2)
35、par la variation de la puissance du signal dlivre lentre qui provoque cet accroissement. 3.4.1 O Facteur de mrite (dune diode dtectrice) (M) Paramtre qui caractrise la sensibilit dun dispositif rcepteur et qui est dfini par la formule: I;.p b Nr, + R, M= OU : i = soit: sensibilit wliffrentielle en c
36、ourant (13,) soit: sensibilit totale en courani (13,) selon le cas. mais de ioute faon pour la diode en court-circuii I:.,. = rsisiance au point de fcinciionnemeni ,Yr = rappori de temprature de bruit de lii diode R, = rsisiance quivolenie de bruit de Inmplificiiteur d haute impdance qui sert d ampl
37、ifier le signal de wriie de lii diode dtectrice 3. Symboles littraux 3. I Gnralits Les rgles gnrales de la Publication 747-1, chapitre V, sappliquent. 3.2 Indices supplmentaires En complment la liste des indices gnraux donns aux paragraphes 2.2.1 et 3.3.1 de la Publication 747- 1, chapitre V, les in
38、dices spcifiques suivants sont recommands pour: 3.2.1 Courants, tensions et puissances A, a = anode K, k = cathode O = moyen(ne) de sort,je redress(e) 3.2.2 Paramtres lectriques 6, d = amortissement r = recouvrement, recouvr, redressement S, s = stockage, stock - 3.3 Liste de symboles littraux suppl
39、mentaires Les symboles littraux contenus dans la liste suivante sont recommands pour tre utiliss dans le domaine des diodes de signal; ils ont t tablis en accord avec les rgles gnrales. Dissipation de puissance dans le cas de trains d?onde r. f. 3.3.4 Paramtres de commutation . Temps de recouvrement
40、 inverse Courant inverse de recouvrement ir, 1 Resistance diffrentielle Coefficient d?amortissement I? ti ou d Efficacit Rendement de dtection (en tension) 11 n. Energie d?une seule impulsion Energie d?une impulsion rptitive Eo, WP EPrCP, Facteur de mrite M -9- NF (296-003 Observations Yom et dsigna
41、tion i Symbole I littral I 3.3.1 Tensions I ! Tension directe continue VF I Tension directe totale instantane r Tension directe moyenne Tension inverse continue VU Tension inverse totale instantane 1?. I I Tension inverse de surcharge accidentelle Valeur de pointe de In tension de recouvrement direc
42、t I 3.3.2 Courants I Courant direct continu IF Courant direct instantan i, I I Courant direct de pointe 1 Courant direct de surcharge accidentelle I h Courant moyen de sortie redress 10 Courant inverse continu In I I I Courant inverse de crte I IRS, 3.3.3 Puissances Puissance de surcharge accidentel
43、le Dissipation de puissance dans le cas d?une onde r.f. PCW r entretenue Pour les diodes dtectrices r Temps de recouvrement direct I tr, r Charge recouvre I 3.3.5 Grandeurs diverses I i Rsistance d?amortissement r- Sensibilit diffrentielle en courant I Bi 1 Sensibilit totale en courant I Pi Pour les
44、 diodes dtectrices r Rsistance diffrentielle aupoint de fonctionnement I ron AFNL NF C9b-O03 6 E LO12372 0072764 249 = NF C 96-003 - IO - SECTION DEUX - DIODES DE TENSION DE RFRENCE ET DIODES RGULATRICES DE TENSION I. Termes gnraux Les termes et dfinitions correspondants donns dans la Publication 74
45、7-1 sappliquent. Les termes des paragraphes 1.1 et 1.2 ci-dessous sont rpts de cette publication, chapitre IV, paragraphes 4.10 et 4.1 I. Dautres termes spcifiques sont donns ci-dessous. 1.1 Diode de tension de rfreiice Diode qui dveloppe entre ses bornes une tension de rfrence de prcision spcifie q
46、uand elle est polarise pour fonctionner dans une gamme de courants spcifie. 1.2 Diode rgulatrice de tension Diode qui dveloppe entre ses bornes une tension essentiellement constante pour une gamme de courants spcifie. 1.3 Seris direct A ltude. I .4 Sens inverse A ltude. 2. Termes relatifs aux valeur
47、s limites et aux caractristiques Les termes et dfinitions correspondants de la Publication 747-1, chapitre IV, article 5, sappliquent. 3. Symboles littraux 3.1 Gnralits Les rgles gnrales de la Publication 747-1, chapitre V, sappliquent. 3.2 Indices siipplmentnires En complment la liste des indices g
48、nraux donns aux paragraphes 2.2.1 et 3.3.1 de la Publication 747-1, chapitre V, les indices spcifiques suivants sont recommands pour: 3.2.1 Courants, tensions et puissances Z, z = de rgulation 3.2.2 Paratnrres lectriques Z, z = de rgulation AFNL NF C9b-O03 b M 3032372 0072765 185 W - II - NF C 96-003 3.3 Lisre de symboles littraux supplmentaires Les sym
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