本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2m的薄层,方块电阻的测量范围为105000。该方法也可以适用于更高或更低阻值方块电阻的测量，但其测量精确度尚未评估。
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