1、GB/T 17553.3-2000前健绪二习本标准等同采用国际标准ISO/IEC 10536-3:1996识别卡无触点集成电路卡第3部分：电信号和复位规程。GB/T 17553在总标题识别卡无触点集成电路卡下，包括下述部分：第1部分：物理特性；第2部分：藕合区域的尺寸和位置；第3部分：电信号和复位规程。本标准的附录A、附录B、附录C、附录D是标准的附录。本标准由中华人民共和国信息产业部提出。本标准由信息产业部电子工业标准化研究所归口。本标准起草单位：信息产业部电子工业标准化研究所。本标准主要起草人：金倩、陈云峰、黄家英、王爱英。Gs/T 17553.3-2000ISO/IEC前言ISO（国际标
2、准化组织）和IEC（国际电工委员会）建立了世界范围标准化的专门系统。ISO或IEC的国家成员团体通过国际组织建立的各个技术委员会参与制定针对特定技术领域的国际标准。ISO和IEC技术委员会在共同感兴趣的领域合作。其他与ISO和IEC有联系的官方和非官方的各国际组织也参与此项工作。在信息技术领域，IS(）和IEC建立了一个联合技术委员会，即ISO/IEC JTC1。由联合技术委员会提出的国际标准草案需分发给各成员团体进行表决。作为国际标准发布至少需要75的成员团体投票赞成。国际标准ISO/IEC 10536-3由联合技术委员会ISO/IEC JTC1信息技术）的分委员会SC 17识别卡及相关设备
3、）制定。ISO/IEC 10536在总标题识别卡无触点集成电路卡下，包括下述部分：第1部分：物理特性；第2部分：辆合区域的尺寸和位置；第3部分：电信号和复位规程。附录A到附录D为ISO/IEC 10536本部分的一个组成部分。中华人民共和国国家标准识别卡无触点集成电路卡第3部分：电信号和复位规程 GB/r 17553.3-2000idt ISO/IEC 10536-3:1996Identification cards-Contactless integratedcircuit (s) cards-Part 3:Electronic signals and reset procedure1范围本
4、标准规定了提供功率的场的特征和特性，以及在卡藕合装置（CCDs）和ID-1型无触点集成电路卡（CICCs）之间在槽内操作或在表面上操作的双向通信的特征和特性。本标准没有规定产生祸合场的方法，也没有规定遵循电磁辐射规章的方法。本标准与GB/T 17553. 1和GB/T 17553.2相结合起来加以使用。注：以各种距离操作的其他类型的CICC，其格式或接口可以在将来进行开发，也可以要求对本标准进行补充，或要求制定其他国际标准。2引用标准下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时，所示版本均为有效。所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能
5、性。GB/T 14916-1994识别卡物理特性（idt ISO 7810:1985)GB/T 15694.1-1995识别卡发卡者标识第1部分：编码体系（idt ISO/IEC 7812-1:1993)GB/T 16649. 1-1996识别卡带触点的集成电路卡第1部分：物理特性（idt ISO/IEC 7816-1：1987)GB/T 16649.2-1996识别卡带触点的集成电路卡第2部分：触点的尺寸和位置（idt ISO/IEC 7816-2：1988)GB/T 16649. 3-1996识别卡带触点的集成电路卡第3部分：电信号和传输协议（(idt ISO/IEC 7816-3：198
6、9)GB/T 17552-1998识别卡金融交易卡（idt ISO/IEC 7813:1995)GB/T 17553.1-1998识别卡无触点集成电路卡第1部分：物理特性（idt ISO/IEC 10536-1:1992)GB/T 17553.2-2000识别卡无触点集成电路卡第2部分：祸合区域的尺寸和位置（(idt ISO/IEC 10536-2：1995)ISO 1177:1985信息处理面向传输的起始终止和同步字符的字符结构ISO/IEC 7811-1:1995识别卡记录技术第1部分：凸印ISO/IEC 7811-2:1995识别卡记录技术第2部分：磁条ISO/IEC 7811-3:19
7、95识别卡记录技术第3部分：ID-1型卡上凸印字符的位置ISO/IEC 7811-4:1995识别卡记录技术第4部分：ID-1型卡上只读磁道一磁道1和2的位置国家质f技术监价局2000-10-17批准2001-10-01实施GB/T 17553.3-2000ISO/IEC 7811-5:1995识别卡记录技术第5部分：ID-1型卡上读写磁道一磁道3的位置ISO八EC 7812-2:1993识别卡发卡者的标识第2部分：应用和注册规程3定义、缩略语和符号3.1定义下列定义适用于本标准。3.1.1复位应答answer to resetCICC第一次被激励（或通过任何其他手段的复位）之后直到该CICC
8、完成发送初始应答或它从CCD获得功率之间的一段时间。这一初始应答也叫复位应答。3.1.2数据跃变周期data transition period数据跃变开始到下一个数据跃变开始之间的时间周期。（见图1)3.1.3差分不归零differential non-return to zero一种位编码方法，其中负差分电压用来表示逻辑电平0，正差分电压用来表示逻辑电平1,3.1.4逻辑电平1 logic level 1传号（如ISO 1177中定义）。3.1.5逻辑电平0 logic level 0空号（如ISO 1177中定义）。3.1.6不归零non-return to zero一种位编码方法，其中
9、负电压用来表示逻辑电平0，正电压用来表示逻辑电平1,3.1.7移相键控phase shift keying一种调制方式，它通过CICC按规定的方式改变从CCD内激励电感场所收到的已定义频率的相位来获得。3.1.8相位跃变周期phase transition period从相位45到0之间的相位跃变中点到下一个相位跃变中点之间的时间周期（见图1),林一州数据跃变周期（TDIIm位跃变周期（Tm)I图1数据跃变周期和相位跃变周期3.2缩略语下列缩略语用于本标准：ATR复位应答CICC无触点集成电路卡CCD卡辆合装置ID-1 GBJT 14916-1994中所定义的识别卡类型NRZ不归零PSK移相键
10、控3.3符号下列符号适用于本标准：El-E4如GBIT 17553.2中所定义GB/T 17553.3-2000Fl-F4Hl-H4中tRtFTToV：hVeysVdiffD,分别通过Hl-H4的场如GB/T 17553. 2中所定义相位信号振幅在10到90之间的上升时间信号振幅在90到10之间的下降时间数据跃变周期相位跃变周期差分阑值输人电压差分输人滞后电压差分电压间隔距离4无触点集成电路卡操作规程该操作规程适用于本标准规定的无触点集成电路卡。CCD与CICC之间的对话通过下列连续操作来实现：-CCD功率场激活CICC;-CICC内部复位；-CICC发送一个复位应答；-CICC与CCD之间的
11、后续信息交换；从CCD移走CICC或CCD使CICC停活。这些操作使用了下列条款中规定的电信号和复位规程。5功率传送四个电感辆合区域Hl-H4应由集中的交变场Fl-F4(每一个都能将功率供给CICC）来激励。5.1频率至少在ATR期间，交变场的频率应为4. 915 2 MHz。激励场的频率变化应保持在标称值的士0.1%以内。5.2波形交变场的波形应为正弦波，总谐波失真应小于10写。5.3场之间的关系通过区域Hl和H2的场应由同一源来驱动，但必须彼此相位相差1800,同样地，通过区域H3和H4的场应由同一源来驱动，但必须彼此相位相差1800。相位差应保持在标称值的士10以内。至少在ATR期间，磁
12、场Fl和F3(以及F2和F4)均应出现并且拥有900的相位差。5.4能量级CCD的每个激励场能把至少150 mW的功率祸合给CICC. CICC应从单个的激励场获取不大于150 mW的功率。CICC获取的最大功率为200 mW o6通信CICC和CCD间的通信通过电感藕合区域可以电感式地发生或通过电容祸合区域电容式地发生。无论哪种情况，在某一时刻（至少在ATR期间），只有一种数据传送方法是可供使用的。6. 1电感数据传送所有电感通信数据都应按照下列子条款的描述在CICC和CCD间被发送。GB/T 17553.3-20006.1.1从CICC到CCD的通信CICC应能通过它的4个电感辐合区域H1
13、 . H4中的一个或多个与CCD进行通信，从而，交变场Fl- F4另外被加载以产生副载波，并且，这些场通过移相键控副载波来调制。6.1.1.1副载波与调制通过转换一个至少为初始负载的10但不小于1 mw的交变负载，副载波被以307. 2 kHz的频率持续不断地产生。在调制时，该副载波的相位转变1800。这有效地定义了相位的两个状态。6.1.1.2相位跃变周期相位跃变周期（To)与普通数据跃变周期(TD)之间的差值应小于T。的20%.T。一TD/TD20%6.1.1.3编码技术NRZ编码被用于从CICC到CCD的数据传送。6.1.1.4逻辑电平1和0的分配当CICC第一次被激励时，CCD应把间隔
14、t：期间的相位状态的逻辑电平定为1。在间隔t：后，副载波的每一移相应定义一个相反的逻辑状态。时间间隔t：在表3中定义。6.1.2从CCD到CICC的通信CICC应能通过四个交变场Fl-F4与CCD进行通信，从而这四个场Fl-F4通过移相键控被电感式地调制。6.1.2.1调制在调制期间，每一个场同时地转变其相位（45) 900。这一转变有效地对相位定义了两个状态A和川。根据CICC的取向，这两个状态被有差别地定义。这两种选择在图2和图3中示出。第一种选择为：图2这一选择的相位变化亦在表1中定义。表1移相一选择移相（选择1)状态A状态A务,务s-吞i900恻PI =O F1一900口FS=45“十
15、900第二种选择为：图3移相一选择2Gs/T 17553.3-2000这一选择的相位变化亦在表2中定义。表2移相（选择2)状态A务7务3 =夺1一90状态A创F = 45Fi 900口F3 = OF3一90注：场Fl . F4间的关系与节“5.3场之间的关系”中定义的保持相同。6.1.2.2相位跃变周期相位跃变周期（T,)与普通数据跃变周期（TD)之间的差值应小于TD的loooeT。一TD I/TD10006门.2.3编码技术NRZ编码应该用于从CCD到CICC的数据传送。6.1.2.4逻辑电平1和0的分配由于相对于CCD;CICC在所有的四个可能的方向上操作，因此不同的相位状态可以适用。当C
16、ICC第一次被激励，在时间间隔t：和t。期间它将确定当前相位状态的逻辑电平1。在时间间隔t：后，场的每一移相将定义一个反相的逻辑电平。这些时间间隔在表3中定义。6.2电容数据传送6.2.1辆合区域的关系对于电容数据传送，一对祸合区域可用于从CICC到CCD的通信。这对藕合区域可以是藕合区域El和E2也可以是E3和E4。如果电容式通信也被用于从CCD到CICC的通信，则另一对祸合区域提供从CICC到CCD的通信信道。无论何种情况，电容辆合区域对都有差分关系。电容祸合区域的极性应相对于它的相邻区域而变化。发送数据的CICC的表面电容祸合区域的初始状态应为正。6.2.2发送特性所有电容数据的通信都应
17、按照下列条款中的描述在CICC和CCD之间进行传输。6.2.2.1差分电压电容辆合区域对El与E2或E3与E4间的差分电压（Valft）最大值应为lo v，给接收器产生一信号所需的最小值大于6.2-3.1中定义的最小差分输人闭值。6.2-2.2编码技术的描述电容数据传送的编码技术为差分不归零。6.2-2.3数据传送技术的描述发送器通过切换祸合区域El与E2或E3与E4间的差分电压与接收器进行通信。6.2.24逻辑电平1和0的分配逻辑电平1在时间间隔t：期间设置。t：后，差分电压的每一切换将定义一相反逻辑电平。时间间隔在表3中定义。6.2-2.5转换速率所发送的差分电压信号的转换速率最小为0.
18、14 V/ns,6.2.3接收特性所有电容通信数据都应按照下列条款中的描述在CICC和CCD间被接收到。62.3.1差分输人04值接收器应能响应士330 mV的最小差分输入闽值（认h).6.2-3.2输人滞后电压接收器应有士130 mV的最小差分输人滞后电压（抗扰性） o6.2.3.3转换速率接收器应能响应0. 14 V/ns的最小转换速率。GB/T 17553.3-20006.2-3.4信号宽度差分输人阔值下的差分电压信号宽度至少应为10 ns,6.2.4初始状态CICC应对两对电容器片E1与E2或E3与E4中的一对发送其复位应答信号。这定义了从CICC到CCD通信的通信信道。另外一对电容片
19、被用于从CCD到CICC的电容通信。如有必要，复位应答信号也用于确定卡的方向。7 CICC复位的条件CICC电子线路的复位条件由CICC的内部电路决定。当CICC对CCD出现时，CICC的出现可以通过接收到复位应答信号、检测到激励场上增加的负载、机械手段或其他检测方法来指出。随后，复位可通过切换功率场来完成。7.1 ATR数据传送速率至少在ATR期间，从CICC到CCD的数据传送速率应为9 600 bit/s,了.2定时限制对于无触点通信系统正确工作，必须设置定时限制。图4示出了复位恢复时间间隔(to)、功率上升时间间隔(a, )、数据通信准备时间间隔(t2).稳定逻辑时间间隔03）和复位应答
20、响应时间间隔0）的定时限制。表3提供了定时限制值。i一一：只风X一一：l田图4定时限制表3定时限制值时间间隔名称通信值从CICC到CCDto复位恢复时间间隔不允许不允许8 mst,功率上升时间间隔没有定义没有定义0. 2 mst2预备时间间隔没有定义逻辑水平18 msis稳定逻辑时间间隔逻辑水平1逻辑水平12 mst4为ATR的响应时间间隔ATR没有定义簇30 msGB/T 17553.3-20007.2.1最小复位恢复时间间隔若CCD通过切换功率场使复位有效，则最小复位恢复时间间隔t。应被定义为CICC未被供给功率的时间，其中to）8. 0 ms7.2.2最大功率上升时间间隔由CCD供给功率
21、场的上升时间应定义如下：t,镇0. 2 ms7.2.3准备时间间隔CICC稳定并能进行通信的准备时间间隔定义为：t28 ms了2.4稳定逻辑时间间隔在复位应答之前，应有一个时间间隔使逻辑电平保持在1。这一时间间隔t3被定义为稳定逻辑时间间隔，其中：t32 ms在这期间，支持电感数据传送的CICC,CCD应被设里为逻辑电平1,7.2.5 ATR的最大响应时间间隔CICC应在一个确定的时间间隔t内开始ATR序列，其中：t4（30 ms注：在CCD完成准备时间间隔前,CICC可能发送一ATR,8复位后的条件在ATR期间，CICC应指出能量级的改变、场频率、数据速率或优选的通信方式的要求等条件。GB/
22、T 17553.3-2000附录A（标准的附录）功率传送的侧试方法A1引官本附录描述了测试从CCD到CICC功率传送的方法。用单个大线圈和两个小线圈的功率传送被测另外，测试还包括对电感辐合区域内的磁场的间接测f.磁场侧试电路试A2图Al示出了通过在测试卡内或在传感线圈插人板内的线圈中传感的电压间接地测量磁场的电路Cg =1oonF士5肠Cp =10pF士50oR, =10M11士50oR L I V,.图Al磁场测试电路RL的值根据测试条件而改变。有无RL，这一测试电路都适用。如果RL没有指定，则电压表将被用于仅跨越R,的测试。A3测试规程A3.1单个线圈功率传送对于单个线圈功率传送测试，CC
23、D和测试卡（图Dl)应按图D7中所示来设置。测试将验证供给测试卡表面的功率是否与本标准的5.4一致。所有四个电感场均应被测试。RL=330 fl士5时，在该测试设置规定的位置上，在RL上所产生的电压VL应在7. 0 V&(150 mW)和8. 1 V&(200 mW）之间。当RL被增加到1 Ma士5时，电压VL应降到小于45 Va-A3. 2大传感线圈的磁通量大传感线圈，传感线圈1，图D2中所示的测试线圈擂人板内测试藕合区域周围所产生的有效磁通量。对于这一测试，CCD,测试卡和传感线圈插人板应按图D8所示来设置。传感线圈应插人在测试卡和CCD之间以测童有效磁通1e测试卡上的两个线圈的装载方式如
24、图Al中的电路图所示，其中公共负载RL=330 0士5%。跨越传感线圈上的R,所产生的电压应大于6. 0 V&,A3. 3小传感线圈的磁通量图D3中的测试线圈插人板包含两对大传感线圈和小传感线圈。大线圈是传感线圈2，小传感线圈是传感线圈3。传感线圈2测量各个的辆合区域外的有效磁通量。传感线圈3测量辆合区域内的磁通量。GB/T 17553.3-2000对于该测试，CCD、测试卡和传感线圈插人板应按图D8所示设置。传感线圈应嵌人在测试卡和CCD之间以测量有效磁通量。在与被测电感祸合区域相关的测试卡上的线圈应使用图A1带有R,=330 SZ士5的电路来加载。对于每个传感线圈2，跨越测试电路的R：所产
25、生的电压应大于2. 5 Va,为了避免电感藕合区域中的磁通量集中，对于每个传感线圈3，跨越R,所产生的电压应小于20 Va,。注：测试者应确保在拐合区域中的磁诵蚤密度的分布没有突然变化。附录B（标准的附录）电容数据传送的测试方法B1引宫将在紧密藕合位置上的四个方向上对电容数据传送进行测试。测试的四个方向在附录D的图D12中示出。测试规程包括：a）测试CICC发送的数据；b）测试CCD发送的数据；。）测试CCD接收的数据。下列条款分情况说明了测试规程。B2测试规程B2.1测试CICCB2.1.1测试CICC发送数据本测试使用附录D图D9的测试配置。用到附录D图D4中的测试读写器。一个运算放大器可
26、用来测量跨越电容器片的差分电压。在接收电路中，RI-a应为50 kf士5 0 o e Ctoed应为（(5-6)pF。从电容片到接收电路的引线应尽可能短。测试配置应如B3中所述的那样校准。当被供给功率时，CICC应发送复位应答。CICC应在四个方向上被测试。应保证：数据已被从CICC传送到了测试读写器并满足6.2中的规定。B2.1.2测试CICC接收数据没有额外的测试技术时，在没有卡协议的规范的情况下，该测试不能进行。这些卡协议超出本标准的范围。B2. 2测试CCDB2. 2.1测试CCD发送数据本测试使用附录D图D10的测试配置。用到附录D图D1中的测试读写器。一个运算放大器可用来测量跨越电
27、容器片的差分电压。在接收电路中，RI-a应为50 kn士5 % f Goad应为（(5-6)pF。从电容片到接收电路的引线应尽可能短。测试配置应如B3中所述的那样校准。然后数据将从CCD被发送到测试卡以测试数据的传输。CCD应随测试卡在四个方向上进行测试。应保证：数据从CCD被传送到了测试卡并符合6.2中的规定。B2. 2. 2测试CCD接收数据GB/r 17553.3-2000本测试使用附录D图D. 10的测试配I。用到附录D图Dl中的测试读写器。测试配I应如B3中所述的那样校准。数据从测试卡被发送到CCD, CCD应随测试卡在四个方向上进行测试。应保证：数据从测试卡传送到了CCD并符合6.
28、2中的规定。B3校准电容数据传送的校准装置如附录D所述。对于电容数据传送，数据驱动器根据下列参数校准：假定测试电路参数：RI.d=50 ka士50o,5 pF簇C-a簇6 pF，产生下列信号：Vd;ff=10. 0 V士5转换速率(0.25x0. 30)V/ns的驱动器电路可能产生一个差分输出电压0. 648 V I V,;, I O. 735 V假定间隔距离（dgeP）为0. 5 mm士0. 05 mm,附录C（标准的附录）电感数据传送的测试方法c1引盲将在紧密辆合位置上的四个方向上对电感数据传送进行测试。测试的四个方向在附录D的图D12中示出。测试规程包括：a)测试CICC发送的数据，b）
29、测试CCD发送的数据，和c)测试CCD接收的数据。下列条款分情况说明了测试规程。测试规程测试CICC1测试CICC发送数据本测试使用附录D图D9的测试配置。用到附录D图D4的测试读写器。电流检测器电路应被串联地插人测试读写器的每一线圈，以检测来自CICC的放大调幅信号。连接d司n乙，八CCC到电流检测器电路的解调电路将滤出副载波信号，并应解调来自副载波的数据。当被供给功率时，CICC应发送复位应答。CICC应在四个方向上被测试。应保证：数据从CICC被传送到了测试读写器并符合5.1中的规定。C2.1.2测试CICC接收数据没有额外的测试技术时，在没有卡协议规范的情况下，该测试不能进行。这些卡协
30、议超出本标准的范围。c2. 2测试CCDc2-2.1测试CCD发送数据本测试使用附录D图D10的测试配置。用到附录D图Dl的测试读写器。连接到测试卡的线圈的PSK解调器应该用来解调切换载波频率的PSK信号。然后数据将从CCD被发送到测试卡，以测试数据的传输。CCD应随测试卡在四个方向上被测试。Gs/T 17553.3-2000应保证：数据从CCD被传送到了测试卡并符合6.1中的规定。C2. 2. 2测试CCD接收数据本测试使用附录D图D10的测试配里。用到附录D图Dl的测试读写器。调制电路应具有的初始负载为75 mW。调制电路应切换一个为初始负载的10的交变负载。注：初始负载的值作为举例给出附
31、加测试应根据5.4和6.1.1.1进行。数据从测试卡被发送到CCD, CCD应随测试卡在四个方向上被测试。应保证：数据从测试卡被传送到了CCD并符合6.1中的规定。附录D（标准的附录）测试组成部分和装里D1引言本附录定义了验证符合本标准的CICC或CCD的操作的测试组成部分和测试装置。测试组成部分包括：a)测试卡以验证CCD的操作；b)测试读写器以验证CICC的操作；c)测试线圈插人板，以测量CCD和CICC间的功率场的磁通量。为测试CICC和CCD而给出的测试装置。校准装置亦被提供。许多测试要求在四个不同的方向上对卡进行测试。D5为测试定义了四个方向。D2测试卡、读写器和插入线圈D2.1测试
32、卡测试卡的目的在于测试CCD供给CICC功率的能力、发送数据给CICC的能力和从CICC接收数据的能力。卡测试仿真一个CICC。电感数据传送和电容数据传送都用带有所使用的不同测试元件和装置的相同测试卡进行测试。测试卡如图Dl所示。测试卡包含如图所画的两个测试线圈和四个电容片。片的尺寸和线圈的位置如图Dl所示和在下列条款中给出。测试卡的参数在下列条款中给出。D2.1.1测试卡的尺寸测试卡的尺寸应为92.8 mm X54.0 mm,02.1.2测试卡的厚度测试卡的厚度应为0. 76 mm,D2.1.3铜线厚度线道应为35 tem士7 l.m的铜片。D2.1.4线道宽度线道宽度为254 j.m士20
33、0o002.1.5线圈特性小线圈应具有20匝。线圈的内部尺寸应为（(3. 1 mm士20o) X (9. 1 mm士2%)，外部尺寸应为(10. 9 mm士2%)X(16.9mm士200)0线道宽度和间距应为100 IM士200o0线圈内的铜线厚度为35 tAm士7 um.n2.1.6电容片GBIT 17553.3-2000电容片应为（9. 0 mm士0. 1 mm) X (9. 0 mm士0. 1 mm).口I 37. 5mm、昌ed 00m T.r o.r口一沙飞七 线目曰厂一ON50. Omm42. 8mmi几一门口L-一J 1-J底部昌ofNF-O.oNl一少MN！口产，曰曰 L-J
34、L-一-J、50. Omm42. 8mm允差为士2%.图Dl测试卡D2. 2大测试线圈插人板图D2中的大测试线圈插人板测盘环绕所有四个电感祸合区域的杂散磁通盆，每次两个。大传感线圈称为传感线圈1,插人板的参数在下列条款中给出。D2. 2.1大测试线圈插人板的尺寸大测试线圈插入板的尺寸为92. 8 mm X 54. 0 mm,D2.2.2大测试线圈插人板的厚度大测试线圈擂人板的厚度为0. 27 mm士0. 08 mm,D2.2.3铜线厚度线道应为35 jem士7 Km厚。D2.2.4线圈特性大线圈应具有2整匝。线圈的内部尺寸应为（24.7 mm土2oo)X(78.6 mm士2写），外部尺寸应为G
35、B/T 17553.3-2000(26.5 mm士2 %) X (80. 4 mm士2%)0线道宽度应为300 um士100 IM。间距应为300 lcm士100 um o仁于一1一一一一一一一一一一一一一一一一一ll！臼一沪匡42. 8mm图D2带有传感线圈1的大测试线圈插人板DZ3小测试线圈插人板小测试线圈插人板测量电感祸合区域内的磁场。图D3中的插人板测量环绕各个电感辆合区域的有效磁通量。该插人板包含两对线圈。大线圈为传感线圈2，而小线圈为传感线圈30一2s. om生洲日日O场目，一一一丁一一一一I一一一，于l23. Omm11. Omm11. Omm日日卜阅日日卜闰。11，允差为士2%
36、,图D3带有传感线圈2和3的小测试线圈插人板插人板的参数在下列条款中给出。D2.31小测试线圈插入板的尺寸小测试线圈插人板的尺寸应为92smm X 54. 0DZ32小测试线圈插人板的厚度小测试线圈插人板的厚度为0. 27 mm士。08mm。D2.铜线厚度Gs/T 17553.3-2000线道应为35 jm士7 jm厚。D2. 3. 4线圈特性线圈被印刷在擂人板的两面上。每个线圈有2整匝。传感线圈2的尺寸应为（(11. 0 mm士2写)X(17.0mm士20o)。传感线圈3的尺寸应为（(5. 0 mm士20o)X(11.0 mm士2肠）。在两面上的线道宽度都应为100 JAM士20%.D2.4
37、测试读写器对于与CICC通信的侧试，测试读写器是必斋的。测试读写器的规范在图D4中给出。Il一卜沪一一玉I飞i续匕R圈曰线圈、I曰！卜曰卜“I一一一J门I一一月乡走到 日 ，（辑口一一里竺一卜一一一了，卜卜“尸，曰50. Omm42. 8mm图D4测试读写器测试读写器的参数在下列条款中给出。两个铁氧体磁芯被用于加强测试读写器的磁场。铁氧体磁芯的规范在D2. 4. 8和D2. 4. 9中给出。D2. 4.1测试读写器的尺寸测试读写器的尺寸为92. 8 mm X 54. 0 mm,DZ42测试读写器的厚度测试读写器的厚度为0. 76 mm,D2. 4. 3铜线厚度线道应为35 cm土7拌m7的铜片
38、。D2. 4. 4线圈特性小线圈被印刷在读写器板的两面上。每个线圈有20匝。线圈的内部尺寸为（6. 0 mm士200) X(12. 0 mm士20o)，外部尺寸为（8. 0 mm士20o) X (16. 0 mm士200)0线道宽度和间距为100 JAM士20%.D2.4.5谐振电容器谐振电容器应在测试读写器板上。驱动信号应该使用电容器和线圈来调谐。D2.4.6连接线圈线圈对可以串联或并联。D2. 4. 7电容片电容片应为（12. 0 mm士0. 1 mm) X (9. 0 mm土0. 1 mm),D2. 4. 8铁氧体磁芯的规范图D5示出了铁氧体磁芯的形状和尺寸。GB/T 17553.3-2
39、000图D5铁氧体磁芯及其尺寸铁氧体磁芯材料的初始导磁率应大于250。在室温下，该铁氧体磁芯在线性范围内工作。D2.A.9铁氧体磁芯的位置图D6示出了其中的一个铁氧体磁芯的位置。它被制成适合通过电感线圈中心的形状。其他铁氧体磁芯通过另外的电感线圈来定位。印制线圈（双面）二二二二布荟石于刀而不币二二二刁印制电路板铁级体磁芯图D6一个铁氧体磁芯的位置D3测试装ID3.1功率测试装置图D7示出了测试从CCD到CICC功率传送的物理测试装置。CCD为被测设备。测试卡为测试设备。至测t设备非金属的电容片图D7测试功率传送的CCD测试装置测试卡的摆放方向应使其线圈面对CCD。在这一测试装置中，d,ep为0
40、. 5 mm土0. 05 mm.D3.2磁通量测试装置图D8示出了测试CCD和CICC间的磁通量的物理测试装置。CCD为被测设备。测试卡和测试线圈插入板为测试设备。cs1T 17553.3-2000侧试线圈擂人非金属的至侧t设备电容片线圈图D8测试磁通量的CCD测试装It测试卡的摆放方向应使线圈面对CCD。在这一测试装置中，d,为。. 5 mm士。.05 mm,D3.3 CICC测试装置图D9示出了测试CICC的物理测试装置。CICC为被测设备。测试读写器为测试设备。电容片线圈至洲A设备至功率驭动电路和侧量设备图D9 CICC测试装置在这一测试装置中，d,ep为0. 5 mm士0. 05 mm
41、,D3.4 CCD测试装置图D10示出了测试CCD的物理测试装置。CCD为被测设备。测试卡为测试设备。电容数据电感数据驭动器驭动器1侧，甘甘，甲，曰叼、JJ、JJ、JJJ儿、声勺气产甸入创盈八氏八民八八J、了、产沁刁K跨心9穿创飞芯心Q勿蒸入凡l月护口Q叼nn、v卜产产2222还还石乙还石入入入咤姚XXXXXX盆XX）口父城k,k,.,6乙亡砍记泌义、必必伪赞之只触洛澎决长郊次效溯KY丫丫丫丫、产甲丫勺sey甘、产勺，图D10 CCD测试装置为了测试电容数据传送，电容数据驱动器应加以使用。为了测试电感数据传送，电感数据驱动器应加以便用。在这一测试装置中，d-p为。5 mm士0. 05 mm,校准过程1校准装置为了校准测试装置，校准测试使用图D11所示的测试卡和测试读写器来进行。月月月DDGB/T 17553.3-2000电容数据驱动器电感数据驱动器至功率传送测盘电路和设备至测量设备至功率驭动电路图D11校准测试装置D4. 2校准设置如有必要，校准设置将在与电容、电感和功率传送相关的特定附录中详述。D5方向数据传送将随测试板在紧密藕合位置的四个方向上进行测试。四个方向如D12所示。CD图D12测试的四个方向
