IC行业中的光刻及光掩模制造工艺需要对IC光刻设备如光学图形发生器、分步重复精缩机、分步重复投影光刻机、扫描曝光系统等（以下简称为设备）的聚焦深度、像散和场畸变进行测量并提出报告，本标准解释他们常用的术语的含义和所用的基本技术。本标准只涉及集成电路生产中所用的光刻技术及其关系密切的技术的聚焦与焦深测量问题。由于设备技术多种多样，因而不可能提出这些参数的明确测量方法。本标准只提供基本准则。注：在确定适合某项应用的最佳焦点时，这个方法是颇有价值的。但它的主要目的是通过测定焦深、像散和场畸变来比较不同的设备和工艺。对于某一个具体设备来说，焦深、像散和场畸变数值的测定离不开图像几何尺寸和图像转印工艺的影响。这些数值必须在适应该设备的某个实际使用过程的各种限制条件下进行测定，包括照明、工艺、目标图形和环境。因此，为了公正测定设备的性能，所用的工艺必须适合相应设备和使用条件，而且应针对相应设备和应用过程进行优化。两个不同设备的性能比较实质上是综合应用的比较，其中包括该设备专用的工艺。在焦深、像散或场畸变的测量是报告中，工艺描述是必不可少的部分。如果借鉴的数据是从与相应设备所需应用条件偏离太大的情况下取得的，则这样的数据将引入误差，还可能引起意想不到的工艺失败。
