本标准规定了硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法。本标准适用于N型和P型硅单晶抛光片、外延片等镜面抛光的硅片,尤其适用于清洗后硅片自然氧化层,或经化学方法生长的氧化层中沾污元素的面密度测定。本方法适用于测量面密度在(1010)atoms/cm的范围的元素。本方法是非破坏性的。
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