Q GDW 516-2010 500kV~1000kV 输电线路劣化悬式绝缘子检测规程及编制说明.pdf

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资源描述

1、Q/GDW 516 ICS29.240 2 9 . 0 2 0 Q/GDW 516 2010 500kV 1000kV 500kV 1000kVtransmissionlinesuspension insulatortesting ofdeterioration 2 0 1 0 - - 2 0 1 0 - - Q/GDW516 I II 1 1 2 1 3 1 4 2 5 3 6 7 A 500kV 9 B 10 11Q/GDW 516 II 500kV 1000kV Q/GDW516 1 500kV 1000kV 500kV 1000kV 500kV 1000kV 50Hz 500kV GB

2、/T772 NEQIEC 60233:1974 GB/T1001.1 1000V EQVIEC 60383-1:1993 GB/T2900.5 EQVIEC 60050 212 :1990 GB/T2900.8 EQVIEC 60471 GB 50150 1991 DL/T487 2000 330kV 500kV DL/T741 2001 DL/T864 2004 1000V JB/T9678 1999 GB/T2900.5 GB/T2900.8 agingofceramicandglassinsulators agingofcomposite insulators lowresistance

3、 insulators 500kV 1000kV 500M annual agingrate Q/GDW 516 2 1 100% i i x A x 1 i A i x i x annual average aging rate 2 1 100% n i i n x A xn 2 n A i x i n x annualaveragerate oflowresistance 3 1 100% n i i n x B xn 3 n B i x i n x GB/T 772 GB/T 1001.1 JB/T 9678 GB/T 19519 DL/T 864 300kN 300kN 5 10 0.

4、02 0.02 Q/GDW516 3 GB 50150 5000V 500M 0.02 a b c d e f g i DL/T 741 3 10 1 2 1 * 1 50 A 2 50 3 2 500M 3 160kN 530kN 60kV 1min 4 GB/T 772 , , 5 100 1 3 5 2 *Q/GDW 516 4 0.005 0.01 0.01 5 6 4 5 3 a 7 8 0.001 10 b 5 c 1 a b c d e f g h i j k l m n o p a b 10 c 6 100 SML 100 SML d E 1 E 2 3 10000 2000

5、10000 Q/GDW516 5 3 N E 1 E 2 N 300 3 300 N 2000 4 3 2000 N 5000 8 4 5000 N 10000 12 6 N 300 300 N 2000 2000 N 5000 5000 N 10000 E1 2 4 8 12 E2 1 3 4 6 1 E1+E2 DL/T 864 2 E2 GB/T 19519 3 E2 GB/T 19519 N 300 300 N 2000 2000 N 5000 5000 N 10000 E1 2 4 8 12 E2 1 3 4 6 1 E1 1 GB/T 19519 2 E1 GB/T 19519 a 100 SML b 100 SML Q/GDW 516 6 HC HC1 HC2 6 HC3 HC4 3 HC5 1 HC6 / HC 4 2 3 5 1 , 7 kV 25 26 6 27 28 7 500 29 8 37 9 40 10 750 44 11 50 12 54 13 59 14 1000 64 15 2 0.04 2 0.02 0.1 Q/GDW516 7 8 1 2 3 DL/T741 a b c d e f

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