Q GDW 11219-2014 气体绝缘金属封闭开关设备的特快速瞬态过电压测量系统通用技术条件及编制说明.pdf

1、ICS 29.240国家电网公司企业标准Q/GDW 112192014气体绝缘金属封闭开关设备的特快速瞬态过电压测量系统通用技术条件General specification of Very Fast Transient Overvoltage measurement systemfor gas-insulated metal-enclosed switchgear20141015发布 20141015实施国家电网公司 发布Q/GDWQGDW112192014I目次前言 II1 范围 . 32 规范性引用文件 . 33 术语和定义 . 24 使用条件 . 25 功能和构成 . 36 技术要求

2、. 57 试验 . 78 检验规则 . 139 标志、包装、运输、储存、安装和维护 . 16附录 A（资料性附录） GIS 中典型 VFTO 测量测量系统构成 18附录 B（资料性附录） VFTO 测量系统测量性能试验装置及试验结果分析方法 20编制说明 . 24QGDW 112192014II前言为规范气体绝缘金属封闭开关设备（ GIS）用特快速瞬态过电压（ VFTO）测量系统的产品设计和生产，指导其现场应用和管理，提高电网的运行可靠性，特制定本标准。本标准附录 A 和附录 B 为资料性附录。本标准由国家电网公司基建部提出并解释。本标准由国家电网公司科技部归口。本标准起草单位：中国电力科学研

3、究院、国家电网公司交流建设部、西安交通大学、华北电力大学、清华大学、河南平高电气股份有限公司、西安西电开关电气有限公司。本标准主要起草人：陈维江、李志兵、丁卫东、刘卫东、李成榕、王浩、王宁华、张乔根、戴敏、颜湘莲、王磊、马国明、岳功昌、金光耀、崔明硕。本标准首次发布。QGDW 112192014III气体绝缘金属封闭开关设备的特快速瞬态过电压测量系统通用技术条件1范围本标准规定了气体绝缘金属封闭开关设备（ gas-insulated metal-enclosed switchgear，以下简称 GIS）用特快速瞬态过电压（ very fast transient overvoltage，以下简

4、称 VFTO）测量系统的使用条件、功能和构成、技术要求、试验、检验规则，及对包装、运输、储存、安装和维护的要求。本标准适用于电容分压原理的 VFTO 测量系统的选用。2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。 凡是注日期的引用文件， 仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T 2423.8-1995 电工电子产品环境试验 第 2 部分：试验方法 试验 ED：自由跌落（ IEC68-2-32:1990， IDT）GB 4208-2008 外壳防护等级（ IP 代码） （ IEC 60529:2001， IDT）GB 76

5、74-2008 额定电压 72.5kV 及以上气体绝缘金属封闭开关设备（ IEC 62271-203:2003， MOD）GB/T 11022-2011 高压开关设备和控制设备标准的共用技术要求（ eqv IEC:62271-1:2007）GB/T 11287-2000 电气继电器 第 21 部分：量度继电器和保护装置的振动、冲击、碰撞和地震试验第 1 篇：振动试验（正弦） （ IEC 255-21-1:1998， IDT）GB/T 14598.3-2006 电气继电器 第 5 部分：量度继电器和保护装置绝缘配合要求和试验（ IEC60255-5:2000， IDT）GB/T 17626.1-

6、2006 电磁兼容 试验和测量技术 抗扰度试验总论（ IEC 61000-4-1:2000， IDT）GB/T 17626.2-2006 电磁兼容 试验和测量技术 静电放电抗扰度试验（ IEC 61000-4-2:2001，IDT）GB/T 17626.3-2006 电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验（ IEC61000-4-3:2002， IDT）GB/T 17626.4-2008 电磁兼容 试验和测量技术 电快速瞬变脉冲群抗扰度试验（ IEC61000-4-4:2004， IDT）GB/T 17626.5-2008 电磁兼容 试验和测量技术 浪涌（冲击）抗扰度试验（ IEC

7、 61000-4-5:2005，IDT）GB/T 17626.6-1998 电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度试验（ IEC61000-4-6:1996， IDT）GB/T 17626.8-2006 电磁兼容 试验和测量技术 工频磁场抗扰度试验（ IEC 61000-4-8:2001，IDT）GB/T 17626.9-2011 电磁兼容 试验和测量技术 脉冲磁场抗扰度试验 （ IEC 61000-4-9:2001， IDT）GB/T 17626.10-1998 电磁兼容 试验和测量技术 阻尼振荡磁场抗扰度试验（ IEC61000-4-10:1993， IDT）GB/T 176

8、26.11-1999 电磁兼容 试验和测量技术 电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度试验（ IEC 61000-4-11:1994， IDT）GB/T 18134.1-2000 极快速冲击高电压试验技术 第 1 部分：气体绝缘变电站中陡波前过电压用测量系统（ IEC 61321-1:1994， IDT）QGDW 11219201423 术语和定义GB/T 2900.20-1994、 GB/T 11022-2011 和 GB 11023-1989 界定以及下列术语和定义适用于本文件。3.1特快速瞬态过电压 very fast transient overvoltage（ VFTO）GIS 内部隔

9、离开关或断路器开合操作中， 开关断口重击穿或预击穿所产生的具有陡波前并叠加有高频振荡的过电压，通常特指由隔离开关操作而产生的过电压。3.2VFTO 传感器 VFTO sensor用以实现将高压设备中高幅值的 VFTO 转换为可测的低电压信号的装置。注：在本标准中， VFTO 传感器专指基于电容分压原理的 VFTO 电压变换装置。3.3采集记录单元 acquisition and record unit具有足够的模拟频带宽度、采样率和存储深度，能够满足对 VFTO 信号进行不失真采样和对 VFTO完整过程数据进行存储的装置。3.4信号传输单元 signal transmission unit安装

10、在 VFTO 传感器和采集记录单元之间、满足 VFTO 传感器的负载阻抗要求和信号传输、采集的阻抗匹配要求、实现 VFTO 信号无畸变传输的阻抗变换装置。3.5测量控制单元 measurement control unit用以实现 VFTO 测量的电源控制、测量操作控制、数据传送和数据管理等功能的软、硬件的总体。3.6同步触发单元 synchronous triggering unit对 GIS 不同部位同时进行 VFTO 测量时，能够对多个测点的 VFTO 采集记录单元提供同步触发信号的装置。 VFTO 出现时，该单元能够同步输出多路触发信号，从而启动各个测点 VFTO 采集记录单元的动作。

11、3.7VFTO 测量系统 VFTO measurement system用以实现 GIS 中 VFTO 测量的软、硬件系统整体，完整的 VFTO 测量系统包括 VFTO 传感器、采集记录单元、 信号传输单元和屏蔽箱等必备功能单元， 以及可能配备的测量控制单元、 同步触发单元等。4 使用条件4.1 VFTO 传感器特快速瞬态过电压（简称 VFTO，下同）测量系统中， VFTO 传感器固定安装于 GIS，其工作条件应与 GIS 一致，按照 GB/T 11022-2011 中第 2 章规定。4.2 测量控制单元VFTO 测量系统的测量控制单元位于 GIS 远方控制室内，使用条件不做特别规定。4.3

12、VFTO 测量系统的 GIS 就地布置部分除此 VFTO 传感器和测量控制单元之外， VFTO 测量系统其它在 GIS 本体附近工作的部分（简称“ VFTO 测量系统的 GIS 就地布置部分” ）均短时工作于户外，其正常使用条件不应低于表 1 所列技术要求，特殊使用条件由 VFTO 测量系统最终用户提出，并与 VFTO 测量系统的供应商及所安装 GIS 生产厂家协商确定。QGDW 1121920143表 1VFTO测量系统的 GIS 就地布置部分的使用条件序号 项目 正常工作条件1环境温度-10 +402风速m/s 25（装置在 GIS 上的安装位置处， 10min 平均风速）3阳光辐射aW/

13、m2 1000（晴天中午，风速不高于 0.5m/s）4 振动等级b同所安装 GIS5 工作电源直流电源 单次持续供电工作时间高于 8h交流电源额定电压 220V 15%，频率 500.5Hz，总谐波畸变率小于 5%a 通常 VFTO 测量系统采用密闭的屏蔽箱，阳光辐射会对屏蔽箱内部功能单元的温升产生很大影响，产品设计时应予以考虑。b 适用于 VFTO 测量系统中安装于 GIS 上的测量装置，如屏蔽箱及内部功能单元。5 功能和构成5.1 VFTO 测量系统5.1.1 功能VFTO 测量系统应能对 GIS 中隔离开关的单次操作（合闸或分闸）所产生的 VFTO 波形进行完整测量和记录。5.1.2 构

14、成VFTO 测量系统宜采用模块化设计，各模块单元实现其特定功能，各功能单元之间通过约定技术条件的接口连接。 VFTO 测量系统的构成包括 VFTO 传感器、信号传输单元、采集记录单元和屏蔽箱等必备功能单元，同时可配备测量控制单元、同步触发单元等辅助功能单元。VFTO 测量系统的基本结构及组成单元参见附录 A。5.2 VFTO 传感器5.2.1 功能VFTO 传感器应能够将 GIS 中高压的 VFTO 信号转换为低电压可测信号，满足后续信号传输单元和采集记录单元的信号输入要求，实现 VFTO 的测量和传输。5.2.2 构成a) 采用电容分压原理，在 GIS 手孔内设置感应电极，并以绝缘方式可靠固

15、定在手孔盖板上；b) 感应电极上输出电容分压信号， 通过安装在手孔盖板上的电缆接头（规定为标准 N 型电缆接头）输出到 GIS 外部；c) 感应电极及其固定部件应满足 GIS 中电场分布的要求，电容分压信号引出应满足 GIS 气体密封要求，感应电极相对于手孔盖板的绝缘电阻应满足电容分压的性能要求；5.3 信号传输单元5.3.1 功能信号传输单元安装在 VFTO 传感器和采集记录单元之间，满足 VFTO 传感器的负载阻抗要求和信号沿电缆传输的阻抗匹配要求，用以实现 VFTO 传感器输出信号的无畸变传感和无畸变传输。5.3.2 构成信号传输单元由阻抗变换电路和信号传输介质（电缆）构成。阻抗变换电路

16、具有高输入阻抗和低输QGDW 1121920144出阻抗，安装在 VFTO 传感器的输出端，其高输入阻抗能够提高 VFTO 传感器低压臂的输出阻抗，降低 VFTO 传感器低频截止频率。阻抗变换电路的低输出阻抗（高驱动能力）能实现与电缆的阻抗匹配，改善电缆的传输特性。5.4 采集记录单元5.4.1 功能能够对 VFTO 传感信号进行不失真采样和存储，实现后续的 VFTO 完整波形（隔离开关触头间隙重复击穿的完整过程）测量和记录。作为辅助功能，也能够通过测量控制单元对 VFTO 的测量进行操作控制、数据传送和数据管理，以及通过同步触发单元对 VFTO 测量进行多测点同步触发。5.4.2 构成采集记

17、录单元可为示波器或其它数据采集装置，满足 VFTO 测量的频带宽度、采样率和存储深度要求。为实现采集记录单元的辅助功能，应具备相应的触发信号和测量控制接口。5.5 屏蔽箱5.5.1 功能屏蔽箱能够有效防止空间电磁干扰和 GIS 暂态地电位升干扰对 VFTO 测量系统的影响。5.5.2 构成屏蔽箱应设计有和 GIS 对接的接口，可直接固定在手孔盖板上，从而实现和安装 VFTO 传感器的GIS 手孔等电位连接。屏蔽箱应具有机械承载结构，使位于 GIS 现场的信号传输单元、采集记录单元、供电电源以及与测量控制和同步触发等辅助功能相关的现场设备集中布置其内部。5.6 同步触发单元5.6.1 功能当对一

18、个 GIS 多个测点的 VFTO 进行同步测量时，同步触发单元能够对多个测点的 VFTO 采集记录单元提供同步触发信号。5.6.2 构成同步触发单元应包括触发特征量探测、触发信号生成、光纤信号传送和光电转换等环节。通过探测VFTO 的出现，产生对应的触发电脉冲，电脉冲转换为分路的同步光脉冲，通过多路光纤传送至 GIS的各个 VFTO 测点，在各个测点处光脉冲再转换为电脉冲，触发采集记录单元。隔离开关触头间隙击穿所产生的空间电磁波信号可作为表征 VFTO 出现的触发信号。5.7 测量控制单元5.7.1 功能实现 VFTO 测量系统的测量控制、数据传送和数据管理等功能，一般采用远程控制方式，能够使

19、测量人员在远离带电 GIS 的安全区域作业。5.7.2 构成测量控制单元一般采用基于光纤信号传输的网络结构， 在就地采集记录单元和和远端计算机之间进行控制信号和测量数据的传送。5.8 供电电源5.8.1 功能为 VFTO 测量系统提供电能，实现 VFTO 测量系统的供电与接地的隔离，可避免远端供电可能导致的电磁干扰和设备损坏。5.8.2 构成对于测量系统中需要直流电源的设备， 可直接采用电池供电； 对于测量系统中需要交流供电的设备，可采用隔离变压器供电或采用蓄电池和 DC-AC 逆变器进行供电。QGDW 11219201456 技术要求6.1 结构和外观a) VFTO 传感器应能够满足 GIS

20、 安全运行要求，其结构和设计符合 GIS 相关标准；b) VFTO 传感器和 GIS 的接口由制造商和 GIS 厂家协商确定；c) 除 VFTO 传感器外， VFTO 测量系统的其它组成部分的结构应按照便于临时性带电检测的要求设计，易于安装和拆解；d) VFTO 测量系统的屏蔽箱结构应满足内部发热元器件的通风散热要求。6.2 测量性能6.2.1 电压范围VFTO 测量系统的最高测量电压幅值不低于 3.0p.u.（ 1p.u.为 GIS 所在电力系统最高相对地电压的峰值） 。6.2.2 频率特性VFTO 测量系统的频率特性应满足宽频测量要求，高频截止频率不低于 100MHz，低频截止频率不高于

21、10Hz。在测量频段内， VFTO 测量系统幅频响应波动（平直度）应小于 1dB。6.2.3 测量准确度VFTO 测量系统的准确度包括测量系统的刻度因数的换算因数和峰值测量不确定度两个方面， 各自应满足的技术要求如下：a) 刻度因数的换算因数：采用工频电压或快前沿方波电压校准，通过和准确度已知的仪器比对，获得 VFTO 测量系统输出信号相对于输入信号的比率。按照试验电压的不同，刻度因数可分别按工频刻度因数和高频刻度因数给出，并给出二者之间的 换算因数 以作为 VFTO 现场测量工频成分和高频成分之间的换算依据。b) 峰值测量不确定度： VFTO 峰值测量不确定度应小于 10%。6.3 绝缘性能

22、6.3.1 VFTO 传感器绝缘性能在正常试验大气条件下（ 1 个标准大气压下，环境温度 25） ， VFTO 传感器输出端子与手孔盖板之间（包括低压臂电容）的绝缘性能应满足表 2 中绝缘电阻和工频耐压的要求。表 2VFTO传感器绝缘性能要求序号 试验条件 试验项目 性能要求1正常试验大气条件绝缘电阻 100M（使用 500V 兆欧表测量）2 工频耐压 50Hz、 1min 工频耐压试验，试验电压有效值 500V6.3.2 VFTO 传感器低压臂电容值VFTO 传感器绝缘性能试验后，应检测其低压臂电容值以确认其状态正常。 VFTO 传感器低压臂电容实测值相对于设计值的偏差应在 5%以内。6.3

23、.3 与 GIS 组装后的绝缘性能VFTO 测量系统固定安装在 GIS 的部分，在与 GIS 对接组装后应能保证 GIS 的绝缘满足 GB/T11022-2011 第 4.2 节的规定。6.4 温度特性当环境温度在工作条件所要求的范围内变化时， VFTO 传感器低压臂电容相对于 20时的设计值变化率不应超过 5%。6.5 电磁兼容性能VFTO 测量系统应满足国家和行业有关电磁兼容标准的要求， 并应根据干扰或骚扰的具体特点和水在变电站 VFTO 现场测量时，一般只能采用系统工频电压进行刻度因数的标定。因此，工频和高频换算因数须经过试验测定后明确提出。QGDW 1121920146平确定测量系统的

24、抗扰度要求，同时采取必要的电磁干扰或骚扰减缓措施。6.5.1 静电放电抗扰度VFTO 测量系统应能承受 GB/T 17626.2-2006 中规定的严酷等级为 4 级的静电放电干扰。试验过程中和试验后，试品不应发生不可恢复的故障。6.5.2 射频电磁场辐射抗扰度VFTO 测量系统应能承受 GB/T 17626.3-2006 中规定的严酷等级为 3 级（一般试验等级）的射频电磁场辐射干扰。试验过程中和试验后，试品不应发生不可恢复的故障。6.5.3 电快速瞬变脉冲群抗扰度VFTO 测量系统应能承受 GB/T 17626.4-2008 中规定的严酷等级为 4 级的电快速瞬变脉冲群干扰。试验过程中和试

25、验后，试品不应发生不可恢复的故障。6.5.4 浪涌（冲击）抗扰度VFTO 测量系统应能承受 GB/T 17626.5-2008 中规定的严酷等级为 4 级的浪涌（冲击）干扰。试验过程中和试验后，试品不应发生不可恢复的故障。6.5.5 射频场感应的传导骚扰抗扰度VFTO 测量系统应能承受 GB/T 17626.6-1998 中规定的严酷等级为 3 级的射频场感应的传导骚扰干扰。试验过程中和试验后，试品不应发生不可恢复的故障。6.5.6 工频磁场抗扰度VFTO 测量系统应能承受 GB/T 17626.8-2006 中规定的严酷等级为 5 级（稳定持续磁场试验）的工频磁场干扰。试验过程中和试验后，试

26、品不应发生不可恢复的故障。6.5.7 脉冲磁场抗扰度VFTO 测量系统应能承受 GB/T 17626.9-2011 中规定的严酷等级为 5 级的脉冲磁场干扰。试验过程中和试验后，试品不应发生不可恢复的故障。6.5.8 阻尼振荡磁场抗扰度VFTO 测量系统应能承受 GB/T 17626.10-1998 中规定的严酷等级为 5 级的阻尼振荡磁场干扰。 试验过程中和试验后，试品不应发生不可恢复的故障。6.5.9 电压暂降、短时中断抗扰度VFTO 测量系统应能承受 GB/T 17626.11-1999 中规定的电压暂降和短时中断为 60%UT、持续时间为 10 个周波的电压暂降和短时中断干扰。试验过程

27、中和试验后，试品不应发生不可恢复的故障。6.6 机械性能6.6.1 密封性能GB/T 11022-2011 的 5.15 节适用，并作如下补充：VFTO 传感器应满足 GIS 气体的密封要求。6.6.2 水压耐受性能VFTO 传感器应能耐受 GIS 运行中出现的正常和瞬时压力。 水压试验要求型式试验的压力耐受值是VFTO 传感器所安装 GIS 气室设计压力值的 3.5 倍， 出厂试验压力耐受值是传感器所安装 GIS 气室设计压力值的 2 倍。6.6.3 高低温耐受性能VFTO 传感器结构中有浇铸部件的，应考虑使用环境中高、低温变化对浇铸件体积变化及由此带来的对于气体密封性能的影响。据此， VF

28、TO 传感器应具备高低温耐受性能，并通过交变温度试验。交变温度试验采用高、低温冷热循环试验方式进行考核。冷热循环试验在温控箱中进行 ,温度由 -40至 +115，共计进行 10 次循环。试验过程中及试验结束后试品应不发生裂纹、剥离等机械损伤，无可见异常。 在交变温度试验前后应对 VFTO 传感器进行密封性能检验， 试品密封性能满足本标准第 6.6.1条的要求。6.6.4 振动（正弦）作为独立包装、运输的 VFTO 测量系统各功能单元、部件应满足振动（试验）要求。QGDW 11219201476.6.4.1 振动响应试品应能承受不低于 GB/T 11287-2000 中规定的严酷等级为级的振动响

29、应试验。6.6.4.2 振动耐久试品应能承受不低于 GB/T 11287-2000 中规定的严酷等级为级的振动耐久试验。6.6.5 自由跌落作为独立包装、运输的 VFTO 测量系统各功能单元、部件应满足 GB/T 2423.8-1995 规定的自由跌落试验要求，如表 3 所示。试验后，功能单元、部件不应有机械损伤、变形和紧固部件松动现象。表 3 自由跌落试验要求试验名称 试验参数 试品状态自由跌落试验跌落高度mm500（质量不大于 5kg）非工作状态250（质量大于 5kg，不大于 10kg）100（质量大于 10kg）跌落次数 2 次6.7 外壳防护性能VFTO 测量系统安装于室内及遮蔽场所

30、的部分，应符合 GB 4208-2008 中规定的外壳防护等级 IP31的要求；安装于户外的部分，应符合 GB 4208-2008 中规定的外壳防护等级 IP54 的要求。7试验7.1 试验条件除有特别规定，对 VFTO 测量系统的试验应在正常试验大气条件下进行，试验条件宜选择在以下范围：a) 环境温度： +15 35；b) 相对湿度： 45% 75%；c) 大气压力： 80kPa 110kPa。注：由于设备自身或客观试验条件所限，设备不能在上述条件下进行试验时，应把实际环境条件记录在试验报告中。7.2 结构和外观按照本标准第 6.1 节的规定，采用目测和手触法逐项进行检查。7.3 测量性能试

31、验7.3.1 试验标定装置VFTO 测量性能试验是全面、直接检验产品测量性能的试验项目，宜在专用性能标定装置上进行。按照 GB/T 18134.1-2000 标准中 4.4.2 条的要求，标定装置应是模拟 GIS 中测量系统的带有终端匹配的横向电磁波（ TEM 波）装置或同轴系统。标定装置应具有 VFTO 测量系统在其上安装的接口条件，能够产生标定信号，配置可供量值比对的标定信号基准测量装置。测量性能试验标定装置一种可能的示例参见附录 B.1。7.3.2 频率特性试验频率特性试验采用本标准第 7.3.1 条要求及附录 B.1 示例的试验装置，试验分为高频特性试验、低频特性试验和平直度试验，试验

32、参数及方法如下：7.3.2.1 高频特性试验在 TEM 试验装置上安装布置 VFTO 测量系统和基准测量装置，以阶跃方波作为标定脉冲信号。方波标定脉冲信号峰值应高于 1kV，上升时间应小于 2ns，以作为参照用的基准测量装置实测结果为准。方波在试验腔体中传播，用 VFTO 测量系统和基准测量装置同时测量，重复试验 10 次，每 2 次试验之间时间间隔应大于 5min，确保测量结果稳定有效。对比两者波形，从而对 VFTO 测量系统的高频响应特性 （波形上升时间、 过冲、 高频截止频率） 给出评价。 测量系统输出波形 10%-90%上升时间应小于 3.5ns，过冲应小于 10%。QGDW 1121

33、9201487.3.2.2 低频特性试验可采用以下两种试验方法之一进行：a) 在 TEM 试验装置上安装布置 VFTO 测量系统和基准测量装置， 以长波尾衰减指数波作为标定脉冲信号。长波尾波标定脉冲信号幅值应高于 1kV，上升时间小于 100ns，半高宽高于 100s。长波尾波在试验腔体中传播，用 VFTO 测量系统和基准测量装置同时测量，重复试验 10 次，每 2 次试验之间时间间隔应大于 5min，确保测量结果稳定有效。对比两者波形，获得 VFTO 测量系统的低频截止频率。测量波形计算得到的低频截止频率应低于 10Hz。b) 在 TEM 试验装置上安装布置 VFTO 测量系统和基准测量装置

34、，给试验腔体导杆施加直流电压，比较基准测量装置和 VFTO 测量系统测量信号，获得 VFTO 测量系统的衰减时间常数。测量波形计算得到的衰减时间常数应大于 15ms。注：通过高、低频特性试验估算 VFTO 测量系统时域和频域特性的试验结果分析方法参见附录 B.2。7.3.2.3 平直度试验可采用以下两种试验方法之一进行：a) 低压幅频响应试验将通用信号发生器与圆板电极相连作为信号源，将圆板电极正对 VFTO 传感器端面，两者之间形成高压电容，模拟 GIS 内部高压测量模式。低压扫频试验布置示意如图 1 所示。试验时，采用通用信号发生器产生 10Hz 至数十 MHz（根据所选用信号发生器性能，考

35、核范围可以进一步拓宽）的标准正弦波，使用标准测量探头对其进行测量，同时从示波器上记录 VFTO 传感器的输出电压信号。在 50Hz 到1MHz 的记录点为 50Hz、 100Hz、 500kHz、 1kHz、 10kHz、 100kHz 和 1MHz，在 1MHz 以后，每隔 1MHz同时记录输出输入幅值。图 1 低压幅频响应试验示意图b) 采用附录 B.1 示例的试验装置，利用试验装置产生主要频率成分为 1kHz， 100kHz， 10MHz 的双指数波，用 VFTO 测量系统和基准测量装置同时测量，获得不同频率下测量系统的刻度因数，并进行比较，要求不同频率的刻度因数之间误差小于 10%。7

36、.3.3 测量准确度试验7.3.3.1 刻度因数测算VFTO 测量系统的高频刻度因数通过本标准 7.3.2.1 条的高频特性试验获得。工频刻度因数可在本标准 7.3.1 条规定的试验标定装置上通过施加工频电压获得。刻度因数的计算方法参见附录 B.2.1。7.3.3.2 峰值测量不确定度估算VFTO 测量系统峰值测量不确定度的估算按照 GB/T 18134.1-2000 标准中 4.5 节执行。7.3.4 通过试验的判据采用上述试验装置、试验方法和测算方法，得到的 VFTO 测量系统的相关测量性能如果满足以下要求，则判定受试产品通过测量性能试验：a) 频率特性：试验和测算结果满足本标准第 6.2

37、.2 条所述参数要求；b) 刻度因数：通过试验和测算得到的 VFTO 测量系统的刻度因数，在本标准第 6.2.1 条所述电压范围应用时，能够保证 VFTO 传感器输出信号在信号传输单元和采集记录单元可承受的电压幅值范围内；QGDW 1121920149c) 峰值测量不确定度：测算得到的测量系统不确定满足本标准第 6.2.3 条的对应要求。7.4 绝缘试验7.4.1 VFTO 传感器绝缘试验根据本标准第 6.3.1 条的要求，参照 GB/T 14598.3-2006 第 6.2.2 条的规定和方法进行 VFTO 传感器的绝缘电阻试验。绝缘电阻测量试验前， VFTO 传感器输出端子应由 VFTO

38、测量系统产品的制造单位明确标识。根据本标准第 6.3.1 条的要求，参照 GB/T 14598.3-2006 第 6.1.4 条的规定和方法进行 VFTO 传感器的工频耐压试验。工频耐压试验前， VFTO 传感器输出端子应由 VFTO 测量系统产品的制造单位明确标识。7.4.2 VFTO 传感器低压臂电容检验用于检验的电容测量仪表、仪器，应具有不小于所测量电容标称值 1%的测量精度。产品低压臂电容的检验值相对于设计值的偏差应符合本标准第 6.3.2 条的规定。7.4.3 与 GIS 组装后的绝缘试验VFTO 测量系统固定安装在 GIS 的部分，应随 GIS 本体进行绝缘试验，包括工频耐受电压试

39、验和冲击耐受电压试验。 VFTO 测量系统随 GIS 一起进行的绝缘试验按照 GB/T 11022-2011 第 6.2 节、 GB7674-2008 第 6.2 节的规定执行。7.5 温度特性试验将 VFTO 传感器低压臂电容（可以是 VFTO 传感器整体，或仅是 VFTO 传感器外接低压臂电容）置于温控箱中，调节温控箱温度从 -30上升至 70，每隔 10恒温停留 30min，测量对应于每一温度的参数。以 20时的性能测量值为基准值，在温度变化范围内低压臂电容随温度的改变应满足本标准第 6.4 条的对应要求。7.6 电磁兼容试验7.6.1 概述电磁兼容试验用于通过电磁传导和辐射抗扰度试验检

40、查和确认 VFTO 测量系统能否满足本标准规定的电磁抗扰度要求， VFTO 测量系统本身的电磁发射不会超过可能干扰其他变电站装置工作的水平。7.6.2 试验条件7.6.2.1 环境条件VFTO 测量系统电磁兼容试验应在本标准第 7.1 条规定的试验条件下进行，并保证试验室的电磁环境不应影响试验结果。7.6.2.2 试验要求电磁兼容的抗扰度试验应在整个 VFTO 测量系统上进行，验证属于同一产品的全部装置、部件的正常功能。电磁兼容试验中 VFTO 测量系统的布置状态应尽量保持和变电站现场使用状态一致，以减小因为布置状态的变化带来的对于高频干扰特性的改变。全部抗扰度试验均应在 VFTO 测量系统正

41、常工作状态下试验。在施加干扰的情况下， VFTO 测量系统应能正常工作。7.6.3 静电放电抗扰度试验静电放电抗扰度试验按照 GB/T 17626.1-2006、 GB/T 17626.2-2006 的规定执行。静电放电抗扰度试验内容及参数见表 4。表 4 静电放电抗扰度试验试验名称 试验参数及要求 试验方法及合格判据静电放电抗扰度试验接触放电电压kV8 GB/T 17626.2-2006QGDW 11219201410表 4（续）试验名称 试验参数及要求 试验方法及合格判据静电放电抗扰度试验空气放电电压kV15GB/T 17626.2-2006单点放电试验次数 正、负极性各 10 次7.6.

42、4 射频电磁场辐射抗扰度试验射频电磁场辐射抗扰度试验按照 GB/T 17626.1-2006、 GB/T 17626.3-2006 的规定执行。射频电磁场辐射抗扰度试验内容及参数见表 5。表 5 射频电磁场辐射抗扰度试验试验名称 试验参数及要求 试验过程及合格判据射频电磁场辐射抗扰度试验试验电场强度V/m10GB/T 17626.3-2006试验频率MHz80 10007.6.5 电快速瞬变脉冲群抗扰度试验电快速瞬变脉冲群抗扰度试验按照 GB/T 17626.1-2006、 GB/T 17626.4-2008 的规定执行。电快速瞬变脉冲群抗扰度试验内容及参数见表 6。表 6 电快速瞬变脉冲群抗

43、扰度试验试验名称 试验参数及要求 试验过程及合格判据电快速瞬变脉冲群抗扰度试验端口类别电压峰值kV重复频率kHzGB/T 17626.4-2008电源端口 45数据端口 257.6.6 浪涌（冲击）抗扰度试验浪涌（冲击）抗扰度试验按照 GB/T 17626.1-2006、 GB/T 17626.5-2008 的规定执行。浪涌（冲击）抗扰度试验内容及参数见表 7。表 7 浪涌（冲击）抗扰度试验试验名称 试验参数及要求 试验过程及合格判据浪涌（冲击）抗扰度试验开路试验电压kV4 GB/T 17626.5-20087.6.7 射频场感应的传导骚扰抗扰度试验射频场感应的传导骚扰抗扰度试验按照 GB/T

44、 17626.1-2006、 GB/T 17626.6-1998 的规定执行。射频场感应的传导骚扰抗扰度试验内容及参数见表 8。QGDW 11219201411表 8 射频场感应的传导骚扰抗扰度试验试验名称 试验参数及要求 试验过程及合格判据射频场感应的传导骚扰抗扰度试验试验电压（ e.m.f）U0， dBV140GB/T 17626.6-1998Ua， V10试验频率Hz150k 80M7.6.8 工频磁场抗扰度试验工频磁场抗扰度试验按照 GB/T 17626.1-2006、 GB/T 17626.8-2006 的规定执行。工频磁场抗扰度试验内容及参数见表 9。表 9 工频磁场抗扰度试验（稳

45、定持续磁场试验）试验名称 试验参数及要求 试验过程及合格判据工频磁场抗扰度试验磁场强度A/m100 GB/T 17626.8-20067.6.9 脉冲磁场抗扰度试验脉冲磁场抗扰度试验按照 GB/T 17626.1-2006、 GB/T 17626.9-2011 的规定执行。脉冲磁场抗扰度试验内容及参数见表 10。表 10 脉冲磁场抗扰度试验试验名称 试验参数及要求 试验过程及合格判据脉冲磁场抗扰度试验磁场强度A/m1000GB/T 17626.9-2011脉冲波形s6.4/167.6.10 阻尼振荡磁场抗扰度试验阻尼振荡磁场抗扰度试验按照 GB/T 17626.1-2006、 GB/T 176

46、26.10-1998 的规定执行。阻尼振荡磁场抗扰度试验内容及参数见表 11。表 11 阻尼振荡磁场抗扰度试验试验名称 试验参数及要求 试验过程及合格判据阻尼振荡磁场抗扰度试验磁场强度A/m100GB/T 17626.10-1998振荡频率MHz0.1、 17.6.11 电压暂降、短时中断抗扰度试验电压暂降、短时中断抗扰度试验按照 GB/T 17626.1-2006、 GB/T 17626.11-1999 的规定执行。电压暂降、短时中断抗扰度试验内容参数见表 12。QGDW 11219201412表 12 电压暂降、短时中断抗扰度试验试验名称 试验参数及要求 试验过程及合格判据电压暂降、短时中

47、断抗扰度试验暂降电压 60%UTGB/T 17626.11-1999持续时间 10 个周波7.7 机械性能试验VFTO 测量系统的机械性能试验侧重对固定安装在 GIS 上部分的考核，即：保证该部分的机械性能满足 GIS 产品相应的性能要求。7.7.1 密封性能试验GB/T 11022-2011 的第 6.8 条适用。7.7.2 水压耐受试验VFTO 测量系统的水压耐受试验宜在 GIS 腔体或模拟 GIS 密封腔体结构的试验工装上进行，考核VFTO 传感器的水压耐受能力。7.7.2.1 试验方法VFTO 测量系统的水压耐受试验按照 GB 7674-2008 中第 6.103 条的规定执行，并作如

48、下补充：a)建议按照 GB 7674-2008 中第 6.103.1 款的“型式试验的压力试验”开展 VFTO 传感器的水压耐受试验；b)试验中水压耐受值应符合本标准第 6.6.2 条的规定c)水压耐受试验前后应对 VFTO 传感器和试验工装的装配整体进行常温下的密封性能试验， 以此检验水压耐受试验对受试产品密封性能的影响；d)水压耐受试验从表压为零开始升压，按照 0.2MPa 的阶梯值匀速升压，直至升压至水压考核值，保持 10 分钟，观察记录受试产品和试验工装状态。7.7.2.2 通过试验的判据采用上述试验方法， 如果受试产品在试验期间及试验后满足以下要求， 则判定其通过水压耐受试验：a)试

49、验期间受试产品和试验工装未出现破裂或永久变形；b)试验前后受试产品和试验工装的密封性能符合本标准第 6.6.1 条的规定。7.7.3 交变温度试验VFTO 测量相同传感器结构中有浇铸部件的，应进行针对浇铸件的交变温度试验。交变温度试验采用高、低温冷热循环的试验方式。7.7.3.1 试验方法交变温度试验应在能够实现高低温冷热循环的温控箱中进行 ,温度调节范围为 -40 +115，共计进行 10 次循环。在高低温冷热循环前后应按照本标准第 7.7.1 条的规定进行密封性能试验，检查确认受试产品的密封性能。交变温度试验高、低温冷热循环控制过程见图 2。-40115常温3915 2124时间（小时）图 2 高低温冷热循环试验温度控制图示7.7.3.2 通过试验的判据QGDW 11219201413采用上述试验方法， 如果受试产品在试验期间及试验后满足以下要求， 则判定其通过交变温度试验：a)试验期间受试产品未发生裂纹、剥离等现象或出现永久变形；b)试验前后受试产品和试验工装的密封性能符合本标准第 6.6.1 条的规定。7.7.4 振动（正弦）试验7.7.4.1 振动响应试验按照 GB/T 11287-2000 中的规定和方法，对 VFTO