1、Si中华人民共和国电子工业行业标准sJ/r 10058.10060-91电子元器件详细规范2cz103,116,117型环境额定硅整流二极管1991-04-08发布1991-07-01实施中华人民共和国机械电子工业部发布中华人民共和国电子工业行业标准电子元器件详细规范2CZ116型环境额定硅整流二极管Detail specification for electronic componentsAmbient一rated silicon rectifier diode for type 2CZ116sJ/e 10059-91本标准适用于2CZ116型环境额定硅整流二极管，它是按照GB 6351(1
2、00A以下环境和管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范标准制订的，符合GB 4589. 1半导体器件分立器件和集成电路总规范I类的要求。中华人民共和国机械电子工业部1991-04-08批准1991-07-01实施一9一SJ/T 10059-91一10一SI/T 10059-914极限值(绝对.大额定值)除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用.条文号名称符号数值单位最小值最大值4.14.24.34.44.4.14.4.24.4.34.54.5.14.5.5工作环境温度贮存温度有效结温电压反向重复峰值电压2CZ 116C2CZ 116D2CZ 116E2CZ 116F2CZ
3、 116G2CZ 116H反向工作峰值电压2cz 116C2CZ 116D2CZ 116E2CZ 116F2CZ 116G2CZ 116H反向不重复峰值电压2CZ 116C2CZ 116D2CZ 116E2CZ 116F2CZ 116G2CZ 116H电流在规定的转折点温度Tbr.k下的平均正向电流在单相电路中，电阻性负载的条件下，正弦波的导通角180.时正向(不重复)浪涌电流在最大平均正向电流下连续工作之后加的正弦半波(50H. 10.)电流的最大值.不加反向电压。T.bT.taTc.pV皿且.VR，.T.-IF(AV)IFS.-55-65140ISO15010020030040050060
4、0100200300400500600140270400540670800365VVVVVVVVVVVVVVVVVVAA一11一SJzT10059一91电特性:检验要求见本规范第8章。条文号特性和条件除非另有规定TS袖二25符号数值单位试验分组最小值最大值5.15.1.15252.15.2.25.5正向电压在峰值电流为二倍额定最大平均正向电流1;Av，时的电压最大值阮取3).反向电流在额定电压V。“下的反向峰值电流IR，的最大值。在Tob二25，无正向耗散时.在Tamb二140，无正向耗散时.热阻。VrMIRMIIRM居R(t卜)J一1。651010035V拜A拼A/WAZbAZbCZb6标志
5、6.1管体上的标志:在管体负极端标色环，表示极性及电压分档;或打上型号标明极性。色环的颜色表示电压档次，对应关系如下:分档标志CDFGH颜色棕 一 一红橙黄绿蓝电压(V)100200300400null一l500一600包装盒(箱)上的标志1器件名称、型号、质量评定类别.2制造厂名称和商标.3检验批识别代码4其它。订货资料626.2脚6.26.27产品名称、型号、质量评定类别。订货数量。产品详细规范号。其它。，.勺tl碗曰71，1，沂8试验条件和检验要求在本章中，除非另有规定，引用的条文号应对应于GB4589，1的条文号.测试方法引自GB4O23半导体分立器件第2部分整流二极管)o一12一SJ
6、/T 10059-91A组逐批所有试验都是非破坏性的(3. 6.6)检验或试脸符号引用标准条件除非另有规定了.b=25检验要求极限单位LTPD*d、值最大值A1分组外部目检4.2.15A2s分组不工作器件V-1-GB 4023W-1-2.3GB 4023W-1-4. 3IFM=9AV.=V.M(正弦半波SOH.)极性期倒，VF16. 5,或I.3000VpA0.7A26分组正向峰值电压反向峰值电流VF.IMGB 4023W-1-2.3GB 4023扮-1-4.3IFM=9AV.=V.M(正弦半波50H.)1.6510VPA3B组逐批只有标明(D)的试验是破坏性的(3. 6.6)检验或试验符号引
7、用标准条件除非另有规定T.b=25C检验要求极限单位LTPD最小值最大值B1分组尺寸4.2.20刀、G15B3分组引线弯曲(D)GB 4937.2. 1. 2方法1受试引出端数:2外加力:ION无损坏15B4分组可焊性GB 49372.2.1方法b润湿良好15B5分组温度变化继之以交变湿热(D)最后测试正向峰值电压V,GB 4937,3. 1.2GB 2423. 4GB 4023W一1.2.3两槽法严格度:2严格度55C , 2d1-=9A1.65V0一13一SJ/T 10059-91续表检验或试验符号引用标准除A49另有蕴定1检验要求极限单位LTPD最小值最大值反向峰值电流I-,GB 402
8、3W-1.4.3VR今V月川(正弦半波50H.)10产AB8分组电耐久性最后测试正向峰值电压反向峰值电流V阳1-GB 4938GB 4023W-1.2.3GB 4023R一1.4.3工作寿命IR=2.4AsVR=VRwee 1t=1686 ;试验时夹具应夹在距管体10-15.处，并安装必要的散热装里IFr=9AVR=VRRM(正弦半波SOH.)1.8120V拜A10CRRL分组B3,B4,B5,B8的属性资料.注:1) GB 4937半导体分立器件机械和气候试验方法.2) GB 2423.4电工电子产品基本环境试验规程试验Db交变湿热试验方法.3) GB 4938半导体分立器件接收和可靠性.C
9、组-周期只有标明(D)的试验是破坏性的(3.6.6)检验或试验符号引用标准条件除非另有规定T.R,b= 25C检脸要求极限单位LTPD最小值最大值C1分组尺寸4.2.2全部尺寸30C2b分组反向峰值电流Ix-GB 4023W-1-4.3V R=V RRm(正弦半波50H.);T.mc=140C100IAA15C2c分组正向浪涌电流最后测试正向峰值电压V-GB 4023W-1.2.3Temb=40C c了”M今65A;周波数与浪涌数均为1次IF=9A1.65V15一14一SJ/T 10059-91续表检验或试验符号引用标准条件除非另有规定T.b=25C枪验要求极限单位LTPD最小值最大值反向峰值
10、电流law,GB 4023W-1-4.3V.今V即M(正弦半波50Hz)10I+AC4分组耐焊接热(D)最后侧试正向峰值电压反向峰值电流V-Ixw,GB 4937,2.2.2GB 4023N一1.2.3GB 4023N-1-4.3方法IAIr“二9AVa=V.RM(正弦半波50H.)1.6510V协15C7分组交变湿热(D)最后测试正向峰值电压反向峰值电流VrMI.w,GB 2423.4GB 4023W-1-2.3GB 4023W-1-4.3严格度:55C , 6dLw=9AV,=V.-(正弦半波50Hz)1.8120V尸A20C8分组电耐久性最后测试正向峰值电压反向峰值电流V叫I-GB 49
11、38GB 4023四-1-2.3GB 4023N-1-4.3工作寿命;VR=VRR iIF= 0- 8Iruv, ;t=100011,试验时夹在距管体10-15.m，并安装必要的散热装置I- =9AVR=VR-(正弦半波50H.)1.812010VpAC9分组高温贮存(D)最后测试正向峰值电压反向峰值电流V-1-GB 4937 3. 2GB 4023N-1. 2.3GB 4023W-1.4.3T,g=150C ;t=10006IF. =9AVR=VRRM(正弦半波50H.)1.8120V协15CRRL分组C4,C7,C8和C9的属性资料SJ/T 10059-91D组鉴定批准试验(不要求)10附加资料10.1温度降额曲线4-1 I (A)T-(C)附加说明:本标准由机械电子工业八七三厂负责起草。本标准主要起草人:张晓彦刘东才
