1、rJ中华人民共和国电子工业行业标准sJ/T 10062.10063-91电子元器件详细规范PIN40A、PIN40B和PIN4 QC型硅微带PIN开关二极管PIN 62A、PIN 62B、PIN 62C和PIN62D型硅PIN开关二极管1991-04-08发布1991-07-01实施;中华人民共和国机械电子工业部发布中华人民共和国电子工业行业标准电子无器件详细规范PIN4OA,PIN4OB和PIN4OC型硅微带PIN开关二极管Detail specification for electronic componentsMicrostric silicon switching PIN diodes
2、for types PIN40A,PIN40B and PIN40CSJ/T 10062-91本标准适用于PIN40型硅微带PIN开关二极管，它是按照GB 12562QPIN二极管空白详细规范标准制订的，符合GB 4589“半导体器件分立器件和集成电路总规范和GB 12560(半导体器件分立器件分规范的.类要求。中华人民共和国机械电子工业部1991-04-08批准1991-07-01实施一1一SJ/T 10062- 91中华人民共和国机械电子工业部评定器件质盆的根据:GB 4589. 1半导体器件分立器件和集成电路总规范和GB 12560半导体器件分立器件分规范S/r 10062-91YIN4
3、0A,YIN40B和YIN40C型硅微带YIN开关二极管详细规范订货资料，见本规范第7章.1机械说明外形图亡香0I22min“决孽粼岩尺寸单位mm2简略说明YIN二极管半导体材料:硅封装微带一环氧非空腔)应用:天线开关、移相、电调衰减、调制等.3质量评定类别I类斗-一一.!1一参考数据:V”，笋300VCt。( 0.8pF(YIN 40A)Cwi成O.GpF(YIN 40B)成0.弓pF(YIN 40C)0.4pF丁(工.apt一2一SJ/P 10062-914极限值(绝对最大额定值)除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用.条文号参数名称符号数值单位最小值最大值4.14.24.34.
4、5.4.5.2工作环境温度贮存温度击穿电压耗散功率最高有效(等效的)结温耗散功率了，em6了“aigV-,了飞v户尸一55一55300150150150200V.W5电特性(对检验要求见本规范的第8章)条文号特性和条件(见总规范的第4章)Tamb=25 C符号数值单位试竺组别最小值最大值5.15.25.35.45.55.75.85.105.11反向电流Va=200V反向电流V = 20OV,iamb=100C正向电压l, = l OOmA总电容Vx=100V,f=1MHzYIN 40人YIN 40BYIN 40C反向恢复时间1,=20.A,Ix=200.A正向微分电阻Ir=l00mA,f=lO
5、kH.申联电感v封装电容1，热阻playI 1V,Clot“矛L,C,Rom-.1.0101.00.80.60.41.01.00.20. 10. 625产ApAVPrpFDF尸，OnHPF /mwA2bC2bA2bA2bA3A2b注:1)典型值，不作检验用.6标志61每个器件均放在有参数卡的小包装袋内，参数卡上应有下列资料:6.1.1完整的器件型号。6.1.2与外形图相对应的极性识别符号曰粉)。6.1.3质量评定类别标记(应放在型号后面，如PIN 40A I)。6.1.4检验批识别代码。3一SJ/T 10062-916.2包装箱上的标志6.2.1重复参数卡上的器件型号、类别标记和检验批代号。6
6、.2.2标上“怕湿”等字样。6.2.3制造厂商标.7订货资料订货单上应有下列内容:7.1准确的型号。72订货数量。7.3本规范编号。7.4对器件的其它要求。8试验东件和检验要求8.1在本章中，除非另有规定，引用的条文号对应于GB 4589. 1的条文号，测试方法引自GB 65701微波二极管测试方法。8.2器件构成A组、B组检验批的时间可以为一个月。试验条件和检验要求见下表。A组逐批全部试验都是非破坏性的(3.6.6)检验或试验引用标准条件7t二25C(见总规范的第4章)检脸要求数值单位LTPD最小值最大值Al分组外部检验4.2.1.15AN分组不工作器件I.且VrGB 6570,6.2GB
7、6570,6.3. 1Vw=200V1, =100.A极性顺倒，Ix,100或VF妻10卜AV0.7Alb分组I.,G.,Vr雀GB 6570,6.2GB 6570,8.2GB 6570,6.3. 1GB 6570,8.3V= 200VV:二100V f=1MHzFIN40AFIN40BPiN40CIr=100mA1,=100.A j=10kHz1.00.80.60.41.01.0pApFpFpFVn3A3分缅GB 6570.8.5lv=20mA Ix=200mA1.0W74一s,1/T 10062-91B组逐批标注(D)的试验是破坏性的(3.6.6)注,1)GB 4937(半导体分立器件机械
8、和气候试验方法.2)GB 2423.4电工电子产品基本环境试验规程试验llb交变湿热试验方法孔一5一SJ/T 10062-91C组周期标注(D)的试验是破坏性的(3.6. 6 )检验或试验引用标准条件7b= 251C(见总规范的第4章)检验要求极限单位LTPD最小值最大值C1分组尺寸4. 2. 230C26分组IxeCB6570,6. 2T.mb=100CV= 200V10产A15C3分组引出端强度拉力(D)GB 4937,2.1.1拉力二1N受试端数2无损伤15C4分组耐焊接热(D)最后测试:I,rGB 4937,2.2.2GB 6570,6.2GB 6570,8.3方法1A怪润时间:10士
9、1S恢复时间:30minV. =200VI，二l00mA f=10kHz:一:产A否115C7分组交变湿热(D)最后侧试:同A2b分组GB 2423.4试验Db严格度:55C .6d应在试验后的41,内测完所有规定的参数同Alb分组同A2匕分组20C8分组电耐久性最后测试:同B8分组本规范10.2VR=100V Ire,=50mA时间1000h按B8分组同138分组10C9分组高温贮存(D)最后测试:同B8分组GB 4937 3. 27 .:g= 150C时间1000h按B8分组同B8分组15CRRL分组C3,C4,C7和C9的属性资料:C8试验前后的测盆数据一6一SJ/T 10062-91g
10、D组鉴定批准试验(不要求)附加资料特性曲线a. r-I;关系曲线(见图1)b. r.,- V关系曲线(见图2)c.。一V:关系曲线(见图3)d. P-T-关系曲线(见图4)内曰n曰月.己.厅II丁T丁ll1一!一i日厂厂l刀厂lz一一六人L人、.卜，-月i百函二二丁-.I IlI一li刃州41,图1正向微分电阻与正向电流关系曲线一7SJ/T 10062-91刁 了二右GHzC,=0. 8pF习刁_-1一干巨了干了丁l尸l1-仁二一r又匕匕匕L口II1二二lee.，州一-.-80-z0v,.F(v)图2射频电阻与电压关系曲线CK(夕)1.2o. 80. 40l万1日门叼口l巨二巨二门I一IIIl一!一爪尸I一50一tooV.-图3总电容与反向电压关系曲线一8一sJ/T 10062-91P,-,冈一l闪ll火门T-CC)图4功耗降额曲线10.2电耐久性试验方法D I日 R,器件应在稳态交流条件下工作、环境温度为室温，无散热器。附加说明:本标准由国营九七0厂负责起草。一9一
