SJ T 10082-1991 电子元器件详细规范 半导体集成电路CT54195/CT74195型4位移位寄存器 .pdf

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资源描述

1、L -i中华人民共和国电子工业行业标准SJ/T 1004210048-91SJ/T 10078.10086-91电子元器件详细规范半导体集成电路TTL电路(一)1991一04-08发布1991一07-01实施中华人民共和国机械电子工业部发布中华人民共和国电子工业行业标准电子元器件详细规范半导体集成电路CT54195/CT74195型4位移位寄存器(并行存取,J一K输人)SJ/T 10082-91Detail specification for electronic componentsSemiconductor integratedCT54195/CT74195 4-bit parallel-

2、accesscircuitshift register本规范规定了半导体集成电路CT54195/CT74195型4位移位寄存器(并行存取,J-K输入)质量评定的全部内容。本标准符合GB 4589. 1(半导体器件分立器件和集成电路总规范分和GB/T 12750a半导体集成电路分规范(不包括混合电路)的要求43华人民共和ig Fi,iA电子工业部1991一04-08批准1991-07-01实施160SJ/T 10082-91中华人民共和国机械电子工业部评定器件质t的依据:GB 4589. 1半导体器件分立器件和集成电路总规范GB/T 12750半导体集成电路分规范(不包括混合电路)SJ/T 10

3、082-91CT54195/CT74195型4位移位寄存器(并行存取,J一K输入)详细规范订货资料:见本规范第7章。机械说明简要说明外形依据:GB 7092半导体集成电路外形尺寸。外形图:GB 7092D型5.3条及5.3,1条J型5.4条及5.4.1条P型5.5条及5.5.1条F型5.1条及5.1.1条双极型寄年器半导体材料:硅封装:空封、非空封逻辑图、功能表见本规范第11章。品种:引出端排列:贬厂。|233PQQQQ一QCCR1KDaDiD2DnGNnvim0-70(C)一55-12510(M)陶瓷直插(D)CT54195MD黑瓷直插(J)CT74195CJCT54195MJ塑料直插(P)

4、CT74195CP多层陶瓷扁平(F)CT54195MFSH/ LD引出端符号名称见本规范11.5条。标志:按GB 4589. 1第2.5条及本规范第s章。质量评定类别,A.,B.,c161SJ/T 10082-914极限值(绝对.大颇定值)若无其他规定,适用于全工作温度范围。条款号参数符号数值单位最小最大4.1工作环境温度54Temb一55125740704.2贮存温度T.ig一651504.3电薄电压Vcc7v4.4输人电压V5. 5v4.5多发射极晶体管输入端间的电压vn5.5v5电工作条件和电特性电特性的检验要求见本规范第8章。5.1电工作条件若无其他规定,适用于全工作沮度范围。条款号参

5、数符号数值单位最小最大5.1.1电源电压54v+4. 55.5v4.755. 25745.1.2输入高电平电压V.2v5.1.3输入低电平电压v0.8v5.1.4输出高电平电流lu一800FA5.1.5输出低电平电流IL16.A5.1.6脉冲宽度CYtw16ns12CR5.1.7建立时间SH/LD1-25nSJ.R,D2025CR5.1.8保持时间Dt日0nS5.2电特性若无其他规定,适用于全工作温度范围。162SJ/T 10082-91条献号特性和条件,符号规范值单位试验最小最大5.2.1输出高电平电压V-=最小V,H=2VV二二0.8V la,=一8001AVo“2.4VA35.2.2翰出

6、低电平电压V二二最小Vix=2VVa=0.8V IOC.=16mAV-0.4VA35.2.3输入钳位电压V-=最小l,二一12.AV.一15VA35.2.4输入高电平电流V二二最大Vm=2.4V11.40尸AA35.2.5输入低电平电流V二二最大V,二。.4V1一1.6mAA35.2.6最大输入电压下的输入电流V二二最大V,二5.5Vit1-AA35.2.7输出短路电流V-=最大541.一20一57.AA3一18一57745.2.8电源电流Vac=最大SH/LD接地J,K,D接4.5V其他翰入端接地输出端开路I-63mAA35.2.9最高工作频率Cc=15pF Rc=400QV-=5V T.b

7、=25Cf-30MHzA45.2.10传输时间Cc=15pF Rc=40011Temb=25CV- =5VCF-Q,QA-22里】5A4t-26CR-Qt-30注:1) V。为最小或最大.按本规范第5.1.1条。6标志器件上的标志示例:认证合格帐窟括用时,口31tk4f1三下仁O CT74195CP8916 MA一型号质月评定类别侧遭单位商标163SJ/T 10082-91若受器件尺寸限制时,允许将“检验批识别代码”、“质盈评定类别”标在器件背面.了订货资料若无其他规定,订购器件至少需要下列资料:产品型号;b.详细规范编号;c.质量评定类别;d.其他。a试验余件和检验要求抽样要求:根据采用的质

8、f评定类别,参照GB/T 12750第9章的有关规定.A组检验的抽样要求分组AQLl类.类ILAQLILAQLA1I0.6510.65A2I0.110.1A3I0.15I0.15人3aS41.0S41.0A3bS41.0S41.0A4S41.0S41.0B组、C组和D组检验的抽样要求分组LTPD.类.类ABCB115151515C120202020C2b15151515C315151515B4 C410101010B5 C510101010C620202020C715151515B8 C8105710C91557is164SJ/T 10092-91续表分组LTPDI类,类ACCll202020

9、20B2120101015C2320101520C2420101520D8105730A组逐批全部试验均为非破坏性的(见GB 4589.1第3.6.6条)检验或试脸引用标准条件若无其他规定,T.b二25C(见GB 4589.1第4.1条)检脸要求规范值Al分组外部目检GB 4589.1.4.2.1.1条标志清晰,表面无摄伤和气孔A2分组25下的功能验证按本规范5.2.1条,5.2.2条和11.3条按本规范5.2.1条、5.22条和H.3条人3分组25下的静态特性GB 3439半导体集成电路TTL电路侧试方法的基本原理按本规范5.2.1条至5. 2.8条和10.1条按本规范5. 2. 1条至52

10、.8条Ma分组最高工作温度下的静态特性GB 3439T,.进本规范4.1条规定的最大值。条件:同A3分组一同A3分组A3b分组最低工作盆度下的静态特性CB3439amb按本规范4.1条规定的最小值.条件同A3分组同A3分组A4分组25下的动态特性GB 3439按本规范5.2.9条和5.2.10条按本规范52.,条和5. 2. 10条165sJ/T 10082-91B组逐批标有(D)的试验是破坏性的(见GB 4589. 1第3.6. 6条)枪验或试验引用标准条件若无其他规定,T.a.b = 25C(见GB 4589. 1第4.1条)检验要求规范值B1分组尺寸GB 4589. 1,4.2.2条及附

11、录B按本规范第1章B4分组可焊性GB 4590(半导体集成电路机械和气候试验方法2.5条按方法b(擂焊法)按25.6条BS分组很度快速变化a空封器件随后进行:电侧t密封:细检汤粗检涌b.非空封和环氧封的空封器件随后进行:外部目检称态湿热电侧tGB 4590,3.1条GB 4590,3. 11条或3.12条GB 4590.3.13条GB 4590,3.1条GB 4589.1.4-2. 1.1条GB 4590,3.7条沮度按本规范4.2条规定循环次数:10次t二5min同A2,A3分组恢复2h按规定按规定温度按本规范4.2条规定循环次数:10次t:二5 min按规定严格度A时间241,同A2,A3

12、分组同A2,A3分组同AI分组A2,A3分组B8分姐电咐久性(168h)最后侧t(同人2,A3和人4分组)GB 4590.4.7条7.b按本规范4. 1条规定的最大值,其他按本规范30. 3条同A2,A3和A4分组同2, A3和A4分组B21分组高压热汽(D)(非空封器件)最后测盆(同人2和A3分组)GB 4590,4. 5条严格度C时间:246同A2和A3分组同A2和A3分组CRRL分组就B4,B5,B8和B21分组提供计数检查结果。166一s!/T 10082-91C组周期标有(D)的试验是破坏性的(见GB 4589. 1第3.6. 6条)检验或试验引用标准条件若无其他规定.T.mb=25

13、C(见GB 4589.1第4.1条)检验要求规范值C1分组尺寸GB 4589.1.4. 2. 2条及附录B按本规范第1章C2b分组最商和最低工作温度下的动态特性GB 3439温度按本规范4.1条同A4分组规范值为A4分组最大值的1.5倍,最小值的0.8倍C3分组引线强度拉力(D)奄曲(D)GB 4590. 2.1条GB 4590 .2. 2条外加力的值按2.1条表1外加力的值按2.2条表2按2.1.5条无损伤C4分组耐焊接热(D)最后侧t(同A3分组)GB 4590.2. 6条按方法1(260C柑焊)同A3分组同A3分组C5分组,温度快速变化(D)(非空封和环载封的空封器件)随后进行:外部目检

14、稳态湿热电侧t(同A3分组)GB 4590.3.1条GB 4589.1.4. 2. 1. 1条GB 4590,3.7条TA=一65C 7x=150C循环次数500 t,=5min严格度A时间:246同A3分组同A1分组同A3分组C6分组1)稳态加速度(D)(空封器件)最后测里(同A3分组)GB 4590,2. 10条加速度:按规定同A3分组同A3分组167sJ/T 10082-91C组周期(续)检验或试验引用标准条件若无其他规定,T.mb= 25 C(见GB 4589. 1第4.1条)检验要求规范值C7分组称态很热(D)空封器件b.非空封器件.后侧t(同A2,A3分组)GB 4590,3.6条

15、GB 4590,3.7条严格度D,56d严格度A.时间1000h同A2,A3分组同A2,A3分组C8分组电耐久性(10001)最后侧t(同B8分组)GB 4590,4. 7条同B8分组同B8分组同B8分组C9分组商温贮存最后测t(同B8分组)GB 4590,3.3条温度按T,y(mex)时间:10001同B8分组同B8分组Cll分组标志耐久性GB 4590.4. 3条按方法2,溶液A型按GB 4590.4. 3. 2条C23分组抗溶性(D)(非空封器件)GB 4590.4.4条按GB 4590,4.4.2条按GB 4590.4. 4. 2条C24分组易嫩性(D)(非空封器件)GB.4590.4

16、.1条按GB 4590.4.1.2条按GB 4590,4.1.2条CRRL分组就C2b,C3,C4,CS,C6,C7,C8,C9,Cll,C23和C24分组提供计数检查结果.注:1)连续三次通过后.周期可放宽为一年一次9 D组D组检验应在鉴定批准之后立即开始进行,其后每年进行一次。168sJ/T 10082-91检脸或试验引用标准条件若无其他规定.T.6=25C(见GB 4589. 1第4.1条)检验要求规范位D8分组电附久性(D)最后侧t(同B8分组)GB 4590第4.7条1类2000h,类;3000h其他同B8分组同B8分组同B8分组附加资料10.2静态特性的测量静态特性的测量按GB 3

17、439半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理。动态特性的测量nUlllU嘴.月.2.1动态特性的测食按GB 3439.2.2负载线路1010vc。侧试点400Q接被侧物出端币|占169sJ/T 10082-s110.3电耐久性试验线路V。二3V几一l00kHz f,=50kHz几=25kHz V_=5V R二400f14.3VI,11型号说明11.1逻辑符号一170S)/T 10082-9111.2逻辑图SH/而11.3功能表输入ER- SH/面CP J R Do, D, D,氏Qo Q, Q, Q,西:L XXXXXXXX1, L L L HH L个X I x d, d, d, d,de

18、 d, d, d, d,HH LXXX xXXQoo Q,a Q,e %.瓦。H H个L H X x X XQ. Qoo Q。Q,.西,H H个L 1. x x x xI. Qoo Q。Q,n Q,HHHXX西、Q. Q。QQ,.171SJ/T 10082-9111.4波形图CP一cRJ一KSH/LD一,-一一一-,幻12301.,ODDOQQQQ清除11.5引出端符号名称送傲引出端符号名称CP时钟输入端CR清除端(低电平有效)D.-D,并行数据输入端J申行数据输入端R串行数据输入端Q.-Q.输出端Q,互补输出端SH/LD移位控制/f入控制(低电平有效)172s)/T 10082-91附录A偏

19、选(补充件)t类器件:生产厂自行规定筛选条件。,类器件:筛选项目和条件如下:等级A等级B等级C内部目位GB 45904.6条高沮橄定GB 45903.3条150C 196h沮度快速变化GB 4590 3.1条.-65-1501C,10次称态加速度,GB 45902.10条密封,GB 45903.12条和3.13条老化前电侧t同A3分组别除不合格品老化GB 45904.7条,T.mb最大、240h老化后电测t同A3分组。剧除不合格品。若不台格品率大于500,则该批拒收,注:1)不适用于非空封器件。173一SJ/T 10082-91附加说明:本标准由全国集成电路标准化分技术委员会提出.本标准由北京八七八厂负责起草。本标准主要起草人:孙人杰。174

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